《模擬電子技術(shù)》課件-二極管結(jié)構(gòu)及特性

模擬電子技術(shù)二極管結(jié)構(gòu)及特性——

目

錄

——123二級管結(jié)構(gòu)與類型二級管的伏安特性二級管的主要參數(shù)問題導(dǎo)航現(xiàn)實(shí)生活中的問題在廚房中有種配件叫單向止回閥，僅允許排煙向一個(gè)方向進(jìn)行！在電子學(xué)領(lǐng)域，也有一種電流的單向閥，就是半導(dǎo)體二極管！止回閥的原理半導(dǎo)體二極管二級管結(jié)構(gòu)與類型二極管構(gòu)成：√PN結(jié)

+引線

+外殼

=

二極管二極管符號：二極管分類：×(正極)(負(fù)極)KA面接觸型點(diǎn)接觸型硅二極管鍺二極管按材料分鋁合金正極引線小球N型鍺片正極引線負(fù)極引線PN結(jié)N型硅金銻合金點(diǎn)接觸型面接觸型按結(jié)構(gòu)分外殼觸絲負(fù)極引線底座二級管的伏安特性二極管的伏安特性曲線伏安特性：在二極管兩端的電壓，與流過二極管電流的對應(yīng)關(guān)系伏安特性曲線伏安特性曲線的測量電路iD

/mAVV604020R+-RDD–50

–25mAmA0

0.4

0.8uD

/V+

E

-E–0.02–0.04正向曲線測量反向曲線測量二級管的伏安特性二極管的伏安特性0<

U<

Uth

iD

=0iDUth

=0.5

V

硅管0.1

V

鍺管正向特性UISBRU>

UthUD(on)

=0.6～

0.8

V

硅管

0.7

VuD急劇上升iDOUth

UD（on）反向特性0.1～

0.3

V鍺管

0.2

V死區(qū)電導(dǎo)通電壓反向擊穿反向擊穿類型：電擊穿

—

PNU（BR)

<U

<

0

硅管<

0.1

A、

鍺管幾十

Aμμ結(jié)未損壞，斷電恢復(fù)結(jié)被燒毀，器件損壞U

<

U（BR）反向電流急劇增大（反向擊穿）熱擊穿—

PN二級管的伏安特性iD/mA材料對二極管特性的影響iD/mA15604020硅管較高105導(dǎo)通電壓反向電流鍺管較低–25–50–50–25–0.02–0.0400

0.4

0.80.2

0.4uD

/

VuD

/

V–0.01–0.02硅管較低鍺管較高硅管的伏安特性鍺管的伏安特性iD/mA90°C溫度對二極管特性的影響20°C604020溫度升高時(shí)，

UD(on)以

2～

2.5mV/

°C下降溫度升高10°C，反向電流約增大一倍–50

–25uD/VO

0.4–0.02二級管的主要參數(shù)1.

IF

—最大整流電流U

UBRRMIF指二極管長期使用時(shí)允許通過二極管的最大正向平均電流值2.

反向擊穿電壓：UBR、最高反向工作電壓：URM反向擊穿電壓是指二極管在反偏時(shí)產(chǎn)生擊穿現(xiàn)象的電壓最高反向工作電壓是指二極管工作時(shí)允許外加的最大反向電壓IRfMiD/mA3.

IR

—反向電流604020在給定的反向電壓下，通過二極管的反向電流值。二極管單向?qū)щ娦阅艿闹匾笜?biāo)，反向電流小單向?qū)щ娦阅茉胶?。–50–25–0.02–0.040

0.4

0.8uD/V4.

fM

—最高工作頻率伏安特性二極管的PN結(jié)存在結(jié)電容，超最高頻率時(shí)單向?qū)щ娦宰儾?。本課總結(jié)二極管的結(jié)構(gòu)與類型：二極管由內(nèi)部PN結(jié)與管殼引線組成，具有單向?qū)щ娞匦裕话床牧戏譃楣韫芘c鍺管，按結(jié)構(gòu)分為點(diǎn)接觸型與面接觸型。二極管的伏安特性：正偏時(shí)未超過死區(qū)電壓前微弱導(dǎo)通，超過后電流快速增大；反偏時(shí)反向電流很小，但超