tft三次作業(yè)及施展同學筆記二次

關于TFT器件工藝一些名詞的解釋目錄1.自對準2.PECVD3.APCVD4.LPCVD5.PHCVD自對準技術self-alignmenttechnique微電子技術中利用元件、器件結構特點實現(xiàn)光復印自動對準的技術早期的MOS集成電路采用的是鋁柵工藝,經第一次光刻,在二氧化硅膜上刻蝕出源和漏擴散窗口,用擴散法形成源和漏擴散區(qū)；再經過第二次光刻，刻蝕出柵區(qū)，生長柵氧化層；因為柵區(qū)必須在源和漏擴散區(qū)正中間，并需要稍覆蓋源區(qū)和漏區(qū)，第二次光刻以及形成鋁柵電極的那步光刻，都必須和第一次光刻的位置精確對準。缺點是光刻時使柵區(qū)的兩端分別落在源和漏擴散區(qū)上并有一定余量，由此便產生了較大的柵對源、漏的覆蓋電容，使電路的開關速度降低。隨硅柵工藝的發(fā)展，已實現(xiàn)柵與源和漏的自對準。這種工藝是先在生長有柵氧化膜的硅單晶片上淀積一層多晶硅，然后在多晶硅上刻蝕出兩個擴散窗口，雜質經窗口熱擴散到硅單晶片內，形成源和漏擴散區(qū)，同時形成導電的多晶硅柵電極，其位置自動與源和漏的位置對準。按照這種自對準工藝，柵與源和漏的覆蓋由雜質側向擴散完成，比鋁柵工藝的覆蓋電容要小很多。采用離子注入摻雜工藝的雜質側向擴散更小，用它代替硅柵工藝中的熱擴散工藝，能進一步減小柵對源和漏的覆蓋電容，可提高MOS集成電路的開關速度和工作頻率,同時也減小器件尺寸而提高電路的集成度。PECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體(電漿)增強化學氣相沉積(PECVD)優(yōu)點：基本溫度低；沉積速率快；成膜質量好，針孔較少，不易龜裂。缺點如下：1.設備投資大、成本高，對氣體的純度要求高；2.涂層過程中產生的劇烈噪音、強光輻射、有害氣體、金屬蒸汽粉塵等對人體有害；3.對小孔孔徑內表面難以涂層等。APCVDAtmosphericPressureChemicalVaporDeposition常壓化學氣相淀積，是指在大氣壓下進行的一種化學氣相淀積的方法，這是化學氣相淀積最初所采用的方法。這種工藝所需的系統(tǒng)簡單，反應速度快，但是均勻性較差，臺階覆蓋能力差，所以一般用于厚的介質淀積。LPCVDLowPressureChemicalVaporDeposition低壓力化學氣相沉積法，廣泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅沉積,過程在管爐中執(zhí)行，要求相當高的溫度。PHCVDPhotoChemicalVaporDepos