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TR-8001訓(xùn)練教材TRI搜集資料電路板測(cè)試程式發(fā)展流程治具製作程式編輯程式除錯(cuò)上線量產(chǎn)電路圖分析搜集資料2.1CADData
在發(fā)展測(cè)試治具及程式前首先要搜集到待測(cè)板的CADData,這裡面必須包含板面的大小,所有測(cè)試點(diǎn)的位置資料,上下板元件的位置等等.一般的檔案名稱(chēng)為*.cad或是*.faz2.2電路圖(Schematic)電路圖描述了待測(cè)板實(shí)際的電路設(shè)計(jì),在製造治具及程式之前必須要對(duì)電路圖做仔細(xì)分析.2.3BOMBOM(BillOfMaterial)為待測(cè)板上所有元件的表單,包括了RLC等被動(dòng)元件的電阻值,電容值與電感值及數(shù)位元件的型態(tài),程式轉(zhuǎn)換軟體會(huì)依照BOM的內(nèi)容,自動(dòng)產(chǎn)生被動(dòng)元件的測(cè)試程式.2.4IC資料搜集
IC的資料一般基本的為datasheet,datasheet會(huì)完整的描述IC的功能及其腳位的作用﹑動(dòng)作時(shí)序圖,這些資料可以讓工程師很快的了解IC的特性,以便來(lái)撰寫(xiě)測(cè)試資料(Library).在某些特定的IC如ASIC,常常會(huì)有內(nèi)建Tree-Chain的測(cè)試結(jié)構(gòu),如Nand-Tree,XOR-Tree等,因此描述這些Tree-Chain測(cè)試結(jié)構(gòu)的資料也是相當(dāng)重要的,它必須包含Tree-Chain的型態(tài),腳位的先後順序,與所使用的電壓大小等.另外在某些高複雜的IC如CPU與通訊IC通常會(huì)內(nèi)建Boundary-Scan的測(cè)試結(jié)構(gòu)在IC的內(nèi)部,這些IC會(huì)有CLK,TDI,TDO,TMS這些控制腳位.Boundary-Scan是IEEE所訂定的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)定,描述ICBoundary-Scan架構(gòu)的檔案一般稱(chēng)為BSDLFile,測(cè)試工程師只要將BSDL檔案經(jīng)由測(cè)試轉(zhuǎn)換軟體,可以很快的產(chǎn)生測(cè)試資料.2.5空白電路板與實(shí)板 空白電路板為提供給治具廠商(FixtureHouse)製作治具時(shí)參照實(shí)際的大小規(guī)格來(lái)製作,並且用來(lái)解決測(cè)試治具與待測(cè)的接觸的問(wèn)題.實(shí)板(上有完整元件的電路板)用來(lái)讓測(cè)試工程師發(fā)展測(cè)試程式與除錯(cuò).電路圖線路分析3.1電源點(diǎn)設(shè)定TR-8001提供了六組固定的DUTPowerSupply與兩組可程式化的電壓﹑電流源(ProgrammingPowerSupply),這六組固定的電壓源規(guī)格分別為:+3.3V3A+5V3A+12V3A-12V1A+18V3A+24V3A使用者在電源點(diǎn)設(shè)定工作視窗選擇為真空/壓床(Vacuum/Press),然後在各電壓源電流源輸入相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)號(hào)碼,軟體會(huì)列出治具廠商所需的繞線程式,進(jìn)行繞線.3.2UserRelayBoard使用TR-8001也提供的可以額外控制的RelayBoard讓使用者選擇使用,使用者可以用來(lái)作訊號(hào)的控制或是用來(lái)將測(cè)試針點(diǎn)與系統(tǒng)間的隔離,如PWM電源回饋訊號(hào)線路.以上圖為例,紅色所標(biāo)出的節(jié)點(diǎn)(Nail),皆為當(dāng)PowerON時(shí)量測(cè)VCCP時(shí)須隔離的測(cè)試點(diǎn),因此可利用UserRelayBoard將這些測(cè)試點(diǎn)設(shè)為NormalClose,當(dāng)MDA測(cè)試完畢後先將所有的節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)成NormalOpen,如此可以量測(cè)更為精準(zhǔn)的VCCP電壓.3.3BufferBoard使用TR-8001在頻率量測(cè)可以透過(guò)SWB與BufferBoard量測(cè),使用BufferBoard量測(cè)頻率可達(dá)到100MHz,每一片BufferBoard有八組channel可量測(cè)頻率,若使用BufferBoard來(lái)量測(cè)頻率,在治具製作前在BufferBoard表單輸入欲量測(cè)頻率的測(cè)試點(diǎn)號(hào)碼並選定channel號(hào)碼,治具製作廠商會(huì)將治具繞線安排繞在系統(tǒng)與BufferBoard之間.第四章治具規(guī)格
MDA程式發(fā)展5.1Open/Short為縮短使用者準(zhǔn)備測(cè)試程式的時(shí)間,TR-8001可自動(dòng)撰寫(xiě)部份測(cè)試程式。包含短路群資料、IC保護(hù)二極體測(cè)試程式、IC並聯(lián)測(cè)試程式、IC空焊測(cè)試程式等,我們稱(chēng)為學(xué)習(xí)。系統(tǒng)會(huì)從一片好的電路板學(xué)習(xí)到短路、開(kāi)路、IC保護(hù)二極體、IC倒裝、IC並聯(lián)、IC空焊等測(cè)試程式。在主功能表中選擇<學(xué)習(xí)>後有四個(gè)子功功能:短路學(xué)習(xí)、IC保護(hù)二極體學(xué)習(xí)、ICParallelIC學(xué)習(xí)、IC空焊學(xué)習(xí)。5.1.1短路學(xué)習(xí)選擇<學(xué)習(xí)>、<短路學(xué)習(xí)>出現(xiàn)以下視窗:5.1.2短路學(xué)習(xí)步驟:1.設(shè)定欲學(xué)習(xí)電路板的開(kāi)始及結(jié)束測(cè)試針編號(hào)。2.將一片好的電路板放於治具上,使壓床下壓到定位。3.選擇<學(xué)習(xí)>。在學(xué)習(xí)過(guò)程中,視窗左下角以紅色長(zhǎng)條圖顯示學(xué)習(xí)進(jìn)度比率。在學(xué)習(xí)完成後,視窗中間會(huì)顯示學(xué)習(xí)到的短路點(diǎn)資料。以下表為例,這片電路板一共有6個(gè)短路群。在電路板上23、57、88、132四個(gè)測(cè)試點(diǎn)是屬於同一個(gè)短路群,又如25、79、154、257、326五個(gè)測(cè)試點(diǎn)是屬於同一個(gè)短路群。ShortGroup1 <235788132> ShortGroup2 <2579154257326 ShortGroup3 <46130> ShortGroup4 <71257> ShortGroup5 <82116193321> ShortGroup6 <101109> 5.1.3附屬功能:1.編輯短路點(diǎn)資料:使用者可修改在短路學(xué)習(xí)功能所得到的短路點(diǎn)資料。若要插入短路群,請(qǐng)確定按照測(cè)試點(diǎn)由小到大排序。例如要插入一短路群(65,69),請(qǐng)插在短路群3,4之間以免短路測(cè)試失敗。短路點(diǎn)資料編輯器內(nèi)有四個(gè)子功能:(1)插入短路群:插入一個(gè)新的短路群,初值為1。(2)刪除短路群:刪除游標(biāo)所在的短路群。(3)插入腳位:插入一個(gè)新的腳位,初值為1。(4)刪除腳位:刪除游標(biāo)所在的腳位。2.儲(chǔ)存短路點(diǎn)資料:使用者可儲(chǔ)存在短路學(xué)習(xí)功能所得到的短路點(diǎn)資料。當(dāng)使用者離開(kāi)本視窗時(shí),系統(tǒng)亦會(huì)詢(xún)問(wèn)是否儲(chǔ)存短路點(diǎn)資料。3.短路測(cè)試:短路測(cè)試功能是根據(jù)在短路學(xué)習(xí)功能所得到的短路點(diǎn)資料執(zhí)行短路測(cè)試。可在此驗(yàn)證學(xué)習(xí)短路所得到的短路點(diǎn)資料是否正確。測(cè)試結(jié)果會(huì)顯示在視窗中。4.開(kāi)路測(cè)試:開(kāi)路測(cè)試功能是根據(jù)在短路學(xué)習(xí)功能所得到的短路點(diǎn)測(cè)試資料執(zhí)行開(kāi)路測(cè)試??稍诖蓑?yàn)證短路學(xué)習(xí)所得到的短路點(diǎn)資料是否正確。測(cè)試結(jié)果會(huì)顯示在視窗中。5.2保護(hù)二極體學(xué)習(xí)選擇<學(xué)習(xí)>、<IC保護(hù)二極體學(xué)習(xí)>出現(xiàn)以下視窗:5.2.1 IC保護(hù)二極體學(xué)習(xí)步驟:1.選擇<編輯IC腳位資料>,設(shè)定IC基本資料。2.選擇學(xué)習(xí)設(shè)定,部份IC學(xué)習(xí)或全部IC學(xué)習(xí)。全部IC學(xué)習(xí)是針對(duì)所有的IC執(zhí)行保護(hù)二極體學(xué)習(xí);部份IC學(xué)習(xí)是針對(duì)在編輯IC腳位資料中欄位“Type”設(shè)定為1或3的IC執(zhí)行保護(hù)二極體學(xué)習(xí)。其目的在於當(dāng)使用者欲重新學(xué)習(xí)時(shí),可以?xún)H學(xué)習(xí)部份IC,以節(jié)省學(xué)習(xí)時(shí)間。3.將一片好的電路板放於治具上,使壓床下壓到定位。4.選擇<學(xué)習(xí)>。在學(xué)習(xí)過(guò)程中,視窗左下角以紅色長(zhǎng)條圖顯示學(xué)習(xí)進(jìn)度比率及學(xué)習(xí)過(guò)程訊息說(shuō)明。在學(xué)習(xí)完成後,視窗中間會(huì)顯示學(xué)習(xí)到的IC保護(hù)二極體測(cè)試資料。IC保護(hù)二極體的測(cè)試原理是測(cè)試每個(gè)IC上的每一個(gè)腳位對(duì)該顆IC的電源腳與接地腳是否有保護(hù)二極體存在,若其有保護(hù)二極體存在,我們可以利用它來(lái)測(cè)試IC是否有漏件、反插、斷腳等。在學(xué)習(xí)功能下,系統(tǒng)根據(jù)IC資料,從一片好的電路板得到測(cè)試IC保護(hù)二極體所需要的測(cè)試程式,並且將這些測(cè)試程式加到零件測(cè)試步驟的的後面。保護(hù)二極體測(cè)試的上下限設(shè)定為30%,重複測(cè)試是五次,使用者可以自行修改延遲和其他測(cè)試參數(shù)。5.2.2附屬功能:1.編輯IC腳位資料:使用者可以輸入待測(cè)IC的名稱(chēng)、位置、腳位數(shù)量、和IC的電源腳與接地腳、探針(Probe)、上下限、學(xué)習(xí)類(lèi)別、刪略等資料。2.顯示學(xué)習(xí)資料:顯示在學(xué)習(xí)中所得到的IC保護(hù)二極體測(cè)試資料。例如若第一行顯示Step_191:U2_1_14表示測(cè)試程式的步驟191是IC保護(hù)二極體測(cè)試步驟,U2的第1腳與第14腳之間有保護(hù)二極體。又如若Step_192:U2_10_14U3_8_14表示測(cè)試程式的步驟192是IC保護(hù)二極體測(cè)試步驟,而且U2的第10腳、第14腳與U3的第8腳、第14腳有相同的測(cè)試針號(hào)碼。此時(shí)只測(cè)試U2的第10腳與第14腳之間是否有保護(hù)二極體存在,以節(jié)省測(cè)試時(shí)間。Step_193顯示為U2_12_14/,“/”表示此IC保護(hù)二極體與其他IC有並聯(lián)之狀況。3.編輯測(cè)試資料:進(jìn)入編輯器編輯學(xué)習(xí)到的測(cè)試程式。學(xué)習(xí)過(guò)程得到的測(cè)試程式可能無(wú)法完全正確,可利用編輯器逕行修改。4.刪除測(cè)試資料:刪除在學(xué)習(xí)功能下得到的IC保護(hù)二極體測(cè)試程式。5.2 ICParallelIC學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)ICParallelIC之測(cè)試程式前,需先執(zhí)行IC保護(hù)二極體學(xué)習(xí),以取得IC保護(hù)二極體之資料(因必須有JnnctionDiode之IC腳位才可使用ParallelIC功能)。ICParallelIC學(xué)習(xí)操作方式極似IC保護(hù)二極體學(xué)習(xí)。5.2.1 ICParallelIC學(xué)習(xí)步驟:1.選擇<編輯IC腳位資料>,設(shè)定IC基本資料。2.選擇學(xué)習(xí)設(shè)定,部份IC學(xué)習(xí)或全部IC學(xué)習(xí)。全部IC學(xué)習(xí)是針對(duì)所有的IC執(zhí)行ParallelIC學(xué)習(xí);部份IC學(xué)習(xí)是針對(duì)在編輯IC腳位資料中欄位“Type”設(shè)定為1的IC執(zhí)行ParallelIC學(xué)習(xí)。其目的在於當(dāng)使用者欲重新學(xué)習(xí)時(shí),可以?xún)H學(xué)習(xí)部份IC,以節(jié)省學(xué)習(xí)時(shí)間。3.將一片好的電路板放於治具上,使壓床下壓到定位。4.選擇<學(xué)習(xí)>。在學(xué)習(xí)過(guò)程中,視窗右下角會(huì)以紅色長(zhǎng)條圖顯示學(xué)習(xí)進(jìn)度比率。學(xué)習(xí)完一塊電路板後,系統(tǒng)允許重覆學(xué)習(xí)同一塊電路板或不同之電路板,在視窗右下角顯示已學(xué)習(xí)的片數(shù)。5.2.1 ICParallelIC測(cè)試程式欄位說(shuō)明ICParallelIC測(cè)試程式和一般的測(cè)試程式在測(cè)試資料上略有不同。1.步驟:測(cè)試順序。ICParallelIC測(cè)試程式安排在IC保護(hù)二極體的測(cè)試程式之後與IC空焊測(cè)試程式之間。2.零件名稱(chēng):在學(xué)習(xí)時(shí)系統(tǒng)程式會(huì)檢查每個(gè)IC的並聯(lián)腳位,並找出相關(guān)之非共腳(uniquepin),組合成一個(gè)測(cè)試步驟。例如若零件名稱(chēng)為U1-2/27,表示並聯(lián)IC腳位為第2腳,非共腳為27腳。3.標(biāo)準(zhǔn)值:ParallelIC在學(xué)習(xí)過(guò)程中會(huì)將最佳量測(cè)值記錄於標(biāo)準(zhǔn)值中。在爾後的測(cè)試過(guò)程中將此值與量測(cè)值比較,以判斷並聯(lián)IC腳位連接是否良好。4.上下限%:ParallelIC之上下限%由系統(tǒng)在學(xué)習(xí)過(guò)程中,依學(xué)習(xí)量測(cè)值之大小自動(dòng)設(shè)定。其法則如下:學(xué)習(xí)電壓範(fàn)圍 下限% 上限% 0.2~0.7v 30% -1 0~7~1.2v 40% -1 1.2v以上 50% -1 5.模式:由系統(tǒng)在學(xué)習(xí)過(guò)程中,依學(xué)習(xí)量測(cè)值之大小自動(dòng)設(shè)定。MODE 增益 9 Gain=1/3 10 Gain=1/2 11 Gain=1 6.高點(diǎn):待測(cè)腳位(並聯(lián)IC腳位)的對(duì)應(yīng)針點(diǎn)。7.低點(diǎn):非共腳腳位的對(duì)應(yīng)針點(diǎn)。8.隔離點(diǎn)1:此IC的接地點(diǎn)的對(duì)應(yīng)針點(diǎn)。9.隔離點(diǎn)2:第2個(gè)非共腳腳位的對(duì)應(yīng)針點(diǎn)。5.3.3附屬功能:1.編輯IC腳位資料:使用者可以輸入待測(cè)IC的名稱(chēng)、位置、腳位數(shù)量、和IC的電源腳與接地腳、探針(Probe)、上下限、學(xué)習(xí)類(lèi)別、刪略等資料。2.編輯ICParallelIC測(cè)試資料:進(jìn)入編輯器編輯學(xué)習(xí)到的測(cè)試程式。學(xué)習(xí)過(guò)程所得到的測(cè)試程式可能無(wú)法完全正確,使用者在完成學(xué)習(xí)後,可在編輯器檢查所學(xué)習(xí)到的測(cè)試程式。3.刪除ICParallelIC測(cè)試資料:刪除在學(xué)習(xí)功能下得到的ICParallelIC測(cè)試程式。4.儲(chǔ)存ICParallelIC學(xué)習(xí)資料:儲(chǔ)存在學(xué)習(xí)功能下得到的ICParallelIC測(cè)試程式。5.2 IC空焊學(xué)習(xí)選擇<學(xué)習(xí)>、<IC空焊學(xué)習(xí)>出現(xiàn)以下視窗:視窗分為四部份,學(xué)習(xí)設(shè)定、IC基本資料、附屬功能和學(xué)習(xí)狀態(tài)。5.4.1IC空焊學(xué)習(xí)步驟:1.選擇<編輯IC腳位資料>,設(shè)定IC基本資料。2.學(xué)習(xí)設(shè)定:(1)開(kāi)始學(xué)習(xí)IC編號(hào):若設(shè)為1,表示由編號(hào)1的IC開(kāi)始學(xué)習(xí)。(2)結(jié)束學(xué)習(xí)IC編號(hào):若設(shè)為9,表示學(xué)習(xí)到編號(hào)9的IC。(3)空焊學(xué)習(xí)量測(cè)值下限:學(xué)習(xí)到的量測(cè)值低於下限時(shí),刪除該測(cè)試步驟,也就是說(shuō),不將該步驟的學(xué)習(xí)結(jié)果加到測(cè)試程式中。(4)學(xué)習(xí)方式:部份IC或全部IC。全部IC學(xué)習(xí)是針對(duì)所有的IC執(zhí)行IC空焊學(xué)習(xí);部份IC學(xué)習(xí)是針對(duì)在編輯IC腳位資料中欄位“Type”設(shè)定為1的IC執(zhí)行IC空焊學(xué)習(xí)。其目的在於當(dāng)使用者欲重新學(xué)習(xí)時(shí),可以?xún)H學(xué)習(xí)部份IC,以節(jié)省學(xué)習(xí)時(shí)間。(5)學(xué)習(xí)值的更新方式:當(dāng)重新學(xué)習(xí)時(shí),可設(shè)定學(xué)習(xí)值的更新方式,使用最後一次學(xué)習(xí)值:以最後一次學(xué)習(xí)值來(lái)定高低限值。使用最大與最小學(xué)習(xí)值:以學(xué)習(xí)的最高值來(lái)定高限值,以學(xué)習(xí)的最低值來(lái)定低限值。
使用學(xué)習(xí)平均值:以學(xué)習(xí)的平均值來(lái)定高低限值。(6)需學(xué)習(xí)的多聯(lián)片片數(shù):當(dāng)電路板為多聯(lián)片時(shí),需輸入要學(xué)習(xí)的多聯(lián)片片數(shù),輸入值為3表示在多聯(lián)片中有三片(第一片至第三片)須做IC空焊學(xué)習(xí)。(7)多聯(lián)片學(xué)習(xí)時(shí)探測(cè)棒之Offset:當(dāng)電路板為多聯(lián)片時(shí),需輸入探測(cè)棒之Offset,輸入值4表示第一片使用的探測(cè)棒號(hào)碼從1到4,第二片使用的探測(cè)棒號(hào)碼就從5到8,第三片使用的探測(cè)棒號(hào)碼就從9到12。3.將一片好的電路板放於治具上,使壓床下壓到定位。4.選擇<學(xué)習(xí)>。在學(xué)習(xí)過(guò)程中,視窗右下角會(huì)以紅色長(zhǎng)條圖顯示學(xué)習(xí)進(jìn)度比率。學(xué)習(xí)完一塊電路板後,系統(tǒng)允許重覆學(xué)習(xí)同一塊電路板或不同之電路板,在視窗右下角顯示已學(xué)習(xí)的片數(shù)。IC空焊學(xué)習(xí)時(shí),會(huì)依學(xué)習(xí)值產(chǎn)生不同之測(cè)試資料,以下兩點(diǎn)須特別注意:若學(xué)習(xí)值小於30fF或?qū)W習(xí)值大於1000fF,則刪略(Skip)=1;.學(xué)習(xí)完畢後系統(tǒng)會(huì)針對(duì)學(xué)習(xí)值做穩(wěn)定性測(cè)試,若偏差值大於10%,會(huì)適當(dāng)?shù)卦黾友舆t時(shí)間與重測(cè)次數(shù)。IC空焊的測(cè)試程式由於受到不同探測(cè)棒的影響,故多聯(lián)片拷貝時(shí)並不拷貝IC空焊的的測(cè)試程式;而在IC空焊學(xué)習(xí)時(shí),允許做多聯(lián)片學(xué)習(xí)。5.4.2 IC空焊測(cè)試程式欄位說(shuō)明IC空焊測(cè)試程式和一般的測(cè)試程式在測(cè)試資料上略有不同。1.步驟:測(cè)試順序。IC空焊測(cè)試程式安排在ICParallelIC的測(cè)試程式之後與高壓(HighVoltageMeasurement)測(cè)試程式之間。但在實(shí)際測(cè)試時(shí)為避免其它測(cè)試影響IC空焊測(cè)試,會(huì)將IC空焊測(cè)試的測(cè)試順序安排在開(kāi)短路測(cè)試之後,零件測(cè)試之前。2.零件名稱(chēng):IC名稱(chēng)與IC腳號(hào)的結(jié)合。例如U4-1表U4的第一支腳。3.上限值:IC空焊測(cè)試的上限值。此值是由空焊測(cè)試的學(xué)習(xí)值加上學(xué)習(xí)時(shí)的上限百分比而得。學(xué)習(xí)時(shí)的上限百分比初始設(shè)定是80%,若無(wú)相繫點(diǎn)(TiedPin),學(xué)習(xí)值約在30fF-300fF之間,故上限值可能在54fF-540fF之間。若因相繫點(diǎn)太多或其它電路特性致使學(xué)習(xí)值飽和,飽和值約為1413fF,則上限值約為2800fF左右。4.下限值:IC空焊測(cè)試的下限值。此值是由空焊測(cè)試的學(xué)習(xí)值減掉學(xué)習(xí)時(shí)的下限百分比而得。學(xué)習(xí)時(shí)的下限百分比初始設(shè)定是40%,若無(wú)相繫點(diǎn)(TiedPin),學(xué)習(xí)值約在30fF-300fF之間,故下限值可能在18fF-180fF之間。5.測(cè)試點(diǎn):測(cè)試點(diǎn)號(hào)碼。測(cè)試信號(hào)源由此測(cè)試點(diǎn)流入IC的測(cè)試腳。6.探測(cè)棒:探測(cè)棒號(hào)碼。IC空焊測(cè)試時(shí),由第幾號(hào)探測(cè)棒來(lái)偵測(cè)量測(cè)信號(hào)。7.模式:測(cè)試模式。有關(guān)空焊測(cè)試的測(cè)試模式有二:(1)模式0:一般模式。(2)模式1:衰減模式??蘸笢y(cè)試學(xué)習(xí)時(shí)會(huì)自動(dòng)決定用模式0或模式1,當(dāng)學(xué)習(xí)到的值小於1000fF時(shí)使用模式0,當(dāng)學(xué)習(xí)到的值大於1000fF時(shí)使用模式1,並重新學(xué)習(xí)上限值與下限值。8.腳位:表示IC的腳號(hào)。一般若零件名稱(chēng)沒(méi)被修改,則零件名稱(chēng)中代表腳號(hào)的部份即為腳位,例如零件名稱(chēng)為“U4-1”,則腳位為1。9.繫點(diǎn)數(shù):相繫點(diǎn)數(shù)目。表示此步驟的IC腳有多少個(gè)共測(cè)試點(diǎn)的其他IC腳。相繫點(diǎn)數(shù)目可能是任一小於IC總腳數(shù)的數(shù)字,在編輯裏只顯示前5個(gè)相繫點(diǎn),即繫1、繫2、繫3、繫4和繫5。一般相繫點(diǎn)數(shù)目越大,則量測(cè)值越大,當(dāng)量測(cè)值大於系統(tǒng)飽和值(1413fF)時(shí),即表示此一IC腳若有開(kāi)路無(wú)法被檢測(cè)出。10.延遲:此欄是零件測(cè)試的延遲時(shí)間。信號(hào)源流入被測(cè)IC後,有時(shí)因線路的特性,必需要有較長(zhǎng)的延遲時(shí)間,量測(cè)值才會(huì)穩(wěn)定。系統(tǒng)內(nèi)設(shè)的延遲時(shí)間是3mSec.。當(dāng)本欄位為0時(shí),即使用系統(tǒng)內(nèi)設(shè)的延遲時(shí)間—3mSec.。使用者可以自行增加延遲時(shí)間,其範(fàn)圍是1~50mSec.。一般空焊測(cè)試的延遲時(shí)間不應(yīng)設(shè)定太多,約3mSec.以下。11.繫1:第一個(gè)相繫點(diǎn)的IC腳號(hào)。12.繫2:第二個(gè)相繫點(diǎn)的IC腳號(hào)。13.繫3:第三個(gè)相繫點(diǎn)的IC腳號(hào)。14.繫4:第四個(gè)相繫點(diǎn)的IC腳號(hào)。15.繫5:第五個(gè)相繫點(diǎn)的IC腳號(hào)。5.4.3附屬功能:1.編輯IC腳位資料:使用者可以輸入待測(cè)IC的名稱(chēng)、位置、腳位數(shù)量、和IC的電源腳與接地腳、探針(Probe)、上下限、學(xué)習(xí)類(lèi)別、刪略等資料。2.編輯IC空焊測(cè)試資料:進(jìn)入編輯器編輯學(xué)習(xí)到的測(cè)試程式。學(xué)習(xí)過(guò)程所得到的測(cè)試程式可能無(wú)法完全正確,使用者在完成學(xué)習(xí)後,可在編輯器檢查所學(xué)習(xí)到的測(cè)試程式。若有某顆IC所屬腳位學(xué)習(xí)到的測(cè)試值很多都低於30fF,則表示學(xué)習(xí)到的資料有問(wèn)題,請(qǐng)檢查對(duì)應(yīng)之探測(cè)棒是否裝置正確,探測(cè)棒編號(hào)是否正確及探測(cè)棒是否與IC表面接觸不良等問(wèn)題。若在IC空焊測(cè)試過(guò)程中有不穩(wěn)定或誤判之情形產(chǎn)生,可適當(dāng)放寬編輯IC腳位資料裏的上下限百分比,再重新做一次學(xué)習(xí)。3.刪除IC空焊測(cè)試資料:刪除在學(xué)習(xí)功能下所得到的IC空焊測(cè)試程式。4.儲(chǔ)存IC空焊學(xué)習(xí)資料:儲(chǔ)存在學(xué)習(xí)功能下所得到的IC空焊測(cè)試程式。MDA除錯(cuò)6.1MDA測(cè)試資料說(shuō)明TR-8001可測(cè)試組裝電路板的短路、開(kāi)路和電路板上每個(gè)零件值是否正確。在學(xué)習(xí)指令下,系統(tǒng)程式會(huì)從一片好的電路板得到測(cè)試短路、開(kāi)路所需要的資料;然而使用者必須使用測(cè)試系統(tǒng)的編輯器編寫(xiě)電路板上每個(gè)待測(cè)零件的測(cè)試資料。經(jīng)過(guò)偵錯(cuò)後,系統(tǒng)程式就根據(jù)測(cè)試資料執(zhí)行電路板的零件測(cè)試C選擇<Edit>,<TestData>後出現(xiàn)測(cè)試資料編輯視窗。這個(gè)視窗區(qū)分為五部分:1.下拉式功能表:位於最上方。其所包含的功能請(qǐng)參考本章第2節(jié)。2.編輯資料區(qū):位於中間。3.測(cè)試值圖表:位於左下角。橫軸座標(biāo)為次數(shù)座標(biāo)(1-500)、縱軸座標(biāo)是量測(cè)值座標(biāo),以標(biāo)準(zhǔn)值為中心,上限值在最上方,下限值在最下方。紫色點(diǎn)表示測(cè)試值,當(dāng)連續(xù)測(cè)試某一步驟時(shí)紫色點(diǎn)即成量測(cè)曲線(最多顯示500次)。若超過(guò)500次時(shí)量測(cè)曲線向右移動(dòng)。4.量測(cè)模式選項(xiàng):位於右邊中間。游標(biāo)移到“模式”時(shí)在右邊中間會(huì)顯示可以使用的量測(cè)模式供使用者選擇。5.單一步驟測(cè)試分佈表:該步驟測(cè)試值分布狀況,請(qǐng)參考第七章第3節(jié)。6.2測(cè)試資料上各個(gè)欄位定義6.2.1 Step:步驟是零件測(cè)試時(shí)的執(zhí)行順序,每一個(gè)步驟代表一個(gè)零件的量測(cè)。零件測(cè)試時(shí)是從設(shè)定的第一個(gè)步驟逐一測(cè)試到最後一個(gè)步驟。步驟的範(fàn)圍是從1到12288。6.2.2 PartName:零件的名稱(chēng)的第一個(gè)英文字母必須是如下面欄框中的代號(hào)。系統(tǒng)根據(jù)第一個(gè)字母以決定零件的類(lèi)別。零件名稱(chēng)最多不能超過(guò)13個(gè)字元。第一個(gè)字母 零件 單位
R,PR,VR 電阻、排阻、可變電阻 [],[K],[M] C 電容、可變電容 [pF],[nF],[uF]L 電感(線圈)、變壓器 [uH],[mH],[H]D 二極體[V] Q,T 電晶體 [V] I,U,M IC保護(hù)二極體 [V] Z 齊鈉二極體 [V]PC 光耦合二極體 [V] J,F,W 跳線、保險(xiǎn)絲 []
DC 電容極性 [mA] QH hfe
[] TF,QF MOSFET,JFET [mA] QS,TS SCR,TRIAC [mA] H 高壓元件 [V] 6.2.1 ActualValue:實(shí)際值就是零件表上的零件值。各類(lèi)零件的單位如上表所列。跳線的實(shí)際值應(yīng)設(shè)定為1.0。實(shí)際值最多不能超過(guò)9個(gè)字元。6.2.2 StandardVaule:在零件測(cè)試時(shí)判斷零件好壞的數(shù)值,通常零件標(biāo)準(zhǔn)值與實(shí)際值一樣。如果量測(cè)值因?yàn)闊o(wú)法找到合適的隔離點(diǎn)而不能與實(shí)際值接近時(shí),方才修改標(biāo)準(zhǔn)值。標(biāo)準(zhǔn)值的格式與實(shí)際值一樣。標(biāo)準(zhǔn)值必須鍵入與實(shí)際值相同的零件單位。6.2.1 Offset:在判斷零件好壞前以(量測(cè)值-補(bǔ)償值)取代量測(cè)值再和標(biāo)準(zhǔn)值比較。當(dāng)無(wú)法找到合適的隔離點(diǎn)而標(biāo)準(zhǔn)值與量測(cè)值不能接近時(shí),可修改標(biāo)準(zhǔn)值或補(bǔ)償值。補(bǔ)償值與標(biāo)準(zhǔn)值零件單位相同。另一種情況是在量測(cè)電容時(shí),自動(dòng)學(xué)習(xí)雜散電容功能可以量測(cè)高點(diǎn)與低點(diǎn)間的雜散電容並自動(dòng)加到此一欄位,請(qǐng)參考本章第2.2.12節(jié)。6.2.2 HighLimit%:零件量測(cè)值誤差的上限百分比。量測(cè)值誤差百分比=(量測(cè)值-標(biāo)準(zhǔn)值)/標(biāo)準(zhǔn)值*100。零件量測(cè)值誤差百分比如果超過(guò)此上限百分比即為不良零件。上限的範(fàn)圍是從1到999。在此欄鍵入-1,可忽略上限。6.2.1 LowLimit%:零件量測(cè)值誤差的下限百分比。零件量測(cè)值誤差百分比如果低於此下限百分比即為不良零件。下限的範(fàn)圍是從1到99。在此欄鍵入-1,可忽略下限。6.2.2 Mode:選擇零件量測(cè)的信號(hào)模式??晒┦褂玫男盘?hào)模式如下:電阻:範(fàn)圍 信號(hào)源 說(shuō)明 0:固定電流源 DC5mA 1:低一檔的電流源 DC500uA 2:高速量測(cè)(R//C)用以測(cè)量與電容並聯(lián)的電阻1
~99.99
3:1K相位(R//L) AC1KHz相位分離量測(cè),
用以測(cè)量與電感並聯(lián)的電阻 4:10K相位(R//L) AC10KHz相位分離量測(cè) 5:100K相位(R//L)AC100KHz相位分離量測(cè) 0:固定電流源 DC5mA 1:低一檔的電流源 DC500uA 100
~299.99
2:高速量測(cè)R//C 高速量測(cè),用以量測(cè) 與電容並聯(lián)的電阻 3:1K相位(R//L) AC1KHz相位分離量測(cè) 4:10K相位(R//L) AC10KHz相位分離量測(cè) 5:100K相位(R//L) AC100KHz相位分離量測(cè) 300
~2.999K
0:固定電流源 DC500uA 1:低一檔的電流源 DC50uA 2:高速量測(cè)R//C 電阻高速量測(cè) 3:1K相位(R//L) AC1KHz相位分離量測(cè) 4:10K相位(R//L) AC10KHz相位分離量測(cè) 5:100K相位(R//L) AC100KHz相位分離量測(cè) 3K
~29.99K
0:固定電流源 DC50uA 1:低一檔的電流源 DC5uA 2:高速量測(cè)R//C 電阻高速量測(cè) 3:1K相位(R//L) AC1KHz相位分離量測(cè) 4:10K相位(R//L) AC10KHz相位分離量測(cè) 5:100K相位(R//L) AC100KHz相位分離量測(cè) 30K
~299.99K
0:固定電流源 DC5uA 1:低一檔的電流源 DC0.5uA 2:高速量測(cè)R//C 電阻高速量測(cè) 3:1K相位(R//L) AC1KHz相位分離量測(cè) 4:10K相位(R//L) AC10KHz相位分離量測(cè) 5:100K相位(R//L) AC100KHz相位分離量測(cè) 300K
~2.999M
0:固定電流源 DC0.5uA 1:低一檔的電流源 DC0.1uA 2:高速量測(cè)R//C 電阻高速量測(cè) 3:1K相位(R//L) AC1KHz相位分離量測(cè) 3M
~40M
0:固定電流源 DC0.1uA 2:高速量測(cè)R//C 電阻高速量測(cè) 電容:範(fàn)圍 信號(hào)源 說(shuō)明 1pF~2.99pF 2:100K-AC AC100KHz 3:1M-AC AC1MHz 3pF~2.99nF 0:1K-AC AC1KHz 1:10K-AC AC10KHz 2:100K-AC AC100KHz 3:1M-AC AC1MHz 5:1K-相位 AC1KHz相位分離量測(cè) 6:10K-相位 AC10KHz相位分離量測(cè) 7:100K-相位 AC100KHz相位分離量測(cè)3nF~299.9nF 0:1K-AC AC1KHz 1:10K-AC AC10KHz 2:100K-AC AC100KHz 5:1K-相位 AC1KHz相位分離量測(cè) 6:10K-相位 AC10KHz相位分離量測(cè) 7:100K-相位 AC100KHz相位分離量測(cè) 9:100-AC AC100Hz 300nF~2.999uF 0:1K-AC AC1KHz 1:10K-AC AC10KHz 5:1K-相位 AC1KHz相位分離量測(cè) 6:10K-相位 AC10KHz相位分離量測(cè) 9:100-AC AC100Hz 3uF~29.99uF 0:1K-AC AC1KHz 4:C-DC 固定電流源量測(cè) 5:1K-相位 AC1KHz相位分離量測(cè) 9:100-AC AC100Hz 30uF~149.99uF 4:C-DC 固定電流源量測(cè) 8:C-DC(10mA) 固定電流源量測(cè) 9:100-AC AC100Hz 150uF~40mF 5:1K-相位 AC1KHz相位分離量測(cè) 8:C-DC(10mA) 固定電流源量測(cè)
電感:範(fàn)圍信號(hào)源 說(shuō)明 1uH~79.99uH 2:100K-AC AC100KHz 3:1M-AC AC1MHz 80uH~799.99uH 0:1K-AC AC1KHz 1:10K-AC AC10KHz 2:100K-AC AC100KHz 3:1M-AC AC1MHz 6:10K-相位 AC10KHz相位分離量測(cè) 7:100K-相位 AC100KHz相位分離量測(cè) 800uH~7.99mH 0:1K-AC AC1KHz 1:10K-AC AC10KHz 2:100K-AC AC100KHz 5:1K-相位 AC1KHz相位分離量測(cè) 6:10K-相位 AC10KHz相位分離量測(cè) 7:100K-相位 AC100KHz相位分離量測(cè) 9:100-AC AC100Hz 8mH~79.99mH 0:1K-AC AC1KHz 1:10K-AC AC10KHz 2:100K-AC AC100KHz 5:1K-相位 AC1KHz相位分離量測(cè) 6:10K-相位 AC10KHz相位分離量測(cè) 7:100K-相位 AC100KHz相位分離量測(cè) 8mH~79.99mH 0:1K-AC AC1KHz 1:10K-AC AC10KHz 5:1K-相位 AC1KHz相位分離量測(cè) 6:10K-相位 AC10KHz相位分離量測(cè) 80mH~7.99H 0:1K-AC AC1KHz 1:10K-AC AC10KHz 5:1K-相位 AC1KHz相位分離量測(cè) 6:10K-相位 AC10KHz相位分離量測(cè) 9:100-AC AC100Hz 8H~60H 0:1K-AC AC1KHz 5:1K-相位 AC1KHz相位分離量測(cè) 9:100-AC AC100Hz二極體:
信號(hào)源 說(shuō)明 0:10V-3mA功能測(cè)試 0~10V可程式電壓源;3mA
固定電流 1:10V-20mA功能測(cè)試 0~10V可程式電壓源;20mA
固定電流 5:3mA電容極性量測(cè) 0~10V可程式電壓源;3mA
固定電流;電容極性量 6:20mA電容極性量測(cè)0~10V可程式電壓源;20mA
固定電流;電容極性量測(cè)光耦合二極體:信號(hào)源 說(shuō)明 7:光耦合二極體量測(cè) 光偶合二極體量測(cè):電晶體:信號(hào)源 說(shuō)明 0:10V-3mA功能測(cè)試 0~10V可程式電壓源;3mA
固定電流1:10V-20mA功能測(cè)試 0~10V可程式電壓源;20mA
固定電流3:PNP電晶體 PNP:電晶體高點(diǎn) =E腳測(cè)試點(diǎn)號(hào)碼低點(diǎn) =C腳測(cè)試點(diǎn)號(hào)碼隔點(diǎn)1 =B腳測(cè)試點(diǎn)號(hào)碼 4:NPN電晶體 NPN:電晶體高點(diǎn) =C腳測(cè)試點(diǎn)號(hào)碼低點(diǎn) =E腳測(cè)試點(diǎn)號(hào)碼隔點(diǎn)1 =B腳測(cè)試點(diǎn)號(hào)碼 IC保護(hù)二極體:信號(hào)源 說(shuō)明 0:10V-3mA功能測(cè)試 0~10V可程式電壓源;3mA
固定電流 1:10V-20mA功能測(cè)試 0~10V可程式電壓源;20mA
固定電流
2:IC保護(hù)二極體 IC保護(hù)二極體測(cè)試
IC空焊檢測(cè):
信號(hào)源 說(shuō)明
300mV-10KHz 300mV-10KHzAC電壓源6.2.1 Type:此欄位零件型態(tài)。6.2.2 ighPin:高點(diǎn)即高電壓點(diǎn),零件測(cè)試時(shí),量測(cè)電流由此測(cè)試點(diǎn)流入待測(cè)零件。高點(diǎn)的範(fàn)圍是從1到1792。6.2.1 LowPin:低點(diǎn)是低電壓點(diǎn),零件測(cè)試時(shí),量測(cè)電流由此測(cè)試點(diǎn)流出待測(cè)零件。低點(diǎn)的範(fàn)圍是從1到1792。6.2.2 ocation:位置是零件在電路板的對(duì)應(yīng)位置。電路板的橫向最多可分為ABCDEFGH共8區(qū),縱向最多可分為12345678共8區(qū)。每個(gè)零件有各自對(duì)應(yīng)的位置,以2個(gè)字母表示,如A3,D1。當(dāng)測(cè)試發(fā)生零件不良時(shí),選擇<顯示不良零件位置圖>可標(biāo)示不良零件的位置,方便電路板檢修。請(qǐng)參考第五章第1.5節(jié)。6.2.1 elay:零件測(cè)試的延遲時(shí)間。將信號(hào)源流入待測(cè)零件時(shí),有些零件因?yàn)榫€路的特性,必需較長(zhǎng)的延遲時(shí)間,量測(cè)值才會(huì)穩(wěn)定。系統(tǒng)根據(jù)不同的零件設(shè)定預(yù)設(shè)延遲時(shí)間(如下表)。若本欄位為0時(shí),即採(cǎi)用系統(tǒng)所設(shè)定的預(yù)設(shè)延遲時(shí)間。若本欄位非0時(shí),即採(cǎi)用使用者設(shè)定的延遲時(shí)間,最大是500mSec.。元件信號(hào)源 系統(tǒng)預(yù)設(shè)延遲時(shí)間 電阻量測(cè) 0.3mSec. AC100Hz 71mSec. AC1KHz 15mSec. AC10KHz 1.7mSec. AC100KHz 3.5mSec. AC1MHz 1.5mSec. 電晶體、二極體、齊鈉二極體量測(cè) 1mSec. IC空焊檢測(cè):AC10KHz 2.5mSec.6.2.14GardingPin(1-5):零件量測(cè)時(shí)加隔離點(diǎn)可使該零件的量測(cè)不受周?chē)慵挠绊?。每個(gè)零件量測(cè)最多可加5個(gè)隔離點(diǎn)。隔離點(diǎn)的範(fàn)圍是從1到1792。部分零件量測(cè)的隔離點(diǎn)限制如下:1.小於10歐姆之電阻,不允許有隔離點(diǎn)。2.跳線及保險(xiǎn)絲,不允許有隔離點(diǎn)。3.小於150uF之電容使用模式4,只允許有二個(gè)隔離點(diǎn)。4.大於150uF之電容使用模式4,不允許有隔離點(diǎn)。5.二極體測(cè)試非使用模式5或模式6者,只允許有一個(gè)隔離點(diǎn)。6.二極體測(cè)試使用模式5或模式6,不允許有隔離點(diǎn)。6.2.15 Skip:若刪略設(shè)定為1,在零件測(cè)試時(shí)這個(gè)步驟將不會(huì)被測(cè)試。實(shí)際要測(cè)試的步驟其刪略應(yīng)設(shè)定為0。被刪略的步驟以綠色顯示。6.2.16 Average:平均是將多次量測(cè)的平均值做為零件量測(cè)值。零件的測(cè)試值不太穩(wěn)定時(shí),可以使用此一功能。此欄位最多不能設(shè)定超過(guò)10次。6.2.17 Repeat:重測(cè)是設(shè)定該步驟重測(cè)的次數(shù)。每次量測(cè)後,如果測(cè)試不良,該步驟會(huì)重新量測(cè)。一但量測(cè)值是在上限百分比與下限百分比之間時(shí),則不再重新量測(cè)。此欄位最多不能設(shè)定超過(guò)10次。有些零件須要較長(zhǎng)延遲時(shí)間其測(cè)試值才能穩(wěn)定者可以設(shè)定多次的重測(cè)和較短的延遲時(shí)間,以節(jié)省測(cè)試時(shí)間。此外,若在此欄輸入“D”,表示測(cè)試前先進(jìn)行放電,並且重測(cè)次數(shù)內(nèi)定為5次。當(dāng)該測(cè)試步驟測(cè)試前需先放電才能得到穩(wěn)定的量測(cè)值時(shí)可使用此功能。6.2.15 SMP:中停用於需即時(shí)調(diào)整的零件測(cè)試。若中停設(shè)定為1,測(cè)試該步驟時(shí)會(huì)先暫停,並顯示該量測(cè)值,使用者可一邊調(diào)整待測(cè)零件,一邊觀察量測(cè)值,等量測(cè)值達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)後按鍵盤(pán)任何一鍵可在繼續(xù)其它步驟測(cè)試。6.2.16 MeasureValue:在編輯模式可執(zhí)行每一個(gè)步驟的量測(cè)。零件量測(cè)值顯示在此欄位。若測(cè)試不良,此步驟以紅色表示。若測(cè)試正常,此步驟以藍(lán)色表示。此欄位只能顯示,不可編輯。6.2.17 DEV%:偏移是零件量測(cè)值與標(biāo)準(zhǔn)值的誤差比率。此欄位只能顯示,不可編輯。6.3編輯下拉式功能表在編輯主畫(huà)面中有一個(gè)下拉式功能表,包含許多編輯器可使用的功能,方便測(cè)試資料之編寫(xiě)與偵錯(cuò)。在以下的說(shuō)明中,每個(gè)功能後的鍵盤(pán)碼是該功能的快速鍵。6.3.1 檔案6.3.2 開(kāi)啟全部測(cè)試資料(Shift+F1)將全部(不含高壓及FUN)測(cè)試資料納入編輯器。6.3.3 開(kāi)啟元件測(cè)試資料(Shift+F2)只將零件測(cè)試資料納入編輯器。在編輯器中只能編輯零件測(cè)試資料。6.3.4 開(kāi)啟IC保護(hù)二極體測(cè)試資料(Shift+F3)只將IC保護(hù)二極體測(cè)試資料納入編輯器。在編輯器中只能編輯IC保護(hù)二極體測(cè)試資料。6.3.1 開(kāi)啟OpenParallelICstep測(cè)試資料(Shift+F5)只將ParallelIC測(cè)試資料納入編輯器。在編輯器中只能編輯ParallelIC測(cè)試資料。6.3.2 開(kāi)啟IC空焊測(cè)試資料(Shift+F6)只將IC空焊測(cè)試資料納入編輯器。在編輯器中只能編輯IC空焊測(cè)試資料。6.3.3 Openon-Power測(cè)試資料(Shift+F10)只將OnPower測(cè)試資料納入編輯器。在編輯器所有OnPower的DigitalATE的測(cè)試資料。6.3.4 存檔(F2)將正在編輯中的測(cè)試資料存檔,但不離開(kāi)編輯器。6.3.1 存?zhèn)浞輽n將正在編輯中的測(cè)試資料存檔,系統(tǒng)會(huì)要求操作員輸入另一個(gè)檔案名稱(chēng)以做備份。6.3.2 存檔後結(jié)束(F3)將正在編輯中的測(cè)試資料存檔,並離開(kāi)編輯器回到主畫(huà)面。6.3.3 列印列印正在編輯中的測(cè)試資料。6.3.4 結(jié)束測(cè)試資料編輯(F4)離開(kāi)編輯器回到主畫(huà)面。若測(cè)試資料已修改,系統(tǒng)會(huì)詢(xún)問(wèn)使用者是否儲(chǔ)存測(cè)試資料。6.3 編輯6.3.1 單一步驟修改(Ctrl+W)以圖形介面編輯單一步驟的測(cè)試程式。在編輯器內(nèi)以滑鼠左鍵連點(diǎn)任一步驟二下也可進(jìn)入此圖形介面。請(qǐng)參考本章第3節(jié)。6.3.2 刪除測(cè)試步驟(Ctrl+D)同時(shí)刪除多個(gè)測(cè)試步驟,設(shè)定開(kāi)始步驟及結(jié)束步驟,將目標(biāo)區(qū)內(nèi)之測(cè)試步驟全部刪除。6.3.3 插入測(cè)試步驟(Ctrl+I)同時(shí)插入多個(gè)測(cè)試步驟,設(shè)定開(kāi)始步驟及結(jié)束步驟,在目標(biāo)區(qū)內(nèi)插入空白的測(cè)試步驟。如果上一個(gè)零件是電阻,則零件名稱(chēng)會(huì)自動(dòng)插入“R”,如果上一個(gè)零件是電容,則零件名稱(chēng)會(huì)自動(dòng)插入“C”,依此類(lèi)推。實(shí)際值及標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)定為1.0,位置設(shè)定為A1。系統(tǒng)並設(shè)定適當(dāng)?shù)纳舷孪?,如果是電阻,則上下限%設(shè)定為10;如果是電容,則上下限%設(shè)定為30。其他的資料設(shè)定為0。6.3.1 搬移(Ctrl+M)同時(shí)搬移多個(gè)測(cè)試步驟,設(shè)定開(kāi)始步驟、結(jié)束步驟及欲移往的目標(biāo)步驟。進(jìn)行電路板的零件測(cè)試時(shí),每個(gè)測(cè)試步驟彼此的先後關(guān)係可能會(huì)影響到測(cè)試結(jié)果。有時(shí)某零件執(zhí)行單一步驟測(cè)試時(shí)結(jié)果很好,但是在多個(gè)步驟同時(shí)測(cè)試時(shí),該零件的測(cè)試結(jié)果卻不穩(wěn)定。可能是因?yàn)槠渌慵y(cè)試時(shí)所殘留的電荷影響到該零件的測(cè)試,因此可以將該零件的測(cè)試步驟移前。6.3.2 剪下刪除游標(biāo)所在的測(cè)試步驟。6.3.3 複製複製游標(biāo)所在的測(cè)試步驟,複製的資料儲(chǔ)存在系統(tǒng)的暫存器內(nèi)。6.3.1貼上將複製功能中儲(chǔ)存在系統(tǒng)暫存器內(nèi)的測(cè)試步驟插入游標(biāo)所在的位置。6.3.2高低腳位交換(Ctrl+C)高點(diǎn)的測(cè)試針編號(hào)與低點(diǎn)的測(cè)試針編號(hào)互換。有些零件,高點(diǎn)與低點(diǎn)互換後,所得到的量測(cè)值可以更接近標(biāo)準(zhǔn)值。6.3.3插入測(cè)試針編號(hào)(Ctrl+F1)將探棒所接觸到的測(cè)試針編號(hào)顯示在編輯器游標(biāo)所在的欄位。這個(gè)功能節(jié)省使用者尋找零件高低點(diǎn)測(cè)試針號(hào)碼與輸入高低點(diǎn)測(cè)試針號(hào)碼的時(shí)間,提高撰寫(xiě)測(cè)試程式的效率。執(zhí)行本功能時(shí)治具上不可使用實(shí)板(已裝好零件的電路版),因?yàn)閷?shí)板上的電容會(huì)影響測(cè)試針點(diǎn)的尋找,造成尋找到的測(cè)試針號(hào)碼錯(cuò)誤。6.3.1 複製平均值至標(biāo)準(zhǔn)值(Ctrl+A)設(shè)定開(kāi)始步驟及結(jié)束步驟,將目標(biāo)區(qū)內(nèi)之測(cè)試平均值複製至標(biāo)準(zhǔn)值。6.3.2 學(xué)習(xí)雜散電容值(Ctrl+L)設(shè)定開(kāi)始步驟及結(jié)束步驟,針對(duì)目標(biāo)區(qū)內(nèi)之測(cè)試步驟學(xué)習(xí)雜散電容值。學(xué)習(xí)雜散電容值功能是量測(cè)測(cè)試治具上的測(cè)試針至切換電路板間的雜散電容值。進(jìn)行自動(dòng)學(xué)習(xí)雜散電容值功能時(shí)測(cè)試治具上不能放待測(cè)板。系統(tǒng)針對(duì)小於3000pF的電容進(jìn)行自動(dòng)學(xué)習(xí)雜散電容值功能。學(xué)習(xí)完後所得到的雜散電容值即寫(xiě)入補(bǔ)償值欄位中。在測(cè)試過(guò)程中以(電容量測(cè)值-雜散電容值)取代量測(cè)值來(lái)判斷該零件是否錯(cuò)誤。6.3.1雜散電容值調(diào)整(Ctrl+E)設(shè)定開(kāi)始步驟及結(jié)束步驟,針對(duì)目標(biāo)區(qū)內(nèi)之測(cè)試步驟執(zhí)行雜散電容值調(diào)整。將標(biāo)準(zhǔn)值小於3000pF的電容測(cè)試步驟自動(dòng)調(diào)整其補(bǔ)償值。使用雜散電容值調(diào)整功能時(shí),欲調(diào)整之測(cè)試步驟須先有量測(cè)值。6.3.2清除雜散值設(shè)定開(kāi)始步驟及結(jié)束步驟,針對(duì)目標(biāo)區(qū)內(nèi)之測(cè)試資料的補(bǔ)償值歸零。6.3.3多聯(lián)片測(cè)試資料複製當(dāng)待測(cè)電路板是多聯(lián)片時(shí),只要準(zhǔn)備好第一片電路板的測(cè)試資料,其他的測(cè)試資料可使用多聯(lián)片測(cè)試資料複製功能取得。1.測(cè)試針OFFSET值:第一片電路板的第一個(gè)測(cè)試點(diǎn)和第二片電路板的第一個(gè)測(cè)試點(diǎn)其測(cè)試針編號(hào)的補(bǔ)償值。2.每一列電路板個(gè)數(shù):在一橫排上,共有幾片電路板。3.每一行電路板個(gè)數(shù):在一縱排上,共有幾片電路板。4.每一電路板在位置圖所佔(zhàn)行數(shù):不良零件位置圖在橫排上可以分成A到H(8行)。如果第一片電路板的位置是A到B,則設(shè)定所佔(zhàn)行數(shù)為2。5.每一電路板在位置圖所佔(zhàn)列數(shù):不良零件位置圖在縱排上可以分成1到8(8行)。如果第一片電路板的位置是1到2,則設(shè)定所佔(zhàn)列數(shù)為2。6.電路板排列順序:設(shè)定多聯(lián)片電路板的排列順序,有兩種排列順序:一種是多聯(lián)片先由左到右排列,再由上而下排列。另一種是多聯(lián)片先由上到下排列,再由左而右排列。7.高壓電路板測(cè)試針OFFSET值:第一片電路板的第一個(gè)高壓測(cè)試點(diǎn)和第二片電路板的第一個(gè)高壓測(cè)試點(diǎn)其測(cè)試針編號(hào)的補(bǔ)償值。若沒(méi)有裝設(shè)高壓量測(cè)電路板,則設(shè)定為0。8.刪略電路板編號(hào):測(cè)試多聯(lián)片時(shí),如果只想測(cè)試其中的幾片電路板,可以設(shè)定不要測(cè)試的電路板編號(hào)。此時(shí)測(cè)試資料並無(wú)任何改變,只是在測(cè)試電路板時(shí),刪略標(biāo)明不要測(cè)試的電路板。多聯(lián)片複製時(shí),短路點(diǎn)資料、零件測(cè)試程式及IC保護(hù)二極體測(cè)試程式會(huì)一併複製,所以在執(zhí)行多聯(lián)片複製前,需先確定已學(xué)習(xí)短路點(diǎn)資料及IC保護(hù)二極體測(cè)試程式,零件測(cè)試程式已除錯(cuò)完成。製作多聯(lián)片的治具時(shí),必須注意到每一聯(lián)片上每個(gè)零件的測(cè)試針號(hào)碼均是有固定的OFFSET值。6.3.1 多聯(lián)片測(cè)試資料刪除將已經(jīng)複製的多聯(lián)片測(cè)試資料刪除,只留下第一片電路板的測(cè)試資料。6.3尋找6.3.1測(cè)試步驟:(Ctrl+J)將游標(biāo)移到特定尋找的測(cè)試步驟上且該特定的測(cè)試步驟會(huì)移到編輯器的最上一行。6.3.2測(cè)試不良步驟:(Ctrl+F)將游標(biāo)移動(dòng)到下一個(gè)測(cè)試不良步驟上。6.3.3測(cè)試刪略步驟:(Ctrl+S)將游標(biāo)移動(dòng)到下一個(gè)測(cè)試刪略步驟上。6.3.4零件:(Ctrl+N)將游標(biāo)移到特定的零件名稱(chēng)上。輸入零件名稱(chēng)時(shí),若並不清楚零件名稱(chēng)的全名,可以?xún)H輸入前幾個(gè)字元。例如欲尋找前二字元為"RP"的零件,可鍵入"RP",則系統(tǒng)會(huì)從目前步驟往下尋找第一個(gè)符合零件名稱(chēng)前二字母是"RP"的測(cè)試步驟。<尋找下一個(gè)>會(huì)再往下尋找下一個(gè)符合零件名稱(chēng)前二字母是"RP"的測(cè)試步驟。6.3.1 測(cè)試針步驟:將游標(biāo)移到特定尋找的高點(diǎn)或低點(diǎn)上。例如欲尋找測(cè)試針高點(diǎn)或低點(diǎn)為30的測(cè)試步驟,可輸入"30",則系統(tǒng)會(huì)從目前步驟往下尋找第一個(gè)符合高點(diǎn)或低點(diǎn)為30的測(cè)試步驟。<尋找下一個(gè)>會(huì)再往下尋找下一個(gè)符合高點(diǎn)或低點(diǎn)為30的測(cè)試步驟。6.3.2 刪略針步驟:將游標(biāo)移到特定尋找的刪略針上。例如欲尋找刪略針為30的測(cè)試步驟,可輸入"30",則系統(tǒng)會(huì)從目前步驟往下尋找第一個(gè)符合高點(diǎn)或低點(diǎn)為30的測(cè)試步驟。<尋找下一個(gè)>會(huì)再往下尋找下一個(gè)符合高點(diǎn)或低點(diǎn)為30的測(cè)試步驟。6.3.1 測(cè)試針編號(hào):在編輯器內(nèi)可使用探棒接觸治具上的測(cè)試針,而偵測(cè)其測(cè)試針點(diǎn)號(hào)碼。將未裝零件的空板放在治具上,使用探棒去接觸銅泊上每個(gè)零件的兩端,即可知道每個(gè)零件的高點(diǎn)與低點(diǎn)。使用探棒做零件的測(cè)試針點(diǎn)尋找時(shí),必須用空板;如果使用實(shí)板,則實(shí)板上的電容會(huì)影響到測(cè)試針點(diǎn)的尋找。6.4 隔離6.4.1 單一步驟隔離點(diǎn)(F7)單一步驟隔離點(diǎn)自動(dòng)選擇。當(dāng)執(zhí)行隔離點(diǎn)自動(dòng)選擇時(shí),系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)選擇隔離點(diǎn)使得量測(cè)值與標(biāo)準(zhǔn)值最接近且穩(wěn)定。6.3.1 單一步驟隔離點(diǎn)(不自動(dòng)選高低點(diǎn))(Ctrl+F7)同上,當(dāng)執(zhí)行隔離點(diǎn)自動(dòng)選擇時(shí),系統(tǒng)會(huì)依據(jù)目前設(shè)定的高點(diǎn)與低點(diǎn)來(lái)選擇隔離點(diǎn),不自動(dòng)選高低點(diǎn)。6.3.2 區(qū)塊步驟隔離點(diǎn):設(shè)定開(kāi)始步驟與結(jié)束步驟以對(duì)此特定區(qū)域內(nèi)所有步驟自動(dòng)選擇隔離點(diǎn)。當(dāng)選擇隔離點(diǎn)時(shí),亦會(huì)自動(dòng)選擇適當(dāng)?shù)母唿c(diǎn)和低點(diǎn),使得量測(cè)值最接近標(biāo)準(zhǔn)值且穩(wěn)定。6.3 測(cè)試6.3.1 單一步驟(F8)執(zhí)行游標(biāo)所在步驟的測(cè)試。量測(cè)值及偏移會(huì)顯示在對(duì)應(yīng)的欄位上。如果是測(cè)試正常,則以藍(lán)色顯示該步驟。如果是測(cè)試不良,則以紅色顯示該步驟。6.3.2 單頁(yè)步驟(Ctrl+F8)執(zhí)行游標(biāo)所在的整頁(yè)所有步驟的測(cè)試。在零件測(cè)試時(shí),有時(shí)候前幾步驟零件的測(cè)試,會(huì)影響到該零件的量測(cè)值。執(zhí)行整頁(yè)測(cè)試時(shí),可以看出每個(gè)零件的量測(cè)值,是否受到前幾步驟零件量測(cè)的影響。6.3.1 區(qū)塊步驟設(shè)定開(kāi)始步驟與結(jié)束步驟以對(duì)此區(qū)塊內(nèi)所有步驟執(zhí)行測(cè)試。6.3.2 全部測(cè)試:(F5)執(zhí)行從第一步驟到最後步驟的測(cè)試。6.3.3 重複測(cè)試:(Ctrl+F5)重複多次執(zhí)行全部測(cè)試。重複多次測(cè)試同一片電路板再查看測(cè)試統(tǒng)計(jì)分佈圖表可以看出有那一個(gè)零件的測(cè)試值不穩(wěn)定而必須修改該零件的測(cè)試資料。6.3.4 壓床上昇(F6)以軟體控制壓床上升。6.3 檢視6.3.1 測(cè)試失效步驟(Ctrl+O)顯示所有測(cè)試不良的步驟。6.3.2 刪略步驟顯示所有刪略的步驟。6.3.3 測(cè)試值分布圖(F9)顯示游標(biāo)所在步驟的測(cè)試值分佈圖。將同一片待測(cè)板重覆多次測(cè)試後,由測(cè)試值分佈圖可以看出該零件的測(cè)試值是否穩(wěn)定,延遲時(shí)間是否須加長(zhǎng),標(biāo)準(zhǔn)值是否須修改,上下限是否須修正,重測(cè)的次數(shù)是否需增加等。6.3.1 測(cè)試值分布表(F10)顯示所有測(cè)試步驟的測(cè)試值分佈表。將同一片待測(cè)板重覆多次測(cè)試後,由測(cè)試值分佈表可以看出每個(gè)零件的測(cè)試值是否穩(wěn)定,延遲時(shí)間是否須加長(zhǎng),標(biāo)準(zhǔn)值是否須修改,上下限是否須修正,重測(cè)的次數(shù)是否需增加等。6.3.2 清除測(cè)試值:清除儲(chǔ)存於記憶體內(nèi)的測(cè)試值統(tǒng)計(jì)資料。當(dāng)重複多次測(cè)試所有零件時(shí)可以先清除測(cè)試值統(tǒng)計(jì)資料,以便看到測(cè)試資料編修後每個(gè)零件的測(cè)試統(tǒng)計(jì)分佈。6.3.1 並聯(lián)/聯(lián)接零件:(Ctrl+X)檢視並聯(lián)/聯(lián)接零件的功能在於編輯測(cè)試程式時(shí)提供與待測(cè)零件相連接的零件資訊。這些資料可以初步的顯示待測(cè)零件的線路環(huán)境,節(jié)省查閱線路圖的時(shí)間,方便使用者編輯測(cè)試程式及隔離點(diǎn)的選擇。例如以下?tīng)顩r,我們可以適當(dāng)?shù)男薷臏y(cè)試程式。1.測(cè)試電阻時(shí),隔離點(diǎn)是選擇與高點(diǎn)相連接的零件的另一個(gè)測(cè)試針點(diǎn)。2.測(cè)試電容與電感時(shí),隔離點(diǎn)是選擇與低點(diǎn)相連接的零件的另一個(gè)測(cè)試針點(diǎn)。3.當(dāng)大電容並聯(lián)小電容時(shí),小電容將無(wú)法測(cè)試;4.當(dāng)電阻與電感並聯(lián)時(shí),電阻將無(wú)法測(cè)試;5.當(dāng)大電阻與大電容並聯(lián)時(shí),大電阻的量測(cè)值將不準(zhǔn)確。6.當(dāng)電阻與電阻並聯(lián)、電容與電容並聯(lián)、電感與電感並聯(lián)時(shí),需修改標(biāo)準(zhǔn)值。7.自動(dòng)選擇隔離點(diǎn)時(shí)若量測(cè)值不穩(wěn)定且偏移過(guò)大,無(wú)法找到合適的隔離點(diǎn)時(shí),可以參考並聯(lián)/聯(lián)接零件資料使用人工的方式選擇隔離點(diǎn)。8.如為無(wú)法測(cè)試的零件,刪略的欄位可以設(shè)定為1。6.3.1 測(cè)試點(diǎn)顯示測(cè)試點(diǎn)資料和該測(cè)試點(diǎn)包含的測(cè)試步驟。顯示視窗分為兩部份:左邊為測(cè)試點(diǎn)資料,右邊為該測(cè)試點(diǎn)包含的測(cè)試步驟。以滑鼠點(diǎn)選測(cè)試點(diǎn)資料兩下,右邊視窗顯示該測(cè)試點(diǎn)包含的測(cè)試步驟。如下圖所示:另有五個(gè)子功能:1.儲(chǔ)存:將測(cè)試點(diǎn)的資料存到硬碟中。2.自動(dòng)產(chǎn)生:系統(tǒng)自動(dòng)產(chǎn)生測(cè)試點(diǎn)資料和該測(cè)試點(diǎn)包含的測(cè)試步驟。當(dāng)有一個(gè)以上的零件相連時(shí),系統(tǒng)會(huì)優(yōu)先選擇IC腳位。3.清除:將系統(tǒng)自動(dòng)產(chǎn)生的資料清除。4.零件選取:在自動(dòng)產(chǎn)生測(cè)試點(diǎn)資料時(shí),當(dāng)有一個(gè)以上的零件相連時(shí),系統(tǒng)會(huì)優(yōu)先選擇IC腳位。使用者可以選取測(cè)試點(diǎn)資料中的相連零件。5.列?。涸O(shè)定開(kāi)始及結(jié)束編號(hào),列印目標(biāo)區(qū)內(nèi)的測(cè)試點(diǎn)資料.6.3.1 IC腳位(Ctrl+U)設(shè)定IC資料。包含IC的名稱(chēng)、位置、IC腳位數(shù)量、IC的電源腳與接地腳和每個(gè)IC對(duì)應(yīng)的測(cè)試探針號(hào)碼等。6.3.1.1 IC腳位資料顯示這個(gè)電路板上有那些IC和每個(gè)IC個(gè)別的資料。1.Name:IC名稱(chēng),最多為4個(gè)英文字母。2.Loc:IC位置。3.Pins:IC的腳位數(shù),最多為512。4.Vcc:電源腳(+V),該顆IC的正電源腳。5.Gnd:接地腳(-V),該顆IC的負(fù)電源腳。對(duì)TTLIC而言,電源腳一般是接到+5V的腳位上,而接地腳是接到接地的腳位。對(duì)線性IC,如運(yùn)算放大器,電源腳是接到+15V的腳位;而接地腳是接到-15V的腳位。6.Vcc1:IC的第二組電源腳。7.Gnd1:IC的第二組電源腳,用以學(xué)習(xí)第二組之IC保護(hù)二極體。8.Probe:IC空焊測(cè)試時(shí)此顆IC對(duì)應(yīng)的探測(cè)針號(hào)碼。9.Llmt%(下限%):一般為30%,使用者可修改。10.Hlmt%(上限%):一般為30%,使用者可修改。11.Type:
(1)IC保護(hù)二極體下,Type的輸入可為0-3,其中:0:代表學(xué)習(xí)所有IC之保護(hù)二極體。1:代表學(xué)習(xí)部份IC之保護(hù)二極體。2:代表學(xué)習(xí)所有IC之保護(hù)二極體及IC反向步驟。3:代表學(xué)習(xí)部份IC之保護(hù)二極體及IC反向步驟。若有任一IC之Type設(shè)定為1或3則僅就設(shè)定為1或3之IC進(jìn)行保護(hù)二極體學(xué)習(xí),其中設(shè)定為3之IC尚加上IC反向之學(xué)習(xí)。若在有任一IC之Type設(shè)定為0或2則將對(duì)所有IC進(jìn)行保護(hù)二極體學(xué)習(xí),其中設(shè)定為2之IC尚加上IC反向之學(xué)習(xí)。(2)ICDiodeCheck測(cè)試下,Type之輸入可為0-1,0:代表學(xué)習(xí)所有IC之並聯(lián)測(cè)試。1:代表學(xué)習(xí)部份IC之並聯(lián)測(cè)試。12.Skip:0:表示學(xué)習(xí)此IC之保護(hù)二極體測(cè)試程式。1:表示學(xué)習(xí)此IC之保護(hù)二極體資料以供DiodeCheck使用,如CPUSocket。2:為完全刪略,如PCIConnector。6.3.1.1 IC腳位對(duì)應(yīng)測(cè)試針資料顯示每個(gè)IC腳位對(duì)應(yīng)的測(cè)試針號(hào)碼,使用者可以直接輸入每個(gè)IC腳位的對(duì)應(yīng)測(cè)試針號(hào)碼或者用探棒自動(dòng)輸入IC腳位的對(duì)應(yīng)測(cè)試針號(hào)碼。將空的電路板放在治具上,壓床壓下後,以探棒直接接觸游標(biāo)所在位置的IC腳後該IC腳的測(cè)試針號(hào)碼會(huì)自動(dòng)輸入到螢?zāi)簧稀R韵聢D為例,視窗分為上下兩部分,IC腳位資料和IC腳位對(duì)應(yīng)測(cè)試針資料。第一個(gè)IC名稱(chēng)為“IC1”,位置為“A1”、IC腳位數(shù)量為4、IC的電源腳為第2腳、IC的接地腳為第1腳。IC腳位對(duì)應(yīng)測(cè)試針資料顯示每個(gè)IC所有腳位對(duì)應(yīng)的測(cè)試針編號(hào)。6.3.1.1 IC腳位對(duì)應(yīng)測(cè)試針資料顯示每個(gè)IC腳位對(duì)應(yīng)的測(cè)試針號(hào)碼,使用者可以直接輸入每個(gè)IC腳位的對(duì)應(yīng)測(cè)試針號(hào)碼或者用探棒自動(dòng)輸入IC腳位的對(duì)應(yīng)測(cè)試針號(hào)碼。將空的電路板放在治具上,壓床壓下後,以探棒直接接觸游標(biāo)所在位置的IC腳後該IC腳的測(cè)試針號(hào)碼會(huì)自動(dòng)輸入到螢?zāi)簧?。以下圖為例,視窗分為上下兩部分,IC腳位資料和IC腳位對(duì)應(yīng)測(cè)試針資料。第一個(gè)IC名稱(chēng)為“IC1”,位置為“A1”、IC腳位數(shù)量為4、IC的電源腳為第2腳、IC的接地腳為第1腳。IC腳位對(duì)應(yīng)測(cè)試針資料顯示每個(gè)IC所有腳位對(duì)應(yīng)的測(cè)試針編號(hào)。6.3.1 依零件位置排序:將測(cè)試資料上的零件依照位置,由左至右、由上到下順序排列。測(cè)試資料上的零件經(jīng)過(guò)排序後,便於尋找電路板上的相關(guān)零件。6.8.12說(shuō)明編輯器使用說(shuō)明及測(cè)試程式撰寫(xiě)說(shuō)明。6.9單一步驟編輯及除錯(cuò)在編輯器內(nèi)以滑鼠左鍵連點(diǎn)二下或選擇<編輯>、<單一步驟修改>後出現(xiàn)以下視窗,提供使用者更方便的人機(jī)介面修改測(cè)試資料。這個(gè)視窗分為五部份,零件設(shè)定、隔離點(diǎn)設(shè)定、量測(cè)設(shè)定、快速功能鍵、測(cè)試次數(shù)設(shè)定。前三部分是測(cè)試程式的設(shè)定。欄位旁有一個(gè)黑色三角形符號(hào)的是下拉式選項(xiàng)表,以滑鼠左鍵點(diǎn)選可顯示本欄位可使用的
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