GB∕T 4937.12-2018 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第12部分：掃頻振動_第1頁
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GB/T4937.12—2018/IEC60749-12:2002半導體器件機械和氣候試驗方法第12部分：掃頻振動(IEC60749-12:2002,IDT)國家市場監(jiān)督管理總局中國國家標準化管理委員會IGB/T4937.12—2018/IEC60749-12:2002 ——第24部分：加速耐濕無偏置強加速應力試驗(HSAT);——第28部分：靜電放電(ESD)敏感度試驗帶電器件模型(CDM)器件級；Ⅱ 本部分為GB/T4937的第12部分。《半導體器件機械和氣候試驗方法第12部分：1半導體器件機械和氣候試驗方法GB/T4937的本部分的目的是測定在規(guī)定頻率范圍內，振動對器件的影響。本試驗是破壞性試GB/T2423.10—2008電工電子產品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗Fc:振動(正弦)動時間不應少于4min。在X、Y和Z3個方向上各進行4次這樣的循環(huán)(共12次)。2

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