（精選）半導體物理復試指導

1、注：結(jié)合半導體物理季振國 編著 浙江大學出版社 重點看 第二章 半導體材料的成分與結(jié)構(gòu) 第三章 晶體中電子的能帶第一章 量子力學初步1、光電效應、康普頓散射證明電磁波除了具有波動性外，還具有 性 ，即光具有 。2、受愛因斯坦光量子的啟發(fā)，德布羅意提出實物粒子具有 性，德布羅意波長公式為 。3、寫出光子的能量與動量。4、畫出下列方勢阱中的電子能級圖。 （a） (b) （c）5、諧振子的能量本征值為 。6、什么是電子的隧道效應，并舉實例說明此原理的應用。7、什么是測不準原理，并舉實例說明此原理的應用。第二章 半導體材料的成分與結(jié)構(gòu)1、什么是半導體材料？常見的半導體材料有哪些？2、畫出導體，半導體以

2、及絕緣體的能帶圖。3、常見半導體的晶體結(jié)構(gòu)有哪些？晶體結(jié)構(gòu)的測量方法有哪些？4、寫出正空間與倒空間的基矢關(guān)系。5、簡述能帶的形成。答案第一章1、粒子性 波粒二象性 2、波動性 3、4、電子的基態(tài)能級分布5、6、粒子能夠穿透比它能量更高勢壘的現(xiàn)象，它是粒子具有波動性的表現(xiàn)。例如場致發(fā)射、掃描隧道顯微鏡7、粒子的空間位置與動量不能同時確定，或者無法做到同時使空間位置與動量都非常精確。例如現(xiàn)在大力發(fā)展藍光光存儲介質(zhì)利用此原理。第二章 1、導電性介于導體和絕緣體之間，具有能帶結(jié)構(gòu)以及合適的禁帶寬度且具有負溫度系數(shù)的一類材料成為半導體材料。例如Si、Ge、GaAs、InSb、GaN、SiC、ZnO2、3

3、、半導體材料按結(jié)構(gòu)分有單晶、多晶、非晶、納米晶、團簇、超晶格等。常見的晶體結(jié)構(gòu)有金剛石結(jié)構(gòu)、閃鋅礦結(jié)構(gòu)、纖鋅礦結(jié)構(gòu)。晶體結(jié)構(gòu)的測量方法有XRD（X射線衍射）、電子衍射、激光衍射、中子衍射等。4、5、N個原子相接近形成晶體時發(fā)生原子軌道的交疊并產(chǎn)生能級分裂現(xiàn)象。當N很大時，分裂能級可看作是準連續(xù)的，形成能帶。（言之有理即可）第三章 晶體中電子的能帶1、描述半導體中電子運動為什么要引入有效質(zhì)量的概念, 用電子的慣性質(zhì)量描述能帶中電子運動有何局限性。 答：引進有效質(zhì)量的意義在于它概括了半導體內(nèi)部勢場的作用，使得在解決半導體中電子在外力作用下的運動規(guī)律時，可以不涉及半導體內(nèi)部勢場的作用。慣性質(zhì)量描述的

4、是真空中的自由電子質(zhì)量，而不能描述能帶中不自由電子的運動，通常在晶體周期性勢場作用下的電子慣性運動，成為有效質(zhì)量2、有效質(zhì)量的正負有何物理意義？答：有效質(zhì)量的表達式，在導帶底附近電子的有效質(zhì)量為正值，在價帶頂附近電子的有效質(zhì)量為負值，在某些點電子的有效質(zhì)量為無窮大，即外力很難使這些電子的狀態(tài)發(fā)生變化。3、實驗中如何測量電子的有效質(zhì)量？答：實驗上可以利用帶電粒子在磁場中的回旋運動來進行有效質(zhì)量的測量。利用磁場中晶體對電磁波能量的共振吸收可以測量出電子的有效質(zhì)量。 4、說明空穴的物理意義。答：空穴是未被電子占據(jù)的空量子態(tài)，代表價帶頂附近的電子激發(fā)到導帶后留下的價帶空狀態(tài)，是一種為討論方便而假設的粒

5、子。5、半導體導電和金屬導電有何不同？答：半導體有兩種載流子：電子和空穴，且具有負的溫度系數(shù)金屬只有一宗載流子：電子，且隨著溫度增加，晶格散射加劇，電阻增大。6、什么叫施主雜質(zhì)，受主雜質(zhì)？施主受主對半導體導電有何影響？并用能帶圖表征出n型、p型半導體。答：施主雜質(zhì)：向?qū)峁╇娮?半導體導電主要靠電子導電，這種半導體叫做n型半導體受主雜質(zhì)：從價帶得到電子，即向價帶提供空穴，半導體導電主要靠空穴導電 這種半導體叫做p型半導體N型 p型7、名詞解釋：局域態(tài) 非局域態(tài) 深能級 激子 本征半導體 非本征半導體 直接能帶 間接能帶 雜質(zhì)補償局域態(tài)：晶體中雜質(zhì)和缺陷可以吸引電子或空穴在其周圍，從而形成局域

6、能級非局域態(tài)：晶體能帶中的電子不在圍繞一個原子核運動，而是在整個晶體中運動深能級：半導體材料中某些雜質(zhì)的電子能級在禁帶中離開價帶或者導帶都比較遠激子：電子和空穴通過庫侖力結(jié)合在一起，形成電子空穴對本征半導體：有摻雜 非本征半導體：無摻雜直接能帶：導帶底和價帶頂在同一個波矢位置 間接能帶：導帶底和價帶頂不在同一個波矢位置：雜質(zhì)補償：半導體中同時含有施主受主雜質(zhì)，施主上多余的電子首先要去填充受主上的空能級，半導體的導電性能由施主受主共同決定第四章 半導體中的電子統(tǒng)計分布1、什么是能量狀態(tài)密度、有效狀態(tài)密度？答：能量狀態(tài)密度：能帶中能量E附近每單位能量間隔內(nèi)的量子態(tài)數(shù)。有效狀態(tài)密度：將導帶理解為一個

7、電子都集中于導帶底、密度為的能級2、說明費米能級、費米分布的物理意義答：費米能級是0K時，電子所能占據(jù)的最高能級。費米分布：表示能量為E的能級被占據(jù)的幾率，而表示能級空著的幾率。3、寫出半導體本征費米能級、載流子濃度的表達式 4、如何測量本征半導體的禁帶寬度？答：對于本征半導體材料，由本征載流子濃度可以求出半導體材料的禁帶寬度。實驗上可以通過測量半導體材料的載流子濃度隨溫度的變化，以ln為縱坐標，以1/kT為橫坐標，畫出曲線ln-，即，此曲線應該基本上為一直線，其斜率在數(shù)值上應該等于。5、以n型半導體為例說明摻雜半導體載流子濃度、費米能級隨溫度的變化。（畫圖）答：（1）當溫度較低時，半導體處于

8、弱電離區(qū)，載流子增長主要是雜質(zhì)能機上電子的電離，故在1區(qū)載流子濃度呈e的指數(shù)增長但溫度稍高時，半導體進入飽和區(qū)，此時本征激發(fā)不是很明顯，而雜質(zhì)電離又處于飽和狀態(tài)。因而載流子對溫度變化不大當溫度繼續(xù)升高，雜質(zhì)已完全電離，載流子的增加主要靠本征價帶的激發(fā)呈指數(shù)上升（2）隨著溫度的升高，費米能級從雜質(zhì)能級和導帶之間連續(xù)變化至本征費米能級位置。 6、已知n型半導體內(nèi)施主濃度為，求當時導帶的電子濃度。答：由于，當時，,即雜質(zhì)能級上的施主濃度為，所以激發(fā)至導帶的電子濃度為。7、為什么一般的電子器件都工作在飽和電離區(qū)？如何提高器件的工作溫度？答：（1）電子器件的正常工作大多在飽和電離區(qū)，溫度太低或太高都可能

9、使器件不能正常工作。溫度太低，載流子濃度對溫度變化很大且濃度太低，電阻率較高而且對溫度變化很大，因此器件工作不穩(wěn)定，而且無法形成P-n結(jié)。溫度太高，本征激發(fā)掩蓋了雜質(zhì)電離，載流子濃度對溫度變化也很大，電阻率很低而且隨溫度的變化也很大。（2）提高器件的工作溫度可以使使用禁帶寬度較大的半導體材料，例如GaN，此外，可以采取重摻雜的方法，但應考慮固溶度的影響。第五章 半導體中的電荷輸運現(xiàn)象1、何謂遷移率？影響遷移率的主要因素有哪些？遷移率與電導率有何關(guān)系？答：遷移率是單位電場強度下載流子所獲得的漂移速率。影響遷移率的主要因素有能帶結(jié)構(gòu)（載流子有效質(zhì)量）、溫度和各種散射機構(gòu)。2、什么叫做聲學波、光學波

10、？兩者有何不同答：聲學波：基元的整體運動。光學波：非共價鍵性化合物基元中原子的相對運動。聲學波：頻率較低，接近聲波頻率。光學波：1，頻率較高，與紅外光頻率相近。2，有偶極矩，可與光波相互作用。3、簡述半導體的主要散射機制。答：電離雜質(zhì)散射； 隨著溫度升高，散射幾率變小。晶格振動散射，包括聲子波和光學波散射；聲學波 ： 隨著溫度升高而增大光學波 隨著溫度變化是指數(shù)關(guān)系，對溫度很敏感，散射截面隨溫度升高迅速增大。其他因素散射：等能谷散射，中性雜質(zhì)散射，位錯散射，合金散射等。4、畫出本征半導體、非本征半導體電導率與載流子濃度及溫度的關(guān)系圖，并以非本征半導體為例解釋半導體為什么具有負溫度系數(shù)。本征半導體 雜質(zhì)半導體在溫度較低時，半導體處于雜質(zhì)電離區(qū)，載流子濃度隨溫度增加而指數(shù)增加，同時，遷移率因載流子速度的增加也增加，因此在溫度很低時，摻雜半導體的電導率隨溫度的增加而增加。當溫度繼續(xù)升高時，