PLD法在c面藍寶石襯底上制備纖鋅礦ZnS外延薄膜

?膜緩).本文結(jié)論對于研究Z其(面搖晃曲線半高寬為,(ZnS,,,?nS————————————————————————————————————;ZnS薄膜;中圖分類號:文獻標記碼通過參考Z研究了不同襯底nO(,以及較寬的帶隙(因此它是一.從構(gòu)造上來說,射涂層等等[ZnS/如,它能夠作為太陽能電池的n型窗口層—————————————————————ZnS到,,,,?時會轉(zhuǎn)變?yōu)槔w鋅礦構(gòu)造,.有關(guān)ZnS速轉(zhuǎn)動,,(,測試辦法采用布魯克公司D,discover單晶衍射儀進行相以提高ZnS————————————————————————————————————以及金屬有機化學(xué)氣相沉積法[等.Y(Z(Yoo學(xué)性能也有某些研究,例如A(Antony的辦法研究了ZnS薄膜的光學(xué)和電學(xué)性能隨著反映液中的p他們的實驗成果H值的變化而產(chǎn)生的變化,表明ZnS薄膜的電阻率隨著混合溶液的pH值的升高研究了在氛圍下不同的退火溫度對薄膜結(jié)晶性的影響.與Z對于ZnS相比,nO多,對于提高ZnO薄膜的結(jié)晶性已有了諸多比較成?[]而下降.為了獲得結(jié)晶性較好的ZnS薄膜,Xue:收到初稿日期:收到修改稿日期:通訊作者:何云斌ailbhe,hubu(edu(cny————————————————————————————————————,(,不同襯底溫度對ZnS成果,,,?.樣品生長后用X圖,不同沉積溫度制備的Z峰的搖晃nS薄膜(,,,)()圖ig,θ,ZnS薄膜的θ,,θ圖譜ositedat確er定atu所re制s備的ZnS薄膜的外延關(guān)系和不同溫度下薄膜的結(jié)晶示了襯底溫,RDφ掃描圖譜.固定,—————————————————————————————————————χ)面平行于同時能夠看出六個等價纖鋅礦c面.這是由)面,這與文獻中所報道的成果是一致的ZnS面平行于藍寶石襯底.圖,襯底溫度為,,,?時和藍寶石sthedeositiontemeratueFWHMval,線的比較,為不同沉積溫度下p,其中插圖為搖晃曲線的半高寬隨著ZnpS薄膜re(,,,)————————————————式計算能夠懂得薄膜中的晶粒尺寸也ZnS的搖晃曲線半高寬逐步逐下漸降升高,峰位,隨著溫度的升高逐步增大.這是由高(,.樣品生長后用ZnO和分別為纖鋅礦構(gòu)造和纖鋅礦構(gòu)造,,(,,?ZnO薄面的Z衍nS面?zhèn)溥M一步對比薄膜的結(jié)晶性ZnS膜(的薄膜為c圖,,薄膜的,,?下以不同厚度ig,XRDθ,θ,,θ,θZnO為緩沖層生長的ZnS,spectraofZnSfilmsdep————————————————————————層能夠進一步有效提高Z同時在nS生長ZnO緩沖層,min時達成最佳的效果,ZnS[],/,FanX,ZhanShafiIetal(ZnSZnOHeterounc,gML,qj[],H,EthiraebalkarN,KulkarniSK,etal(Enhance,jAS[],,,YokoamaMKashiroKIOhtaSI(Molecularbeamy————————————————————————————————————,,,,,,([],,,,AbounadiABlasioMDBoucharaDetal(Reflectivity[],AntonuraliKV,Manoetal(TheeffectoftheyA,MjR,[],,XionDaiJN,ChenCQ,etal(EffectsoftheAlNgH,————————————————————————————————————pwithaZnObufferlaerofdifferentthicknessy從圖,能夠看出,在ZnO緩沖層生長時間為時所制備的Z,minnS薄膜的結(jié)晶性較好.這與文獻中分別用ZnO和AlN沖層生長ZnO薄膜的的.其因素是由于不同厚度的Z規(guī)律是一致的和,的對比,也能夠看出,通過添加ZnO緩沖層能夠有效的提高ZnS薄膜的晶體質(zhì)量.這是由于ZnS的晶格常數(shù)與藍寶石襯底晶格常數(shù)相差較大,而與ZnO靠近,因此ZnS與ZnO襯底之間的晶格失配和熱失配,有助于ZnS薄膜的擇優(yōu)取向生長.圖,,,,?下采用不同厚度ZnO緩沖層生長的本實驗使用Z用脈沖激光沉積的辦法nS————————————————————————并擬定了Z,,,?,nS外延關(guān)系為Z面平行于藍寶石(