激光蝕刻電容圖形設(shè)計(jì)

激光蝕刻電容圖形設(shè)計(jì)要求一、激光銀漿蝕刻原理設(shè)備以高頻脈沖激光器為光源，以脈沖的形式在焦點(diǎn)位置對加工材料瞬間加熱氣化以達(dá)到去除銀漿（或ITO導(dǎo)電膜）材料的目的，在較高的重疊率下，通過高速振鏡使光斑沿設(shè)計(jì)線段快速掃描，達(dá)到蝕刻整條線，使蝕刻線兩邊銀漿分離斷開;在此情況下，以振鏡高速掃描刻蝕小幅面區(qū)域（110*110mm）+平臺快速移動方式，CCD自動抓靶定位，實(shí)現(xiàn)激光穩(wěn)定蝕刻銀漿或ITO材料的工藝方法。二、銀漿印刷工藝分析關(guān)于銀漿印刷，要注意以下幾點(diǎn)：銀漿厚度要均勻，厚度控制在6~8um左右，無異物和大顆粒；控制銀漿邊緣厚度變化。一般印刷精度整板應(yīng)控制在150um以內(nèi)；印刷無針孔現(xiàn)象，邊緣無鋸齒或輕微。銀漿印刷完成，烘干后，隨時(shí)間的變化，銀漿特性也會發(fā)生改變，銀漿容易脫落；如不在印刷完成后馬上蝕刻，一般應(yīng)付防靜電保護(hù)膜，或存放在充滿保護(hù)氣體（如氮?dú)猓┑目臻g中。三、銀漿線路設(shè)計(jì)方案1、兩條激光線路的間距應(yīng)為激光蝕刻（去除）線寬和銀線保留線寬之和。如激光蝕刻線寬為40微米，銀漿保留寬度為50微米，則設(shè)計(jì)圖形2條激光線間距（線距）應(yīng)為90微米。為保證激光蝕刻功能，線距應(yīng)為激光線寬的2倍以上，即線寬為40微米時(shí)，線距應(yīng)為80~100微米。在圖形設(shè)計(jì)時(shí)，銀漿蝕刻路徑用單線條來表示。如圖1所示，綠色線條為銀漿設(shè)計(jì)路徑，用單線條表示，紫色為印刷銀漿外框（左邊為引腳），綠色線條2邊黃色線條間部分為銀漿需要蝕刻部分演示，如下圖銀漿蝕刻線寬為40微米，銀漿保留50微米，2條設(shè)計(jì)線路間距為90微米，在設(shè)計(jì)圖形時(shí)，黃線可省略。

圖1銀漿激光切割線繪制規(guī)范（標(biāo)注單位：毫米）圖2實(shí)際蝕刻效果2、在繪制線條的過程中，整個(gè)路徑線條應(yīng)使用直線擬合而成，應(yīng)避免出現(xiàn)圓（如大半徑圓弧外形，小圓弧倒角等）；如外觀，功能等需要，確實(shí)需走圓弧，可以用多條線段擬合（整圓可以看成正N邊行，按精度需要選擇邊數(shù)）。圖形完成后，應(yīng)將每個(gè)路徑組合成多線段；請勿轉(zhuǎn)換成樣條曲線。3、如圖3,設(shè)計(jì)的蝕刻線在銀漿引腳中間，這可以避免各種誤差引起蝕刻線偏移導(dǎo)致功能不良。圖3蝕刻線位于引腳中間 圖4多條線線間距一致4、兩條激光線之間的間距在各個(gè)位置應(yīng)保持一致，如圖4轉(zhuǎn)角處。5、拐角處盡量使用直線或斜線，避免使用較小的倒角圓?。ㄈ菀谉齻詈迷谡麠l蝕刻線上不要出現(xiàn)圓弧，如確實(shí)需要，請用多條線段擬合。兩條直線相交處不要出現(xiàn)倒角圓?。ㄌ貏e是小圓弧），如果確實(shí)需要，請倒斜角。如圖5所示：

(a)(a)(b)(c)圖5轉(zhuǎn)角處不要倒圓角6、多條直線需要合成一條多段線（避免開、關(guān)光處功能不良和提升加工效率）,另不要轉(zhuǎn)換成樣條曲線。（a（a） （b）圖6轉(zhuǎn)換成多線段7、最邊緣設(shè)計(jì)銀漿線應(yīng)距銀漿邊緣大于150微米安全距離，以防止膜脹縮，印刷偏位等帶來的誤差，防止蝕刻出銀漿邊緣。銀漿印刷精度應(yīng)控制在整版100微米以內(nèi)為宜。

圖7邊緣銀漿線應(yīng)距銀漿邊緣150微米以上8、激光蝕刻線繪制順序應(yīng)保持一致，如下圖8所示，綠色線部分均是從上向下繪制，激光也按照這個(gè)順序蝕刻，如果順序不一致，振鏡在高速掃描的時(shí)候在轉(zhuǎn)彎處因?yàn)橛袀€(gè)弧度的關(guān)系會出現(xiàn)線距不均勻的現(xiàn)象。圖8蝕刻線繪制順序應(yīng)保持一致9、如銀漿邊緣印刷較厚，可以考慮在引腳和出口處加雙線以確保切斷，提高良率。四、ITO線路設(shè)計(jì)方案如果需要銀漿與ITO一起蝕刻，則只要應(yīng)注意每個(gè)引腳連接的銀漿和ITO應(yīng)與外界其他部分完全絕緣，使每條引腳對應(yīng)一個(gè)封閉空間。另外，由于蝕刻銀漿和ITO所需激光能量不同，故在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)將銀漿蝕刻線與ITO蝕刻線分不同圖層，其中銀漿蝕刻線應(yīng)避免進(jìn)入可視區(qū)區(qū)域。下面具體就一些細(xì)節(jié)具體分析。目前，銀漿ITO圖形有菱形，方形和斜線（單面）等。1、菱形圖形，該種圖形由于線路較簡單，激光蝕刻效率高。A）如圖9所示為上線激光蝕刻圖形，紅色圖層為ITO蝕刻線，配合著粉紅色圖層（銀漿蝕刻線）使每個(gè)引腳區(qū)域絕緣；

圖9上線圖形圖10上線圖形細(xì)節(jié)

如圖10,A區(qū)域?yàn)榧す馕g刻后有效區(qū)域（ITO）,B區(qū)域?yàn)闊o效區(qū)域，C區(qū)域激光蝕刻連接處需要延長0.3mm,使之相交，可有效避免蝕刻不斷現(xiàn)象；B）如圖11所示為下線激光蝕刻圖形，紅色圖層為ITO蝕刻線，配合著粉紅色圖層（銀漿蝕刻線）使每個(gè)引腳區(qū)域絕緣；圖11下線圖形

圖12下線圖形細(xì)節(jié)如圖12,線段A目的是為了分開區(qū)域A和區(qū)域B,因下線引腳在兩邊，所以需要一條阻隔線段(注意，線段A為L形，下面有延長0.3mm與主線重合)；2、方塊形設(shè)計(jì)，該種設(shè)計(jì)圖中獨(dú)立小單元較多，線路復(fù)雜，故效率較慢。設(shè)計(jì)圖形時(shí)應(yīng)盡可能將圖形組合，設(shè)計(jì)成單線段，較少小線段數(shù)量，以提高效率，下面提供集中思路。A)如圖13(a)為濕刻圖形，紅色填充部分為濕刻掉ITO；激光蝕刻圖形設(shè)計(jì)如圖13(b)，橙色線為激光鐳射線，鐳射線寬在30um左右；

(a) (b)圖13ITO濕刻圖該激光鐳射圖示意B）設(shè)計(jì)圖形時(shí)盡量減少單條線的數(shù)量，這樣可以提高蝕刻效率；如當(dāng)設(shè)計(jì)類似（圖14）圖形時(shí)，可以按照圖7的作圖方式將其設(shè)計(jì)為一條多段線，線條起始位置和結(jié)尾位置（即4?8線段長度和1?5線段長度）需要重合0.3mm；圖14 圖15（左邊為修改后）C）當(dāng)設(shè)計(jì)類似（圖14）圖形時(shí)，可以按照圖15左邊的作圖方式將小線段設(shè)計(jì)為一條多段線，線條起始位置和結(jié)尾位置需要重合0.3mm；D）設(shè)計(jì)封閉圖形時(shí)，首尾處應(yīng)有0.3mm重合處以便連接上。如圖16所示。圖16首尾相連E）可在引腳處將ITO分隔以調(diào)高下段良率。關(guān)于Mark標(biāo)設(shè)計(jì)要求1、Mark標(biāo)采用銀漿印刷的方式做成，形狀可為實(shí)心圓、環(huán)形圓、十字線、或圓和十字線組合等規(guī)則圖形。圖17不同形狀MARK標(biāo)2、Mark標(biāo)的尺寸直徑在3mm以內(nèi)比較合適，印刷邊緣輪廓要清晰，在Mark標(biāo)底層或以上不要印刷耐酸或視窗保護(hù)膠等影響CCD觀測效果的材料，不能有重影，以提高抓靶精度；3、同一Mark標(biāo)10mm范圍內(nèi)不要有相同圖形靶標(biāo)存在，以免誤抓靶標(biāo)引起蝕刻偏位；4、Mark標(biāo)位置及數(shù)量：一般在整個(gè)蝕刻材料外圍4角對稱