模擬電子技術(shù)5章習題答案(20210427050223)

1、1.數(shù)下降，主要是因為倍數(shù)下降，主要是因為AC.晶體管的極間電容和分布電容）2.放大倍數(shù)的幅值約下降為中頻時 的A;或者說是下降了5放大電路的頻率響應自我檢測題選擇和填空放大電路對高頻信號的放大倍 V的影響；低頻時放大的影響。（A.耦合電容和旁路電容；B.晶體管的非線性；共射放大電路中當輸入信號頻率為fL、fH時，電路D dB;此時與中頻相比，放大倍數(shù)的附加相移約為_G度。(A. 0.7, B. 0.5, C. 0.9) ;(D. 3dB, E. 5dB, F. 7dB) ; (G. -45 ,H. -90 0,1.-180 fL時電路的實際增益=57dBo20lg3.題壓增益|Am|=100

2、0;上限頻率fH=當f fH時電路的實際增益=5Z dB;當f某放大電路|Av|的對數(shù)幅頻響應如圖選擇 3所示。由圖可見，該電路的屮頻電10 Hz ;下限頻率 fL=10 Hz ;4.若放大電路存在頻率失真，則當Vi為正弦波時，V。Do （A.會產(chǎn)生線性失真B.為非正弦波C.會產(chǎn)生非線性失真D.為正弦波）放大電路如圖選擇 Do （A.輸5.題5所示，其屮電容Ci增大，則導致入電阻增大B.輸出電阻增大C工作點升高D.下限頻率降低）+V cc圖選擇題5.判斷題（正確的在括號內(nèi)畫，錯誤的畫X）1 .改用特征頻率仃高的晶體管，可以改善阻容耦合放大電路的高頻響應特性。（V ）2增大分布電容的容量，可以改

3、善阻容耦合放大電路的低頻響應特性。（X ）3 幅度失真和相位失真統(tǒng)稱為非線性失真。（X ）4 當某同相放大電路在輸入一個正弦信號時產(chǎn)生了頻率失真，則輸出電壓波形將為非正弦。（X ）5 當放大電路輸入一個三角波電壓時，輸出電壓波形的上升、下降斜線明顯彎曲，因此可以肯定該放大電路的非線性失真較大。（V ）6 當晶體管選定后，在信號頻率遠大于上限截止頻率時，放大電路增益與信號頻率乘積近似 為一個常數(shù)。（X）7 當晶體管和放大電路的結(jié)構(gòu)選定之后，提高放大電路的電壓放大倍數(shù)，必會犧牲 放大電路 的頻帶寬度。（V ）&在阻容耦合放大電路屮，增大耦合電容的容量，有利于高頻信號暢通，因此可以改善高頻響 應特性

4、。（X ）習題5.1某放大電路的fL 100Hz, fn1MH乙現(xiàn)輸入信號頻率為2MHz的正弦波，試問輸出波形是 否會產(chǎn)生頻率失真？若輸入信號是由100kHz和2MHz兩種頻率分量組成的波形，問此時輸出信號波形有無頻率失真？解：（1）輸入信號頻率為2MHz的正弦波時，輸出不會產(chǎn)生頻率失真。（2）若輸入信號是由100 kHz和2MHz兩種頻率分量組成的波形，則輸岀波形有頻率失真。5.2 一共射放大電路的通頻帶為100Hz 100kH乙中頻電壓增益& 40dB ,最大不失真交流輸出電壓范圍為4V+4V,試求：（1）若輸入一個10sin4 10若 Vi50sin 4 若 V10sin 4解：（1）因

5、為輸入信號的工作頻率tmV的正弦信號，輸出波形是否會產(chǎn)生頻率失真和非線性失真？若不失真，則輸出電壓的峰值是多大?V&與V間的相位差是多少?25 103t mV,重復回答（1）中的問題。60 103t mV,輸出波形是否會失真？f2kH乙處于屮頻區(qū)Vom Vim Avm 10mV 100 1V 4V所以輸出波形不會產(chǎn)生非線性失真，又因為輸入信號是單一頻率的正弦波，所以輸岀也不 會產(chǎn)生頻率失真。根據(jù)上述計算可知，輸出電壓的峰值為1V,因是共射電路，V&與V間的相位差是180 0（2）因為輸入信號的工作頻率f50kH乙 處于中頻區(qū)Vom Vim 怎 50mV 100 5V 4V所以輸出波形會產(chǎn)生非線

6、性失真，但因輸入是單一頻率的正弦波，故不會產(chǎn)生頻 率失真。(3)因為輸入信號的工作頻率f 120kHz,處于高頻區(qū)，電壓放大倍數(shù)小于屮頻放大倍數(shù)，即Vom Vim Avm 10 mV 100 1V所以輸出即不會產(chǎn)生非線性失真。又因為輸入信號是單一頻率的正弦波，輸出不會產(chǎn)生頻 率失真。5.3已知某放大電路電壓放大倍數(shù)的頻率特性為101000jJ10 1 j6 106試求該電路的上、下限頻率，中頻電壓增益的分貝數(shù),輸出電壓與輸入電壓在屮頻區(qū)的相 位差。1000j101 jifo 1 j 10解：將A&的表達式分子、分母同時除以吐，可得:10004 10fJ106對比簡單RC高通、低通濾波電路的放大

7、倍數(shù)表達式，可知：上限頻率fH 1000kH乙 下限頻率L 10Hz,屮頻電壓增益|AL| 1000 60dB,輸入電壓與輸出電壓在屮頻區(qū)的相位差為0 5.4已知某放大電路的電壓放大倍數(shù)的頻率特性為IOAv （1 岸）（1105試畫出該電路的幅頻響應波特圖，并求出屮頻增益、上限頻率fH和下限頻率fL。解：將Av的表達式與簡單RC高通、低通濾波電路的放大倍數(shù)表達式進行對比，可知:| 屆 Ml 105100dB,上限頻率 fn 100kHz,下限頻率 fL20Hzo該電路的幅頻響應波特圖如下:5.5 個高頻晶體管，在Ieq 管的特征頻率MOOMH乙Cbc2mA時，其低頻H參數(shù)為：1.5ko 100

8、,晶體3 pF,試求混合n型模型參數(shù)：gm、be、rbb、CbeI EQ2 mA77mVt26mV be1生 1 100 26I EQbbb*erbb-1.51.3Cb egm77解:g20.2k102 3.14 100 101.3ke 123 pF220ke ,41 pF ,RbCb1+Vs()+Vccfc圖題5.6解：(1)高頻小信號等效電路如下：RlRb360kCi+Vcc(+12V)Rc C210FVo5.6放大電路如圖題5.6所示，已知三極管為3DG8D ,50, Rs 2kF 2k , Rl 10k, CbilOF, Cb220 F, Vcc5V , gm38.5mscbb 100

9、 C%4pF, Vbe0.6V,試求：(1) 畫出電路的高頻小信號等效電路，估算其上限頻率(2) 畫岀電路的低頻小信號等效電路，估算其下限頻率(a)原理圖51 3k(b)高頻小信號等效電路be nm 38.5mSgmrbe rbb rbe 0.11 .3 1 .4kR (RsRrbb) rbe 220 2 0.13 0.8k41138.51024302pF1! 659kHz2 RC 2 3.140.81 03302 1 012(2)低頻小信號等效電路如下:2 RCbi 2 (Rs Rb/rbe)Cbi2 (2 220/1.4) 1031 1 2L 32 R2G 22 (RcRl)G222 10

10、 10 20 10Q fn fL2fL fu 4.68 Hz橫 4 68HS0.66 Hz50 , rue 1k ,要求屮頻增益為40dB,下限截止頻O)L10Hz,試確定Rc和Ci的大小。RbRcCb2 +Vcc (+12V)CblRb360kn Rc C2CiRlVo10F1VoVi0圖題5.7解：40dB100r3100 10 01Rcbe2k505.7已知圖題5.7所示放大電路屮，晶體管的fL 2 (RorM)C10Hz120,2 (R M fL2360k 1k 105.8電路如圖題5.8所示，設信號源內(nèi)阻Rs 500 ,其中晶體管參數(shù)為:其余參數(shù)如圖屮所示。試求:Vbe 0.7V,

11、rbb 50 , fT500MHz, Cbc 1 pF ；(1) 混合n型模型參數(shù)：gm、rbe Cbe ；(2) 電路的上限頻率fH :(3) 中頻區(qū)電壓增益；增(4) 益帶寬積。+Vcc (+15V)+ V dd(+15V)Rd C2c2CiRgRlVo 20kb1 04.7kc33k圖題5.82fT53.82 3.14100 10617 pF22解：（1）I EQV BQVBEQ33 2215 0.71.4mA3.911.4gmEQ w虱53.8mSrVt120 空 2.2kILC1.4be EQrbb-J 0.052.22.25k（flr。 r）33 22 0.5 0.05 | 2.2

12、0.44 kJCoegRG171 53.84.7 41133pFf”13122.72MHzRC2 3.140.4410133 10942.72 106255.68 MHz5.9已知晶體管電路如圖題 5.8所示,設信號源內(nèi)阻為Rs 500 ,已知晶體管100,bb*50，Vbe 0.7V 估算電路的下限頻率fLo解:QRejCeRe可視為開 路(1)輸入回路:101000.09 F12 (FL PQC10.5 2.25100.09 10&645 HzR|_ Roll1204.7 433 22 | 2.2594be2.250.533 22 2.25（2）輸出回路:1 2L2 (Rc PG 2Q J

13、 JfL fn 645Hz5.10有一個N溝道耗盡型MOS4.7 41031 10 18HZ100k、10k）和兩個電容（分別為組裝一個如圖題5.10所示的放大電路輸入電阻和盡量低的下限截止頻率。場效應管（Idss二1mA），三個電阻（分別為1M0.1疔、10訴），要求從中選擇合適的電阻、電容（其負載電阻為20k）,并希望該放大電路有較高RcReVcc (+15V)c2RlvCe解：（1）為使電路有盡可能高的輸入電阻,Rg必須取大值，所以應取（2）在此電路中，VgsO,貝IIo loss1mA,所以，為保證電路具有合適的靜態(tài)工作點，Rd應取10k。1因為仁-,f2RgG2 Ra Rl Ca,若仁、f“兩者相差4倍以上,下隠截i卜煩率取決干兩老中軒大的下限頰率.所以取伸下隠截HI率盡可能低.電路最終的Cl應取0.1 F, C2取 10 Fo250 , rbe1 -be25.11已知圖題5.11所示電路中，兩個晶體管的 和rbe相同，12k,試分析：（1）定性分析G、C2、C3中哪一個電容對放大電路的下限截止頻率fL起決定性作用？（簡要說明理由）（2）估算該放大電路的下限截止