材料科學(xué)基礎(chǔ)選擇題匯總

1、1、極化會(huì)對(duì)晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響,可使鍵性由B過(guò)渡,最終使晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)型發(fā)生變化.A:共價(jià)鍵向離子鍵B:離子鍵向共價(jià)鍵C:金屬鍵向共價(jià)鍵D:鍵金屬向離子鍵2、離子晶體中,由于離子的極化作用,通常使正負(fù)離子間的距離B,離子配位數(shù).A:增大,降低B:減小,降低C:減小,增大D:增大,增大3、氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu),具晶胞分子數(shù)是C.A:5B:6C:4D:3C:全部立方體D:1/2八面體6、MgO晶體屬NaCl型結(jié)構(gòu),由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子組成,具一個(gè)單位晶胞中有B個(gè)MgO分子.A:2B:4C:6D:87、螢石晶體可以看作是Ca2+作面心立方堆積,F一填充了DA:八面體空隙的半

2、數(shù)C:全部八面體空隙8、螢石晶體中Ca2+的配位數(shù)為8,A:2C:69、CsCl晶體中Cs+的配位數(shù)為8,A:2C:6D:810、硅酸鹽晶體的分類(lèi)原那么是B.A:正負(fù)離子的個(gè)數(shù)B:結(jié)構(gòu)中的硅氧比C:化學(xué)組成D:離子半徑11、皓英石ZrSiO4是A.A:島狀結(jié)構(gòu)B:層狀結(jié)構(gòu)C:鏈狀結(jié)構(gòu)D:架狀結(jié)構(gòu)12、硅酸鹽晶體中常有少量Si4+被Al3+取代,這種現(xiàn)象稱(chēng)為C.A:同質(zhì)多品B:有序一無(wú)序轉(zhuǎn)變C:同晶置換D:馬氏體轉(zhuǎn)變13.鎂橄欖石Mg2SiO4是A.A:島狀結(jié)構(gòu)B:層狀結(jié)構(gòu)C:鏈狀結(jié)構(gòu)D:架狀結(jié)構(gòu)14、對(duì)沸石、螢石、MgO三類(lèi)晶體具有的空隙體積相比較,具由大到小的順序?yàn)锳.4、NaCl單位晶胞中

3、的分子數(shù)為4,A:全部四面體C: 1/2四面體5、CsCl單位晶胞中的分子數(shù)為1,A:全部四面體Na+填充在C所構(gòu)成的B:全部八面體D: 1/2八面體Cs+填充在C所構(gòu)成的B:全部八面體B空隙中.C空隙中.B:四面體空隙的半數(shù)D:全部四面體空隙F-配位數(shù)為B.B:4D:8C的配位數(shù)為D.B:4A:沸石螢石MgOB:沸石MgO螢石C:螢石沸石MgOD:螢石MgO沸石15、根據(jù)鮑林Pauling規(guī)那么,離子晶體MX2中二價(jià)陽(yáng)離子的配位數(shù)為8時(shí),價(jià)陰離子的配位數(shù)為B.A: 2B:4C: 6D:816、構(gòu)成硅酸鹽晶體的根本結(jié)構(gòu)單元SiO4四面體,兩個(gè)相鄰的SiO4四面體之問(wèn)只能A連接.A:共頂B:共面

4、C:共棱D:A+B+C17、點(diǎn)缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動(dòng)力學(xué)過(guò)程等有關(guān),以下點(diǎn)缺陷中屬于本征缺陷的是D.A:弗侖克爾缺陷B:肖特基缺陷C:雜質(zhì)缺陷D:A+B18、位錯(cuò)的A是指在熱缺陷的作用下,位錯(cuò)在垂直滑移方向的運(yùn)動(dòng),結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少.A:攀移B:攀移C:增值D:減少19、對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言,低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí),該位置帶有負(fù)電荷,為了保持電中性,會(huì)產(chǎn)生D.A:負(fù)離子空位B:間隙正離子C:間隙負(fù)離子D:A或B20、對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言,高價(jià)正離子占據(jù)低價(jià)正離子位置時(shí),該位置帶有正電荷,為了保持電中性,會(huì)產(chǎn)生D.A:正離子空位B:間隙負(fù)離子C:負(fù)離

5、子空位D:A或B21、形成固溶體后對(duì)晶體的性質(zhì)將產(chǎn)生影響,主要表現(xiàn)為D.A:穩(wěn)定品格B:活化品格C:固溶強(qiáng)化D:A+B+C22、固溶體的特點(diǎn)是摻入外來(lái)雜質(zhì)原子后原來(lái)的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變,但點(diǎn)陣畸變,性能變化.固溶體有有限和無(wú)限之分,其中B.A:結(jié)構(gòu)相同是無(wú)限固溶的充要條件B:結(jié)構(gòu)相同是無(wú)限固溶的必要條件,不是充分條件C:結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件D:結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件23、缺陷對(duì)晶體的性能有重要影響,常見(jiàn)的缺陷為D.A:點(diǎn)缺陷B:線缺陷C:面缺陷D:A+B+C24、根據(jù)晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因,可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類(lèi)型分為D.A:熱缺陷B:雜質(zhì)缺陷C:非化學(xué)計(jì)量缺陷D:A+B+C25、

6、晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而增加,具變化規(guī)律是B.A:線性增加B:呈指數(shù)規(guī)律增加C:無(wú)規(guī)律D:線性減少26、間隙式固溶體亦稱(chēng)填隙式固溶體,其溶質(zhì)原子位于點(diǎn)陣的間隙中.討論形成間隙型固溶體的條件須考慮D.A:雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大小B:晶體基質(zhì)結(jié)構(gòu)C:電價(jià)因素D:A+B+C27、位錯(cuò)的滑移是指位錯(cuò)在A作用下,在滑移面上的運(yùn)動(dòng),結(jié)果導(dǎo)致永久形變.A:外力B:熱應(yīng)力C:化學(xué)力D:結(jié)構(gòu)應(yīng)力28、柏格斯矢量BurgersVector與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱(chēng)為(A),其符號(hào)表小為().A:刃位錯(cuò)；!B:刃位錯(cuò)；VXC:螺位錯(cuò)；D:刃位錯(cuò)；29、熱缺陷亦稱(chēng)為本征缺陷,是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)原子或離子

7、.當(dāng)離子晶體生成肖特基缺陷Schottkydefect時(shí),B.A:正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的,同時(shí)伴隨晶體體積的縮小B:正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的,同時(shí)伴隨晶體體積的增加C:正離子空位和負(fù)離子間隙是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的,同時(shí)伴隨晶體體積的增加D:正離子間隙和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的,同時(shí)伴隨晶體體積的增加30、熱缺陷亦稱(chēng)為本征缺陷,是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)原子或離子.生成弗侖克爾缺陷Frenkeldefect時(shí),A.A:間隙和空位質(zhì)點(diǎn)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)B:正離子空位和負(fù)離子空位同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)C:正離子間隙和負(fù)離子間隙同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)D:正離子間隙和位錯(cuò)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)31、

8、位錯(cuò)的具有重要的性質(zhì),以下說(shuō)法不正確的選項(xiàng)是C.A:位錯(cuò)不一定是直線B:位錯(cuò)是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界C:位錯(cuò)可以中斷于晶體內(nèi)部D:位錯(cuò)不能中斷于晶體內(nèi)部32、位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)包括位錯(cuò)的滑移和位錯(cuò)的攀移,其中AA:螺位錯(cuò)只作滑移,刃位錯(cuò)既可滑移又可攀移B:刃位錯(cuò)只作滑移,螺位錯(cuò)只作攀移C:螺位錯(cuò)只作攀移,刃位錯(cuò)既可滑移又可滑移D:螺位錯(cuò)只作滑移,刃位錯(cuò)只作攀移33、硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度數(shù)量受A:組成B:溫度C:時(shí)間D:A+B+C34、當(dāng)熔體組成不變時(shí),隨溫度升高,低聚物數(shù)量C,粘度A:降低；增加B:不變；降低C:增加；降低D:增加；不變35、當(dāng)溫度不變時(shí),熔體組成的O/Si比高,低聚

9、物C,粘度A:降低；增加C:增加；降低36、硅酸鹽熔體的粘度隨O/Si升高而A:增大,降低C:增大,增大37、由結(jié)晶化學(xué)觀點(diǎn)知,具有AA:極性共價(jià)鍵C:共價(jià)鍵38、N%OAI2O34SiO2熔體的橋氧數(shù)為D.A:1C:3D:439、Na2O?CaO?Al2O3?SiO2玻璃的橋氧數(shù)為B.A:2.5B:3C:3.5D:440、如果在熔體中同時(shí)引入一種以上的R2O時(shí),粘度比等量的一種R2O高,這種現(xiàn)象為B.A:加和效應(yīng)B:混合堿效應(yīng)C:中和效應(yīng)D:交叉效應(yīng)41、對(duì)普通硅酸鹽熔體,隨溫度升高,外表張力將A.A:降低B:升高C:不變D:A或B42、熔體的組成對(duì)熔體的外表張力有很重要的影響,一般情況下,

10、O/Si減小,外表張力將A.A:降低B:升高C:不變D:A或B43、由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變的過(guò)程是C的過(guò)程.D因素的影響B(tài):不變；降低D:增加；不變B,隨溫度下降而B(niǎo):降低,增大D:降低,降低的氧化物容易形成玻璃.B:離子鍵D:金屬鍵B:2A:可逆與突變B:不可逆與漸變C:可逆與漸變D:不可逆與突變44、當(dāng)組成變化時(shí),玻璃的物理、化學(xué)性質(zhì)隨成分變化具有C.A:突變性B:不變性C:連續(xù)性D:A或B45、熔體組成對(duì)熔體的外表張力有重要的影響,一般情況下,O/Si減小,外表張力將A.A降低B升高C不變DA或B46、不同氧化物的熔點(diǎn) TM和玻璃轉(zhuǎn)變溫度Tg的比值Tg/TM接近B易形成玻璃.A:二分之一B

11、:三分之二C:四分之一D:五分之一47、可用三TTime-Temperature-Transformatiori曲線來(lái)討論玻璃形成的動(dòng)力學(xué)條件,三T曲線前端即鼻尖對(duì)應(yīng)析出10一6體積分?jǐn)?shù)的晶體的時(shí)間是最少的,由此可得出形成玻璃的臨界冷卻速率,通常,該臨界冷卻速率愈大,那么系統(tǒng)形成玻璃A.A:愈困難C:質(zhì)量愈好48、 不同O/Si比對(duì)應(yīng)著一定的聚集負(fù)離子團(tuán)結(jié)構(gòu),形成玻璃的傾向大小和熔體中負(fù)離子團(tuán)的聚合程度有關(guān).聚合程度越低,形成玻璃 A .A:越不容易B:越容易D:質(zhì)量愈差C的歪曲鏈狀或環(huán)狀方式存在時(shí),對(duì)形成玻A:低聚合B:不聚合C:高聚合D:A或C25、橋氧離子的平均數(shù)Y是玻璃的結(jié)構(gòu)參數(shù),玻璃

12、的很多性質(zhì)取決于Y值.在形成玻璃范圍內(nèi),隨Y的增大,粘度D,膨脹系數(shù).A:增大；不變B:降低；增大C:不變；降低D:增大；降低50、 對(duì)于實(shí)際晶體和玻璃體,處于物體外表的質(zhì)點(diǎn),其境遇和內(nèi)部是不同的,外表的質(zhì)點(diǎn)處于A的能階,所以導(dǎo)致材料呈現(xiàn)一系列特殊的性質(zhì).A:較高B:較低C:相同D:A或C51、 由于固相的三維周期性在固體外表處忽然中斷,外表上原子產(chǎn)生的相對(duì)于正常位置的上、下位移,稱(chēng)為B.A:外表收縮B:外表弛豫C:外表滑移D:外表擴(kuò)張52、 固體的外表能與外表張力在數(shù)值上不相等,一般說(shuō)來(lái),同一種物質(zhì),具固體的外表能B液體的外表能.53、重構(gòu)外表是指外表原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)層間距與

13、體內(nèi)A0A:不同；相同C:相同；不同B:愈容易D:質(zhì)量愈差C:質(zhì)量愈好49、 當(dāng)熔體中負(fù)離子集團(tuán)以 璃有利.B:相同；相同D:不同；不同,垂直方向的A:小于54、粘附劑與被粘附體間相溶性C,粘附界面的強(qiáng)度.A:越差；越牢固B:越好；越差C:越好；越牢固D:越好；不變55、 離子晶體MX在外表力作用下,極化率小的正離子應(yīng)處于穩(wěn)定的品格位置,易極化的負(fù)離子受誘導(dǎo)極化偶極子作用而移動(dòng),從而形成外表 C,這種重排的結(jié)果使晶體外表能量趨于穩(wěn)定.A:收縮B:弛豫C:雙電層D:B+C56、 外表微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生,微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響外表性質(zhì),對(duì)于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要,微裂紋長(zhǎng)

14、度,斷裂強(qiáng)度A.A:越長(zhǎng)；越低B:越長(zhǎng)；越高C:越短；越低D:越長(zhǎng)；不變57、界面對(duì)材料的性質(zhì)有著重要的影響,界面具有D的特性.B:界面上原子擴(kuò)散速度較快D:A+B+C液體的內(nèi)聚功,液體即可在固體外表自B:大于D:等于時(shí),即在潤(rùn)濕的前提下,外表粗糙化后,液B:不變D: A或B時(shí),即在不潤(rùn)濕的前提下,外表粗糙化后,B:不變D:A或B-液兩相輔展結(jié)合的牢固程度,粘附功數(shù)值；相反,粘附功越小,那么越易別離.A:越大；越松散B:越大；越牢固C:越?。辉嚼喂藾:越大；不變62、 為了提升液相對(duì)固相的潤(rùn)濕性,在固-氣和液-氣界面張力不變時(shí),必須使液-固界面張力B.A:降低B:升高C:保持不變D:有時(shí)升高,

15、有時(shí)降低63、對(duì)于附著潤(rùn)濕而言,附著功表示為W=rSV+禮V-L,根據(jù)這一原理,A才能使陶瓷釉在坯體上附著牢固.A:盡量采用化學(xué)組成相近的兩相系統(tǒng)B:盡量采用化學(xué)組成不同的兩相系統(tǒng)C:采用在高溫時(shí)不發(fā)生固相反響的兩相系統(tǒng)A:會(huì)引起界面吸附C:對(duì)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)有阻礙作用58、只要液體對(duì)固體的粘附功B開(kāi)展開(kāi).A:小于C:小于等于59、 當(dāng)液體對(duì)固體的潤(rùn)濕角990液體與固體之間的潤(rùn)濕A.A:更難C:更易61、粘附功數(shù)值的大小,標(biāo)志著周B,固-液兩相互相結(jié)合D:前三種方法都不行64、將高外表張力的組分參加低外表張力的組分中去,那么外加組分在外表層的濃度C體積內(nèi)部的濃度.B:大于D:A或B65、 外表微裂紋是

16、由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生,微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響外表性質(zhì),對(duì)于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要,微裂紋長(zhǎng)度A,斷裂強(qiáng)度.A:越長(zhǎng)；越低C:越短；越低66、吸附膜使固體外表張力BA:增大C:不變67、粗糙度對(duì)液固相潤(rùn)濕性能的影響是：CA:固體外表越粗糙,越易被潤(rùn)濕B:固體外表越粗糙,越不易被潤(rùn)濕C:不一定D:粗糙度對(duì)潤(rùn)濕性能無(wú)影響68、以下關(guān)于晶界的說(shuō)法哪種是錯(cuò)誤的.AA:晶界上原子與晶體內(nèi)部的原子是不同的B:晶界上原子的堆積較晶體內(nèi)部疏松C:晶界是原子、空位快速擴(kuò)散的主要通道D:晶界易受腐蝕69、 相平衡是指在多相體系中,物質(zhì)在各相間分布的平衡.相平衡時(shí),各相的組成及數(shù)量均不會(huì)隨時(shí)間而改變,

17、是C.A:絕對(duì)平衡B:靜態(tài)平衡C:動(dòng)態(tài)平衡D:暫時(shí)平衡70、二元凝聚系統(tǒng)平衡共存的相數(shù)最多為3,而最大的自由度數(shù)為A.A:2C:4D:571、 熱分析法是相平衡的研究方法之一,其原理是根據(jù)系統(tǒng)在冷卻過(guò)程中溫度隨時(shí)間的變化情況來(lái)判斷系統(tǒng)中是否發(fā)生了相變化,該方法的特點(diǎn)是D.B:越長(zhǎng)；越高D:越長(zhǎng)；不變B:減小D:A或BB:3A:低于B:高于C:等于D:A或B75、在熱力學(xué)上,每一個(gè)穩(wěn)定相有一個(gè)穩(wěn)定存在的溫度范圍,超過(guò)這個(gè)范圍就變成介穩(wěn)相.在一定溫度下,穩(wěn)定相具有C的蒸汽壓.A:最高B:與介穩(wěn)相相等C:最低D:A或B76、多品轉(zhuǎn)變中存在階段轉(zhuǎn)變定律,系統(tǒng)由介穩(wěn)狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定態(tài)不是直接完成的,而是依

18、次經(jīng)過(guò)中間的介穩(wěn)狀態(tài),最后變?yōu)樵摐囟认碌姆€(wěn)定狀態(tài).最終存在的晶相由D決定.A:轉(zhuǎn)變速度B:冷卻速度C:成型速度D:A與B77、二元凝聚系統(tǒng)的相圖中,相界線上的自由度為C.A:3B:2C:1D:078、根據(jù)杠杠規(guī)那么,在二元凝聚系統(tǒng)的相圖中,如果一個(gè)總質(zhì)量為M的相分解為質(zhì)量Gi和G2的兩個(gè)相,那么生成兩個(gè)相的質(zhì)量與原始相的組成到兩個(gè)新生相的組成點(diǎn)之間線段BoA:成正比B:成反比C:相等D:A或C79、三元相圖中,相界線上的自由度為C.A:3B:2C:1D:080、固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特點(diǎn)為：D.A:需要較高溫度B:各向同性C:各向異性D:A+C81、在離子型材料中,影響擴(kuò)散的缺陷來(lái)自?xún)蓚€(gè)方面：熱缺陷

19、與不等價(jià)置換產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷,后者引起的擴(kuò)散為C.A:互擴(kuò)散B:無(wú)序擴(kuò)散C:非本征擴(kuò)散D:本征擴(kuò)散82、固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特點(diǎn)為：DA:需要較高溫度B:各向同性A:簡(jiǎn)便C:能確定相變前后的物相72、 淬冷法是相平衡的研究的動(dòng)態(tài)方法,A:準(zhǔn)確度高C:適用于相變速度快的系統(tǒng)73、可逆多晶轉(zhuǎn)變是一種同質(zhì)多品現(xiàn)象,A:低于C:等于74、不可逆多晶轉(zhuǎn)變的多晶轉(zhuǎn)變溫度B:測(cè)得相變溫度僅是一個(gè)近似值D:A+B其特點(diǎn)是D.B:適用于相變速度慢的系統(tǒng)D:A+B多晶轉(zhuǎn)變溫度A兩種晶型的熔點(diǎn)B:高于D:A或BB種晶型的熔點(diǎn).C:各向異性D:A+C83、擴(kuò)散之所以能進(jìn)行,在本質(zhì)上是由于體系內(nèi)存在A.A:化學(xué)位梯度B:濃度梯

20、度C:溫度梯度D:壓力梯度84、固溶體的類(lèi)型及溶質(zhì)的尺寸對(duì)溶質(zhì)擴(kuò)散的活化能有較大影響.那么H、C、Cr在TFe中擴(kuò)散的活化能的大小順序?yàn)锽.A:QHQCQCrB:QCrQCQHD:QCrQHQC85、晶體的外表擴(kuò)散系數(shù)Ds、界面擴(kuò)散系數(shù)Dg和體積擴(kuò)散系數(shù)Db之間存在A的關(guān)系.A:DsDgDbC:DgDsDbD:DgDsDb86、在離子型材料中,影響擴(kuò)散的缺陷來(lái)自?xún)蓚€(gè)方面：熱缺陷和摻雜點(diǎn)缺陷.由它們引起的擴(kuò)散分別稱(chēng)為B.A:自擴(kuò)散和互擴(kuò)散B:本征擴(kuò)散和非本征擴(kuò)散C:無(wú)序擴(kuò)散和有序擴(kuò)散D:穩(wěn)定擴(kuò)散和不穩(wěn)定擴(kuò)散87、穩(wěn)定擴(kuò)散穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散是指在垂直擴(kuò)散方向的任一平面上,單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)該平面單位面積的粒子數(shù)

21、B.A:隨時(shí)間而變化B:不隨時(shí)間而變化C:隨位置而變化D:A或B88、不穩(wěn)定擴(kuò)散不穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散是指擴(kuò)散物質(zhì)在擴(kuò)散介質(zhì)中濃度隨A.A:隨時(shí)間和位置而變化B:不隨時(shí)間和位置而變化C:只隨位置而變化D:只隨時(shí)間而變化89、菲克Fick第一定律指出,擴(kuò)散通量與濃度梯度成正比,擴(kuò)散方向與濃度梯度方向C.B:無(wú)關(guān)D:前三者都不是空位擴(kuò)散三種機(jī)制中,其擴(kuò)散活化能的大小為A:易位擴(kuò)散二間隙擴(kuò)散空位擴(kuò)散C:易位擴(kuò)散間隙擴(kuò)散空位擴(kuò)散91、一般晶體中的擴(kuò)散為D.A:空位擴(kuò)散C:易位擴(kuò)散92、由肖特基缺陷引起的擴(kuò)散為AA:本征擴(kuò)散C:正擴(kuò)散93、 空位擴(kuò)散是指晶體中的空位躍遷入鄰近原子,散機(jī)制適用于C的擴(kuò)散.A:各種類(lèi)型

22、固溶體C:置換型固溶體C:QCQHQCrB:DbDgDsA:相同C:相反90、由于處于品格位置和間隙位置的粒子勢(shì)能的不同在易位擴(kuò)散、間隙擴(kuò)散和B:易位擴(kuò)散間隙擴(kuò)散二空位擴(kuò)散D:易位擴(kuò)散間隙擴(kuò)散空位擴(kuò)散B:間隙擴(kuò)散D:A和BB:非本征擴(kuò)散D:負(fù)擴(kuò)散而原子反向遷入空位,這種擴(kuò)B:間隙型固溶體D:A和B94、擴(kuò)散過(guò)程與晶體結(jié)構(gòu)有密切的關(guān)系,擴(kuò)散介質(zhì)結(jié)構(gòu)A,擴(kuò)散.A:越緊密；越困難B:越疏松；越困難C:越緊密；活化能越小D:越疏松；活化能越大95、不同類(lèi)型的固溶體具有不同的結(jié)構(gòu),其擴(kuò)散難易程度不同,間隙型固溶體比置換型D.A:難于擴(kuò)散B:擴(kuò)散活化能大C:擴(kuò)散系數(shù)小D:容易擴(kuò)散96、擴(kuò)散相與擴(kuò)散介質(zhì)性質(zhì)

23、差異越大,B.A:擴(kuò)散活化能越大B:擴(kuò)散系數(shù)越大C:擴(kuò)散活化能不變D:擴(kuò)散系數(shù)越小97、在晶體中存在雜質(zhì)時(shí)對(duì)擴(kuò)散有重要的影響,主要是通過(guò)D,使得擴(kuò)散系數(shù)增大.A:增加缺陷濃度B:使晶格發(fā)生畸變C:降低缺陷濃度D:A和B98、通常情況下,當(dāng)氧化物在雜質(zhì)濃度較低時(shí),其在高溫條件下引起的擴(kuò)散主要是AoA:本征擴(kuò)散B:非本征擴(kuò)散C:互擴(kuò)散D:A+B99、按熱力學(xué)方法分類(lèi),相變可以分為一級(jí)相變和二級(jí)相變,一級(jí)相變是在相變時(shí)兩相化學(xué)勢(shì)相等,其一階偏微嫡不相等,因此一級(jí)相變B.A:有相變潛熱,無(wú)體積改變B:有相變潛熱,并伴隨有體積改變C:無(wú)相變潛熱,并伴隨有體積改變D:無(wú)相變潛熱,無(wú)體積改變100、二級(jí)相變是指在相變時(shí)兩相化學(xué)勢(shì)