負(fù)光阻留下的光阻課件

微影技術(shù)流程微影技術(shù)流程1光阻製程◆光阻的材料，通常是將感光性的樹脂成分溶解於有機(jī)溶劑中，利用旋轉(zhuǎn)塗佈將基板塗上一層光阻?！艄庾杩煞譃樨?fù)光阻和正光阻兩種，但由於解析度的關(guān)係，目前以正光阻為主流。◆負(fù)光阻是曝光的部位經(jīng)聚合硬化後，將未曝光的部位溶解，得到曝光部位的顯像。◆正光阻利用不同的顯像液，改變可溶性的構(gòu)造，選擇將曝光的部分溶解或聚合，顯像留下未曝光的部分?！羧鐖D為正光阻和負(fù)光阻的定義。光阻製程◆光阻的材料，通常是將感光性的樹脂成分溶解於有機(jī)溶2負(fù)光阻和正光阻的比較負(fù)光阻和正光阻的比較3負(fù)光阻和正光阻的比較◆欲形成相同的底膜圖案時(shí)，負(fù)光阻和正光阻使用黑白相反圖案的光罩?！糌?fù)光阻留下的光阻圖案(曝光部分)，受到顯像液的影響而膨脹，導(dǎo)致解析度降低。◆正光阻有穩(wěn)定性、黏著性、使用不便等問題。但因具有高解析度，而選擇使用正光阻。因?yàn)楣庾栾@像時(shí)，對(duì)曝光和未曝光部分的溶解度差(對(duì)比)，必須非常敏銳?！糌?fù)光阻是含有具感光特性的化合物和環(huán)化橡膠類樹脂的有機(jī)溶劑，經(jīng)光線照射後產(chǎn)生架橋反應(yīng)，經(jīng)重合、硬化，利用顯影劑形成不溶性鹼。也就是說，可利用曝光部分和未曝光部分產(chǎn)生溶解度的差異，進(jìn)行圖案的顯像?！粽庾鑴t是含有感光性材料和酚類樹脂的有機(jī)溶劑，為不溶性鹼。但經(jīng)過光的照射，則成為可溶性鹼，因此可使用鹼溶劑進(jìn)行圖案的顯像。

負(fù)光阻和正光阻的比較◆欲形成相同的底膜圖案時(shí)，負(fù)光阻和正光4負(fù)光阻和正光阻的比較負(fù)光阻和正光阻的比較5微影製程詳細(xì)流程微影製程詳細(xì)流程6圖案曝光製程◆步進(jìn)機(jī)為了進(jìn)行縮小投影，具有光學(xué)透鏡系統(tǒng)和照明系統(tǒng)(光源)。為了進(jìn)行stepandrepeat，需要有精密驅(qū)動(dòng)的X-Y晶圓移動(dòng)臺(tái)?！舨竭M(jìn)機(jī)的性能，主要受到縮小投影透鏡的性能，調(diào)準(zhǔn)夾對(duì)準(zhǔn)位置的精確度，以及X-Y移動(dòng)臺(tái)的精確度等影響。隨著年年技術(shù)的提升，解析度也持續(xù)改良。◆由於縮小投影透鏡與光源的進(jìn)步，提升解析度的手法有兩種：提升透鏡口徑(NA：numericalaperture)，及光源的短波長(zhǎng)化?！?.15μm的圖案，可使用KrF光源(249nm)；小於0.10μm的話，則使用更短波長(zhǎng)的(157nm)等?！綦S著NA增大、光源的短波長(zhǎng)化，將產(chǎn)生聚焦深度(DOF；DepthofFocus)的問題。圖案曝光製程◆步進(jìn)機(jī)為了進(jìn)行縮小投影，具有光學(xué)透鏡系統(tǒng)和照7聚焦深度探討◆如果超過聚焦深度，對(duì)凹凸不平的表面進(jìn)行曝光時(shí)，將無法得到預(yù)期的解析度?！粲伸短岣呓馕龆龋珼OF會(huì)變淺，故必須避免表面的凹凸，如果能保持表面平坦進(jìn)行曝光，就可以得到預(yù)期的高解析度。為此提出一個(gè)有效的解決方法：多層光阻技術(shù)。◆不管底膜是否凹凸不平，只要使光阻表面平坦，在上面的薄膜(或是其他種類的光阻膜)完成高解析度的圖案後，利用RIE(反應(yīng)性離子蝕刻)對(duì)下層光阻厚膜進(jìn)行異向性蝕刻。如此一來，就可以形成與底膜無關(guān)的高解析度光阻圖案。這就是多層光阻製程的概念。聚焦深度探討◆如果超過聚焦深度，對(duì)凹凸不平的表面進(jìn)行曝光時(shí)8步進(jìn)機(jī)解析度、NA、波長(zhǎng)、聚焦深度關(guān)係步進(jìn)機(jī)解析度、NA、波長(zhǎng)、聚焦深度關(guān)係9提高解析度的多層光阻製程提高解析度的多層光阻製程10曝光裝置◆曝光裝置分為接觸曝光方式和近接曝光方式?！舨恍柽M(jìn)行縮小投影，直接利用掃瞄形成縮小投影圖案，稱為掃瞄的方式。不但可減少變形，並可形成場(chǎng)面積大的圖案?！魹榱颂岣邎D案的解析度，利用相位差光罩(PSM:PhaseShiftMask)圖案的方式。曝光裝置◆曝光裝置分為接觸曝光方式和近接曝光方式。11圖案曝光裝置分類

圖案曝光裝置分類12精品課件！精品課件！13精品課件！精品課件！14今後的展望◆以光進(jìn)行曝光的技術(shù)還是有極限，今後將朝X光或電子束的曝光技術(shù)前進(jìn)?！粼谖⒂凹夹g(shù)I的範(fàn)圍內(nèi)，今後隨著尺寸的細(xì)微化，光源的選擇與光阻的開發(fā)，將成為重要的關(guān)鍵?！魹榱私鉀Q提升解析度，造成聚焦深度(DOF)變淺的問題，利用CMP(化學(xué)機(jī)器研磨)將全面平坦化技術(shù)導(dǎo)入製程中，可獲得很好的改善?！魪?970年代開