刻蝕工序培訓講解

1、RENA InOx 刻蝕工序培訓刻蝕工序培訓 ?刻蝕工序工藝培訓 ?刻蝕工序質量培訓 ?刻蝕工序設備培訓 培訓人：龐鳳英 彭連文 一、刻蝕工序工藝培訓一、刻蝕工序工藝培訓 1.刻蝕的目的刻蝕的目的 擴散過程中，雖然采用背靠背擴散，硅片的邊緣將不可避免地擴 散上磷。PN結的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴散有磷的區(qū)域 流到PN結的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并聯(lián)電阻。 同時，由于在擴散過程中氧的通入，在硅片表面形成一層二氧化 硅，在高溫下POCl 3與O2形成的P2O5，部分P原子進入Si取代部分晶 格上的Si原子形成n型半導體，部分則留在了SiO2中形成PSG。 后清洗的目的就去除

2、背面及邊緣的PN結和去除硅片表面的PSG （磷硅玻璃）。 刻蝕 清洗1 堿洗 酸洗 吹干2 2、后清洗的工藝步驟、后清洗的工藝步驟: 清洗2 清洗3 下片 上片 刻蝕槽：用于邊緣刻蝕，去除背面及邊緣的PN結。 所用溶液為 HF+HNO 3+H2SO4，主要工藝參數： Firstfill volume: 270.0L; Firstfill volume H 2SO4 :80.0L; concentrations of chemical:HF(35g/L) Quality: 120.0Kg; Setpoint recirculation flow: 22.0L/min; Bath processt

3、emperature:7 2 影響因素：溫度、濃度比、時間（通過調節(jié)滾輪速度來控制） 注意擴散面須向上放置， H2SO4的作用主要是增大液體浮力，使硅 片很好的浮于反應液上（僅上邊緣2mm左右和下表面與液體接觸）。 根據刻蝕情況，可對溫度作適當的修正。越高的溫度對應越快的反應 速度，故如果刻蝕不夠則可適當提高反應溫度，反之亦然。當藥液壽 命（Quality ）到后（150W片左右），需更換整槽藥液。 堿洗槽 ： 所用溶液為KOH，主要工藝參數： Firstfill concentration of chemical:5%; Bath lifetime:250hours; Bath proces

4、stemperature:22 4 當藥液壽命（ Bath lifetime ）到后，需更換整槽藥液。 影響因素：濃度、時間 堿洗槽的作用： 1.洗去硅片表面多孔硅； 2.中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。 HF酸槽 ： 所用溶液為HF，主要工藝參數： Firstfill concentration of chemical: HF(5%); Bath ifetime:250hours; Bath processtemperature:22 4 當藥液壽命（ Bath lifetime ）到后，需更換整槽藥液。 影響因素：濃度、時間 HF酸槽的作用： 1.中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液；

5、2.去PSG 3.后清洗的原理 3.1濕法刻蝕原理濕法刻蝕原理: 利用HNO 3和HF的混合液體對擴散后硅片下表面和邊緣進行腐蝕,去 除邊緣的N型硅,使得硅片的上下表面相互絕緣。 邊緣刻蝕原理反應方程式： 4HNO3+3Si=3SiO2+4NO+2H2O SiO2+6HF=H2SiF 6+2H2O 刻蝕前 刻蝕后 n+ Si PSG ?刻蝕中容易產生的問題及檢測方法： 1.刻蝕不足：邊緣漏電，Rsh下降，嚴重可導致失效 檢測方法：測絕緣電阻 2.過刻：正面金屬柵線與P型硅接觸，造成短路 檢測方法：稱重及目測 SPC控制：當硅片從設備中流轉出來時，工藝需檢查硅片表面狀 態(tài)，絨面無明顯斑跡，無藥液

6、殘留。156多晶該工序產品要求腐蝕深 度控制在0.81.2m范圍之內,且硅片表面刻蝕寬度不超過2mm, 同時 需要保證刻蝕邊緣絕緣電阻大于1K歐姆。 3.2去除磷硅玻璃的目的：去除磷硅玻璃的目的： 1) 磷硅玻璃的存在使得硅片在空氣中表面容易受潮，導致電流的降 低和功率的衰減。 2) 死層的存在大大增加了發(fā)射區(qū)電子的復合，會導致少子壽命的降 低，進而降低了Voc和Isc。 3) 磷硅玻璃的存在使得PECVD后產生色差。 去PSG原理方程式： SiO2+4HF=SiF 4+2H2O SiF4+2HF=H 2SiF6 總： SiO2+ 6HF=H 2SiF6+2H2O 去PSG工序檢驗方法： 當硅

7、片從HF槽出來時，觀察其表面是否脫水，如果脫水，則表 明磷硅玻璃已去除干凈；如果表面還沾有水珠，則表明磷硅玻璃 未被去除干凈，可在HF槽中適當補些HF。 4.后清洗工序工藝要求后清洗工序工藝要求 ? 后清洗出來的片子，不允許用手摸片子的表面。收片員工只允許接觸 片子的邊緣進行裝片。并且要勤換手套，避免PECVD后出現臟片！ ? 每批片子的腐蝕重量和絕緣電阻都要檢測。 1.要求每批測量4片。 2.每次放測量片時，把握均衡原則。如第一批把測試片放 1.3.5.7道， 下一批則放2.4.6.8道，便于監(jiān)控設備穩(wěn)定性和溶液的均勻性。 ? 生產沒有充足的片子時，工藝要求： 1.如果有1小時以上的停機，要

8、將刻蝕槽的藥液排到tank，減少藥液的 揮發(fā)。 2.停機后15分鐘用水槍沖洗堿槽噴淋及風刀，防止酸堿形成的結晶鹽 堵塞噴淋口及風刀。 3.停機1小時以上，要在開啟機器生產前半小時用水槍沖洗風刀處的滾 輪，杜絕做出來的片子有滾輪印！ ? 后清洗到PECVD的產品時間最長不能超過4小時,時間過長硅片會污染 氧化，從 而影響產品的電性能及效率. ? 刻蝕槽液面的注意事項： 正常情況下液面均處于綠色，如果一旦在流片過程中顏色改變，立 即通知工藝人員。 二、二、刻蝕工序質量培訓刻蝕工序質量培訓 刻蝕工序的質量控制主要分為來料質量控制和刻蝕后的質量刻蝕工序的質量控制主要分為來料質量控制和刻蝕后的質量 控制

9、。 1 來料要求 ?1.1來料硅片的方阻要求在5560歐姆。 ?1.2來料硅片不能有黃點、污點等現象。 ? 刻蝕工序質量控制點 2 出片質量控制點 2.1 刻蝕線寬度 刻蝕線寬度的測試主要是目測，一般硅片流出來之后，觀察 其刻蝕線寬及刻蝕線的均勻性，要求線寬2mm。 刻蝕線 一個微過刻的片子 2.2 減薄量 減薄量的大小會影響到方阻的大小，減薄量過大會導致硅片 方阻過大，反之亦然。減薄量控制在0.0450.068g 。減薄量用電子 天平進行測定。測定方法：每批取四片，分別測刻蝕前和刻蝕后的 重量并作記錄。每次放測量片時，把握均衡原則。如第一批把測試 片放1.3.5.7道，下一批則放2.4.6.

10、8道，便于監(jiān)控設備穩(wěn)定性和溶 液的均勻性。 ? 減薄量檢測步驟： 1)取樣時確保手套是干凈的，不干凈的手套或不戴手套禁止觸摸硅 片；確保天平已經校準好。 2)取好樣以后用盒子盛裝拿到稱重處，對天平去皮。 3）對每片稱重并記錄在電腦，同時記錄批號和時間。 4）稱好4片后在RENA上料臺放片，注意每隔一道放一片。硅片從 RENA機出來后，收齊硅片。 5）注意稱重前后的每片硅片是相對應的，不要混淆。 6）去PSG工序要求的腐蝕厚度為0.0450.068g之間，如果高于或低 于這個范圍，電腦數據表會提供一個參考值。生產部組長或技術員 根據推薦值做修改，但技術員必須知道有這個異常。 2.3邊緣電阻 刻邊

11、后硅片各邊的絕緣電阻1000歐姆。用萬 用表測定硅片的邊緣電阻。如果小于1000歐姆， 則可能邊緣的P-N結沒有刻斷。邊緣漏電，并聯(lián)電 阻(Rsh)下降,嚴重可導致失效。 測定方法跟減薄量相同，要求每批測量4片，每次放測量片時，把握均 衡原則。便于監(jiān)控設備穩(wěn)定性和溶液的均勻性。取樣如同減薄量測定。 ?冷熱探針法的檢測原理 探針和N型半導體接觸時，傳導電流將流向溫度較低的區(qū)域，使得熱探 針處的電子缺少，因而其電勢相對于同一材料上的室溫觸點而言是正的。同 樣原理，P型半導體熱探針觸電相對于室溫觸點而言是負的。 ?萬用表操作及判斷 ?1）確認萬用表工作正常，量程置于200mv。 ? 2 ）冷探針連接

12、電壓表的正電極，熱探針與電壓表的負極相連。 ?3）用冷熱探針接觸硅片的一個邊沿不相連的兩點，電壓表顯示這兩點間）用冷熱探針接觸硅片的一個邊沿不相連的兩點，電壓表顯示這兩點間 的電壓為正值，說明導電類型為P型，且大于30mv；如果數值為正值，但 數值小于30mv，則為刻蝕不合格。相同的方法檢測另外三個邊沿的導電類 型是否為型是否為P型以及數值的大小。型以及數值的大小。 ?4）如果經過檢測，任何一個邊沿沒有刻蝕合格，則這一批硅片需要重新）如果經過檢測，任何一個邊沿沒有刻蝕合格，則這一批硅片需要重新 裝片，進行返工刻蝕。 2.4方阻變化量 刻蝕后方阻的的上升幅度小于3歐姆。測定方法為四探針法。 2.

13、5 硅片5S控制 硅片表面保持干凈，不允許有水珠，污點等現象。不允許手直接 接觸硅片的表面。如果有水珠沒有吹干，將會影響下道鍍膜工序的外 觀，鍍膜后硅片表面有白點?；虺霈F花紋、手紋印等。 后清洗到PECVD的產品時間最長不能超過4小時,時間過長硅片會污 染氧化，從而影響產品的電性能及效率. 6、后清洗常見異常圖片分析、后清洗常見異常圖片分析 7、后清洗常見異常處理流程、后清洗常見異常處理流程 刻蝕工藝步驟： 邊緣刻蝕堿洗 酸洗吹干 RENA InOxSide 后清洗設備的主體分為以下七個槽，此外還有滾輪、 排風系統(tǒng)、自動及手動補液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等。 Etch bath Rinse

14、1 Alkaline Rinse Rinse2 HF bath Rinse3 Dryer2 一、刻蝕設備構造 “一化一水”，硅片每經過一次化學品，都會經過一次水 噴淋清洗。 除刻蝕槽和第一道水噴淋之間,其它的槽和槽之間都有吹 液風刀 除刻蝕槽外，其它化學槽和水槽都是噴淋結構，去PSG氫 氟酸槽是噴淋結構，而且片子進入到溶液內部。 最后一道水噴淋（第三道水噴淋）由于要將所有化學品全 部洗掉，所以水壓最大。相應的，最后的吹干風刀氣壓最 大。 上 片 刻蝕槽 H2SO4/ HNO3/ HF 水 噴 淋 堿洗槽 NaOH 水 噴 淋 去PSG槽 HF 水 噴 淋 下 片 吹 干 風 刀 RENA清洗設

15、備清洗設備 注：前、后清洗設備外觀相同，內部構造和作用原理稍有不同 Etch bathEtch bath：刻蝕槽，用于邊緣刻蝕。 所用溶液為 HF+HNO3+H2SO4， 作用：邊緣刻蝕，除去邊緣PN結，使電流朝同一方向流動。 注意擴散面須向上放置， H2SO4的作用主要是增大液體浮 力，使硅片很好的浮于反應液上（僅上邊緣2mm左右和下表 面與液體接觸）。 Alkaline Rinse ：堿洗槽 。 所用溶液為KOH， 作用：中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。 HF Bath ：HF酸槽 。 所用溶液為HF， 作用：中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液；去 PSG Rinse 13Rinse

16、13為水洗槽；水洗槽與槽之間相互聯(lián)通。 Dryer 2Dryer 2為風刀；通過調節(jié)風刀的角度和吹風的壓力 ，使硅片被迅速吹干。 滾輪分三段設定速度，其中converyor1converyor 2converyor 3，（傳送帶）否則前快后慢，易在設 備中因為疊片而造成碎片。滾輪速度（即制絨時間） 根據需要的腐蝕深度來進行設置，生產過程中可根據 測試結果來進行滾輪速度修正。一般滾輪速度慢，則 反應時間增加，腐蝕深度加深，反之亦然。 后清洗機臺的操作界面，基本的工藝要求，換藥 規(guī)程等、基本都都同于前清洗設備，在此不再累述。 需要注意的是：后清洗刻蝕槽處的排風很重要 二、RENA設備常見報警信息

17、1 關于waferjam（疊片）報警 出現此類滾輪是報警時，工藝人請設備人員調整滾輪并取 出碎片。如果是滾輪原因造成上述報警，同時上級決定暫時 不能停機，可選擇不在報警道投片，待工藝換藥或設備PM時 要求設備人員進行相應調整。此外可要求生產人員可適當增 大放員需檢查各段否正常工作，設備中是否出現卡片、碎片 。如果出現上述異常，需及時片間距，減少疊片的發(fā)生。 2 關于temperature（溫度）報警 出現此類報警時，工藝人員需確認coolingunit在工作， 確認有循環(huán)流量，然后等待并觀察溫度是否降低。如果溫度 沒有下降趨勢，通知設備人員進行檢查。 3 關于pump（泵）報警 出現此類報警時

18、，工藝人員需確認報警槽的溶液 量是否達到液位要求，循環(huán)是否正常。如有異常，補加 藥液并手動打開槽體循環(huán)。同時要求設備人員檢查該槽 噴淋濾芯是否正常。 4 關于dry（風刀）報警 出現此類報警時，工藝人員需檢查外圍供氣壓力 是否正常，風刀有無被堵。并及時通知外圍人員或設備 人員作出相應調整。 5 關于刻蝕槽flow（流量）報警 出現此類報警時，工藝人員需檢查是否有碎片堵住藥 液入口。如有碎片需取出后，將藥液打入tank混勻溶液 后重新將藥液打入bath中。如果流量不穩(wěn)定報警，需要 求設備人員檢查相應傳感器 6 關于overfilled（溶液過滿）報警 出現此類報警時，工藝人員需要求設備檢查液位傳

19、感 器是否正常工作。如果確實過滿，則需要手動排掉部分 藥液，直到達到生產液位要求。 7 關于 tank empty（儲藥罐空）報警 出現此類報警時，說明外圍相應儲藥罐中的藥品已空 ，需及時通知外圍人員添加藥液。 8 關于 valve blocked（閥門被堵）報警 出現此類報警時，則有閥門被堵，必須立即通知設備 人員處理。 9 顏色突出指示的意義 出現報警信息時，各種顏色突出所指示的相關意 義如下圖所示 三、如何減小RENA設備的碎片率 39 正確位置 錯誤的位置 1. 放片方法應嚴格按照作業(yè)指導書，輕拿輕放在正確 位置。多晶156的硅片由于面積較大，如果放置的位置不正 確，很容易造成疊片卡片

20、等，致使硅片在機器中碎裂。 40 2. 2. 提高擋板的高度使得片子能夠順利的通過提高擋板的高度使得片子能夠順利的通過. . 滾輪能夠碰到擋板的地方，可以選擇將擋板切掉一部分. 蓋子容易 碰到滾輪 41 3. 減少減少CDACDA的壓力，調節(jié)上下風刀的壓力，使得上下的壓力，調節(jié)上下風刀的壓力，使得上下 壓力到達均衡 4.調整風管的方向，確保O-ring沒有碰到風管 調節(jié)擋板 和滾輪之 間的距離 42 5. 5. 調整噴淋管的位置，至滾輪能夠光滑的運行 6. 6.調整風管和水管的位置，使得片子在通過的時候， 不會影響片子的運行 43 7. 7. 檢查所有滾輪和O-ringO-ring的位置是正確

21、的，確保上下滾 輪在同一條線上 8. 8.調節(jié)滾輪的高度和水洗管的位置保證片子在傳送過程 中無偏移如果發(fā)生偏移會產生碎片 44 9. 9.調節(jié)滾輪的速度小于滾輪的速度，如果生產不 趕產量，則盡量讓生產人員放片子不要太急，拉大片間距， 這樣片子進出設備較均勻，不易產生疊片等現象 片子之 間距離 2cm 45 10. 10.工藝人員在日常正常生產過程中，如果發(fā)現機器碎 片，一方面應該提醒產線員工注意放片規(guī)范，減少疊片和 歪片；另一方面，應巡查上述主要地方，及時找到并清理 在設備中殘留的碎片，杜絕更多碎片的產生。 四、前后清洗十項影響效率、 良率(或特定電參數)的原因 A.片源不同片源不同 這里提到

22、的片源差異包括多晶硅料的不同（鍋底料、 邊皮料、金屬硅、復拉料、重摻雜等等）以及晶體大小不 同（微晶片等），對于前清洗，片源不同，腐蝕量、腐蝕 速率和形成的絨面結構都會不同，短路電流將受到重大影 響，其他電性能也會受到一定程度的影響。后清洗雙向切 割片的線痕過大會造成過刻等。 預防措施： 1集中投片配合工藝對藥液的調節(jié) 2每批產品測量刻蝕重量是有超規(guī)范 B.藥液濃度的穩(wěn)定性 包括藥液補加量的準確程度，藥液的揮發(fā)，工藝參 數的設置等。 預防措施： 1.設備帶料不生產時把藥液排到TANK槽中 2.控制穩(wěn)定的溫度 3.測量硅片反射率是否超規(guī)范 4.每批產品測量刻蝕重量是有超規(guī)范 5.希望設備端給設備

23、安裝實際測量藥液補加的測量器 C.溫度的波動溫度的波動 溫度直接影響片子與藥液反應的程度，其波動的大 小和波動的周期直接影響批內和批次間腐蝕量和刻蝕 量的不同，進而導致電性能的波動。 預防措施： 1.設備定期檢查cool是否正常 2.設備端進行溫度SPC監(jiān)控 3.工藝每天檢查溫度趨勢 4.測量硅片反射率是否超規(guī)范 5.每批產品測量刻蝕重量是有超規(guī)范 D.設備噴淋的異常設備噴淋的異常 噴淋的異常會導致藥液殘留和一些反應不能正常進行， 進而出現臟片。 預防措施： 1.設備每次做完PM時調整好噴淋角度，并用假片檢查硅 片是否有臟片。 2.生產每兩小時檢查設備是否有碎片卡在滾輪中，堵住噴 淋口 3.蓋

24、擋板時須輕放，避面擋板打偏噴淋口 4.對于堿槽，當設備待料超過15分鐘時必須沖洗噴淋及風刀 E.過刻的異常過刻的異常 后清洗造成過刻，鍍膜后黑邊，且造成短路，從 而影響效率及良率 預防措施： 1.調節(jié)排風或降低流量或提高速度 2.設備端安裝排風監(jiān)控表，并每天檢查 3.滾輪或槽體擋板變形，需調整滾輪或擋板 4.藥液濃度異常，需調節(jié)濃度 5.希望設備端給設備安裝實際測量藥液補加的測量器 F.設備滾輪的變形異常設備滾輪的變形異常 導致碎片、腐蝕不均、過刻、硅片沾不到液等， 最終影響效率 預防措施： 1.設備PM時定期檢查 2.工藝及時反饋刻蝕狀況 G.設備PM徹底性和細化 PM進行的徹底到位可以保證

25、生產的正常進行，如濾芯 的清洗，清洗不好，可能導致水不干凈，造成水痕臟片等； 碎片清理不徹底可能導致碎片流入藥液管道造成藥液流量降 低，滴定閥堵塞漏酸，造成臟片等。 預防措施： 1.要求設備PM之前必須沖洗各個槽滾輪，且在PM后工藝端 檢查是否做到位，看碎片是否清洗干凈，滾輪是否安裝好等 H.測量儀器的短缺測量儀器的短缺 測量儀器的短缺會造成測量不能及時進行，產品質量不能 保證，甚至導致生產大量不良片后才發(fā)現。至少保證每兩臺 機器有一臺測量儀器（電子天平和絕緣電阻測試儀）。 預防措施： 1.設備定期檢查測量儀器是否完好，準確 2.校正部門應定期校正測量儀器 3.應給每臺設備配備測量儀器 I.工

26、藝規(guī)定和要求執(zhí)行的不徹底 1.主要包括新?lián)Q藥液后和待機一段時間后跑假片，假片跑不 夠，就會出現滾輪影或刻蝕量不夠； 2.片源不足時集中投放，不然前清洗容易出現刻蝕量不均勻， 后清洗容易出現過刻； 3.清洗后的片子放置時間控制，硅片表面氧化，影響后面效 率良率； 4.待料時滾輪不及時沖洗，容易出現堿槽噴淋風刀鹽結晶堵 塞，導致出現臟片和 水洗1槽濾芯鹽結晶堵塞，出現流量 低，從而出現臟片等。 預防措施： 1.培訓員工了解工藝規(guī)范 2.建立考核制度 3.工藝設備加強檢查生產的執(zhí)行情況 J.員工的操作不當、質量意識欠缺以及作業(yè)區(qū)5S執(zhí)行狀況 主要表現為片子放反，出現不良時不能及時發(fā)現隔離 并通知工藝

27、和設備，減少不良產生等。手套，片盒，桌面， 機臺等衛(wèi)生狀況都會影響產品質量。 預防措施： 1.培訓員工了解工藝規(guī)范及5S規(guī)范 2.建立考核制度 3.5S、工藝、設備加強檢查生產的執(zhí)行情況 情況 一 ：堿槽發(fā)生堵片 片子在堿液中浸泡時間過長，硅片會于堿液發(fā)生反應， 正面的PN結很快就會受到破壞，而后會腐蝕表面的金字塔， 甚至達到拋光的效果。堿槽發(fā)生堵片需立即用大量清水沖 洗硅片，待片子取出后，手動狀態(tài)下用RENA清洗這些片 子（水噴淋、酸洗、吹干），將片子上殘留的酸液洗凈， 然后進行方塊電阻的測量，電阻無異常的可按正常程序繼 續(xù)生產下去（從鍍膜開始往下做）；電阻異常的，擴散能 返工好的在擴散返工

28、，擴散無法返工的從制絨開始重新做。 情況 二：刻蝕槽發(fā)生堵片 此時片子正面一般都會沾上刻蝕液，從而破壞正 面的PN結。為防止刻蝕液被稀釋，取片時不宜用大量 水沖洗。這種片子取出后，需在手動狀態(tài)下用RENA清 洗這些片子（堿洗、水洗、酸洗、吹干），將片子上 殘留的酸液洗凈，然后進行方塊電阻的測量，電阻無 異常的可按正常程序繼續(xù)生產下去（從RENA開始往下 做）；電阻異常的，擴散能返工好的在擴散返工，擴 散無法返工的從制絨開始重新做。 。 情況情況 三三 ：酸槽發(fā)生堵片：酸槽發(fā)生堵片 片子在酸液中浸泡時間過長，硅片會于酸液發(fā)生反應，片子在酸液中浸泡時間過長，硅片會于酸液發(fā)生反應， 在電池片表面形成

29、一種黃褐色的膜。酸槽發(fā)生堵片時立即 用大量清水沖洗，只要沖洗及時是不會有影響的，此時只用大量清水沖洗，只要沖洗及時是不會有影響的，此時只 要手動狀態(tài)下用RENA清洗這些片子（水噴淋、酸洗、吹 干），然后從鍍膜開始往下做。干），然后從鍍膜開始往下做。 情況 四 ：設備斷電或重大報警導致的機器異常停止 設備斷電或異常停止后，刻蝕槽溶液會自動打回儲 備槽。 1.若果設備立即就能恢復，此時將設備切換到手 動狀態(tài)，將除刻蝕槽外的所有工序打開，然后打開滾輪， 讓硅片及時走出。這種情況下，出現異常時已經經過堿 槽的片子可正常往下做；而停在刻蝕槽中的片子需重新 完整的再經過一遍RENA刻蝕：堿槽的片子需測一下

30、方塊 電阻，正常即可往下做，電阻變大需從擴散開始返工。 2.若果設備較長時間不能恢復，此時盡量用水槍沖洗滯留在 堿槽、酸槽中的片子，防止片子與溶液發(fā)生反映。待設備恢 復后，切換設備到手動狀態(tài)，將除刻蝕槽外的所有工序打開， 然后打開滾輪，讓硅片及時走出。此時若硅片表面顏色、外 觀沒有變化，可以將出現異常時已經經過堿槽的片子正常往 下做；停在刻蝕槽中的片子重新完整的再經過一遍RENA刻蝕； 堿槽的片子需測一下方塊電阻，正常即可往下做，電阻變大 需從擴散開始返工。若堿槽硅片已出現拋光現象或酸槽硅片 的表面顏色已經變化，需將堿槽和酸槽的片子從制絨開始返 工，其它槽的片子需重新做一遍RENA刻蝕。 1. 開機 1.檢查冷卻水、電、氣（包括N2 ，壓縮空氣），化學 品（HF ，HNO3， H2SO4，NaOH）是否供應正常； 2.開機，開關位于灰色的電氣箱上； 3.打開顯示器； 4.登錄。點擊屏幕右上角“L