材料科學(xué)基礎(chǔ)選擇題匯總

1、極化會(huì)對晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著礙事，可使鍵性由〔B〕過渡，最終使晶體結(jié)構(gòu)類型發(fā)生變化。A:共價(jià)鍵向離子鍵B:離子鍵向共價(jià)鍵C:金屬鍵向共價(jià)鍵D:鍵金屬向離子鍵2、離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負(fù)離子間的距離〔B〕，離子配位數(shù)〔〕。A:增大，落低B:減小，落低C:減小，增大D:增大，增大3、氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是〔C〕。A:5B:6C:4D:34、NaCl單位晶胞中的“分子數(shù)〞為4，Na+填充在Cl-所構(gòu)成的〔B〕空隙中。A:全部四面體B:全部八面體C:1/2四面體D:1/2八面體5、CsCl單位晶胞中的“分子數(shù)〞為1，Cs+填充在Cl-所構(gòu)成的〔C〕空隙中。A:全部四面體B:全部八面體C:全部立方體D:1/2八面體6、MgO晶體屬NaCl型結(jié)構(gòu)，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子組成，其一個(gè)單位晶胞中有〔B〕個(gè)MgO分子。A:2B:4C:6D:87、螢石晶體能夠瞧作是Ca2+作面心立方堆積，F(xiàn)-填充了〔D〕。A:八面體空隙的半數(shù)B:四面體空隙的半數(shù)C:全部八面體空隙D:全部四面體空隙8、螢石晶體中Ca2+的配位數(shù)為8，F(xiàn)-配位數(shù)為〔B〕。A:2B:4C:6D:89、CsCl晶體中Cs+的配位數(shù)為8，Cl-的配位數(shù)為〔D〕。A:2B:4C:6D:810、硅酸鹽晶體的分類原那么是〔B〕。A:正負(fù)離子的個(gè)數(shù)B:結(jié)構(gòu)中的硅氧比C:化學(xué)組成D:離子半徑11、鋯英石Zr[SiO4]是〔A〕。A:島狀結(jié)構(gòu)B:層狀結(jié)構(gòu)C:鏈狀結(jié)構(gòu)D:架狀結(jié)構(gòu)12、硅酸鹽晶體中常有少量Si4+被Al3+取代，這種現(xiàn)象稱為〔C〕。A:同質(zhì)多晶B:有序—無序轉(zhuǎn)變C:同晶置換D:馬氏體轉(zhuǎn)變13.鎂橄欖石Mg2[SiO4]是〔A〕。A:島狀結(jié)構(gòu)B:層狀結(jié)構(gòu)C:鏈狀結(jié)構(gòu)D:架狀結(jié)構(gòu)14、對沸石、螢石、MgO三類晶體具有的空隙體積相比立，其由大到小的順序?yàn)椤睞〕。A:沸石>螢石>MgOB:沸石>MgO>螢石C:螢石>沸石>MgOD:螢石>MgO>沸石15、依據(jù)鮑林(Pauling)規(guī)那么，離子晶體MX2中二價(jià)陽離子的配位數(shù)為8時(shí)，一價(jià)陰離子的配位數(shù)為〔B〕。A:2B:4C:6D:816、構(gòu)成硅酸鹽晶體的全然結(jié)構(gòu)單元[SiO4]四面體，兩個(gè)相鄰的[SiO4]四面體之間只能〔A〕連接。A:共頂B:共面C:共棱D:A+B+C17、點(diǎn)缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動(dòng)力學(xué)過程等有關(guān)，以下點(diǎn)缺陷中屬于本征缺陷的是〔D〕。A：弗侖克爾缺陷B：肖特基缺陷C：雜質(zhì)缺陷D：A+B18、位錯(cuò)的〔A〕是指在熱缺陷的作用下，位錯(cuò)在垂直滑移方向的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。A:攀移B:攀移C:增值D:減少19、關(guān)于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有負(fù)電荷，為了維持電中性，會(huì)產(chǎn)生〔D〕。A:負(fù)離子空位B:間隙正離子C:間隙負(fù)離子D:A或B20、關(guān)于形成雜質(zhì)缺陷而言，高價(jià)正離子占據(jù)低價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有正電荷，為了維持電中性，會(huì)產(chǎn)生〔D〕。A:正離子空位B:間隙負(fù)離子C:負(fù)離子空位D:A或B21、形成固溶體后對晶體的性質(zhì)將產(chǎn)生礙事,要緊表現(xiàn)為〔D〕。A:穩(wěn)定晶格B:活化晶格C:固溶強(qiáng)化D:A+B+C22、固溶體的特點(diǎn)是摻進(jìn)外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變，但點(diǎn)陣畸變，性能變化。固溶體有有限和無限之分，其中〔B〕。A:結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的充要條件B:結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件C:結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件D:結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件23、缺陷對晶體的性能有重要礙事，常見的缺陷為〔D〕。A:點(diǎn)缺陷B:線缺陷C:面缺陷D:A+B+C24、按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的緣故，可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為〔D〕。A:熱缺陷B:雜質(zhì)缺陷C:非化學(xué)計(jì)量缺陷D:A+B+C25、晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而增加，其變化規(guī)律是〔B〕。A:線性增加B:呈指數(shù)規(guī)律增加C:無規(guī)律D:線性減少26、間隙式固溶體亦稱填隙式固溶體，其溶質(zhì)原子位于點(diǎn)陣的間隙中。討論形成間隙型固溶體的條件須考慮〔D〕。A:雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大小B:晶體〔基質(zhì)〕結(jié)構(gòu)C:電價(jià)因素D:A+B+C27、位錯(cuò)的滑移是指位錯(cuò)在〔A〕作用下，在滑移面上的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致永久形變。A:外力B:熱應(yīng)力C:化學(xué)力D:結(jié)構(gòu)應(yīng)力28、柏格斯矢量〔BurgersVector〕與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱為(A)，其符號(hào)表示為()。A:刃位錯(cuò)；⊥B:刃位錯(cuò)；VXC:螺位錯(cuò)；D:刃位錯(cuò)；29、熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的緣故所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)〔原子或離子〕。當(dāng)離子晶體生成肖特基缺陷〔Schottkydefect〕時(shí)，〔B〕。A:正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的縮小B:正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加C:正離子空位和負(fù)離子間隙是同時(shí)成對產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加D:正離子間隙和負(fù)離子空位是同時(shí)成對產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加30、熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的緣故所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)〔原子或離子〕。生成弗侖克爾缺陷〔Frenkeldefect〕時(shí)，〔A〕。A:間隙和空位質(zhì)點(diǎn)同時(shí)成對出現(xiàn)B:正離子空位和負(fù)離子空位同時(shí)成對出現(xiàn)C:正離子間隙和負(fù)離子間隙同時(shí)成對出現(xiàn)D:正離子間隙和位錯(cuò)同時(shí)成對出現(xiàn)31、位錯(cuò)的具有重要的性質(zhì)，以下講法不正確的選項(xiàng)是〔C〕。A:位錯(cuò)不一定是直線B:位錯(cuò)是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界C:位錯(cuò)能夠中斷于晶體內(nèi)部D:位錯(cuò)不能中斷于晶體內(nèi)部32、位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)包括位錯(cuò)的滑移和位錯(cuò)的攀移，其中〔A〕。A:螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)既可滑移又可攀移B:刃位錯(cuò)只作滑移，螺位錯(cuò)只作攀移C:螺位錯(cuò)只作攀移，刃位錯(cuò)既可滑移又可滑移D:螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)只作攀移33、硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度〔數(shù)量〕受〔D〕因素的礙事。A:組成B:溫度C:時(shí)刻D:A+B+C34、當(dāng)熔體組成不變時(shí)，隨溫度升高，低聚物數(shù)量〔C〕，粘度〔〕。A:落低；增加B:不變；落低C:增加；落低D:增加；不變35、當(dāng)溫度不變時(shí)，熔體組成的O/Si比高，低聚物〔C〕，粘度〔〕。A:落低；增加B:不變；落低C:增加；落低D:增加；不變36、硅酸鹽熔體的粘度隨O/Si升高而〔B〕，隨溫度下落而〔〕。A:增大，落低B:落低，增大C:增大，增大D:落低，落低37、由結(jié)晶化學(xué)瞧點(diǎn)知，具有〔A〕的氧化物輕易形成玻璃。A:極性共價(jià)鍵B:離子鍵C:共價(jià)鍵D:金屬鍵38、Na2O·Al2O3·4SiO2熔體的橋氧數(shù)為〔D〕。A:1B:2C:3D:439、Na2O?CaO?Al2O3?SiO2玻璃的橋氧數(shù)為〔B〕。A:2.5B:3C:3.5D:440、要是在熔體中同時(shí)引進(jìn)一種以上的R2O時(shí)，粘度比等量的一種R2O高，這種現(xiàn)象為〔B〕。A:加和效應(yīng)B:混合堿效應(yīng)C:中和效應(yīng)D:交叉效應(yīng)41、對一般硅酸鹽熔體，隨溫度升高，外表張力將〔A〕。A:落低B:升高C:不變D:A或B42、熔體的組成對熔體的外表張力有特殊重要的礙事，一般情況下，O/Si減小，外表張力將〔A〕。A:落低B:升高C:不變D:A或B43、由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變的過程是〔C〕的過程。A:可逆與突變B:不可逆與漸變C:可逆與漸變D:不可逆與突變44、當(dāng)組成變化時(shí)，玻璃的物理、化學(xué)性質(zhì)隨成分變化具有〔C〕。A:突變性B:不變性C:連續(xù)性D:A或B45、熔體組成對熔體的外表張力有重要的礙事，一般情況下，O/Si減小，外表張力將〔A〕。〔A〕落低〔B〕升高〔C〕不變〔D〕A或B46、不同氧化物的熔點(diǎn)TM和玻璃轉(zhuǎn)變溫度Tg的比值〔Tg/TM〕接近〔B〕易形成玻璃。A:二分之一B:三分之二C:四分之一D:五分之一47、可用三T〔Time-Temperature-Transformation〕曲曲折折曲曲折折折折曲曲折折曲曲折折折折折折線來討論玻璃形成的動(dòng)力學(xué)條件，三T曲曲折折曲曲折折折折曲曲折折曲曲折折折折折折線前端即鼻尖對應(yīng)析出10－6體積分?jǐn)?shù)的晶體的時(shí)刻是最少的，由此可得出形成玻璃的臨界冷卻速率，通常，該臨界冷卻速率愈大，那么系統(tǒng)形成玻璃〔A〕。A:愈困難B:愈輕易C:質(zhì)量愈好D:質(zhì)量愈差48、不同O/Si比對應(yīng)著一定的聚攏負(fù)離子團(tuán)結(jié)構(gòu)，形成玻璃的傾向大小和熔體中負(fù)離子團(tuán)的聚合程度有關(guān)。聚合程度越低，形成玻璃〔A〕。A:越不輕易B:越輕易C:質(zhì)量愈好D:質(zhì)量愈差49、當(dāng)熔體中負(fù)離子集團(tuán)以〔C〕的歪曲曲折折曲曲折折折折曲曲折折曲曲折折折折折折鏈狀或環(huán)狀方式存在時(shí)，對形成玻璃有利。A:低聚合B:不聚合C:高聚合D:A或C25、橋氧離子的平均數(shù)Y是玻璃的結(jié)構(gòu)參數(shù)，玻璃的許多性質(zhì)取決于Y值。在形成玻璃范圍內(nèi)，隨Y的增大，粘度〔D〕，膨脹系數(shù)〔〕。A:增大；不變B:落低；增大C:不變；落低D:增大；落低50、關(guān)于實(shí)際晶體和玻璃體，處于物體外表的質(zhì)點(diǎn)，其境遇和內(nèi)部是不同的，外表的質(zhì)點(diǎn)處于〔A〕的能階，因此導(dǎo)致材料呈現(xiàn)一系列特不的性質(zhì)。A:較高B:較低C:相同D:A或C51、由于固相的三維周期性在固體外表處陡然中斷，外表上原子產(chǎn)生的相關(guān)于正常位置的上、下位移，稱為〔B〕。A:外表收縮B:外表弛豫C:外表滑移D:外表擴(kuò)張52、固體的外表能與外表張力在數(shù)值上不相等，一般講來，同一種物質(zhì)，其固體的外表能〔B〕液體的外表能。A:小于B:大于C:小于等于D:等于53、重構(gòu)外表是指外表原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)〔〕，垂直方向的層間距與體內(nèi)〔A〕。A:不同；相同B:相同；相同C:相同；不同D:不同；不同54、粘附劑與被粘附體間相溶性〔C〕，粘附界面的強(qiáng)度〔〕。A:越差；越牢固B:越好；越差C:越好；越牢固D:越好；不變55、離子晶體MX在外表力作用下，極化率小的正離子應(yīng)處于穩(wěn)定的晶格位置，易極化的負(fù)離子受誘導(dǎo)極化偶極子作用而移動(dòng)，從而形成外表〔C，這種重排的結(jié)果使晶體外表能量趨于穩(wěn)定。A:收縮B:弛豫C:雙電層D:B+C56、外表微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地礙事外表性質(zhì)，關(guān)于脆性材料的強(qiáng)度這種礙事尤為重要，微裂紋長度〔〕，斷裂強(qiáng)度〔A〕。A:越長；越低B:越長；越高C:越短；越低D:越長；不變57、界面對材料的性質(zhì)有著重要的礙事，界面具有〔D〕的特性。A:會(huì)引起界面吸附B:界面上原子擴(kuò)散速度較快C:對位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)有阻礙作用D:A+B+C58、只要液體對固體的粘附功〔B〕液體的內(nèi)聚功，液體即可在固體外表自開展開。A:小于B:大于C:小于等于D:等于59、當(dāng)液體對固體的潤濕角θ＜90°時(shí)，即在潤濕的前提下，外表粗糙化后，液體與固體之間的潤濕〔C〕。A:更難B:不變C:更易D:A或B60、當(dāng)液體對固體的潤濕角θ＞90°時(shí)，即在不潤濕的前提下，外表粗糙化后，液體與固體之間的潤濕〔A〕。A:更難B:不變C:更易D:A或B61、粘附功數(shù)值的大小，標(biāo)志著固-液兩相輔展結(jié)合的牢固程度，粘附功數(shù)值〔B〕，固-液兩相互相結(jié)合〔〕；相反，粘附功越小，那么越易不離。A:越大；越松散B:越大；越牢固C:越小；越牢固D:越大；不變62、為了提高液相對固相的潤濕性，在固-氣和液-氣界面張力不變時(shí)，必須使液-固界面張力〔B〕。A:落低B:升高C:維持不變D:有時(shí)升高，有時(shí)落低63、關(guān)于附著潤濕而言，附著功表示為W=γSV+γLV-γSL，依據(jù)這一原理，(A)才能使陶瓷釉在坯體上附著牢固。A:盡量采納化學(xué)組成相近的兩相系統(tǒng)B:盡量采納化學(xué)組成不同的兩相系統(tǒng)C:采納在高溫時(shí)不發(fā)生固相反響的兩相系統(tǒng)D:前三種方法都不行64、將高外表張力的組分參加低外表張力的組分中往，那么外加組分在外表層的濃度〔C〕體積內(nèi)部的濃度。A:等于B:大于C:小于D:A或B65、外表微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地礙事外表性質(zhì)，關(guān)于脆性材料的強(qiáng)度這種礙事尤為重要，微裂紋長度〔A〕，斷裂強(qiáng)度〔〕。A:越長；越低B:越長；越高C:越短；越低D:越長；不變66、吸附膜使固體外表張力〔B〕。A:增大B:減小C:不變D:A或B67、粗糙度對液固相潤濕性能的礙事是：CA:固體外表越粗糙，越易被潤濕B:固體外表越粗糙，越不易被潤濕C:不一定D:粗糙度對潤濕性能無礙事68、以下關(guān)于晶界的講法哪種是錯(cuò)誤的。AA:晶界上原子與晶體內(nèi)部的原子是不同的B:晶界上原子的堆積較晶體內(nèi)部疏松C:晶界是原子、空位快速擴(kuò)散的要緊通道D:晶界易受腐蝕69、相平衡是指在多相體系中，物質(zhì)在各相間分布的平衡。相平衡時(shí)，各相的組成及數(shù)量均可不能隨時(shí)刻而改變，是〔C〕。A:盡對平衡B:靜態(tài)平衡C:動(dòng)態(tài)平衡D:臨時(shí)平衡70、二元凝聚系統(tǒng)平衡共存的相數(shù)最多為3，而最大的自由度數(shù)為〔A〕。A:2B:3C:4D:571、熱分析法是相平衡的研究方法之一，其原理是依據(jù)系統(tǒng)在冷卻過程中溫度隨時(shí)刻的變化情況來判定系統(tǒng)中是否發(fā)生了相變化，該方法的特點(diǎn)是〔D〕。A:簡便B:測得相變溫度僅是一個(gè)近似值C:能確定相變前后的物相D:A+B72、淬冷法是相平衡的研究的動(dòng)態(tài)方法，其特點(diǎn)是〔D〕。A:正確度高B:適用于相變速度慢的系統(tǒng)C:適用于相變速度快的系統(tǒng)D:A+B73、可逆多晶轉(zhuǎn)變是一種同質(zhì)多晶現(xiàn)象，多晶轉(zhuǎn)變溫度〔A〕兩種晶型的熔點(diǎn)。A:低于B:高于C:等于D:A或B74、不可逆多晶轉(zhuǎn)變的多晶轉(zhuǎn)變溫度〔B種晶型的熔點(diǎn)。A:低于B:高于C:等于D:A或B75、在熱力學(xué)上，每一個(gè)穩(wěn)定相有一個(gè)穩(wěn)定存在的溫度范圍，超過那個(gè)范圍就變成介穩(wěn)相。在一定溫度下，穩(wěn)定相具有〔C〕的蒸汽壓。A:最高B:與介穩(wěn)相相等C:最低D:A或B76、多晶轉(zhuǎn)變中存在時(shí)期轉(zhuǎn)變定律，系統(tǒng)由介穩(wěn)狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定態(tài)不是直截了當(dāng)完成的，而是依次通過中間的介穩(wěn)狀態(tài)，最后變?yōu)樵摐囟认碌姆€(wěn)定狀態(tài)。最終存在的晶相由〔D〕決定。A:轉(zhuǎn)變速度B:冷卻速度C:成型速度D:A與B77、二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，相界線上的自由度為〔C〕。A:3B:2C:1D:078、依據(jù)杠杠規(guī)那么，在二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，要是一個(gè)總質(zhì)量為M的相分解為質(zhì)量G1和G2的兩個(gè)相，那么生成兩個(gè)相的質(zhì)量與原始相的組成到兩個(gè)新生相的組成點(diǎn)之間線段〔B。A:成正比B:成反比C:相等D:A或C79、三元相圖中，相界線上的自由度為〔C〕。A:3B:2C:1D:080、固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特點(diǎn)為：(D)。A:需要較高溫度B:各向同性C:各向異性D:A+C81、在離子型材料中，礙事擴(kuò)散的缺陷來自兩個(gè)方面：熱缺陷與不等價(jià)置換產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷，后者引起的擴(kuò)散為(C)。A：互擴(kuò)散B：無序擴(kuò)散C：非本征擴(kuò)散D：本征擴(kuò)散82、固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特點(diǎn)為：DA:需要較高溫度B:各向同性C:各向異性D:A+C83、擴(kuò)散之因此能進(jìn)行，在實(shí)質(zhì)上是由于體系內(nèi)存在〔A〕。A:化學(xué)位梯度B:濃度梯度C:溫度梯度D:壓力梯度84、固溶體的類型及溶質(zhì)的尺寸對溶質(zhì)擴(kuò)散的活化能有較大礙事。那么H、C、Cr在γ-Fe中擴(kuò)散的活化能的大小順序?yàn)椤睟〕。A:QH>QC>QCrB:QCr>QC>QHC:QC>QH>QCrD:QCr>QH>QC85、晶體的外表擴(kuò)散系數(shù)Ds、界面擴(kuò)散系數(shù)Dg和體積擴(kuò)散系數(shù)Db之間存在〔A〕的關(guān)系。A:Ds>Dg>DbB:Db<Dg<DsC:Dg>Ds>DbD:Dg<Ds<Db86、在離子型材料中，礙事擴(kuò)散的缺陷來自兩個(gè)方面：熱缺陷和摻雜點(diǎn)缺陷。由它們引起的擴(kuò)散分不稱為〔B〕。A:自擴(kuò)散和互擴(kuò)散B:本征擴(kuò)散和非本征擴(kuò)散C:無序擴(kuò)散和有序擴(kuò)散D:穩(wěn)定擴(kuò)散和不穩(wěn)定擴(kuò)散87、穩(wěn)定擴(kuò)散〔穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散〕是指在垂直擴(kuò)散方向的任一平面上，單位時(shí)刻內(nèi)通過該平面單位面積的粒子數(shù)〔B〕。A:隨時(shí)刻而變化B:不隨時(shí)刻而變化C:隨位置而變化D:A或B88、不穩(wěn)定擴(kuò)散(不穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散)是指擴(kuò)散物質(zhì)在擴(kuò)散介質(zhì)中濃度隨〔A〕。A:隨時(shí)刻和位置而變化B:不隨時(shí)刻和位置而變化C:只隨位置而變化D:只隨時(shí)刻而變化89、菲克〔Fick〕第一定律指出，擴(kuò)散通量與濃度梯度成正比，擴(kuò)散方向與濃度梯度方向〔C〕。A:相同B:無關(guān)C:相反D:前三者都不是90、由于處于晶格位置和間隙位置的粒子勢能的不同，在易位擴(kuò)散、間隙擴(kuò)散和空位擴(kuò)散三種機(jī)制中，其擴(kuò)散活化能的大小為〔C〕。A:易位擴(kuò)散=間隙擴(kuò)散>空位擴(kuò)散B:易位擴(kuò)散>間隙擴(kuò)散=空位擴(kuò)散C:易位擴(kuò)散>間隙擴(kuò)散>空位擴(kuò)散D:易位擴(kuò)散<間隙擴(kuò)散<空位擴(kuò)散91、一般晶體中的擴(kuò)散為〔D〕。A:空位擴(kuò)散B:間隙擴(kuò)散C:易位擴(kuò)散D:A和B92、由肖特基缺陷引起的擴(kuò)散為〔A〕A:本征擴(kuò)散B:非本征擴(kuò)散C:正擴(kuò)散D:負(fù)擴(kuò)散93、空位擴(kuò)散是指晶體中的空位躍遷進(jìn)鄰近原子，而原子反向遷進(jìn)空位，這種擴(kuò)散機(jī)制適用于〔C〕的擴(kuò)散。A:各種類型固溶體B:間隙型固溶體C:置換型固溶體D:A和B94、擴(kuò)散過程與晶體結(jié)構(gòu)有緊密的關(guān)系，擴(kuò)散介質(zhì)結(jié)構(gòu)〔A〕，擴(kuò)散〔〕。A:越緊密；越困難B:越疏松；越困難C:越緊密；活化能越小D:越疏松；活化能越大95、不同類型的固溶體具有不同的結(jié)構(gòu)，其擴(kuò)散難易程度不同，間隙型固溶體比置換型〔D〕。A:難于擴(kuò)散B:擴(kuò)散活化能大C:擴(kuò)散系數(shù)小D:輕易擴(kuò)散96、擴(kuò)散相與擴(kuò)散介質(zhì)性質(zhì)差異越大，〔B〕。A:擴(kuò)散活化能越大B:擴(kuò)散系數(shù)越大C:擴(kuò)散活化能不變D:擴(kuò)散系數(shù)越小97、在晶體中存在雜質(zhì)時(shí)對擴(kuò)散有重要的礙事，要緊是通過〔D〕，使得擴(kuò)散系數(shù)增大。A:增加缺陷濃度B:使晶格發(fā)生畸變C:落低缺陷濃度D:A和B98、通常情況下，當(dāng)氧化物在雜質(zhì)濃度較低時(shí)，其在高溫條件下引起的擴(kuò)散要緊是〔A〕。A:本征擴(kuò)散B:非本征擴(kuò)散C:互擴(kuò)散D:A+B99、按熱力學(xué)方法分類，相變能夠分為一級(jí)相變和二級(jí)相變，一級(jí)相變是在相變時(shí)兩相化學(xué)勢相等，其一階偏微熵不相等，因此一級(jí)相變〔B〕。A:有相變潛熱，無體積改變B:有相變潛熱，并伴隨有體積改變C:無相變潛熱，并