第3章 透射電子顯微分析-1

1、第三部分第三部分 電子顯微分析電子顯微分析第 1章 電子光學基礎第 2章 電子束與材料的相互作用第 3章 透射電子顯微分析第 4章 電子衍射第 5章 掃描電鏡與電子探針分析3.1 透射電子顯微鏡透射電子顯微鏡工作原理及構造工作原理及構造3.2 樣品制備樣品制備3.3 透射電鏡基本成透射電鏡基本成像操作及像襯度像操作及像襯度電子顯微分析方法的種類電子顯微分析方法的種類p透射電子顯微鏡(TEM)可簡稱透射電鏡p掃描電子顯微鏡(SEM)可簡稱掃描電鏡 p電子探針X射線顯微分析儀簡稱電子探針(EPA或EPMA)：波譜儀(波長色散譜儀，WDS)與能譜儀(能量色散譜儀，EDS) p電子激發(fā)俄歇電子能譜(X

2、AES或AES) p透射電子顯微鏡透射電子顯微鏡（簡稱（簡稱透射電鏡透射電鏡，TEMTEM），），可以以幾種不可以以幾種不同的形式出現(xiàn)，如：同的形式出現(xiàn)，如：p 高分辨電鏡高分辨電鏡（HRTEMHRTEM）p 透射掃描電鏡透射掃描電鏡（STEMSTEM）p 分析型電鏡分析型電鏡（AEMAEM）等等。等等。p入射電子束（照明束）也有兩種主要形式：入射電子束（照明束）也有兩種主要形式：p 平行束：平行束：透射電鏡成像及衍射透射電鏡成像及衍射p 會聚束會聚束：掃描透射電鏡成像、微分析及微衍射。：掃描透射電鏡成像、微分析及微衍射。TEMTEM的形式的形式3.1 3.1 透射電子顯微鏡工作原理及構造透射

3、電子顯微鏡工作原理及構造 p3.1.1 3.1.1 工作原理工作原理p成像原理與光學顯微鏡類似。成像原理與光學顯微鏡類似。p它們的根本不同點在于光學顯微鏡以它們的根本不同點在于光學顯微鏡以可見光可見光作照作照明束，透射電子顯微鏡則以明束，透射電子顯微鏡則以電子電子為照明束。在光為照明束。在光學顯微鏡中將可見光聚焦成像的是學顯微鏡中將可見光聚焦成像的是玻璃透鏡玻璃透鏡，在，在電子顯微鏡中相應的為電子顯微鏡中相應的為磁透鏡磁透鏡。p由于電子波長極短，同時與物質作用遵從由于電子波長極短，同時與物質作用遵從布拉格布拉格（BraggBragg）方程方程，產(chǎn)生衍射現(xiàn)象，使得透射電鏡自，產(chǎn)生衍射現(xiàn)象，使得透

4、射電鏡自身在具有高的身在具有高的像分辨本領像分辨本領的同時兼有的同時兼有結構分析結構分析的的功能。功能。 圖圖13-1 13-1 透射電子顯微鏡光路原理圖透射電子顯微鏡光路原理圖 3.1.2 3.1.2 構造構造TEMTEM由由p電子光學系統(tǒng)電子光學系統(tǒng)n照明系統(tǒng)照明系統(tǒng)n成像系統(tǒng)成像系統(tǒng)n觀察記錄系統(tǒng)觀察記錄系統(tǒng)p真空系統(tǒng)真空系統(tǒng)p電器系統(tǒng)電器系統(tǒng)n電源電源n控制系統(tǒng)控制系統(tǒng)組成。組成。 1. 1. 電磁透鏡電磁透鏡 20)(NIRVAf 電磁透鏡是一種焦距電磁透鏡是一種焦距( (或放大倍數(shù)或放大倍數(shù)) )可調(diào)的會可調(diào)的會聚透鏡。減小激磁電流，可使電磁透鏡磁場聚透鏡。減小激磁電流，可使電磁透

5、鏡磁場強度降低、焦距變長強度降低、焦距變長( (由由f1f1變?yōu)樽優(yōu)閒2f2 ） 。4/14/30sCAr2. 2. 照明系統(tǒng)照明系統(tǒng) p作用：提供亮度高、相干性好、束流穩(wěn)定的p 照明電子束。p組成：電子槍和聚光鏡p 鎢絲 p 熱電子源p電子源 LaB6p 場發(fā)射源 p要求：為滿足明場和暗場成像需要，照明束可p 在2 3范圍內(nèi)傾斜燈絲和陽極間加高壓燈絲和陽極間加高壓柵極偏壓起會聚電子束的作用柵極偏壓起會聚電子束的作用使其形成直徑為使其形成直徑為d d0 0、會聚會聚/ /發(fā)散角為發(fā)散角為 0 0的交叉的交叉 偏壓回路可以起到限制和穩(wěn)定束流的作用偏壓回路可以起到限制和穩(wěn)定束流的作用電子槍熱電子槍

6、示意圖熱電子槍示意圖發(fā)叉式鎢燈絲電子槍發(fā)叉式鎢燈絲電子槍電子源d0=50m-鎢燈絲電子槍結構原理示意圖六硼化鑭熱發(fā)射電子槍六硼化鑭熱發(fā)射電子槍六硼化鑭電子槍結構示意圖原理和發(fā)叉式六硼化鑭電子槍結構示意圖原理和發(fā)叉式鎢燈絲相同。電子源鎢燈絲相同。電子源 Crossover Crossover 直徑為直徑為1010m-20-20m。 場發(fā)射電子槍場發(fā)射電子槍 肖特基熱發(fā)射電子槍結構原理圖由于能量熱分散，直徑為50-100nm 冷場發(fā)射電子槍陰極，采用310單晶鎢，功函數(shù)4.2ev，腐蝕成冷場發(fā)射陰極針尖，曲率半徑小于100nm 熱場發(fā)射電子源直徑 20nm 冷場發(fā)射電子源直徑為5nm電子槍對比不同

7、電子槍的比較不同電子槍的比較Beam SourceHair-pin WLaB6Schottky FEGCold FEGBrightness (Q/cm2sr)105106108109Energy Spread (eV)2.31.50.6-0.80.3-0.5Work Function (eV)4.52.72.64.3Heating Temp. (K)2,8001,8001,600300Vacuum (Pa)10-310-510-710-8Life time (hr)200100020002000Diameter of Crossover (nm)20,0005,000205Emission C

8、urrent (mA)805010010Current Density (A/cm2)3205x1045x103Coherencebadmoderategoodexcellent雙聚透鏡圖13-6 雙聚光鏡照明系統(tǒng)光路圖 聚光鏡用來會聚電子槍射出的電子束，以最小的損失照明樣品，調(diào)節(jié)照明強度、孔徑角和束斑大小。一般都采用雙聚光鏡系統(tǒng)。C1強激磁透鏡控制束斑大小C1弱激磁透鏡改變孔徑角和獲得最佳亮度從聚光鏡到物鏡從聚光鏡到物鏡3. 3. 成像系統(tǒng)成像系統(tǒng) p由物鏡、中間鏡(1、2個)和投影鏡(1、2個)組成。p成像系統(tǒng)的兩個基本操作是將衍射花樣或圖像投影到熒光屏上。p通過調(diào)整中間鏡的透鏡電流，使中

9、間鏡的物平面與物鏡的背焦面重合，可在熒光屏上得到衍射花樣。p若使中間鏡的物平面與物鏡的像平面重合則得到顯微像。p透射電鏡分辨率的高低主要取決于物鏡物鏡 。 成像系統(tǒng)的兩種基本操作圖圖13-7 透射電鏡成像系統(tǒng)的兩種基本操作透射電鏡成像系統(tǒng)的兩種基本操作(a)將衍射譜投影到熒光屏將衍射譜投影到熒光屏 (b)將顯微像投影到熒光屏將顯微像投影到熒光屏 物鏡物鏡物鏡p物鏡是用來形成第一幅高分辨率電子顯微圖像或電子衍射花樣的透鏡。透射電子顯微鏡分辨本領的高低主要取決于物鏡。因為物鏡的任何缺陷都被成像系統(tǒng)中其它透鏡進一步放大。欲獲得物鏡的高分辨率，必須盡可能降低像差。通常采用強激磁，短焦距的物鏡。p物鏡是

10、一個強激磁短焦距的透鏡，它的放大倍數(shù)較高，一般為100-300倍。目前，高質量的物鏡其分辨率可達0.1nm左右。 p 物鏡的分辨率主要取決于極靴的形狀和加工精度。一般來說，極靴的內(nèi)孔和上下級之間的距離越小，物鏡的分辨率就越高。p為了減少物鏡的球差，往往在物鏡的后焦面上安放一個物鏡光闌。物鏡光闌不僅具有減少球差，像散和色差的作用，而且或以提高圖像的襯度。p此外，我們在以后的討論中還可以看到，物鏡光闌位于后焦面的位置上時，可以方便的進行暗場及襯度成像的操作。p在用電子顯微鏡進行圖像分析時，物鏡和樣品之間和距離總是固定不變的，（即物距L1不變）。因此改變物理學鏡放大倍數(shù)進行成像時，主要是改變物鏡的焦

11、距和像距（即f 和 L2）來滿足成像條件。中間鏡中間鏡 如果把中間鏡的物平面和物鏡的像平面重合，則在熒光屏上得如果把中間鏡的物平面和物鏡的像平面重合，則在熒光屏上得到一幅放大像，這就是電子顯微鏡中的成像操作；如果把中間到一幅放大像，這就是電子顯微鏡中的成像操作；如果把中間鏡的物平面和物鏡的背焦面重合，則在熒光屏上得到一幅電子鏡的物平面和物鏡的背焦面重合，則在熒光屏上得到一幅電子衍射花樣，這就是透射電子顯微鏡中的電子衍射操作。衍射花樣，這就是透射電子顯微鏡中的電子衍射操作。投影鏡投影鏡p 投影鏡的作用是把經(jīng)中間鏡放大投影鏡的作用是把經(jīng)中間鏡放大(或縮小或縮小)的像的像(或電子衍射花樣或電子衍射花

12、樣)進一步放大，并投影到熒光屏進一步放大，并投影到熒光屏上，它和物鏡一樣，是一個短焦距的強磁透鏡。上，它和物鏡一樣，是一個短焦距的強磁透鏡。投影鏡的激磁電流是固定的，因為成像電子束進投影鏡的激磁電流是固定的，因為成像電子束進入投影鏡時孔徑角很小入投影鏡時孔徑角很小(約約10-5rad)因此它的因此它的景深和焦長都非常大。景深和焦長都非常大。p目前，高性能的透射電子顯微鏡大都采用目前，高性能的透射電子顯微鏡大都采用5級透級透鏡放大，即中間鏡和投影銳有兩級分第一中間鏡鏡放大，即中間鏡和投影銳有兩級分第一中間鏡和第二中間鏡，第一投影鏡和第二投影鏡。和第二中間鏡，第一投影鏡和第二投影鏡。透射電鏡TEM

13、中三種主要光闌（名稱、位置和作用）中三種主要光闌（名稱、位置和作用）（一）第二聚光鏡光闌（一）第二聚光鏡光闌p四個一組的光闌孔被安裝在一個光闌桿的支架上，使四個一組的光闌孔被安裝在一個光闌桿的支架上，使用時，通過光闌桿的分檔機構按需要依次插入，使光用時，通過光闌桿的分檔機構按需要依次插入，使光闌孔中心位于電子束的軸線上（光闌中心和主焦點重闌孔中心位于電子束的軸線上（光闌中心和主焦點重合）。合）。p聚光鏡光闌的作用是限制照明孔徑角。在雙聚光鏡系聚光鏡光闌的作用是限制照明孔徑角。在雙聚光鏡系統(tǒng)中，安裝在第二聚光鏡下方的焦點位置。光闌孔的統(tǒng)中，安裝在第二聚光鏡下方的焦點位置。光闌孔的直徑為直徑為20

14、400m作一般分析觀察時，聚光鏡的光闌作一般分析觀察時，聚光鏡的光闌孔徑可用孔徑可用200300m，若作微束分析時，則應采用，若作微束分析時，則應采用小孔徑光闌。小孔徑光闌。 （二）物鏡光闌（二）物鏡光闌p物鏡光闌又稱為襯度光闌，物鏡光闌又稱為襯度光闌，通常它被放在物鏡的后焦通常它被放在物鏡的后焦面上。面上。p常用物鏡光闌孔的直徑是常用物鏡光闌孔的直徑是2020120m120m范圍。范圍。p電子束通過薄膜樣品后產(chǎn)生散射和衍射。散射角電子束通過薄膜樣品后產(chǎn)生散射和衍射。散射角( (或或衍射角衍射角) )較大的電子被光闌擋住，不能繼續(xù)進入鏡筒較大的電子被光闌擋住，不能繼續(xù)進入鏡筒成像，從而就會在像

15、平面上形成具有一定襯度的圖像。成像，從而就會在像平面上形成具有一定襯度的圖像。光闌孔越小，被擋去的電子越多，圖像的襯度就越大，光闌孔越小，被擋去的電子越多，圖像的襯度就越大，這就是物鏡光闌又叫做襯度光闌的原因。這就是物鏡光闌又叫做襯度光闌的原因。加入物鏡光加入物鏡光闌使物鏡孔徑角減小，能減小像差，得到質量較高的闌使物鏡孔徑角減小，能減小像差，得到質量較高的顯微圖像。顯微圖像。p物鏡光闌的另一個主要作用是在后焦面上套取衍射束物鏡光闌的另一個主要作用是在后焦面上套取衍射束的斑點（即副焦點）成像，這就是所謂暗場像。的斑點（即副焦點）成像，這就是所謂暗場像。利用利用明暗場顯微照片的對照分析，可以方便地

16、進行物相鑒明暗場顯微照片的對照分析，可以方便地進行物相鑒定和缺陷分析。定和缺陷分析。（三）選區(qū)光闌（三）選區(qū)光闌p選區(qū)光闌又稱場限光闌或視場光闌。選區(qū)光闌又稱場限光闌或視場光闌。p為了分析樣品上的一個微小區(qū)域，應該在樣品上放一個光為了分析樣品上的一個微小區(qū)域，應該在樣品上放一個光闌，使電子束只能通過光闌限定的微區(qū)。闌，使電子束只能通過光闌限定的微區(qū)。p對這個微區(qū)進行衍射分析叫做選區(qū)衍射。由于樣品上待分對這個微區(qū)進行衍射分析叫做選區(qū)衍射。由于樣品上待分析的微區(qū)很小，一般是微米數(shù)量級。制作這樣大小的光闌析的微區(qū)很小，一般是微米數(shù)量級。制作這樣大小的光闌孔在技術上還有一定的困難，加之小光闌孔極易污染

17、，因孔在技術上還有一定的困難，加之小光闌孔極易污染，因此，此，選區(qū)光闌都放在物鏡的像平面位置。選區(qū)光闌都放在物鏡的像平面位置。這樣布置達到的這樣布置達到的效果與光闌放在樣品平面處是完全一樣的。但光闌孔的直效果與光闌放在樣品平面處是完全一樣的。但光闌孔的直徑就可以做的比較大。如果物鏡的放大倍數(shù)是徑就可以做的比較大。如果物鏡的放大倍數(shù)是5050倍，則一倍，則一個直徑等于個直徑等于50m50m的光闌就可以選擇樣品上直徑為的光闌就可以選擇樣品上直徑為1m1m的的區(qū)域。區(qū)域。p選區(qū)光闌同樣是用無磁性金屬材料制成的，一般選區(qū)光闌選區(qū)光闌同樣是用無磁性金屬材料制成的，一般選區(qū)光闌孔的直徑位于孔的直徑位于20

18、20400m400m范圍之間，它可制成大小不同的范圍之間，它可制成大小不同的四孔一組或六孔一組的光闌片，由光闌支架分檔推入鏡筒。四孔一組或六孔一組的光闌片，由光闌支架分檔推入鏡筒。4.4.觀察記錄系統(tǒng)觀察記錄系統(tǒng)5.5.真空系統(tǒng)真空系統(tǒng)3.1.3 3.1.3 選區(qū)電子衍射選區(qū)電子衍射 圖圖4-8 4-8 在物鏡像平面上插入選區(qū)光欄實現(xiàn)選區(qū)衍射的示意圖在物鏡像平面上插入選區(qū)光欄實現(xiàn)選區(qū)衍射的示意圖 選區(qū)衍射操作步驟選區(qū)衍射操作步驟p（1）使選區(qū)光欄以下的透鏡系統(tǒng)聚焦 p（2）使物鏡精確聚焦 p（3）獲得衍射譜 透射電鏡的功能及發(fā)展透射電鏡的功能及發(fā)展 p從1934年第一臺透射電子顯微鏡誕生以來，

19、70年的時間里它得到了長足的發(fā)展。這些發(fā)展主要集中在三個方面。p一是透射電子顯微鏡的功能的擴展；p另一個是分辨率的不斷提高；p第三是將計算機和微電子技術應用于控制系統(tǒng)、觀察與記錄系統(tǒng)等。功能的擴展功能的擴展p早期的透射電子顯微鏡功能主要是觀察樣品形貌，后來發(fā)早期的透射電子顯微鏡功能主要是觀察樣品形貌，后來發(fā)展到可以通過電子衍射原位分析樣品的晶體結構。具有能展到可以通過電子衍射原位分析樣品的晶體結構。具有能將形貌和晶體結構原位觀察的兩個功能是其它結構分析儀將形貌和晶體結構原位觀察的兩個功能是其它結構分析儀器（如光鏡和器（如光鏡和X X射線衍射儀）所不具備的。射線衍射儀）所不具備的。 p透射電子顯

20、微鏡增加附件后，其功能可以從原來的樣品內(nèi)透射電子顯微鏡增加附件后，其功能可以從原來的樣品內(nèi)部組織形貌觀察（部組織形貌觀察（TEMTEM）、原位的電子衍射分析（）、原位的電子衍射分析（DiffDiff），），發(fā)展到還可以進行原位的成分分析（能譜儀發(fā)展到還可以進行原位的成分分析（能譜儀EDSEDS、特征能、特征能量損失譜量損失譜EELSEELS）、表面形貌觀察（二次電子像）、表面形貌觀察（二次電子像SEDSED、背散、背散射電子像射電子像BEDBED）和透射掃描像（）和透射掃描像（STEMSTEM）。）。功能的擴展功能的擴展p結合樣品臺設計成高溫臺、低溫臺和拉伸臺，透射電子顯結合樣品臺設計成高溫臺

21、、低溫臺和拉伸臺，透射電子顯微鏡還可以在加熱狀態(tài)、低溫冷卻狀態(tài)和拉伸狀態(tài)下觀察微鏡還可以在加熱狀態(tài)、低溫冷卻狀態(tài)和拉伸狀態(tài)下觀察樣品動態(tài)的組織結構、成分的變化，使得透射電子顯微鏡樣品動態(tài)的組織結構、成分的變化，使得透射電子顯微鏡的功能進一步的拓寬。的功能進一步的拓寬。p透射電子顯微鏡功能的拓寬意味著一臺儀器在不更換樣品透射電子顯微鏡功能的拓寬意味著一臺儀器在不更換樣品的情況下可以進行多種分析，尤其是可以針對同一微區(qū)位的情況下可以進行多種分析，尤其是可以針對同一微區(qū)位置進行形貌、晶體結構、成分（價態(tài)）的全面分析。置進行形貌、晶體結構、成分（價態(tài)）的全面分析。 分析型透射電子顯微鏡分析型透射電子顯

22、微鏡p利用電子束與固體樣品利用電子束與固體樣品相互作用產(chǎn)生的物理信相互作用產(chǎn)生的物理信號開發(fā)的多種分析附件，號開發(fā)的多種分析附件，大大拓展了透射電子顯大大拓展了透射電子顯微鏡的功能。由此產(chǎn)生微鏡的功能。由此產(chǎn)生了透射電子顯微鏡的一了透射電子顯微鏡的一個分支個分支分析型透射分析型透射電子顯微鏡。電子顯微鏡。分析型透射電子顯微鏡分析型透射電子顯微鏡分析型透射電子顯微鏡分析型透射電子顯微鏡超高壓電鏡超高壓電鏡3.2 3.2 樣品制備樣品制備pTEM樣品可分為間接樣品和直接樣品。 p要求：p（1）供TEM分析的樣品必須對電子束是透明的，通常樣品觀察區(qū)域的厚度以控制在約100200nm為宜。p（2）所制

23、得的樣品還必須具有代表性以真實反映所分析材料的某些特征。因此，樣品制備時不可影響這些特征，如已產(chǎn)生影響則必須知道影響的方式和程度。 3.2.1 3.2.1 間接樣品間接樣品( (復型復型) )的制備的制備p對復型材料的主要要求：p復型材料本身必須是“無結構”或非晶態(tài)的；p有足夠的強度和剛度，良好的導電、導熱和耐電子束轟擊性能。p復型材料的分子尺寸應盡量小，以利于提高復型的分辨率，更深入地揭示表面形貌的細節(jié)特征。p常用的復型材料是非晶碳膜和各種塑料薄膜。 制備復型的材料應具備的條件制備復型的材料應具備的條件復型的種類復型的種類p按復型的制備方法，復型主要分為：n 一級復型n 二級復型n 萃取復型

24、（半直接樣品）一級復型一級復型- -塑料塑料p在已制備好的金相樣品或斷口樣品上摘上幾 滴體積濃度為1的火棉膠醋酸戊酯溶液或 醋酸纖維素丙酮溶液，溶液在樣品表面展平， 多余的溶液用濾紙吸掉，待溶劑蒸發(fā)后樣 品表面即留下一層100nm左右的塑料薄膜。 把這層塑料薄膜小心地從樣品表面上揭下來， 剪成對角線小于3mm的小方塊后，就可以 放在直徑為3mm的專用銅網(wǎng)上，進行透射電子顯微分析。從右上圖可以看出，這種復型是負復型，也就是說樣品上凸出部分在復型上是凹下?lián)舻摹塑料一級復型大都只能做金相樣品的分析p不宜做表面起伏較大的斷口分析，因為當斷口上的高度差比較大時無法做出較薄的可被電子束透過的復型膜。p此

25、外，塑料一級復型存在分辨率不高和在電子束照射下容易分解等缺點。一級復型一級復型- -碳碳p制備這種復型的過程是直接把表面制備這種復型的過程是直接把表面清潔的金相樣品放入真空鍍膜裝置清潔的金相樣品放入真空鍍膜裝置中，在垂直方向上向樣品表面蒸鍍中，在垂直方向上向樣品表面蒸鍍一層厚度為數(shù)十納米的碳膜。一層厚度為數(shù)十納米的碳膜。p把噴有碳膜的樣品用小刀劃成對角把噴有碳膜的樣品用小刀劃成對角線小于線小于3mm3mm的小方塊，然后把此樣的小方塊，然后把此樣品放入配好的分離液內(nèi)進行電解或品放入配好的分離液內(nèi)進行電解或化學分離。化學分離。p塑料一級復型與碳一級復型的區(qū)別塑料一級復型與碳一級復型的區(qū)別厚度、損壞

26、樣品和分辨率。厚度、損壞樣品和分辨率。二級復型二級復型（塑料（塑料碳二級復碳二級復型）型）圖13-14 塑料-碳二級復型制備過程示意圖 二級復型（塑料碳二級復型）特點二級復型（塑料碳二級復型）特點p制備復型時不破壞樣品的原始面。p最終復型是帶有重金屬投影的碳膜，這種復合膜的穩(wěn)定性和導電導熱性都很好，因此，在電子束照射下不易發(fā)牛分解和破裂。p雖然最終復型主要是碳膜但因中間復型是塑料，所以，塑料碳二級復型的分辨率和塑料一級復型相當。p最終的碳復型是通過溶解中間復型得到的，不必從樣品上直接剝離，而碳復型是一層厚度約為10nm的薄層，可以被電子束透過。p由于二級復型制作簡便，因此它是目前使用得最多的一

27、種復型技術。p下圖為合金鋼回火組織及低碳鋼冷脆斷口的二級復型照片，可以清楚地看到回火組織中析出的顆粒狀碳化物和解理斷口上的河流花樣。二級復型圖像(a)30CrMnSi鋼回火組織 (b)低碳鋼冷脆斷口p在需要對第二相粒子在需要對第二相粒子形狀、大小和分布進形狀、大小和分布進行分析的同時對第二行分析的同時對第二相粒子進行相粒子進行物相及晶物相及晶體結構體結構分析時，常采分析時，常采用萃取復型的方法。用萃取復型的方法。p這種復型的方法和碳這種復型的方法和碳一級復型類似只是一級復型類似只是金相樣品在腐蝕時應金相樣品在腐蝕時應進行深腐蝕，使第二進行深腐蝕，使第二相粒子容易從基體上相粒子容易從基體上剝離。

28、剝離。萃取復型萃取復型3.2.2 3.2.2 直接樣品的制備直接樣品的制備p1.粉末樣品制備p粉末樣品制備的關鍵是如何將超細粉的顆粒分散開來，各自獨立而不團聚。p膠粉混合法：在干凈玻璃片上滴火棉膠溶液，然后在玻璃片膠液上放少許粉末并攪勻，再將另一玻璃片壓上，兩玻璃片對研并突然抽開，稍候，膜干。用刀片劃成小方格，將玻璃片斜插入水杯中，在水面上下空插，膜片逐漸脫落，用銅網(wǎng)將方形膜撈出，待觀察。p支持膜分散粉末法： 需TEM分析的粉末顆粒一般都遠小于銅網(wǎng)小孔，因此要先制備對電子束透明的支持膜。常用的支持膜有火棉膠膜和碳膜，將支持膜放在銅網(wǎng)上，再把粉末放在膜上送入電鏡分析。超細陶瓷粉未的透射電鏡照片超

29、細陶瓷粉未的透射電鏡照片2. 2. 晶體薄膜樣品的制備晶體薄膜樣品的制備p一般程序：p(1)初減薄制備厚度約100200m的薄片； p(2)從薄片上切取3mm的圓片；p(3)預減薄從圓片的一側或兩則將圓片中心區(qū)域減薄至數(shù)m機械研磨和化學薄化機械研磨和化學薄化p(4)終減薄雙噴電解拋光法雙噴電解拋光法圖13-15 雙噴電解拋光裝置原理圖 圖13-16 離子減薄裝置原理示意圖 不導電的陶瓷樣品不導電的陶瓷樣品3.3 3.3 透射電鏡基本成像操作及像襯度透射電鏡基本成像操作及像襯度p13.3.1 13.3.1 成像操作成像操作p13.3.2 13.3.2 像襯度像襯度n質厚襯度質厚襯度n衍射襯度衍射襯度3.3.1 3.3.1 成像操作成像操作圖13-17 成像操作光路圖（a）明場像 (b)暗場像 (c)中心暗場像 3.3.2 3.3.2 像襯度像襯度 p像襯度是熒光屏或圖像上不同區(qū)域間明暗程度的差別。 p透射電鏡的像襯度來源于樣品對入射電子束的散射?？煞譃椋簆振幅襯度n質厚襯度 ：非晶樣品襯度的主要來源n衍射襯度 ：晶體樣品襯度的主要來源p相位襯度 質厚襯度原理質厚襯度原理p質厚襯度質厚襯度是建立在非晶體樣品中原子原子對入射電子的散射散射和透射電子顯微鏡小孔徑角成像小孔徑角成像基礎上的成