天線用液晶聚合物改性聚酰亞胺(LCPMPI)材料試驗(yàn)方法 標(biāo)準(zhǔn)文本_第1頁(yè)
天線用液晶聚合物改性聚酰亞胺(LCPMPI)材料試驗(yàn)方法 標(biāo)準(zhǔn)文本_第2頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICSXX.XXX.XX

CCSXXXX

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CSTMXXXXX—2022

天線用液晶聚合物/改性聚酰亞胺

(LCP/MPI)材料試驗(yàn)方法

TestMethodsofLiquidCrystalPolymer/ModifiedPolyimide(LCP/MPI)

MaterialsforAntennas

2022-XX-XX發(fā)布2022-XX-XX實(shí)施

中關(guān)村材料試驗(yàn)技術(shù)聯(lián)盟發(fā)布

T/CSTMXXXXX—2022

前言

本部分參照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分:標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》,GB/T20001.4—

2015《標(biāo)準(zhǔn)編寫規(guī)則第4部分:試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》給出的規(guī)則起草。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。

本文件由中國(guó)材料與試驗(yàn)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)XXXX領(lǐng)域委員會(huì)(CSTM/FCXX)提出。

本文件由中國(guó)材料與試驗(yàn)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)XXXX領(lǐng)域委員會(huì)(CSTM/FCXX)或技術(shù)委員會(huì)

(CSTM/FCXX/TCXX)歸口。

本文件為首次發(fā)布。

2

T/CSTMXXXXX—2022

引言

當(dāng)前5G通信迅速發(fā)展,液晶聚合物/改性聚酰亞胺(LCP/MPI)作為5G天線首選新型材料,

具有傳輸損耗低、靈活性高、密封性好、可彎折等優(yōu)良特性,迫切需要更為系統(tǒng)完善的LCP/MPI

材料測(cè)試與驗(yàn)證方法來(lái)支撐材料的研制與應(yīng)用。目前國(guó)內(nèi)外缺乏針對(duì)天線用LCP/MPI材料的測(cè)試

與驗(yàn)證方法,國(guó)內(nèi)較相近的標(biāo)準(zhǔn)如GB/T13557-2017和GJB7548-2012,只關(guān)注傳統(tǒng)FPC撓性基板

材料級(jí)或者撓性印制板元件級(jí)單個(gè)級(jí)別的常規(guī)性能要求和測(cè)試方法,在信號(hào)測(cè)試方面缺少高頻信號(hào)

下的介電常數(shù)、損耗因子、溫度系數(shù)、插入損耗等試驗(yàn)方法,不能滿足天線用LCP/MPI材料性能

試驗(yàn)要求。因此有必要,建立一套完整的針對(duì)天線用LCP/MPI材料測(cè)試與驗(yàn)證方法,填補(bǔ)該領(lǐng)域

的空白。本文件改進(jìn)優(yōu)化的地方:

0.1本文件包含LCP/MPI材料的測(cè)試和驗(yàn)證兩個(gè)環(huán)節(jié),驗(yàn)證是通過(guò)LCP/MPI材料加工成撓性

印制板(FPCB)后在元件級(jí)評(píng)估LCP/MPI材料的質(zhì)量水平,放在一起綜合評(píng)價(jià)更加系統(tǒng)化;

0.2本文件在LCP/MPI材料級(jí)電性能增加了1.1GHz~100GHz頻率范圍的介電常數(shù)、損耗因子

和溫度系數(shù)試驗(yàn)方法,熱性能熱分解溫度(Td)、X/Y軸膨脹系數(shù);FPCB元件級(jí)新增電性能插入損

耗,工藝適應(yīng)性模擬回流焊等測(cè)試項(xiàng)目,補(bǔ)充相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的欠缺。

03.本文件根據(jù)LCP/MPI材料特性為熱塑性,將溫度沖擊條件設(shè)定為高溫,低溫,詳

見11.2。

3

T/CSTMXXXXX—2022

天線用液晶聚合物/改性聚酰亞胺(LCP/MPI)材料試驗(yàn)方法

重要提示(危險(xiǎn)或警告或注意):使用本文件的人員應(yīng)有正規(guī)實(shí)驗(yàn)室工作的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。本文件并未

指出所有可能的安全問(wèn)題。使用者有責(zé)任采取適當(dāng)?shù)陌踩徒】荡胧⒈WC符合國(guó)家有關(guān)法規(guī)規(guī)定的

條件。

1范圍

液晶聚合物(LiquidCrystalPolymer,英文縮寫:LCP)/改性聚酰亞胺(ModifiedPolyimide,英文

縮寫:MPI)基板材料的尺寸、電性能、熱性能、物理性能和工藝適應(yīng)性的測(cè)試方法,以及在撓性印制

板級(jí)(以下簡(jiǎn)稱FPCB)電性能、可加工性、物理性能、工藝適應(yīng)性和環(huán)境性能的驗(yàn)證方法。

本文適用于LCP/MPI在材料級(jí)的性能測(cè)試及加工成撓性印制板后的元件級(jí)驗(yàn)證。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文件,

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本

文件。

GB/T2036-1994印制電路術(shù)語(yǔ)

GB/T4722-2017印制電路用剛性覆銅箔層壓板試驗(yàn)方法

GB/T13557-2017印制電路用撓性覆銅箔材料試驗(yàn)方法

GJB7548-2012撓性印制板通用規(guī)范

IEC61189-2-721:20152-721部分:互連結(jié)構(gòu)用材料測(cè)試方法—

微波頻率下覆銅板介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值測(cè)試方法-分離介質(zhì)諧

振腔法(Part2-721:Testmethodsformaterialsforinterconnectionstructures

Measurementofrelativepermittivityandlosstangentforcopperclad

laminateatmicrowavefrequencyusingsplitpostdielectricresonator)

CSTMXXXXX—202X分離式圓柱諧振腔法測(cè)量低損耗介質(zhì)板的復(fù)介電常數(shù)

3術(shù)語(yǔ)定義

GB/T2036-1994界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

3.1撓性印制電路板FlexiblePrintedCircuitBoard,英文縮寫:FPCB

用撓性基材制成的印制電路板??梢杂谢驘o(wú)撓性覆蓋層。

[來(lái)源:GB/T2036-1994,2.11]

3.2縱向MachineDirection(MD向)

4

T/CSTMXXXXX—2022

在連續(xù)制造撓性覆銅板時(shí)的長(zhǎng)度方向,與材料連續(xù)生產(chǎn)時(shí)前進(jìn)的方向一致。

[來(lái)源:GB/T13557-2017,3.4]

3.3橫向TransverseDirection(TD向)

在連續(xù)制造撓性覆銅板時(shí)的寬度方向,它與MD方向垂直。

[來(lái)源:GB/T13557-2017,3.5]

3.4介電常數(shù)DielectricConstant

規(guī)定形狀電極之間填充電介質(zhì)獲得的電容量與相同電極之間為真空時(shí)的電容量之比,常用εr表示。

[來(lái)源:GB/T2036-1994,6.3.6]

3.5介質(zhì)損耗角正切值DielectricLossTangent

對(duì)電介質(zhì)施加正弦波電壓時(shí),通過(guò)介質(zhì)的電流相量超前于電壓相量間的相角的余角稱為損耗角,對(duì)

該損耗角取正切函數(shù)值,即為介質(zhì)損耗角正切值,常用tanδ表示。

[來(lái)源:GB/T2036-1994,6.3.7]

3.6品質(zhì)因數(shù)QualityFactor

評(píng)定電介質(zhì)電氣性能的一種量,其值等于介質(zhì)損耗角正切值的倒數(shù)。

同義詞:Q值。

[來(lái)源:GB/T2036-1994,6.3.8]

3.7耐折性ResistancetoFolding

撓性覆銅箔材料在產(chǎn)生失效前所承受的彎折能力。

[來(lái)源:GB/T13557-2017,3.1]

3.8彎曲疲勞FlexuralEndurance

撓性覆銅箔材料在產(chǎn)生失效前所承受的往復(fù)彎曲疲勞試驗(yàn)的能力。

[來(lái)源:GB/T13557-2017,3.2]

4要求

4.1試驗(yàn)條件

4.1.2試驗(yàn)的大氣條件

除另有規(guī)定外,試驗(yàn)應(yīng)在下列條件下進(jìn)行:

a)溫度:15℃~35℃;

b)相對(duì)濕度:45%~75%;

c)大氣壓力:86kPa~106kPa。

4.1.3仲裁試驗(yàn)的大氣條件

如果測(cè)試參數(shù)依賴于溫度、濕度與氣壓,則試驗(yàn)應(yīng)在下列仲裁試驗(yàn)的大氣條件下進(jìn)行:

a)溫度:(23±2)℃;

b)相對(duì)濕度:50%±5%;

5

T/CSTMXXXXX—2022

c)大氣壓力:86kPa~106kPa。

4.2試樣

4.2.1試樣狀態(tài)

根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目的不同,LCP/MPI撓性基板試樣狀態(tài)有表面不覆銅箔狀態(tài)和表面覆銅箔狀態(tài);

LCP/MPI撓性印制板試樣狀態(tài)為接收態(tài)FPCB光板。

4.2.2取樣方法

除另有規(guī)定外,LCP/MPIFCCL試樣需沿著TD或MD方向切取,若試樣的尺寸偏差無(wú)規(guī)定時(shí),則按

規(guī)定尺寸的±5%計(jì)算。在試驗(yàn)過(guò)程中,應(yīng)防止油類、汗水及其它雜質(zhì)污染試樣表面。

4.2.3試樣的制備

除非另有規(guī)定,需要把試樣上的銅箔蝕刻掉或?qū)悠肺g刻成標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)圖形,應(yīng)按以下要求進(jìn)行處理:

a)清洗與試驗(yàn)圖形制作

1)如果需要將樣品蝕刻成標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)圖形或把樣品上的銅箔完全蝕刻掉,將樣品浸入濃度不高于

2mol/L的鹽酸溶液中清除銅箔表面的氧化層,用水清洗后擦干其表面的水分并烘干;

2)用能得到規(guī)定精度的方法在銅箔面上印制標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)圖形。

b)試樣的蝕刻

除非另有規(guī)定,應(yīng)采用附錄A中任一蝕刻方法對(duì)試樣進(jìn)行蝕刻。若供需雙方間有爭(zhēng)議,應(yīng)采用

三氯化鐵蝕刻法。

4.3試驗(yàn)報(bào)告

除另有規(guī)定外,試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)包括下列內(nèi)容:

a)試樣信息,如:試樣牌號(hào)、生產(chǎn)廠家、數(shù)量等;

b)試驗(yàn)條件信息:環(huán)境條件、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、測(cè)試條件等;

c)試驗(yàn)設(shè)備基本信息,例如:設(shè)備名稱、型號(hào)、編號(hào)等;

d)測(cè)量結(jié)果;

e)人員與日期信息:試驗(yàn)日期、檢測(cè)人和批準(zhǔn)人等。

5尺寸

測(cè)量LCP/MPI基板材料的厚度時(shí),應(yīng)按GB/T13557-20176.4.3規(guī)定的方法進(jìn)行。

6電性能

6.1介電常數(shù)、損耗角正切值及溫度系數(shù)

6.1.1目的

本方法用于測(cè)試LCP/MPI材料MD或TD方向上頻率在1.1GHz到100GHz范圍內(nèi)的介電常數(shù)、介質(zhì)損

耗角正切值以及介電常數(shù)溫度系數(shù)和損耗角正切值溫度系數(shù)。

6.1.2測(cè)試條件

環(huán)境溫度應(yīng)為(23±2)℃,在測(cè)試過(guò)程中,溫差不應(yīng)超過(guò)1℃,濕度為50%±5%。

6

T/CSTMXXXXX—2022

6.1.3設(shè)備

a)1.1GHz~15GHz應(yīng)達(dá)到IEC61189-2-721:2015所列設(shè)備要求;

b)2GHz~100GHz應(yīng)達(dá)到CSTMXXXXX—202X《分離式圓柱諧振腔法測(cè)量低損耗介質(zhì)板的復(fù)介

電常數(shù)》所列設(shè)備要求

6.1.4試樣

a)1.1GHz~15GHz應(yīng)達(dá)到IEC61189-2-721:2015所列式樣要求;

b)2GHz~100GHz應(yīng)達(dá)到CSTMXXXXX—202X《分離式圓柱諧振腔法測(cè)量低損耗介質(zhì)板的復(fù)

介電常數(shù)》所列式樣要求。

6.1.5測(cè)試步驟

6.1.5.1預(yù)處理

試樣應(yīng)在(23±2)℃和(50±5)%RH下處理至少24小時(shí)。如果試樣在潮濕空氣中暴露時(shí)間長(zhǎng),應(yīng)

先在在℃的空氣循環(huán)烘箱中干燥2小時(shí),然后在上述的溫濕度條件下進(jìn)行預(yù)處理。

6.1.5.2準(zhǔn)備

主機(jī)至少提前開機(jī)預(yù)熱30min,使其達(dá)到穩(wěn)定。

6.1.5.3測(cè)量

測(cè)量樣品的長(zhǎng)度、寬度以及試樣厚度,并記錄。

6.1.5.4分離介質(zhì)諧振腔-SPDR(1.1-15GHz)測(cè)試要求

6.1.5.4.1室溫測(cè)試

a)按照測(cè)試儀頻率選擇合適的SPDR測(cè)試夾具,并連接VNA和SPDR測(cè)試夾具。測(cè)試夾具必須水平

放置;

b)根據(jù)設(shè)備供應(yīng)商的說(shuō)明書及所用夾具的標(biāo)稱頻率設(shè)置VNA參數(shù);

c)調(diào)節(jié)耦合環(huán)的位置使得耦合的位置是對(duì)稱的,并使諧振峰的峰值在-40dB至-45dB范圍內(nèi);

d)測(cè)量SPDR測(cè)試夾具的空腔諧振頻率(f0)和品質(zhì)因數(shù)(Q0)值,并記錄測(cè)量數(shù)據(jù);

e)將試樣插入SPDR測(cè)試夾具的腔體內(nèi),試樣邊緣和夾具邊緣對(duì)齊;

f)測(cè)量SPDR測(cè)試夾具的載有樣品狀態(tài)下諧振頻率(fs)和品質(zhì)因數(shù)(Qs)值,并記錄測(cè)量數(shù)據(jù);

g)根據(jù)上述測(cè)試所得的厚度h、空腔諧振頻率(f0)和帶樣品狀態(tài)下的諧振頻率(fs)數(shù)值,使用設(shè)備供

應(yīng)商提供的計(jì)算機(jī)軟件計(jì)算試樣的介電常數(shù)εr,詳細(xì)計(jì)算公式如下:

f0?fs

εr=1+…………………式(1)

hf0Kε(εr,h)

式(1)中:

εr為介電常數(shù);

h為樣品的厚度,單位mm;

f0為空腔SPDR的諧振頻率;

fs為插入樣品后的諧振頻率;

Kε(εr,h)是與εr和h有關(guān)的函數(shù),對(duì)于一個(gè)給定的諧振腔,它的物理參數(shù)(尺寸,諧振腔的介電常數(shù)

εr)是確定的。

7

T/CSTMXXXXX—2022

h)根據(jù)上述測(cè)試所得的空腔諧振品質(zhì)因數(shù)(Q0)值和帶樣品狀態(tài)下的諧振品質(zhì)因數(shù)(Qs)值,使用設(shè)備

供應(yīng)商提供的計(jì)算機(jī)軟件計(jì)算試樣的介質(zhì)損耗角正切值tanδ,詳細(xì)計(jì)算公式如下:

(Q?1?Q?1?Q?1)

tanδ=SDRC…………式(2)

pes

式(2)中:

tanδ為介質(zhì)損耗角正切值;

為加載樣品的諧振器的無(wú)載值;

QsQ

為有載時(shí),基于諧振器中的金屬的損耗的值;

QCQ

為有載時(shí),基于諧振腔中的電介質(zhì)的損耗的值;

QDRQ

pes為樣品的電磁能量填充因子。對(duì)于一個(gè)給定的諧振腔,pes是一個(gè)常量。

i)對(duì)其余兩個(gè)樣品重復(fù)d)到h)的步驟;

j)如果選擇其它測(cè)試頻率,在更換對(duì)應(yīng)頻率的SPDR夾具后,重復(fù)a)到h)步驟。

6.1.5.4.2溫度系數(shù)測(cè)試

a)按照測(cè)試頻率選擇合適的SPDR測(cè)試夾具,將測(cè)試夾具放入試驗(yàn)箱中,并連接VNA和SPDR測(cè)試

夾具,測(cè)試夾具必須水平放置;

b)設(shè)置試驗(yàn)箱的測(cè)試溫度,當(dāng)達(dá)到設(shè)置溫度(T)的時(shí)候,保溫至少30分鐘;

c)測(cè)量SPDR測(cè)試夾具的空腔諧振頻率f0(T)和品質(zhì)因數(shù)Q0(T)值。諧振峰的峰值應(yīng)在-40dB至-45dB

范圍內(nèi),調(diào)節(jié)耦合環(huán)的位置使得耦合的位置是對(duì)稱的;

d)環(huán)境試驗(yàn)箱應(yīng)恢復(fù)到室溫,將試樣插入測(cè)試夾具,試樣邊緣和夾具邊緣對(duì)齊;

e)重復(fù)步驟b),測(cè)量在溫度T時(shí),加載了樣品的諧振腔的諧振頻率fs(T)和品質(zhì)因數(shù)Qs(T)值;

f)按照6.1.5.4.1室溫測(cè)量步驟f)~步驟g)計(jì)算在T溫度下的介電常數(shù)Dk(T)和介電損耗角正切值

Df(T);

g)如果選擇其它測(cè)試溫度點(diǎn),重復(fù)步驟b)至步驟f);

ε

h)介電常數(shù)r的溫度系數(shù)(簡(jiǎn)稱TCεr)是每升高或降低一攝氏溫度下介電常數(shù)的變化。TCεr的單

-6

位為10/℃。TCεr應(yīng)通過(guò)公式(3)計(jì)算。

Dk(T1)?Dk(T2)6

TCεr=×10………………式(3)

(T1?T2)×Dk(T2)

式(3)中:

-6

TCεr為介電常數(shù)εr的溫度系數(shù),單位10/℃;

T1為測(cè)試溫度,單位℃;

T2為基準(zhǔn)溫度,單位℃;

Dk(T1)為在T1溫度下的介電常數(shù);

Dk(T2)為在T2溫度下的介電常數(shù)。

i)介電損耗角正切值tanδ溫度系數(shù)(TCtanδ)是每升高或降低一攝氏溫度下介電損耗角正切值的變

化。TCtanδ的單位為10-6/℃。TCtanδ應(yīng)通過(guò)公式(4)計(jì)算。

Dk(T1)?Dk(T2)6

TCεr=×10………………式(4)

(T1?T2)×Dk(T2)

式(4)中:

8

T/CSTMXXXXX—2022

δ為介電損耗角正切值δ的溫度系數(shù),單位-6℃;

TCtantan10/

T1為測(cè)試溫度,單位℃;

T2為基準(zhǔn)溫度,單位℃;

Df(T1)為在T1溫度下的介電損耗角正切值;

Df(T2)為在T2溫度下的介電損耗角正切值。

j)如果選擇其它測(cè)試頻率,在更換對(duì)應(yīng)頻率的SPDR夾具后,重復(fù)a)到j(luò))步驟。

6.1.5.5SCR(2-100GHz)測(cè)試要求

參照CSTMXXXXX—202X《分離式圓柱諧振腔法測(cè)量低損耗介質(zhì)板的復(fù)介電常數(shù)》。

6.1.6報(bào)告

6.1.6.1室溫測(cè)試

除4.3的規(guī)定外,試驗(yàn)報(bào)告還應(yīng)包括:

a)測(cè)試頻率;

b)測(cè)試頻率下的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)試值以及平均值;

c)試樣預(yù)處理?xiàng)l件;

d)測(cè)試的環(huán)境條件;

e)試樣是否疊加與疊加情況。

6.1.6.2溫度系數(shù)測(cè)試

a)測(cè)試頻率;

b)測(cè)試溫度(T1)和基準(zhǔn)溫度(T2);

c)試樣預(yù)處理?xiàng)l件;

d)測(cè)試的環(huán)境條件;

e)測(cè)試溫度(T1)下的介電常數(shù)Dk(T1)和介質(zhì)損耗角正切值Df(T1);

f)測(cè)試溫度(T2)下的介電常數(shù)Dk(T2)和介質(zhì)損耗角正切值Df(T2);

g)TCεr和TCtanδ;

h)如果需要多個(gè)測(cè)試溫度,報(bào)告介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的隨溫度變化的曲線圖;

i)試樣是否疊加與疊加情況。

6.2體積電阻率和表面電阻率

6.2.1目的

本方法用于測(cè)試LCP/MPI基板材料的體積電阻率和表面電阻率。

6.2.2設(shè)備

a)濕熱試驗(yàn)箱,能保持溫度(35±2)℃,相對(duì)濕度90%~95%;

b)高阻計(jì)或等效電阻測(cè)量設(shè)備,量程大于1012Ω,具有500V的直流測(cè)量電壓;

c)帶有屏蔽盒的測(cè)量夾具;

d)千分尺,最小分辨率為0.001mm;

e)游標(biāo)卡尺,最小分辨率為0.1mm;

f)連接導(dǎo)線,能將試樣保持在處理箱中測(cè)試,三根獨(dú)立的帶有同軸屏蔽的電纜;

g)附錄A所需的設(shè)備與材料。

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6.2.3試樣

測(cè)試試樣要求如下:

a)尺寸為100mm×100mm的正方形試樣,3塊;

b)試樣上的覆銅箔面(正面和反面),用合適的印制電路工藝方法并按附錄A的方法分別蝕刻成

圖2所示的圖形,圖形尺寸見圖2a)和圖2b)。

a)正面b)反面

c)電極剖面圖

圖1體積電阻率和表面電阻電極導(dǎo)電圖形(單位為mm)

6.2.4試驗(yàn)步驟

a)用6.2.2d)規(guī)定的量具在試樣上無(wú)銅箔的3個(gè)不同位置測(cè)量厚度,并計(jì)算算術(shù)平均值;

b)用6.2.2e)規(guī)定的量具測(cè)量主電極直徑和保護(hù)電極內(nèi)徑;

c)將試樣放入溫度35℃±2℃,相對(duì)濕度90%~95%的試驗(yàn)箱中h;

d)直接測(cè)量:試樣保持在試驗(yàn)箱中,所有測(cè)量應(yīng)在完成6.2.4c)潮熱試驗(yàn)后的2h內(nèi)完成。測(cè)量接

線如下:

1)按圖3連接測(cè)量電纜到6.2.2b)規(guī)定的設(shè)備,在施加500V±5V直流測(cè)量電壓1min后讀取表面

電阻值;

2)按圖4連接測(cè)量電纜到6.2.2b)規(guī)定的設(shè)備,在施加500V±5V直流測(cè)量電壓1min后讀取體積

電阻值。

e)恢復(fù)后測(cè)量:

1)將濕熱試驗(yàn)箱的溫度降低到23℃±2℃,使試樣在溫度23℃±2℃,相對(duì)濕度90%~95%的環(huán)境

中冷卻不超過(guò)1h;

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2)取出試樣并放入6.2.2c)規(guī)定的測(cè)量夾具中,分別按圖3和圖4與6.2.2b)規(guī)定的設(shè)備連接,在

5min內(nèi)分別測(cè)量試樣的表面電阻和體積電阻。在施加500V±5V直流測(cè)量電壓1min后讀取電阻

值。

圖2表面電阻測(cè)試連線圖

圖3體積電阻測(cè)試連線圖

6.2.5結(jié)果計(jì)算

按式(5)計(jì)算體積電阻率,按式(6)計(jì)算表面電阻率。

…………………式(5)

式(5)中:

:體積電阻率,單位為兆歐厘米(MΩ·cm);

:主電極直徑,單位為厘米(cm);

:保護(hù)電極內(nèi)徑,單位為厘米(cm);

:體積電阻,單位為兆歐(MΩ);

t:絕緣基膜厚度,單位為厘米(cm)。

…………………式(6)

式(6)中:

:表面電阻率,單位為兆歐厘米(MΩ);

:主電極直徑,單位為厘米(cm);

:保護(hù)電極內(nèi)徑,單位為厘米(cm);

:主電極與保護(hù)電極之間間距寬度,單位為厘米(cm);

:表面電阻,單位為兆歐(MΩ)。

6.2.6報(bào)告

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除4.3的規(guī)定外,試驗(yàn)報(bào)告還應(yīng)包括:

a)試樣絕緣基膜的厚度;

b)表面電阻率和體積電阻率的最小值。

6.3電氣強(qiáng)度

測(cè)量LCP/MPI基板材料的電氣強(qiáng)度時(shí),應(yīng)按GB/T13557-20179.3規(guī)定的方法進(jìn)行。

6.4電路連通性和絕緣性(FPCB)

6.4.1目的

本方法用于驗(yàn)證將LCP/MPI基板材料加工成FPCB后的電路連通性和絕緣性。

6.4.2設(shè)備

a)微歐計(jì):測(cè)量分辨率:100nΩ;最大測(cè)試電阻優(yōu)于:10MΩ;

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b)高阻儀:能測(cè)量10Ω或更高電阻的設(shè)備;能穩(wěn)定輸出至少200VDC測(cè)試電壓。

6.4.3試樣

除另有規(guī)定,試樣應(yīng)為使用LCP/MPI基板材料制備的接收態(tài)FPCB板。

6.4.4試驗(yàn)步驟

6.4.1電路連通性

測(cè)試位置為FPCB板上3個(gè)位置的導(dǎo)體電阻,將導(dǎo)電圖形上的規(guī)定點(diǎn)通過(guò)適當(dāng)?shù)姆绞竭B接到微歐計(jì),

例如:用測(cè)試探針接觸規(guī)定的導(dǎo)線或焊盤,然后讀取測(cè)試結(jié)果。

6.4.2電路絕緣性

用合適的方法將導(dǎo)電圖形上比較接近而不相連接的測(cè)試點(diǎn)連接到高阻儀,例如,用測(cè)試探針接觸規(guī)

定的導(dǎo)線或焊盤,并在每個(gè)網(wǎng)絡(luò)和所有相鄰的其他網(wǎng)絡(luò)之間施加測(cè)試電壓,測(cè)試同一層的電路非連通性。

在每層網(wǎng)絡(luò)和每個(gè)相鄰層的電氣隔離網(wǎng)絡(luò)間施加電壓,測(cè)試相鄰層的電路非連通性。手工測(cè)試時(shí)的電壓

最小應(yīng)為200V,持續(xù)至少5s。測(cè)量FPCB板上3個(gè)位置的導(dǎo)體間絕緣電阻。

6.4.5報(bào)告

除4.3的規(guī)定外,試驗(yàn)報(bào)告還應(yīng)包括:

a)導(dǎo)體電阻阻值、導(dǎo)體間絕緣電阻阻值;

b)電路絕緣性的測(cè)試電壓。

6.5介質(zhì)耐電壓(FPCB)

6.5.1目的

本方法適用于驗(yàn)證將LCP/MPI基板材料加工成FPCB后的相鄰網(wǎng)絡(luò)之間介質(zhì)耐電壓性能。

6.5.2設(shè)備

耐壓測(cè)試儀,能提供規(guī)定電壓±5%的公差。

6.5.3試樣

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除另有規(guī)定,試樣應(yīng)為FPCB板樣品。

6.5.4試驗(yàn)步驟

a)將樣品上的測(cè)試點(diǎn)連接到耐壓測(cè)試儀上,并施加直流電壓,施加的電壓和時(shí)間應(yīng)符合以下要求:

1)試驗(yàn)電壓VDC和施加電壓的持續(xù)時(shí)間s;

2)施加點(diǎn):電壓應(yīng)當(dāng)施加在每層的導(dǎo)體圖形之間和每個(gè)相鄰層的電氣絕緣圖形之間。

b)測(cè)試3個(gè)位置,記錄試驗(yàn)過(guò)程是否出現(xiàn)火花、放電或擊穿現(xiàn)象。

6.5.5報(bào)告

除4.3的規(guī)定外,試驗(yàn)報(bào)告還應(yīng)包括:

a)測(cè)試過(guò)程中的施壓大小、施壓時(shí)間。

b)介質(zhì)耐電壓測(cè)試結(jié)果。

6.6電路/鍍覆孔與金屬基板之間的絕緣性(FPCB)

6.6.1目的

本方法適用于驗(yàn)證將LCP/MPI基板材料加工成帶有金屬基FPCB后的相鄰網(wǎng)絡(luò)之間介質(zhì)耐電壓性

能。

6.6.2設(shè)備

同6.5.2設(shè)備。

6.6.3試樣

除另有規(guī)定,試樣應(yīng)為金屬基增強(qiáng)的FPCB板樣品

6.6.4試驗(yàn)步驟

同6.5.4步驟。

注:500V直流極化電壓應(yīng)當(dāng)施加于導(dǎo)體之間和/或連接盤與金屬基板之間,施加的方法應(yīng)當(dāng)使每個(gè)

導(dǎo)體/連接盤都受到測(cè)試。

6.6.5報(bào)告

除4.3的規(guī)定外,試驗(yàn)報(bào)告還應(yīng)包括:

a)測(cè)試過(guò)程中的施壓大小、施壓時(shí)間。

b)測(cè)試位置。

c)介質(zhì)耐電壓測(cè)試結(jié)果。

6.7濕熱與絕緣電阻(FPCB)

6.7.1目的

用加速方法驗(yàn)證將LCP/MPI基板材料加工成FPCB后耐潮熱劣化影響的能力。

6.7.2設(shè)備

a)高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱,溫度范圍(-40~+150)℃,濕度范圍(25~98)%RH,溫度波動(dòng)小于

等于0.5℃,溫度偏差±2.0℃,濕度偏差±3.0%RH(>75%RH),±5.0%RH(≤75%RH);

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b)高阻儀,能測(cè)量10Ω或更高電阻的設(shè)備;能穩(wěn)定輸出至少200VDC測(cè)試電壓;

c)直流穩(wěn)壓電源,能提供100V±10V直流電壓。

6.7.3試樣

除另有規(guī)定,試樣應(yīng)為具有濕熱和絕緣電阻測(cè)試圖形的接收態(tài)FPCB板。

6.7.4試驗(yàn)步驟

a)焊接引線并使用無(wú)水酒精或異丙醇清洗試樣;

b)預(yù)處理:(50±2)℃放置24h;

c)測(cè)試條件:

1)試驗(yàn)(步驟1~步驟7為1個(gè)循環(huán)),如圖4所示:

步驟1.(25±2)℃至(65±2)℃,(90~100)%RH,2.5h

步驟2.(65±2)℃,(90~100)%RH,3h

步驟3.(65±2)℃至(25±2)℃,(80~100)%RH,2.5h

步驟4.(25±2)℃至(65±2)℃,(90~100)%RH,2.5h

步驟5.(65±2)℃,(90~100)%RH,3h

步驟6.(65±2)℃至(25±2)℃,(80~100)%RH,2.5h

步驟7.(25±2)℃,(90~100)%RH持續(xù)至24h,循環(huán)結(jié)束

2)共10個(gè)循環(huán);

3)箱中暴露時(shí),所有各測(cè)試圖形應(yīng)施加100V±10V直流極化電壓;

4)從箱中取出后,應(yīng)在室溫下2h內(nèi)進(jìn)行最后的測(cè)試;

5)使用(500+10/-0)V直流電壓進(jìn)行絕緣電阻的最后測(cè)試;

注:將試樣放入試驗(yàn)箱中時(shí),試樣的表面應(yīng)與試驗(yàn)箱中風(fēng)向平行,且試樣不得重疊。

6)分別測(cè)試3種類型導(dǎo)線(表層、內(nèi)層及層間,如不具備3種類型可由供需雙發(fā)協(xié)商確定測(cè)試類

型)的試驗(yàn)前絕緣電阻和試驗(yàn)后絕緣電阻。

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圖4耐濕試驗(yàn)控制圖

6.7.5報(bào)告

除4.3的規(guī)定外,試驗(yàn)報(bào)告還應(yīng)包括:

a)濕熱試驗(yàn)條件;

b)試驗(yàn)前后表層、內(nèi)層及層間絕緣電阻值。

6.8介質(zhì)耐壓(FPCB)

6.8.1目的

用加速方法驗(yàn)證將LCP/MPI基板材料加工成的FPCB暴露于濕熱條件后介質(zhì)耐電壓性能。

6.8.2設(shè)備

同6.5.2設(shè)備和6.7.2設(shè)備。

6.8.3試樣

按照6.7節(jié)進(jìn)行濕熱及絕緣電阻測(cè)試后的FPCB試樣。

6.8.4試驗(yàn)步驟

按6.5.4步驟。

6.8.5報(bào)告

除4.3的規(guī)定外,試驗(yàn)報(bào)告還應(yīng)包括:

a)測(cè)試過(guò)程中的施壓大小、施壓時(shí)間。

b)介質(zhì)耐電壓測(cè)試結(jié)果。

6.9特性阻抗(FPCB)

6.9.1目的

本方法適用于驗(yàn)證將LCP/MPI基板材料加工成FPCB后的特性阻抗。

6.9.2設(shè)備

時(shí)域反射法(TDR)阻抗分析儀或者同等功能帶TDR模塊的網(wǎng)絡(luò)分析儀。

6.9.3試樣

試樣應(yīng)設(shè)計(jì)有50Ω單端傳輸線或100Ω差分阻抗線測(cè)試圖形的FPCB板,并且該阻抗線應(yīng)為傳輸線結(jié)

構(gòu),阻抗傳輸線的典型測(cè)試圖形如圖5所示。其中差分阻抗線的線間距為7mil,線寬可根據(jù)具體基材Dk/Df

以及銅厚進(jìn)行調(diào)整,阻抗線長(zhǎng)度應(yīng)大于TDR的分辨率,阻抗線長(zhǎng)度一般為100mm~150mm,具體長(zhǎng)度應(yīng)

由印制板客戶或供應(yīng)商規(guī)定。

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圖5阻抗線示意圖

6.9.4試驗(yàn)步驟

6.9.4.1預(yù)熱

開啟儀器預(yù)熱30min,使其達(dá)到穩(wěn)定。

6.9.4.2系統(tǒng)校準(zhǔn)

a)連接測(cè)試電纜與網(wǎng)絡(luò)分析儀,并使用制造供應(yīng)商提供的的力矩扳手旋緊;

b)設(shè)置頻率掃描范圍;

c)連接網(wǎng)絡(luò)分析儀和校準(zhǔn)件進(jìn)行電纜校準(zhǔn)。

6.9.4.3測(cè)試步驟

a)連接單端/差分測(cè)試探頭,將探頭置于空氣中測(cè)量測(cè)試探頭的TDR波形,建立測(cè)試區(qū)域起點(diǎn);

b)將探頭連接到被測(cè)樣品,測(cè)量被測(cè)樣品的TDR波形,將終點(diǎn)光標(biāo)放置于被測(cè)樣品波形的末端作

為測(cè)試區(qū)域的終點(diǎn);

c)數(shù)據(jù)處理,對(duì)測(cè)試區(qū)域內(nèi)所得曲線設(shè)置取值范圍(50%~70%或供需雙方協(xié)商確定),讀取該范

圍內(nèi)的平均值,該值為傳輸線的阻抗值,記錄傳輸線阻抗值;

d)選取3條阻抗線進(jìn)行測(cè)試,重復(fù)6.9.4.3步驟b)~c)。

6.9.5報(bào)告

除4.3的規(guī)定外,試驗(yàn)報(bào)告還應(yīng)包括:

a)測(cè)試位置;

b)阻抗測(cè)量結(jié)果平均值。

6.10插入損耗(FPCB)

6.10.1目的

本方法采用AFR(AutomaticFixtureRemoval,自動(dòng)夾具去除)法驗(yàn)證將LCP/MPI基板材料加工成

FPCB后的插入損耗。

6.10.2設(shè)備

a)網(wǎng)絡(luò)分析儀;

b)校準(zhǔn)件;

c)標(biāo)準(zhǔn)SMA(Sub-Miniature-A,超小型A)連接器。

6.10.3試樣

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試樣應(yīng)設(shè)計(jì)有兩種長(zhǎng)度的單端傳輸線或差分傳輸線測(cè)試圖形的FPCB板,并且該傳輸線應(yīng)為帶狀線

結(jié)構(gòu),傳輸線的典型測(cè)試圖形如圖6所示。傳輸線兩端應(yīng)設(shè)計(jì)有信號(hào)發(fā)射連接器焊盤,該焊盤用于與SMA

連接器連接。建議長(zhǎng)線和短線各自線間距均為7mil,線寬可根據(jù)具體基材Dk/Df以及銅厚進(jìn)行調(diào)整,傳

輸線長(zhǎng)線線長(zhǎng)在5inch~10inch之間,短線線長(zhǎng)在2inch~5inch之間,長(zhǎng)線與短線的長(zhǎng)度差值建議大于2inch,

具體長(zhǎng)度應(yīng)由印制板客戶或供應(yīng)商規(guī)定。

圖6AFR插入損耗測(cè)試傳輸線示意圖

6.10.4試驗(yàn)步驟

6.10.4.1預(yù)熱

網(wǎng)絡(luò)分析儀設(shè)備應(yīng)在制造商推薦的校準(zhǔn)周期內(nèi)進(jìn)行校準(zhǔn),測(cè)試前主機(jī)至少開機(jī)預(yù)熱30min,使儀器

達(dá)到穩(wěn)定。

6.10.4.2系統(tǒng)校準(zhǔn)

a)連接測(cè)試電纜與網(wǎng)絡(luò)分析儀,并使用制造供應(yīng)商提供的的力矩扳手旋緊;

b)設(shè)置頻率掃描范圍;

c)連接網(wǎng)絡(luò)分析儀和校準(zhǔn)件進(jìn)行電纜校準(zhǔn)。

6.10.4.3測(cè)試步驟

a)將標(biāo)準(zhǔn)SMA連接器安裝在FPCB測(cè)試板,并使用螺絲擰緊;

b)連接電纜和標(biāo)準(zhǔn)SMA連接器,并使用制造供應(yīng)商提供的的力矩扳手旋緊;

c)設(shè)置測(cè)試頻率范圍;

d)測(cè)試長(zhǎng)線損耗;

e)測(cè)試短線損耗;

f)依據(jù)設(shè)備制造商提供的軟件算法進(jìn)行去嵌處理;

g)根據(jù)要求標(biāo)定相應(yīng)測(cè)試頻點(diǎn)的插入損耗。

6.10.5報(bào)告

除4.3的規(guī)定外,試驗(yàn)報(bào)告還應(yīng)包括:

a)測(cè)試頻率;

b)插入損耗曲線圖。

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7熱性能

7.1熱分解溫度(Td)(TGA法)

測(cè)量LCP/MPI基板材料的熱分解溫度時(shí),應(yīng)按GB/T4722-20176.9規(guī)定的方法進(jìn)行。

7.2X/Y軸膨脹系數(shù)(TMA拉伸法)

測(cè)量LCP/MPI基板材料的X/Y軸膨脹系數(shù)時(shí),應(yīng)按GB/T4722-20176.10規(guī)定的方法進(jìn)行。

8可加工性

8.1結(jié)構(gòu)完整性(FPCB)

8.1.1目的

本方法適用于驗(yàn)證將LCP/MPI基板材料加工成的FPCB后的結(jié)構(gòu)完整性。

8.1.2設(shè)備

a)研磨機(jī),(0~800)rpm無(wú)級(jí)調(diào)節(jié);

b)金相顯微鏡,可放大50X~200X。

8.1.3試樣

接收態(tài)FPCB板上截取帶有鍍覆孔的試樣。

8.1.4試驗(yàn)步驟

將試樣用環(huán)氧樹脂鑲嵌后進(jìn)行平磨拋光,直到劃痕和污斑消失,漂洗干凈后,在金相顯微鏡下對(duì)樣

品鍍覆孔進(jìn)行觀察和測(cè)量,觀察測(cè)量項(xiàng)目如下:

a)介質(zhì)層厚度:測(cè)量介質(zhì)層厚度;

b)分層和空洞:觀察是否有分層和空洞;

c)金屬裂縫:觀察鍍層是否有金屬裂縫;

d)去鉆污:觀察孔壁是否有樹脂鉆污;

e)連接盤起翹:觀察是否有連接盤起翹現(xiàn)象;

f)鍍覆孔鍍銅層。銅鍍層厚度測(cè)量:按照?qǐng)D7所示位置測(cè)量孔銅及面銅厚度;

圖7孔銅及面銅厚度測(cè)量圖示

g)導(dǎo)體界面分離:觀察孔壁導(dǎo)體界面之間是否有分離或鉆污。

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8.1.5報(bào)告

除4.3的規(guī)定外,試驗(yàn)報(bào)告還應(yīng)包括切片檢查的結(jié)果,包括介質(zhì)層厚度、銅鍍層厚度、分層、空洞、

金屬裂縫、連接盤起翹、導(dǎo)體界面分離等觀察結(jié)果。

9物理性能

9.1尺寸穩(wěn)定性

測(cè)量LCP/MPI基板材料的尺寸穩(wěn)定性時(shí),應(yīng)按GB/T13557-20177.1規(guī)定的方法進(jìn)行。

9.2剝離強(qiáng)度

測(cè)量LCP/MPI基板材料的剝離強(qiáng)度時(shí),應(yīng)按GB/T13557-20177.2規(guī)定的方法進(jìn)行。

9.3彎曲疲勞

測(cè)量LCP/MPI基板材料的彎曲疲勞時(shí),應(yīng)按GB/T13557-20177.3規(guī)定的方法進(jìn)行。

9.4耐折性

測(cè)量LCP/MPI基板材料的耐折性時(shí),應(yīng)按GB/T13557-20177.4規(guī)定的方法進(jìn)行。

9.5耐彎曲(FPCB)

測(cè)量LCP/MPI基板材料加工成FPCB后的彎曲疲勞時(shí),應(yīng)按GB/T13557-20177.3規(guī)定的方法進(jìn)行。

9.6彎折試驗(yàn)(FPCB)

9.6.1目的

本方法適用于驗(yàn)證將LCP/MPI基板材料加工成FPCB后耐彎折的能力。

9.6.2設(shè)備

a)顯微鏡,可放大50X~200X;

b)微歐計(jì):測(cè)量分辨率:100nΩ;最大測(cè)試電阻優(yōu)于:10MΩ。

9.6.3試樣

試樣為由LCP/MPI基板材料加工成的包含圖9所示耐折性圖形的FPCB接收態(tài)試樣。

9.6.4試驗(yàn)步驟

a)拿住試樣的一端,使它圍繞心軸彎曲,然后回到起始位置,往一個(gè)方向彎曲180°,再往相反方

向彎曲180°,為一個(gè)循環(huán),如圖8所示;

注:一個(gè)循環(huán)也可定義為(采用兩端):拿住試樣兩端,圍繞心軸各端朝一個(gè)方向彎曲90°,回到

起始位置,再朝相反方向彎曲90°,然后回到起始位置為一個(gè)循環(huán)。

b)心軸直徑應(yīng)為所有層厚度總和的12倍,最大為2.5mm;

c)彎折循環(huán)數(shù):25次;

d)按9.6.4步驟a)~步驟c)完成后對(duì)樣品進(jìn)行外觀檢查是否有分層、褶皺或折痕等;

e)按9.6.4步驟a)~步驟d)完成后使用9.6.2b)規(guī)定的微歐計(jì)檢測(cè)耐折圖形互連電阻,記錄阻值。

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○a-彎曲度數(shù);○b-彎曲循環(huán)數(shù)量;○c-心軸直徑

圖8彎折試驗(yàn)示意圖

9.6.5報(bào)告

除4.3的規(guī)定外,試驗(yàn)報(bào)告還應(yīng)包括:

a)試樣試驗(yàn)后的外觀狀態(tài);

b)試驗(yàn)后互連電阻值。

9.7表面導(dǎo)體、覆蓋膜及增強(qiáng)片的剝離強(qiáng)度(FPCB)

9.7.1目的

本方法適用于驗(yàn)證將LCP/MPI基板材料加工成FPCB后表面導(dǎo)體、覆蓋膜或增強(qiáng)片與撓性基材之間

的剝離強(qiáng)度。

9.7.2設(shè)備

同9.2設(shè)備要求。

9.7.3試樣

a)表面導(dǎo)體和覆蓋膜試樣

1)可選擇蝕刻方法或切割方法制作試樣。試樣中導(dǎo)體尺寸為200.0mm×3.0mm,如圖9所示。

導(dǎo)體或覆蓋膜邊緣應(yīng)光滑;

2)單面板應(yīng)分別在縱向和橫向各制作2個(gè)試樣用于單項(xiàng)試驗(yàn);

3)雙面板的每一面應(yīng)分別在縱向和橫向各制作2個(gè)試樣用于單項(xiàng)試驗(yàn);

4)雙面撓性板的非測(cè)試面的銅箔或覆蓋膜應(yīng)保留。

b)除另有規(guī)定,試樣應(yīng)為使用LCP/MPI基板材料制備的接收態(tài)帶有增強(qiáng)片的FPCB板。

圖9剝離強(qiáng)度試樣中表面導(dǎo)體或覆蓋膜尺寸

9.7.4試驗(yàn)步驟

a)表面導(dǎo)體和覆蓋膜的剝離強(qiáng)度同9.2接收態(tài)剝離強(qiáng)度試驗(yàn)步驟;

b)撓性基材與增強(qiáng)片之間的剝離強(qiáng)度步驟如下:

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1)使用適當(dāng)工具沿著撓性線路往增強(qiáng)片方向用適當(dāng)?shù)墓ぞ吒畛鲆粭l13mm×76mm尺寸的試樣;

2)用強(qiáng)力雙面膠將試樣增強(qiáng)片一面粘貼在剝離夾具上,用9.2設(shè)備要求的夾具夾住已剝離撓性

基材的整個(gè)寬度并拉直撓性基材,垂直拉試樣,剝離大約一半的長(zhǎng)度,剝離速度為57mm/min,

讀取開始、中間和結(jié)束時(shí)的拉力,計(jì)算平均值;

3)按式(7)計(jì)算剝離強(qiáng)度,式中F為開始、中間和結(jié)束時(shí)拉力的平均值。

9.7.5結(jié)果計(jì)算

按式(7)計(jì)算每個(gè)試樣的剝離強(qiáng)度(P)。

………………式(7)

式中:

P:剝離強(qiáng)度,單位為牛頓每毫米(N/mm);

F:剝離力,單位為牛頓(N);

T:導(dǎo)線寬度,單位為毫米(mm)

9.7.6報(bào)告

除4.3的規(guī)定外,試驗(yàn)報(bào)告還應(yīng)包括:

a)導(dǎo)線或覆蓋膜剝離寬度;

b)增強(qiáng)片的剝離強(qiáng)度。

9.8粘合強(qiáng)度(FPCB)

9.8.1目的

本方法適用于驗(yàn)證將LCP/MPI基板材料加工成FPCB后表面安裝盤的粘合強(qiáng)度。

9.8.2設(shè)備

a)微機(jī)控萬(wàn)能拉力試驗(yàn)機(jī),能準(zhǔn)確測(cè)量至0.05N;

b)焊烙鐵,溫度誤差±3℃;

c)光學(xué)顯微鏡,可放大10X~30X倍數(shù);

d)測(cè)試引線。

9.8.3試樣

試樣為FPCB上尺寸為(0.2~2.5)mm×(0.1~1.25)mm的表面安裝盤。

9.8.4試驗(yàn)步驟

a)使用光學(xué)顯微鏡放大測(cè)量所測(cè)表面安裝盤的尺寸大小;

b)將測(cè)試引線焊接到所測(cè)表面安裝盤上,將烙鐵溫度調(diào)節(jié)到(232~260)℃焊接完成后,將試樣置

于測(cè)試機(jī)的固定架上。除非有測(cè)試溫度要求,否則測(cè)試應(yīng)在室溫(18~30)℃下進(jìn)行;

c)將未焊接的引線頭固定在測(cè)試機(jī)的夾具上,并保持垂直狀態(tài);

d)用50mm/min的速度垂直拉引線,直到發(fā)生失效或超過(guò)規(guī)定值;

e)引線斷裂或引線拉脫,不應(yīng)認(rèn)為是失效,應(yīng)將新的引線焊接到新的表面安裝盤上;

f)計(jì)算表面安裝盤的粘結(jié)強(qiáng)度。

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9.8.5結(jié)果計(jì)算

a)表面安裝盤的粘結(jié)強(qiáng)度計(jì)算公式:粘結(jié)強(qiáng)度=拉脫力值/表面安裝盤的面積;

b)測(cè)量5個(gè)表面安裝盤的粘結(jié)強(qiáng)度。

9.8.6報(bào)告

除4.3的規(guī)定外,試驗(yàn)報(bào)告還應(yīng)包括:

a)被測(cè)表面安裝盤的面積,mm2;

b)表面安裝盤的拉脫力值,N;

c)拉力機(jī)速率,mm/min;

d)粘結(jié)強(qiáng)度,N/mm2。

10工藝適應(yīng)性

10.1熱應(yīng)力(浮焊)

測(cè)量LCP/MPI基板材料的熱應(yīng)力時(shí),應(yīng)按GB/T13557-20178.2規(guī)定的方法進(jìn)行。

10.2熱應(yīng)力(FPCB)

10.2.1目的

本方法適用于驗(yàn)證將LCP/MPI基板材料加工成FPCB后的耐熱沖擊性能。

10.2.2設(shè)備

a)烘箱:空氣循環(huán)烘箱,能達(dá)溫度(105±2)℃;

b)焊槽,深度不小于40mm,尺寸不小于200mm×100mm,溫度能穩(wěn)定在232℃±5℃或產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)

定的試驗(yàn)溫度。焊槽中含有Sn60/Pb40或Sn63/Pb37焊料;

c)溫度測(cè)量?jī)x,可測(cè)25mm液面下焊錫溫度,并能夠測(cè)量規(guī)定的焊錫溫度,允許溫度偏差為±2℃;

d)秒表或其他合適的計(jì)時(shí)器,最小讀數(shù)值應(yīng)小于0.2s;

e)回流爐:應(yīng)具有良好的環(huán)境控制系統(tǒng);

f)如圖10所示的浮焊夾具或等效夾具;

g)研磨機(jī),(0~800)rpm無(wú)級(jí)調(diào)節(jié);

h)顯微鏡,可放大50X~200X;

i)助焊劑:RMA型焊劑。

圖10浮焊夾具

10.2.3試樣

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試樣為由LCP/MPI基板材料加工成帶有鍍覆孔的FPCB接收態(tài)試樣。

10.2.4試驗(yàn)步驟

a)截取FPCB帶有鍍覆孔區(qū)域試樣,使用研磨機(jī)或砂紙打磨試樣邊緣,呈光滑狀態(tài);

b)試樣在(105±2)℃條件下烘干處理6h,然后將試樣放在干燥器的陶瓷平板上,冷卻至室溫;

c)在干燥器中取出試樣后及時(shí)涂上RMA型助焊劑,在232℃±5℃的熔融焊料(Sn63Pb、Sn60Pb

等)中保持s,試樣背面與焊料液位持平;

d)試驗(yàn)后把試樣放在絕緣板上冷卻至室溫,顯微鏡觀察試樣表面有無(wú)分層、起泡、白斑等,并進(jìn)

行顯微剖切檢驗(yàn)。

10.2.5報(bào)告

除4.3的規(guī)定外,試驗(yàn)報(bào)告還應(yīng)包括:

a)熱應(yīng)力溫度、時(shí)間、次數(shù);

b)外觀檢查結(jié)果;

c)切片檢查的結(jié)果,包括介質(zhì)層厚度、銅鍍層厚度、分層、空洞、金屬裂縫、連接盤起翹、導(dǎo)體

界面分離等結(jié)構(gòu)完整性觀察結(jié)果。

10.3模擬返工(FPCB)

10.3.1目的

本方法適用于驗(yàn)證將LCP/MPI基板材料加工成FPCB后的耐模擬返工性能。

10.3.2設(shè)備

a)焊烙鐵,在整個(gè)試驗(yàn)過(guò)程中,烙鐵溫度應(yīng)保持在(232~260)℃;

b)烘箱:空氣循環(huán)烘箱,溫度能達(dá)(125±2)℃;

c)焊料應(yīng)是無(wú)腐蝕性松香的錫鉛合金,并且焊料絲的直徑應(yīng)不大于1.5mm;

d)研磨機(jī),(0~800)rpm無(wú)級(jí)調(diào)節(jié);

e)顯微鏡,可放大50X~200X;

f)引線:直徑小于孔徑0.3mm。

10.3.3試樣

FPCB板上截取約5cm×5cm帶鍍覆孔的試樣。

10.3.4試驗(yàn)步驟

a)截取印制板約5cm×5cm帶鍍覆孔的試樣;

b)先把試樣在125℃條件下烘干處理4h~6h,然后將試樣放在干燥器的陶瓷平板上,冷卻至室溫;

c)把導(dǎo)線插入孔中,并用機(jī)器或手工方式焊接到連接盤上;

d)焊接后,用手工拆焊和焊接(焊下和焊上)五個(gè)循環(huán),在每次脫焊和重焊時(shí),應(yīng)使用新導(dǎo)線;

e)焊接烙鐵通常最大60W,烙鐵頭溫度最低232℃,最高260℃。在脫焊和焊接時(shí),烙鐵應(yīng)加在導(dǎo)

線上,而不是在FPCB的焊盤銅箔上;

f)拆焊和焊接第五個(gè)循環(huán)后,進(jìn)行外觀和顯微剖切檢驗(yàn)。

10.3.5報(bào)告

除4.3的規(guī)定外,試驗(yàn)報(bào)告還應(yīng)包括:

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a)外觀檢查結(jié)果;

b)切片檢查的結(jié)果,包括鍍層空洞、毛刺和結(jié)瘤、介質(zhì)去除、鍍層分離、鍍層開裂、連接盤起翹

等觀察結(jié)果。

10.4模擬回流焊(FPCB)

10.4.1目的

本方法適用于驗(yàn)證將LCP/MPI基板材料加工成FPCB后的耐組裝回流焊接熱應(yīng)力的性能。

10.4.2設(shè)備

a)烘箱:空氣循環(huán)烘箱,(105~125)℃;

b)回流爐:應(yīng)具有良好的環(huán)境控制系統(tǒng)。

10.4.3試樣

試樣為接收態(tài)整板FPCB,表面應(yīng)無(wú)油污、油脂和其他污染。

10.4.4試驗(yàn)步驟

c)試驗(yàn)前先把試樣在125℃條件下烘干處理4h~6h,然后將試樣放在干燥器的陶瓷平板上,冷卻至

室溫;

d)調(diào)節(jié)回流爐的加熱程序,使回流曲線滿足如下條件:升溫到217℃時(shí)的斜率:(0-3)℃/s;恒溫

時(shí)間:從150℃升到210℃:60s~150s;液相線(≥217℃)以上總時(shí)間:60s-150s;回流峰值

溫度:260℃±3℃;峰溫以下5℃總時(shí)間:10s~30s;

e)除非另有規(guī)定,試樣應(yīng)至少進(jìn)行3次回流焊循環(huán);

f)回流后觀察試樣表面有無(wú)分層、起泡、白斑等,并使用顯微剖切方式對(duì)結(jié)構(gòu)完整性進(jìn)行檢驗(yàn)。

10.4.5報(bào)告

除4.3的規(guī)定外,試驗(yàn)報(bào)告還應(yīng)包括:

a)模擬回流條件;

b)外觀檢查的結(jié)果;

c)切片檢查的結(jié)果,包括介質(zhì)層厚度、銅鍍層厚度、芯吸、分層、空洞、樹脂凹縮、鍍層空洞、

鍍層分離、鍍層開裂、連接盤起翹等觀察結(jié)果。

11環(huán)境性能

11.1吸水率

測(cè)量LCP/MPI基板材料的吸水率時(shí),應(yīng)按GB/T13557-201710.1規(guī)定的方法進(jìn)行。

11.2溫度沖擊(FPCB)

11.2.1目的

本方法適用于驗(yàn)證將LCP/MPI基板材料加工成FPCB后的抗溫度沖擊能力。

11.2.2設(shè)備

a)高低溫沖擊試驗(yàn)箱,溫度偏差范圍為±2℃,低溫能維持℃,高溫能維持℃;

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b)微歐計(jì),測(cè)量分辨率:100nΩ;最大測(cè)試電阻優(yōu)于:10MΩ;

c)溫度能保持在105℃~125℃的烘箱。

11.2.3試樣

試樣為接收態(tài)FPCB板(含溫度沖擊測(cè)試圖形),表面應(yīng)無(wú)污物、油脂和其他污染。

11.2.4試驗(yàn)步驟

11.2.4.1溫沖條件選擇

試驗(yàn)條件見表3。

表3溫度沖擊試驗(yàn)條件

步驟溫度℃時(shí)間(min)

1

2

注:試樣溫度從室溫到達(dá)規(guī)定溫度的時(shí)間不大于1min。

11.2.4.2試驗(yàn)過(guò)程

a)印制板試樣應(yīng)按表3條件經(jīng)受100個(gè)溫度循環(huán);

b)試驗(yàn)前測(cè)量電阻;

c)試驗(yàn)中,在第一次和最后一次高溫下測(cè)量電阻;

d)試驗(yàn)后測(cè)量電阻;

e)試驗(yàn)后觀察試樣表面有無(wú)鍍層裂縫、起泡、白斑等。

11.2.5結(jié)果計(jì)算

分別測(cè)試第一次和最后一次高溫下的電阻,并計(jì)算電阻變化率。

……………………(7)

式(7)中:

R1—第一次高溫電阻;

R2—最后一次高溫電阻

11.2.6報(bào)告

除4.3的規(guī)定外,試驗(yàn)報(bào)告還應(yīng)包括:

a)溫度沖擊條件;

b)電阻測(cè)量結(jié)果;

c)外觀檢查的結(jié)果。

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附錄A

(規(guī)范性)

基板覆銅箔蝕刻方法

A.1酸性氯化銅蝕刻法

A.3.1目的

本方法是用酸性氯化銅蝕刻液除去高頻基板試樣的所覆銅箔的一種蝕刻和清洗方法。

A.3.2儀器與材料

本試驗(yàn)所需適用于規(guī)定程序的儀器和材料如下:

a)標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)蝕刻機(jī),或適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)蝕刻的試驗(yàn)設(shè)備;

b)空氣循環(huán)干燥箱,溫度能保持在(80±5)℃;

c)其他所需物品,砂紙、軟毛刷、去離子水、蒸餾水。

A.3.3化學(xué)藥品

本方法需用以下化學(xué)藥品:

a)酸性氯化銅蝕刻液配方,見表A.1

表A.1酸性氯化銅蝕刻液配方

化學(xué)藥品濃度

氯化銅CuCl2·2H2O0.54kg/L

鹽酸HCl(工業(yè)級(jí))9.3%(重量比)(3N)25%(體積比)

蒸餾水/去離子水適量

b)中和液:10%(重量比)的氫氧化鈉(NaOH);

c)清洗液:化學(xué)純級(jí)異丙醇(適量);

d)圖形顯影材料:抗蝕刻系列或材料,能形成適合的導(dǎo)電圖形。

A.3.4試樣

試樣尺寸由蝕刻以后要進(jìn)行的檢驗(yàn)或試驗(yàn)及蝕刻設(shè)備的尺寸確定。有必要時(shí),用砂紙或其他合適的

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