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1、功率放大器(Power Amplifier)綜述報(bào)告人: 時(shí)間:目錄> PA發(fā)展歷程及研究意義> PA分類(lèi)及其特性> PA主要指標(biāo)>參考文獻(xiàn)、功率放大器(PA)的發(fā)展歷程及研究意義 1. 功率放大器的概述2. 功率放大器發(fā)展歷程:a射頻器件發(fā)展射頻技術(shù)發(fā)展(B電路設(shè)計(jì)發(fā)展功率放大器的研究意義功率放大器概述射頻功率放大器(RF PA)作為各種無(wú)線(xiàn)發(fā)射機(jī)的重要模塊,在現(xiàn) 代 通信系統(tǒng)中的主要作用是在工作頻段高效率地放大射頻小信號(hào), 并將大功率射頻信號(hào)傳輸?shù)桨l(fā)射天線(xiàn)中。射頻功率放大器的工作過(guò)程,實(shí)際上是將電源直流功率在輸入調(diào) 制信號(hào)的控副下轉(zhuǎn)換成具有相同成率、相同相彳立的人功

2、率信號(hào)。提高射頻功率放大器的輸出功率、工作效率以及線(xiàn)性度和穩(wěn)定性 等性能指標(biāo)對(duì)于整個(gè)通信系統(tǒng)具有重要的意義。射頻器件發(fā)展6射頻功率放大器的應(yīng)用 射頻功率放大器由于具有工作電壓低、尺寸小、線(xiàn)性度高、噪聲 低等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用在衛(wèi)星通信、移動(dòng)通信、雷達(dá)和電子戰(zhàn)以及各 種工業(yè)裝備中。在軍用與鐵路通信中,功率放大器通常被用于無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)發(fā)射 機(jī)、軍用雷達(dá)的核心器件。在第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)(3G)中,要求數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到2M bit/s, 單個(gè)信號(hào)的帶寬達(dá)5MHz,這就需要PA具有寬帶特性。為了降低通信運(yùn)營(yíng)商的運(yùn)營(yíng)成本,減小冷卻成本,易于熱控制, 就要求提高PA的效率。為了減小功率放大的級(jí)數(shù)和功率管的使用數(shù)

3、量,以更低的功率進(jìn) 行驅(qū)動(dòng),降低成本,就要求提高放大器的增益。a二、功率放大器的分類(lèi)、功率放大器的分類(lèi)開(kāi)關(guān)型功率放大器(Switching ModePA,SMPA)V基本瑋相.開(kāi)關(guān)欖式功布放大器ir>a三SMPA將有源晶體管驅(qū)動(dòng)為開(kāi)關(guān)模式,晶體管的工作狀態(tài)要么是開(kāi),要么是關(guān),其電壓和電流的時(shí)域波形不存在交疊現(xiàn)象,所以是直流功耗為零,理想的效率能達(dá)到100%。a9二、功率放大器的分類(lèi)三、射頻功率放大器的主要指標(biāo)射頻放大器的系統(tǒng)框圖a11三、射頻功率放大器的主要指標(biāo)工作頻帶:指放大器滿(mǎn)足或者超過(guò)設(shè)計(jì)參數(shù)要求的工作頻率范圍。輸出功率:功率放大器的輸出功率可以采用飽和輸出功率(Psat) 或ld

4、B壓縮點(diǎn)輸出功率(PldB)來(lái)表征增益及增益平坦度:增益是指放大器輸出端口的功率與輸入端口 班率的比值。功率附加效率PAE:全面反映放大器輸出功率與外加功率的關(guān)系輸入輸出電壓駐波比:表示放大器的輸入輸出端口與負(fù)載的匹配 度參考文獻(xiàn)1 王志華,吳恩德,“CMOS射頻集成電路的現(xiàn)狀與進(jìn)展”,電子 學(xué)報(bào),2001.2 Timothy C. Kuo and Bruce B. Lusignan, uA 1. 5W Class-F RF Power Amplifier in 0. 2 mn CMOS Technology, in IEEE International Solid-State Circuit

5、s Conference, 2001.3 Alireza Shirvani, David K. Su and Bruce A. Wooley, uA CMOS RF Power Amplifier wi th Parallel Aniplifica tion for Efficient Power Control ", in IEEE International Solid- State Circuits Conference, 2001.4 Mona M. Hella and Mohammed Ismail, aA Digitally Controlled CMOS RF Powe

6、r Amplifier”,in IEEE Midwest Symposium on Circuits & Systems, 2001.5 Y. Kim, C. Park, H. Kim and S. Hong, “ CMOS RF poweraiiDlifier with reconfisirable transformer” . inELECTRONICS LETTERS, March 2006.參考文獻(xiàn)6 Patrick Reynaert and Michiel Steyaert, aA Fully Integrated CMOS RF Power Amplifier with P

7、arallel Power Combining and Power Control ”, in IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, 2005.7 N. Srirattana, P. Sen, H一M Park, C. H. Lee, P. E. Allen, and J. Laskar, uLinear RF CMOS Power Amplifier with Improved Efficiency and Li near i ty in Wide Power Levels v , in IEEE Radio Frequency Integr

8、ated Circuits Symposium, 2005.8 戚威,'射頻功率放大器的研究與設(shè)計(jì)”,碩士學(xué)位論文, 2009.9 Hongtak Lee, Changkun Park, and Songcheol Hong, "4 Quasi -Four-Pa i r Class-E CMOS RF Power Amplifier Wi th an Integrated Passive Device Transformer v IEEE TRANSACTIONSAND TECHNIQUES Apri 2009a14參考文獻(xiàn)10 Fada Yu, Enling Li, Yin

9、g Xue, Xue Wang and YongxiaYuan, "Design of 2. 1GHz RF CMOS Power Amplifier for 3G” ,in International Conference on Networks Security, WirelessCommuni cat ions and Trusted Computing, 2009.11 Brecht Francois and Patrick Reynaert, aA FullyIntegrated Watt-Level Linear 900-MHz CMOS RF PowerAmplifie

10、r for LTE-Applications" 9 IEEE TRANSACTIONS ONMICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, June 2012.12 Shiang-Yu Tsai, Chun-Yu Lin, Li-Wei Chu and Ming-DouKer, "Design of ESD Protection for RF CMOS PowerAmplifier with Indue tor in Matching Network, in IEEEAsia Pacific Conference on Circuits & Sys

11、tems, 2012.13 Seunghoon Kang, Bonhoon Koo, and Songcheol Hong,Dual-Mode RF CMOS Power Amplifier with NonlinearCapacitance Compensation -Conference, 2013.a15參考文獻(xiàn)14 Sunghwan Park, Jung-Lin Woo, Unha Kim and Youngwoo Kwon, Broadband CMOS Stacked RF Power Amplifier Using Reconfigurable Interstage Networ

12、k for Wideband Envelope Tracking” , IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, April 2015.15 Nathalie Deltimple, Marcos L. Carneiro, Eric Kerherve, Paulo H. P. Carvalho, Didier Belot, “Integrated Doherty RF CMOS Power Aniplifier design for Average Efficiency Enhancement v in IEEE Internat

13、ional Wireless Symposium,2015.16 Earl McCune,Technical Foundation for RF CMOS Power Amplifiers, Part 2: Power amplifier architectures IEEE SOLID-STATE CIRCUITS MAGAZINE, Fall 2015.a16 參考文獻(xiàn) 17 Muhammad Abdullah Khan, Ahmed Farouk Aref, MuhDey Wei and Renato Negra, "Highly linear and reliable low band class-0 RF power amplifier in 130 nm CMOS technology for 4G LTE applications", in Nordic Circuits & Systems Conferenc

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