《300 mm極低氧含量直拉硅單晶》-征求意見稿

1T/NXCLXXXX—2023300mm直拉極低氧含量硅單晶本文件規(guī)定了300mm直拉極低氧含量硅單晶的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)格以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存和質(zhì)量承諾等方面的內(nèi)容。本文件適用于以電子級(jí)多晶硅為主要原材料，采用直拉法制備的直徑為300mm的極低氧含量硅單晶。產(chǎn)品主要用于絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等功率器件的的襯底。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法GB/T1551硅單晶電阻率測(cè)定方法GB/T1554硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法GB/T1557硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法GB/T11073硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法GB/T12963—2014電子級(jí)多晶硅GB/T14140硅片直徑測(cè)量法方法GB/T14144硅晶體中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語GB/T29504300mm硅單晶YS/T769非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測(cè)試方法3術(shù)語和定義GB/T14264界定的術(shù)語及定義適用于本文件。4技術(shù)要求4.1原材料原材料多晶硅應(yīng)滿足GB/T12963—2014第4.2條中電子級(jí)多晶硅2級(jí)要求，具體指標(biāo)見表1。表1多晶硅主要性能要求 4.2直徑及允許偏差2T/NXCLXXXX—2023硅單晶直徑及直徑允許偏差符合GB/T29504的規(guī)定。4.3電學(xué)參數(shù)硅單晶的導(dǎo)電類型、摻雜元素、電阻率及其徑向變化應(yīng)符合表2的規(guī)定。表2硅單晶電學(xué)參數(shù)NP4.4晶向及偏離度4.4.1硅單晶的晶向?yàn)?lt;100>。4.4.2硅單晶的晶向偏離度應(yīng)不大于1°。4.5化學(xué)成分4.5.1氧含量硅單晶的間隙氧含量應(yīng)不大于2.5×1017原子數(shù)/cm3，氧含量的徑向變化具體指標(biāo)應(yīng)不大于10%，或由供需雙方商定。4.5.2碳含量硅單晶的碳含量應(yīng)不大于5×1016原子數(shù)/cm3，或由供需雙方商定。4.5.3體金屬（鐵）含量硅單晶的體金屬（鐵）含量應(yīng)不大于5×1010原子數(shù)/cm3，或由供需雙方商定。4.6硅單晶完整性4.6.1硅單晶無孔洞、裂紋、劃傷、蝕坑等；4.6.2硅單晶位錯(cuò)密度不大于10個(gè)/cm2；4.6.3硅單晶的其他缺陷由供需雙方協(xié)定。4.7頭尾區(qū)分硅單晶應(yīng)有明確的頭尾標(biāo)記，一般以H代表頭部，T代表尾部，如有特殊要求，由供需雙方協(xié)定標(biāo)記。4.8其他硅單晶的激光刻號(hào)等其它要求，由供需雙方協(xié)商確定5試驗(yàn)方法5.1硅單晶的直徑的測(cè)量按照GB/T14140進(jìn)行。5.2硅單晶的導(dǎo)電類型測(cè)量按照GB/T1550進(jìn)行。5.3硅單晶的電阻率測(cè)量按照GB/T1151進(jìn)行。5.4硅單晶的徑向電阻率變化的測(cè)量按照GB/T11073進(jìn)行。5.5硅單晶的晶向及偏離度的測(cè)量按照GB/T1555進(jìn)行。5.6硅單晶的間隙氧含量測(cè)量按照GB/T1557進(jìn)行。5.7硅單晶的徑向氧含量變化的測(cè)量按照GB/T14144進(jìn)行。5.8硅單晶的碳含量測(cè)量按GB/T1558進(jìn)行。3T/NXCLXXXX—20235.9硅單晶體的內(nèi)金屬（鐵）含量測(cè)量按YS/T679進(jìn)行，或按供需雙方協(xié)商的方法進(jìn)行。5.10硅單晶的晶體完整性按照GB/T1554進(jìn)行5.11硅單晶的頭尾標(biāo)記按照目視進(jìn)行檢測(cè)。6檢驗(yàn)規(guī)則6.1檢驗(yàn)6.1.1產(chǎn)品應(yīng)由供方的品質(zhì)部門進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品符合本文件規(guī)定，并填寫產(chǎn)品質(zhì)量保證書及檢驗(yàn)結(jié)果。6.1.2需方可在收到產(chǎn)品后按照本文件規(guī)定進(jìn)行檢測(cè)，若檢測(cè)結(jié)果與本文件（或訂貨合同）不符，可立即向供方反饋，并由供需雙方協(xié)定解決問題。6.2組批硅單晶以呈批的形式提交驗(yàn)收，每批應(yīng)由需方要求的同一規(guī)格的硅單晶錠組成。6.3檢驗(yàn)項(xiàng)目關(guān)于硅單晶的取樣位置及數(shù)量的規(guī)定見表3。表3硅單晶的取樣規(guī)定6.4檢驗(yàn)結(jié)果的判定6.4.1直徑、晶向、導(dǎo)電類型、頭尾標(biāo)記中某一項(xiàng)不合格，則該硅單晶判定為不合格。6.4.2電阻率、電阻率徑向變化、氧含量、氧含量徑向變化、碳含量、體金屬（鐵）含量、晶體完整性中有一項(xiàng)不合格，則該批產(chǎn)品判定為不合格。7標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸與貯存7.1標(biāo)志硅單晶包裝箱內(nèi)應(yīng)有裝箱單，外側(cè)應(yīng)有“小心輕放”、“防潮”、“防腐”等標(biāo)識(shí)，并標(biāo)明：a)供方名稱；b)產(chǎn)品名稱；c)規(guī)格；d)產(chǎn)品件數(shù)或數(shù)量。7.2包裝硅單晶使用聚苯烯逐根包裝，包裝后放入裝滿填充物的包裝箱內(nèi)，防止運(yùn)輸過程中晶棒晃動(dòng)。7.3運(yùn)輸與貯存4T/NXCLXXXX—2023產(chǎn)品在運(yùn)輸過程中應(yīng)輕裝輕卸，勿壓勿擠，并采取防震、防潮措施，產(chǎn)品應(yīng)貯存在清潔、干燥的環(huán)境中。7.4其他需方對(duì)硅單晶的標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸與貯存有特殊要求時(shí)，由供需雙方商定。7.5質(zhì)量證明書每批產(chǎn)品出廠時(shí)應(yīng)附質(zhì)量證明書，其上注明：a)供方名稱；b)產(chǎn)品名稱；c)規(guī)格；d)產(chǎn)品批號(hào)；e)產(chǎn)品數(shù)量；f)各項(xiàng)參數(shù)檢驗(yàn)結(jié)果和檢驗(yàn)部門的印記；g)出廠日期。8質(zhì)量承諾8.1在本文件的包裝方式條件，以及在上述要求的儲(chǔ)存環(huán)境條件下，質(zhì)保期為12個(gè)月，質(zhì)保期內(nèi)，在正常使用情況下如出現(xiàn)質(zhì)量問題，提供免費(fèi)換貨服務(wù)。8.2對(duì)客戶提出的咨詢或投訴，在24h內(nèi)作出響應(yīng)；在48h內(nèi)為客戶提供合理范圍內(nèi)的服務(wù)或解決方8.3出貨后3年內(nèi)，客戶有任何相關(guān)資料需求，承諾3個(gè)工作日內(nèi)回復(fù)相關(guān)資料。本標(biāo)準(zhǔn)版權(quán)歸寧夏材