《液晶顯示器件制造技術(shù)（活頁式）》課件：TFT-LCD Array制程_第1頁
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文檔簡介

TFT-LCDARRAY

制程工藝工程PRcoatingThinFilmGlass曝光ExpousePhotoMask剝膜ThinFilmGlass成膜PRcoating顯影蝕刻TFT各層名稱玻璃基板(Glass)Gate電極GI-SINxGIN-SINxGIN–a-SiGIN–N+a-SiS電極D電極ITO電極P-SINx第二層第一層第三層第三層第四層第五層Array5Mask制程簡述Mask-1:Gate電極與Cs(common)線Mask-2:a-Si島(Island)Mask-3:源/漏(S/D)電極Mask-4:鈍化保護(hù)層P-SiNxMask-5:像素電極ITOMask-1俯視圖與剖面圖Gate線Common線玻璃基板Gate線金屬膜材料：AL-Nd/Mo成膜方式：濺射(PVD)刻蝕方式：濕蝕刻作用：掃描電極，控制“開關(guān)”的導(dǎo)通或斷開。PVD：物理氣象沉積，即非化學(xué)反應(yīng)成膜。Mask-2俯視圖與剖面圖CVD：化學(xué)氣象沉積，即化學(xué)反應(yīng)方式成膜GI-SiNxGIN-SiNxGIN-a-SiGIN–N+a-Si非金屬膜:柵絕緣膜SiNx；半導(dǎo)體層a-Si；

歐姆接觸層N+a-Si成膜方式:等離子CVD(PECVD)刻蝕方式：干蝕刻作用：TFT的工作層（有源層）等效電路中的“開關(guān)”Mask-3俯視圖與剖面圖信號線、源電極(source極)漏電極(drain極)溝道金屬膜材料：Mo/Al/Mo成膜方式：濺射（PVD）刻蝕方式：濕蝕刻M2干蝕刻溝道(N+a-Si)作用：數(shù)據(jù)電極（提供信號，對液晶電容進(jìn)行充電）Mask-4俯視圖與剖面圖過孔鈍化保護(hù)層過孔的作用導(dǎo)通D極（Mask3）和象素電極ITO（Mask5）非金屬膜：鈍化層P-SiNx成膜方式：等離子CVD（PECVD）刻蝕方式：干蝕刻作用：阻隔從TFT外部來的不純物，保護(hù)TFT器件，并起到絕緣的作用。Mask-5俯視圖與剖面圖像素電極(ITO層)金屬膜材料:氧化銦和氧化錫的混合物(In2O3、SnO2)成膜方式:濺射刻蝕方式:濕蝕刻Array5Mask完整制作過程模擬Mask-1形成Gate線與Common線成膜?剝離?涂光刻膠

?刻蝕?曝光?顯影Mask-2a-si有源島(Island)成膜?剝離?涂光刻膠

?刻蝕

?曝光?顯影TFT的主要工作層（起到“開關(guān)”的作用）Mask-3源/漏(S/D)電極(Source/Drain)（S線）成膜?剝離?涂光刻膠

?刻蝕

?曝光?顯影Mask-4鈍化保護(hù)層P-SiNx（絕緣層）成膜

?剝離?涂光刻膠

?刻蝕

?曝光?顯影Mask-5像素電極ITO成膜

?剝

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