微機(jī)的存儲(chǔ)器

1、第五章第五章 微機(jī)的存儲(chǔ)器微機(jī)的存儲(chǔ)器1.存儲(chǔ)器按其與存儲(chǔ)器按其與cpu的連接方式的連接方式進(jìn)行分類進(jìn)行分類 兩大類：內(nèi)存（主存）和外存（輔存）5.15.1存儲(chǔ)器的分類與組成存儲(chǔ)器的分類與組成2 2、按存儲(chǔ)介質(zhì)分類、按存儲(chǔ)介質(zhì)分類： 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器； 磁泡存儲(chǔ)器； 磁表面存儲(chǔ)器 （如磁帶，磁盤，磁鼓，磁卡等）； 磁芯存儲(chǔ)器； 光盤存儲(chǔ)器； 圖圖5.15.1為為cpucpu與存儲(chǔ)器的連接結(jié)構(gòu)示意圖。圖中內(nèi)存由半與存儲(chǔ)器的連接結(jié)構(gòu)示意圖。圖中內(nèi)存由半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片組成，外存則有磁帶、硬磁盤和軟磁盤等。導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片組成，外存則有磁帶、硬磁盤和軟磁盤等。 一、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類一、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類

2、按按使用的功能使用的功能可分為兩大類：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器可分為兩大類：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram(random access memory)ram(random access memory)和只讀存儲(chǔ)器和只讀存儲(chǔ)器rom(read only rom(read only memory)memory)。 二、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的組成二、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的組成由存儲(chǔ)體、地址選擇電路、輸入輸出電路和控制電路組成。由存儲(chǔ)體、地址選擇電路、輸入輸出電路和控制電路組成。（一）（一） 存儲(chǔ)體存儲(chǔ)體 存儲(chǔ)體是存儲(chǔ)存儲(chǔ)體是存儲(chǔ)1 1或或0 0信息的電路實(shí)體，它由許多存儲(chǔ)單元組成，信息的電路實(shí)體，它由許多存儲(chǔ)單元組成，每個(gè)存儲(chǔ)單元賦予

3、一個(gè)編號(hào)，稱為每個(gè)存儲(chǔ)單元賦予一個(gè)編號(hào)，稱為地址單元號(hào)地址單元號(hào)。而每個(gè)存儲(chǔ)單元。而每個(gè)存儲(chǔ)單元由若干相同的由若干相同的位位組成，每個(gè)位需要一個(gè)存儲(chǔ)元件。組成，每個(gè)位需要一個(gè)存儲(chǔ)元件。 存儲(chǔ)器的地址用一組二進(jìn)制數(shù)表示，其地址線的位數(shù)存儲(chǔ)器的地址用一組二進(jìn)制數(shù)表示，其地址線的位數(shù)n n與存與存儲(chǔ)單元的數(shù)量儲(chǔ)單元的數(shù)量n n之間的關(guān)系為：之間的關(guān)系為： 2 =n2 =nn n（二）地址選擇電路（二）地址選擇電路 地址選擇電路包括地址碼緩沖器，地址譯碼器等。地址選擇電路包括地址碼緩沖器，地址譯碼器等。 地址譯碼器用來對地址譯碼，地址譯碼器用來對地址譯碼，n n個(gè)輸入端的地址譯碼器可以個(gè)輸入端的地址譯

4、碼器可以對應(yīng)對應(yīng)2 2n n個(gè)地址碼，作為對地址單元的選擇線。個(gè)地址碼，作為對地址單元的選擇線。 地址譯碼器的地址譯碼器的輸出的選擇線輸出的選擇線又叫又叫字線字線。 地址譯碼方式有兩種：地址譯碼方式有兩種： 1. 1.單譯碼方式（或稱字結(jié)構(gòu)）單譯碼方式（或稱字結(jié)構(gòu)） 它的全部地址碼只用一個(gè)地址譯碼器電路譯碼，譯碼輸出它的全部地址碼只用一個(gè)地址譯碼器電路譯碼，譯碼輸出的字選擇性直接選中與地址碼對應(yīng)的存儲(chǔ)單元。的字選擇性直接選中與地址碼對應(yīng)的存儲(chǔ)單元。 該方式需要的選擇線數(shù)較多，適用于小容量的存儲(chǔ)器。該方式需要的選擇線數(shù)較多，適用于小容量的存儲(chǔ)器。 2.2.雙譯碼方式（或稱重合譯碼）雙譯碼方式（或

5、稱重合譯碼） 讀讀/ /寫電路包括讀寫電路包括讀/ /寫放大器、數(shù)據(jù)緩沖器（三態(tài)雙寫放大器、數(shù)據(jù)緩沖器（三態(tài)雙向緩沖器）等。它是數(shù)據(jù)信息輸入和輸出的通道。向緩沖器）等。它是數(shù)據(jù)信息輸入和輸出的通道。 外界對存儲(chǔ)器的控制信號(hào)有外界對存儲(chǔ)器的控制信號(hào)有讀信號(hào)（）讀信號(hào)（）、寫信寫信號(hào)（）號(hào)（）和和片選信號(hào)（）片選信號(hào)（）等，通過控制電路以控等，通過控制電路以控制存儲(chǔ)器的讀或?qū)懖僮饕约捌x。只有片選信號(hào)處于有制存儲(chǔ)器的讀或?qū)懖僮饕约捌x。只有片選信號(hào)處于有效狀態(tài)，存儲(chǔ)器才能與外界交換信息。效狀態(tài)，存儲(chǔ)器才能與外界交換信息。 （三）讀（三）讀/ /寫電路與控制電路寫電路與控制電路一、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

6、一、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（一）（一）sramsram的基本存儲(chǔ)電路的基本存儲(chǔ)電路 由個(gè)管組成的觸發(fā)器由個(gè)管組成的觸發(fā)器. . 5.2 5.2 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ramram）（二）靜態(tài)（二）靜態(tài)ramram的組成的組成1.1.讀出過程讀出過程 （1 1）地址碼加到）地址碼加到ramram芯片的地址輸入端，經(jīng)芯片的地址輸入端，經(jīng)x x與與y y地址譯碼器譯碼，產(chǎn)生地址譯碼器譯碼，產(chǎn)生行選與列選行選與列選信號(hào)，選中某一存儲(chǔ)單信號(hào)，選中某一存儲(chǔ)單元，該單元中存儲(chǔ)的代碼，經(jīng)一定時(shí)間，出現(xiàn)元，該單元中存儲(chǔ)的代碼，經(jīng)一定時(shí)間，出現(xiàn)在在i io o電路的電路的輸入端輸入端。電路對讀出的信號(hào)進(jìn)行放

7、大、整形，送至輸。電路對讀出的信號(hào)進(jìn)行放大、整形，送至輸出緩沖寄存器。緩沖寄存器一般具有三態(tài)控制功能，沒有開出緩沖寄存器。緩沖寄存器一般具有三態(tài)控制功能，沒有開門信號(hào)，所存數(shù)據(jù)還不能送到門信號(hào)，所存數(shù)據(jù)還不能送到dbdb上。上。（三）靜態(tài)（三）靜態(tài)ramram的讀的讀/ /寫過程寫過程（2 2）在送上地址碼的同時(shí)，還要送上讀）在送上地址碼的同時(shí)，還要送上讀/ /寫控制信號(hào)寫控制信號(hào)（r/wr/w或或rdrd、wrwr）和片選信號(hào)（）和片選信號(hào)（cscs）。讀出時(shí)，）。讀出時(shí)，使使r/wr/w，cscs，這時(shí)，輸出緩沖寄存器的三態(tài)門將被打開，所存，這時(shí)，輸出緩沖寄存器的三態(tài)門將被打開，所存信息送

8、至信息送至dbdb上。于是，存儲(chǔ)單元中的信息被讀出。上。于是，存儲(chǔ)單元中的信息被讀出。（四）靜態(tài)（四）靜態(tài)ramram芯片舉例芯片舉例常用的常用的intel 6116 intel 6116 是是cmoscmos靜態(tài)靜態(tài)ramram芯片，它的存儲(chǔ)容量為芯片，它的存儲(chǔ)容量為2k2k8 8位：位： 動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)ramram芯片是以芯片是以mosmos管柵極電容是否充有電荷來存儲(chǔ)信息的管柵極電容是否充有電荷來存儲(chǔ)信息的 二、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器二、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器( (一）動(dòng)態(tài)基本存儲(chǔ)電路一）動(dòng)態(tài)基本存儲(chǔ)電路 三管動(dòng)態(tài)基本存儲(chǔ)電路三管動(dòng)態(tài)基本存儲(chǔ)電路 寫入操作時(shí)，寫選擇線上為高電平，寫入操作時(shí)，寫選擇線上為高電平

9、，1 1導(dǎo)通。待寫入的導(dǎo)通。待寫入的信息由寫數(shù)據(jù)線通過信息由寫數(shù)據(jù)線通過1 1加到加到2 2管的柵極上，對柵極電容管的柵極上，對柵極電容cgcg充電。若寫入，則充電。若寫入，則cgcg上充有電荷；若寫入，則上充有電荷；若寫入，則cgcg上無電上無電荷。寫操作結(jié)束后，荷。寫操作結(jié)束后，1 1截止，信息被保存在電容截止，信息被保存在電容cgcg上。上。 讀出操作時(shí)，先在讀出操作時(shí)，先在4 4管柵極加上預(yù)充電脈沖，使管柵極加上預(yù)充電脈沖，使4 4管管導(dǎo)通，讀數(shù)據(jù)線因有寄生電容導(dǎo)通，讀數(shù)據(jù)線因有寄生電容cdcd而預(yù)充到（）。然而預(yù)充到（）。然后使讀選擇線為高電平，后使讀選擇線為高電平，3 3管導(dǎo)通。若

10、管導(dǎo)通。若2 2管柵極電容管柵極電容cgcg上上已存有已存有“”信息，則信息，則2 2管導(dǎo)通。這時(shí)，讀數(shù)據(jù)線上的預(yù)管導(dǎo)通。這時(shí)，讀數(shù)據(jù)線上的預(yù)充電荷將通過充電荷將通過3,3,2 2而泄放，于是，讀數(shù)據(jù)線上為。若而泄放，于是，讀數(shù)據(jù)線上為。若2 2管柵極電容上所存為管柵極電容上所存為“”信息，則信息，則2 2管不導(dǎo)通，則讀管不導(dǎo)通，則讀數(shù)據(jù)線上為。因此，經(jīng)過讀操作，在讀數(shù)據(jù)線上可以讀出數(shù)據(jù)線上為。因此，經(jīng)過讀操作，在讀數(shù)據(jù)線上可以讀出與原存儲(chǔ)相反的信息。若再經(jīng)過讀出放大器反相后，就可以與原存儲(chǔ)相反的信息。若再經(jīng)過讀出放大器反相后，就可以得到原存儲(chǔ)信息了。得到原存儲(chǔ)信息了。 刷新刷新單管動(dòng)態(tài)基本存

11、儲(chǔ)電路單管動(dòng)態(tài)基本存儲(chǔ)電路 寫入時(shí)，使字選線上為高電平，寫入時(shí)，使字選線上為高電平，t1t1管導(dǎo)通，待寫入的管導(dǎo)通，待寫入的信息由位線信息由位線d d（數(shù)據(jù)線）存入（數(shù)據(jù)線）存入cscs。 讀出時(shí)，同樣使字選線上為高電平，讀出時(shí)，同樣使字選線上為高電平，t1t1管導(dǎo)通，則存管導(dǎo)通，則存儲(chǔ)在儲(chǔ)在cscs上的信息通過上的信息通過t1t1管送到管送到d d線上，再通過放大，即可線上，再通過放大，即可得到存儲(chǔ)信息。得到存儲(chǔ)信息。intel 2116 intel 2116 16k16k1 1（二）動(dòng)態(tài)（二）動(dòng)態(tài)ramram芯片舉例芯片舉例intel 2116intel 2116的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如

12、圖5.115.11所示：所示： 動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)ramram的刷新：的刷新：動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)ramram的刷新實(shí)質(zhì)式進(jìn)行一次的刷新實(shí)質(zhì)式進(jìn)行一次“寫入寫入”操作，但按行進(jìn)行，操作，但按行進(jìn)行，即不管系統(tǒng)中有多少個(gè)即不管系統(tǒng)中有多少個(gè)dramdram芯片，也不管存儲(chǔ)容量有多大，每芯片，也不管存儲(chǔ)容量有多大，每次均對所有芯片的同一行刷新次均對所有芯片的同一行刷新 單片單片dramdram有多少行，就分多少次進(jìn)行刷新有多少行，就分多少次進(jìn)行刷新 一般刷新電路中都有一般刷新電路中都有刷新計(jì)數(shù)器刷新計(jì)數(shù)器，每刷新一行計(jì)數(shù)一次。，每刷新一行計(jì)數(shù)一次。 刷新電路必須保證刷新電路必須保證2 2msms內(nèi)對內(nèi)對darmdarm

13、刷新一次刷新一次 刷新的方法有刷新的方法有定時(shí)集中制、非同步再生制、同步再生制定時(shí)集中制、非同步再生制、同步再生制一、只讀存儲(chǔ)器存儲(chǔ)信息的原理和組成一、只讀存儲(chǔ)器存儲(chǔ)信息的原理和組成 .3 .3 只讀存儲(chǔ)器（）只讀存儲(chǔ)器（）當(dāng)字線上加有選中信當(dāng)字線上加有選中信號(hào)時(shí)，如果電子開關(guān)號(hào)時(shí)，如果電子開關(guān)是斷開的，位線是斷開的，位線上將輸出信息；如上將輸出信息；如果是接通的，則位果是接通的，則位線經(jīng)接地，將線經(jīng)接地，將輸出信息輸出信息0 0。romrom的組成由地址譯碼電路、存儲(chǔ)矩陣、讀出電路及控制電的組成由地址譯碼電路、存儲(chǔ)矩陣、讀出電路及控制電路等部分組成。圖路等部分組成。圖5.135.13是有是有

14、1616個(gè)存儲(chǔ)單元、字長為個(gè)存儲(chǔ)單元、字長為1 1位的位的romrom示示意圖。意圖。（一）不可編程掩模式（一）不可編程掩模式mosmos只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器由器件制造廠家根據(jù)用戶事先編好的機(jī)器碼程序，把由器件制造廠家根據(jù)用戶事先編好的機(jī)器碼程序，把0 0、1 1信息存儲(chǔ)在掩模圖形中而制成的信息存儲(chǔ)在掩模圖形中而制成的romrom芯片。這種芯片制成以芯片。這種芯片制成以后，它的存儲(chǔ)矩陣中每個(gè)后，它的存儲(chǔ)矩陣中每個(gè)mosmos管所存儲(chǔ)的信息管所存儲(chǔ)的信息0 0或或1 1被固定下被固定下來，不能再改變，而只能讀出。來，不能再改變，而只能讀出。二、只讀存儲(chǔ)器的分類、只讀存儲(chǔ)器的分類 （二）可編程存儲(chǔ)

15、器（二）可編程存儲(chǔ)器 用戶在使用前可以根據(jù)自己的用戶在使用前可以根據(jù)自己的需要編制需要編制romrom中的程序。熔絲中的程序。熔絲式式promprom的存儲(chǔ)電路相當(dāng)于圖的存儲(chǔ)電路相當(dāng)于圖5.125.12的元件原理圖的元件原理圖（三）可擦除、可再編程的只讀存儲(chǔ)器（三）可擦除、可再編程的只讀存儲(chǔ)器 若若epromeprom中寫入的信息有錯(cuò)或不需要時(shí)，可用兩種方法來擦中寫入的信息有錯(cuò)或不需要時(shí)，可用兩種方法來擦除原存的信息。除原存的信息。一種是利用專用的紫外線燈對準(zhǔn)芯片上的石英窗口照射一種是利用專用的紫外線燈對準(zhǔn)芯片上的石英窗口照射10102020分鐘，即可擦除原寫入的信息。這種方法只能把存儲(chǔ)分鐘，

16、即可擦除原寫入的信息。這種方法只能把存儲(chǔ)的信息全部擦除后再重新寫入的信息全部擦除后再重新寫入采用金屬氮氧化物硅（采用金屬氮氧化物硅（mnosmnos）工藝生產(chǎn)的）工藝生產(chǎn)的mnosmnos型型promprom，它是一種利用電來改寫的可編程只讀存儲(chǔ)器，它是一種利用電來改寫的可編程只讀存儲(chǔ)器，即即eepromeeprom5.4 5.4 存儲(chǔ)器的連接存儲(chǔ)器的連接 要解決兩個(gè)問題：要解決兩個(gè)問題： 一個(gè)是如何用容量較小、字長較短的芯片，組成微一個(gè)是如何用容量較小、字長較短的芯片，組成微機(jī)系統(tǒng)所需的存儲(chǔ)器；機(jī)系統(tǒng)所需的存儲(chǔ)器； 另一個(gè)是存儲(chǔ)器與的連接方法與應(yīng)注意的問另一個(gè)是存儲(chǔ)器與的連接方法與應(yīng)注意的問

17、題。題。一、存儲(chǔ)器芯片的擴(kuò)充一、存儲(chǔ)器芯片的擴(kuò)充（一）位數(shù)的擴(kuò)充（一）位數(shù)的擴(kuò)充（位擴(kuò)展）位擴(kuò)展） 微型計(jì)算機(jī)中，最小的信息存取單位是微型計(jì)算機(jī)中，最小的信息存取單位是“字節(jié)字節(jié)”，如，如果一個(gè)存儲(chǔ)芯片不能同時(shí)提供果一個(gè)存儲(chǔ)芯片不能同時(shí)提供8 8bitbit數(shù)據(jù)，就必須把幾塊芯數(shù)據(jù)，就必須把幾塊芯片組合起來使用，這就是存儲(chǔ)器芯片的片組合起來使用，這就是存儲(chǔ)器芯片的“位擴(kuò)展位擴(kuò)展”。位擴(kuò)。位擴(kuò)展把多個(gè)存儲(chǔ)芯片組成一個(gè)整體，使數(shù)據(jù)位數(shù)增加，但單展把多個(gè)存儲(chǔ)芯片組成一個(gè)整體，使數(shù)據(jù)位數(shù)增加，但單元個(gè)數(shù)不變。經(jīng)位擴(kuò)展構(gòu)成的存儲(chǔ)器，每個(gè)單元的內(nèi)容被元個(gè)數(shù)不變。經(jīng)位擴(kuò)展構(gòu)成的存儲(chǔ)器，每個(gè)單元的內(nèi)容被存儲(chǔ)在

18、不同的存儲(chǔ)芯片上。存儲(chǔ)在不同的存儲(chǔ)芯片上。 用用4 4片片16k16k8 8位的存儲(chǔ)器芯片組成位的存儲(chǔ)器芯片組成64k64k8 8位存儲(chǔ)器連接線路。位存儲(chǔ)器連接線路。 2 2、地址的擴(kuò)充、地址的擴(kuò)充 各芯片的地址取值范圍各芯片的地址取值范圍 地址擴(kuò)充歸納如下：地址擴(kuò)充歸納如下：例：例： 用用21142114（1 1k k4 4）構(gòu)成構(gòu)成4 4k k8 8的存儲(chǔ)器，與的存儲(chǔ)器，與8 8位的一個(gè)微處位的一個(gè)微處理器相連，求：共需多少芯片？每組芯片有幾個(gè)？每組芯片的理器相連，求：共需多少芯片？每組芯片有幾個(gè)？每組芯片的地址范圍？連接示意圖如下地址范圍？連接示意圖如下二、存儲(chǔ)器與二、存儲(chǔ)器與cpucp

19、u的連接的連接 1.rom1.rom與與8086cpu8086cpu的連接的連接 以以1 1字節(jié)寬度輸出組織的芯片，在連接到字節(jié)寬度輸出組織的芯片，在連接到80868086系統(tǒng)時(shí)，為了系統(tǒng)時(shí)，為了存儲(chǔ)存儲(chǔ)1616位指令字，要使用兩片這類芯片并聯(lián)。位指令字，要使用兩片這類芯片并聯(lián)。 當(dāng)微機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)器容量少于當(dāng)微機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)器容量少于16k16k字時(shí)，宜采用靜態(tài)字時(shí)，宜采用靜態(tài)ramram芯芯片片 8086 cpu 8086 cpu無論是在最小方式或最大方式下，都可以尋址無論是在最小方式或最大方式下，都可以尋址1mb1mb的存儲(chǔ)單元，的存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)器均按字存儲(chǔ)器均按字節(jié)編址節(jié)編址2.2.靜態(tài)靜

20、態(tài)ramram與與8086cpu8086cpu芯片的連接芯片的連接3.eprom3.eprom、靜態(tài)、靜態(tài)ramram與與8086cpu8086cpu連接的實(shí)例連接的實(shí)例bhe#a0a12m/io#rd#2732（一）（一）cpu外部總線的負(fù)載能力外部總線的負(fù)載能力 在小系統(tǒng)中，在小系統(tǒng)中，cpucpu可以與存儲(chǔ)器直接相連?？梢耘c存儲(chǔ)器直接相連。 較大的存儲(chǔ)系統(tǒng)中，連接的存儲(chǔ)器芯片片數(shù)較多，就會(huì)造較大的存儲(chǔ)系統(tǒng)中，連接的存儲(chǔ)器芯片片數(shù)較多，就會(huì)造成總線過載，應(yīng)采用加成總線過載，應(yīng)采用加緩沖器緩沖器或或總線驅(qū)動(dòng)器總線驅(qū)動(dòng)器等方法來增加總等方法來增加總線的驅(qū)動(dòng)能力。線的驅(qū)動(dòng)能力。 三、存儲(chǔ)器與三、

21、存儲(chǔ)器與cpucpu連接應(yīng)該注意的一些問題連接應(yīng)該注意的一些問題 （二）各種信號(hào)線的配合與連接（二）各種信號(hào)線的配合與連接數(shù)據(jù)線：數(shù)據(jù)線：數(shù)據(jù)傳送一般是雙向的。而輸入線與輸出線分開數(shù)據(jù)傳送一般是雙向的。而輸入線與輸出線分開的芯片，則要外加三態(tài)門，才能與的芯片，則要外加三態(tài)門，才能與cpucpu數(shù)據(jù)總線相連數(shù)據(jù)總線相連地址線地址線：存儲(chǔ)器的地址線一般可以直接接到：存儲(chǔ)器的地址線一般可以直接接到cpucpu的地址總線。的地址總線。而大容量的動(dòng)態(tài)而大容量的動(dòng)態(tài)ramram，為了減少引線的數(shù)目，往往采用分時(shí)輸，為了減少引線的數(shù)目，往往采用分時(shí)輸入的方式，這時(shí)，需在入的方式，這時(shí)，需在cpucpu與存儲(chǔ)

22、器芯片之間加上與存儲(chǔ)器芯片之間加上多路轉(zhuǎn)換開多路轉(zhuǎn)換開關(guān)關(guān)，用，用cascas與與rasras分別將地址的高位與低位送入存儲(chǔ)器。分別將地址的高位與低位送入存儲(chǔ)器?？刂凭€控制線：cpucpu通過控制線送出命令，以控制存儲(chǔ)器的讀寫操作，通過控制線送出命令，以控制存儲(chǔ)器的讀寫操作，以及送出片選信號(hào)、定時(shí)信號(hào)等以及送出片選信號(hào)、定時(shí)信號(hào)等（三）（三）cpucpu的時(shí)序與存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)速度之間的匹配的時(shí)序與存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)速度之間的匹配（四）存儲(chǔ)器的地址分配及片選信號(hào)的產(chǎn)生（四）存儲(chǔ)器的地址分配及片選信號(hào)的產(chǎn)生 某計(jì)算機(jī)有地址線某計(jì)算機(jī)有地址線1818位，數(shù)據(jù)線位，數(shù)據(jù)線8 8位，現(xiàn)選用位，現(xiàn)選用4 4k k4 4位的靜位的靜態(tài)態(tài)ramram芯片組成該機(jī)的內(nèi)存，問芯片組成該機(jī)的內(nèi)存，問 1 1、該機(jī)允許的最大內(nèi)存空