JJF 1760-2019硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片校準(zhǔn)規(guī)范（高清版）

中華人民共和國國家計量技術(shù)規(guī)范

JJF1760—2019

硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片校準(zhǔn)規(guī)范

CalibrationSpecificationfor

StandardSlicesofSingleCrystalSiliconResistivity

2019-09-27發(fā)布2020-03-27實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

JJF1760—2019

硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片

??

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校準(zhǔn)規(guī)范?JJF1760—2019?

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?代替JJG48—2004?

CalibrationSpecificationforStandardSlicesof??

SingleCrystalSiliconResistivity

歸口單位全國無線電計量技術(shù)委員會

:

主要起草單位中國計量科學(xué)研究院

:

參加起草單位福建省計量科學(xué)研究院

:

本規(guī)范委托全國無線電計量技術(shù)委員會負(fù)責(zé)解釋

JJF1760—2019

本規(guī)范主要起草人

:

高英中國計量科學(xué)研究院

()

李蘭蘭中國計量科學(xué)研究院

()

參加起草人

:

羅海燕福建省計量科學(xué)研究院

()

楊愛軍福建省計量科學(xué)研究院

()

JJF1760—2019

目錄

引言

………………………(Ⅱ)

范圍

1……………………(1)

引用文件

2………………(1)

術(shù)語和計量單位

3………………………(1)

電阻率

3.1………………(1)

厚度

3.2…………………(1)

直徑

3.3…………………(1)

薄層電阻

3.4……………(1)

導(dǎo)電類型

3.5……………(1)

四探針

3.6………………(1)

局部徑向電阻率均勻性

3.7……………(1)

概述

4……………………(2)

計量特性

5………………(2)

標(biāo)準(zhǔn)樣片電阻率的測量范圍

5.1………(2)

標(biāo)準(zhǔn)樣片的電阻率標(biāo)稱值

5.2…………(2)

標(biāo)準(zhǔn)樣片應(yīng)具備的參數(shù)及性能要求

5.3………………(2)

校準(zhǔn)條件

6………………(3)

環(huán)境條件

6.1……………(3)

校準(zhǔn)用設(shè)備

6.2…………(3)

校準(zhǔn)項目和校準(zhǔn)方法

7…………………(3)

校準(zhǔn)項目

7.1……………(3)

外觀檢查

7.2……………(4)

導(dǎo)電類型判別

7.3………………………(4)

直徑測量

7.4……………(4)

厚度測量

7.5……………(4)

電阻率或薄層電阻測量

7.6……………(5)

局部徑向電阻率均勻性測量

7.7………(6)

校準(zhǔn)結(jié)果表達(dá)

8…………(7)

復(fù)校時間間隔

9…………(7)

附錄原始記錄格式

A…………………(8)

附錄校準(zhǔn)證書內(nèi)頁格式

B……………(10)

附錄主要項目校準(zhǔn)不確定度評定示例

C……………(11)

附錄標(biāo)準(zhǔn)樣片厚度修正系數(shù)表

D……………………(16)

附錄標(biāo)準(zhǔn)樣片直徑修正系數(shù)

E………(17)

附錄標(biāo)準(zhǔn)樣片電阻率溫度系數(shù)表

F…………………(18)

Ⅰ

JJF1760—2019

引言

本規(guī)范依據(jù)國家計量校準(zhǔn)規(guī)范編寫規(guī)則和

JJF1071—2010《》JJF1059.1—2012

測量不確定度評定與表示編寫

《》。

本規(guī)范代替硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片與相比除編

JJG48—2004《》,JJG48—2004,

輯性修改外主要技術(shù)變化如下

,:

增加了引言引用文件術(shù)語和計量單位

———、、;

刪除了硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片的級別分類

———;

刪除了硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片的清洗方法

———;

修改了電阻率的測量范圍由原來的改為

———,0.005Ω·cm~5000Ω·cm

0.003Ω·cm~1000Ω·cm;

修改了硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片直徑的校準(zhǔn)方法

———;

修改了硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片厚度的校準(zhǔn)方法

———;

修改了硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片徑向電阻率均勻性的校準(zhǔn)方法

———。

本規(guī)范的歷次版本發(fā)布情況

:

———JJG48—2004;

———JJG48—1990。

Ⅱ

JJF1760—2019

硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片校準(zhǔn)規(guī)范

1范圍

本規(guī)范適用于電阻率在之間的硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片

0.003Ω·cm~1000Ω·cm

的校準(zhǔn)

。

2引用文件

本規(guī)范引用了下列文件

:

四探針電阻率測試儀

JJG508—2004

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本規(guī)范凡是不注日期的引用文

,;

件其最新版本包括所有的修改單適用于本規(guī)范

,()。

3術(shù)語和計量單位

電阻率

3.1resistivity

荷電載體通過材料受阻程度的一種量度電阻率是電導(dǎo)率的倒數(shù)符號為單位

。。ρ,

為

Ω·cm。

厚度

3.2thickness

通過晶片上一給定點垂直于表面方向穿過晶片的距離通常以晶片幾何中心的厚度

。

為該晶片的標(biāo)稱厚度單位為

。μm。

直徑

3.3diameter

橫穿圓片表面通過晶片中心點且不與參考面或圓周上其他基準(zhǔn)區(qū)相交直線的長

,

度單位為

。mm。

薄層電阻

3.4sheetresistance

半導(dǎo)體或薄金屬膜的薄層電阻與電流平行的電勢梯度對電流密度和厚度乘積的

,

比又稱方塊電阻符號為R單位為

。。s,Ω/□。