《半絕緣砷化鎵單晶襯底片》

1YS/TXXXX—XXXX半絕緣砷化鎵單晶襯底片本文件規(guī)定了半絕緣砷化鎵單晶襯底片（以下簡(jiǎn)稱“襯底片”）的分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容。本文件適用于垂直梯度凝固法（VGF）、液封直拉法（LEC）或垂直布里奇曼法（VB）生長(zhǎng)的，用于射頻、太陽能電池領(lǐng)域的襯底片的生產(chǎn)、檢驗(yàn)和質(zhì)量評(píng)價(jià)。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃GB/T6618硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法GB/T6619硅片彎曲度測(cè)試方法GB/T6620硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法GB/T6621硅片表面平整度測(cè)試方法GB/T6624硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法GB/T8760砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法GB/T13387硅及其它電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法GB/T13388硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測(cè)試方法GB/T14140硅片直徑測(cè)量方法GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語GB/T14844半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法GB/T17170半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測(cè)試方法GB/T19199半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測(cè)試方法GB/T19921硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法GB/T26067硅片切口尺寸測(cè)試方法SJ/T11488半絕緣砷化鎵電阻率、霍爾系數(shù)和遷移率測(cè)試方法3術(shù)語和定義GB/T14264界定的術(shù)語和定義適用于本文件。4牌號(hào)和類別4.1襯底片的牌號(hào)表示方法按GB/T14844的規(guī)定進(jìn)行。2YS/TXXXX-XXXX4.2襯底片按直徑分為50.8mm、76.2mm、100.0mm、150.0mm、200.0mm5種規(guī)格。5技術(shù)要求5.1電學(xué)性能襯底片的電學(xué)性能應(yīng)符合表1的規(guī)定。I%,1×10)%5.2表面晶向及晶向偏離襯底片的表面晶向?yàn)椋?00晶向偏離不大于0.5°。5.3位錯(cuò)密度襯底片的位錯(cuò)密度等級(jí)及要求應(yīng)符合表2的規(guī)定。表2位錯(cuò)密度I5.4參考面的取向、形狀和尺寸3YS/TXXXX—XXXX5.4.1以主副參考面為基準(zhǔn)時(shí)，Ф50.8mm、Ф76.2mm、Ф100.0mm、Ф150.0mm襯底片參考面的取向、形狀和尺寸應(yīng)符合表3的要求。表3參考面的取向、形狀和尺寸°［0ii］±0.5屬于1個(gè)鎵面，°5.4.2以V型切口(Notch)為基準(zhǔn)時(shí)，Ф150.0mm、Ф200.0mm襯底片V型切口的取向和尺寸應(yīng)符合表4的規(guī)定。表4V型切口的取向和尺寸°°5.5外形幾何尺寸襯底片的外形幾何尺寸應(yīng)符合表5的要求。表5外形幾何尺寸5.6碳原子濃度和深能級(jí)缺陷EL2濃度4YS/TXXXX-XXXX襯底片碳原子濃度和深能級(jí)缺陷EL2濃度應(yīng)符合表6的規(guī)定。表6碳原子濃度和深能級(jí)缺陷EL2濃度5.7表面質(zhì)量襯底片的表面質(zhì)量應(yīng)符合表7的規(guī)定。表7表面質(zhì)量無無霧無無無無無無無無無無無無無無無無5.8其他需方如對(duì)襯底片的技術(shù)指標(biāo)有其他要求，由供需雙方協(xié)商確定，并在訂貨單中注明。5YS/TXXXX—XXXX6試驗(yàn)方法6.1電學(xué)性能6.1.1電阻率襯底片電阻率的測(cè)試按SJ/T11488的規(guī)定進(jìn)行。6.1.2截面電阻率不均勻性襯底片截面電阻率不均勻性應(yīng)測(cè)試樣本的電阻率，在單晶橫截面沿直徑方向均勻取5個(gè)測(cè)試點(diǎn)，即中心取1點(diǎn)，左右各取2點(diǎn)。半絕緣砷化鎵單晶截面電阻率不均勻性按公式（1）進(jìn)行計(jì)算：式中：d——截面電阻率不均勻性；ρmax——截面電阻率最大值，單位為歐姆厘米(Ω·cm)；ρmin——截面電阻率最小值，單位為歐姆厘米(Ω·cm)；i——第i個(gè)測(cè)量點(diǎn)電阻率，單位為歐姆厘米(Ω·cm)；i——測(cè)試點(diǎn)數(shù)目，i=1～5；n——測(cè)試點(diǎn)總數(shù)，n=5。6.1.3霍爾遷移率襯底片霍爾遷移率的測(cè)試按SJ/T11488的規(guī)定進(jìn)行。6.2表面晶向及晶向偏離襯底片表面晶向及晶向偏離的測(cè)試按GB/T1555的規(guī)定進(jìn)行。6.3位錯(cuò)密度襯底片位錯(cuò)密度的測(cè)試按GB/T8760的規(guī)定進(jìn)行。6.4參考面的取向、形狀和尺寸6.4.1襯底片的主、副參考面取向的測(cè)試按GB/T13388的規(guī)定進(jìn)行。6.4.2襯底片的參考面長(zhǎng)度測(cè)試按GB/T13387的規(guī)定進(jìn)行。6.4.3襯底片的參考面V型切口（Notch）形狀及尺寸的測(cè)試按GB/T26067的規(guī)定進(jìn)行。6.5外形幾何尺寸6.5.1襯底片的直徑及允許偏差的測(cè)試按GB/T14140的規(guī)定進(jìn)行。6.5.2襯底片的厚度及允許偏差的測(cè)試按GB/T6618的規(guī)定進(jìn)行。6.5.3襯底片總厚度變化（TTV）的測(cè)試按GB/T6618的規(guī)定進(jìn)行。6.5.4襯底片總指示讀數(shù)(TIR)的測(cè)試按GB/T6621的規(guī)定進(jìn)行。6.5.5襯底片彎曲度(Bow)的測(cè)試按GB/T6619的規(guī)定進(jìn)行。6.5.6襯底片翹曲度(Warp)的測(cè)試按GB/T6620的規(guī)定進(jìn)行。6YS/TXXXX-XXXX6.6碳原子濃度和深能級(jí)缺陷EL2濃度6.6.1襯底片碳原子濃度的測(cè)試按GB/T19199的規(guī)定進(jìn)行。6.6.2襯底片深能級(jí)缺陷EL2濃度的測(cè)試按GB/T17170的規(guī)定進(jìn)行。6.7表面質(zhì)量襯底片局部光散射體（LLS）數(shù)量的測(cè)試按GB/T19921的規(guī)定進(jìn)行，其他表面質(zhì)量的測(cè)試按GB/T6624的規(guī)定進(jìn)行。7檢驗(yàn)規(guī)則7.1檢查和驗(yàn)收7.1.1產(chǎn)品應(yīng)由供方或第三方進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本文件和訂貨單的規(guī)定，并填寫產(chǎn)品質(zhì)量證明書。7.1.2需方可對(duì)收到的產(chǎn)品按本文件的規(guī)定進(jìn)行檢驗(yàn)，若檢驗(yàn)結(jié)果與本文件或訂貨單的規(guī)定不符時(shí)，應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起3個(gè)月內(nèi)向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決。7.2組批襯底片應(yīng)成批提交驗(yàn)收，每批應(yīng)由同一根砷化鎵單晶晶錠加工而成的、相同規(guī)格的產(chǎn)品組成。7.3檢驗(yàn)項(xiàng)目及取樣7.3.1襯底片的電學(xué)性能、表面晶向及晶向偏離、位錯(cuò)密度、碳原子濃度和深能級(jí)缺陷EL2濃度的檢驗(yàn)項(xiàng)目及取樣應(yīng)符合表8的規(guī)定。表8檢驗(yàn)項(xiàng)目及取樣7.3.2每批襯底片的參考面取向、形狀和尺寸及外形幾何尺寸、表面質(zhì)量的檢驗(yàn)項(xiàng)目及取樣應(yīng)符合表9的規(guī)定，也可由供需雙方協(xié)商確定。表9檢驗(yàn)項(xiàng)目及取樣7YS/TXXXX—XXXX表9檢驗(yàn)項(xiàng)目及取樣（續(xù)）7.4檢驗(yàn)結(jié)果的判定7.4.1襯底片的電阻率、截面電阻率不均勻性、霍爾遷移率、表面晶向及晶向偏離、位錯(cuò)密度、碳原子濃度和深能級(jí)缺陷EL2濃度的檢驗(yàn)結(jié)果中有任意一項(xiàng)不合格時(shí)，判該批產(chǎn)品不合格。7.4.2襯底片的參考面取向、形狀和尺寸、直徑及允許偏差、厚度及允許偏差、總厚度變化、總指示讀數(shù)、彎曲度、翹曲度、表面質(zhì)量的檢驗(yàn)結(jié)果中有任意一項(xiàng)不合格時(shí)，供方可對(duì)不合格項(xiàng)進(jìn)行逐片檢驗(yàn)，除去不合格品后，合格品可以重新組批。8標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存和隨行文件8.1標(biāo)志8.1.1檢驗(yàn)合格的襯底片外包裝袋上應(yīng)粘貼標(biāo)簽，其上注明：a）產(chǎn)品名稱、規(guī)格；b）產(chǎn)品批號(hào)；c）產(chǎn)品數(shù)量；d）生產(chǎn)日期。8.1.2襯底片的外包裝箱上應(yīng)貼有標(biāo)簽，其上注明：a）供方名稱、地址、電話；b）產(chǎn)品名稱、規(guī)格；c）產(chǎn)品數(shù)量或凈重；d）“小心輕放”“防潮”“易碎”“堆疊層數(shù)”標(biāo)志或字樣。8.2包裝8.2.1單片包裝檢驗(yàn)合格的襯底片可放置在專用的單片圓盒內(nèi)。單片圓盒由聚丙烯（PP）、聚碳酸酯（PC）材料制成。襯底片清洗干凈后，正表面朝下放入專用單片圓盒內(nèi)，每盒1片，放置壓環(huán)合蓋后，用塑料袋、鋁箔袋分別抽真空充高純氮?dú)?≥5N)密封。8.2.2多片包裝檢驗(yàn)合格的襯底片亦可放置在專用的多片盒內(nèi)，每個(gè)卡塞放置多片清洗干凈的襯底片（根據(jù)客戶需求，一般放置25片）?？ㄈ杏删郾≒P）制成。襯底片清洗干凈后，正表面朝U端，背面朝H端，合蓋后用塑料袋、鋁箔袋分別抽真空充高純氮?dú)?≥5N)密封。8.2.3外包裝箱8YS/TXXXX-XXXX將完成真空包裝的單片圓盒或多片盒放入四周有珍珠棉或海綿防護(hù)的包裝箱中封箱。8.3運(yùn)輸產(chǎn)品在運(yùn)輸過程中應(yīng)輕裝輕卸，勿壓勿擠，并采取防震、防潮措施。8.4貯存產(chǎn)品應(yīng)貯存在清潔、干燥的環(huán)境中。8.5隨行文件每批產(chǎn)品應(yīng)附有