PECVD認(rèn)識(shí)課件

1、PECVDPECVD的認(rèn)識(shí)的認(rèn)識(shí).nPECVD： Plasma Enhance Chemical Vapour Depositionn等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積n等離子體：氣體在一定條件下受到高能激發(fā)，等離子體：氣體在一定條件下受到高能激發(fā)，發(fā)生電離，部分外層電子脫落原子核，形成電發(fā)生電離，部分外層電子脫落原子核，形成電子、正離子和中性粒子混合物組成的一種形態(tài)，子、正離子和中性粒子混合物組成的一種形態(tài)，這種形態(tài)就稱為等離子態(tài)即第四態(tài)這種形態(tài)就稱為等離子態(tài)即第四態(tài)PECVD的原理及作用的原理及作用 .n工作原理：工作原理：Centrotherm PECVD 系統(tǒng)是一組系統(tǒng)是一組

2、利用平行板鍍膜舟和高頻等離子激發(fā)器的系列發(fā)利用平行板鍍膜舟和高頻等離子激發(fā)器的系列發(fā)生器。在低壓和升溫的情況下，等離子發(fā)生器直生器。在低壓和升溫的情況下，等離子發(fā)生器直接在，裝在鍍膜板中間的介質(zhì)的中間發(fā)生反應(yīng)。接在，裝在鍍膜板中間的介質(zhì)的中間發(fā)生反應(yīng)。所用的活性氣體為硅烷所用的活性氣體為硅烷SiH4和氨和氨NH3。這些氣體。這些氣體作用于存儲(chǔ)在硅片上的氮化硅?？梢愿鶕?jù)改變硅作用于存儲(chǔ)在硅片上的氮化硅?？梢愿鶕?jù)改變硅烷對(duì)氨的比率，來(lái)得到不同的折射指數(shù)。在沉積烷對(duì)氨的比率，來(lái)得到不同的折射指數(shù)。在沉積工藝中，伴有大量的氫原子和氫離子的產(chǎn)生，使工藝中，伴有大量的氫原子和氫離子的產(chǎn)生，使得晶片的氫鈍化

3、性十分良好。得晶片的氫鈍化性十分良好。PECVD的原理及作用的原理及作用 .n技術(shù)原理：是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低技術(shù)原理：是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。面形成固態(tài)薄膜。PECVD方法區(qū)別于其它方法區(qū)別于其它CVD方法的方法的特點(diǎn)在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以特

4、點(diǎn)在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過(guò)程所需的激活能。電子與氣相分子提供化學(xué)氣相沉積過(guò)程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過(guò)的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過(guò)程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，因而顯著降低程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，因而顯著降低CVD薄膜沉積的溫度范圍，使得原來(lái)需要在高溫下才能進(jìn)行薄膜沉積的溫度范圍，使得原來(lái)需要在高溫下才能進(jìn)行的的CVD過(guò)程得以在低溫下實(shí)現(xiàn)。過(guò)程得以在低溫下實(shí)現(xiàn)。PECVD的原理及作用的原理及作用 3SiH4+4NH3 Si3N4+12H2.nSi3N4的認(rèn)識(shí)的認(rèn)識(shí):Si3N4膜

5、的顏色隨著它的厚度的變化而變膜的顏色隨著它的厚度的變化而變化，其理想的厚度是化，其理想的厚度是7377nm之間，表面呈現(xiàn)的顏之間，表面呈現(xiàn)的顏色是深藍(lán)色，色是深藍(lán)色，Si3N4膜的折射率在膜的折射率在1.92.1之間為最之間為最佳，與酒精的折射率相乎，通常用酒精來(lái)測(cè)其折射率佳，與酒精的折射率相乎，通常用酒精來(lái)測(cè)其折射率。PECVD的原理及作用的原理及作用 Si/N比對(duì)比對(duì)SiNx薄膜性質(zhì)的影響薄膜性質(zhì)的影響: 電阻率隨電阻率隨x增加而降低增加而降低 折射率折射率n隨隨x增加而增加增加而增加 腐蝕速率隨密度增加而降低腐蝕速率隨密度增加而降低.nSiNx的優(yōu)點(diǎn)：的優(yōu)點(diǎn)： 優(yōu)良的表面鈍化效果優(yōu)良的表

6、面鈍化效果 高效的光學(xué)減反射性能（厚度折射率匹配）高效的光學(xué)減反射性能（厚度折射率匹配） 低溫工藝（有效降低成本）低溫工藝（有效降低成本） 反應(yīng)生成的反應(yīng)生成的H離子對(duì)硅片表面進(jìn)行鈍化離子對(duì)硅片表面進(jìn)行鈍化PECVD的原理及作用的原理及作用 .n物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)： 結(jié)構(gòu)致密，硬度大結(jié)構(gòu)致密，硬度大 能抵御堿、金屬離子的侵蝕能抵御堿、金屬離子的侵蝕 介電強(qiáng)度高介電強(qiáng)度高 耐濕性好耐濕性好PECVD的原理及作用的原理及作用 .Si3N4膜的作用膜的作用:n減少光的反射減少光的反射:良好的折射率和厚度可以良好的折射率和厚度可以促進(jìn)太陽(yáng)光的吸收。促進(jìn)太陽(yáng)光的吸收。n防氧化防氧化:結(jié)

7、構(gòu)致密保證硅片不被氧化。結(jié)構(gòu)致密保證硅片不被氧化。PECVD的原理及作用的原理及作用 .PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)n晶片裝載區(qū)晶片裝載區(qū)n爐體爐體n特氣柜特氣柜n真空系統(tǒng)真空系統(tǒng)n控制系統(tǒng)控制系統(tǒng).PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖.晶片裝載區(qū)：槳、晶片裝載區(qū)：槳、LIFT、抽風(fēng)系統(tǒng)、抽風(fēng)系統(tǒng)、SLS系統(tǒng)。系統(tǒng)。n槳：槳： 由碳化硅材料制成，具有耐高溫、防變形由碳化硅材料制成，具有耐高溫、防變形等等 性能。作用是將石墨舟放入或取出石英管。性能。作用是將石墨舟放入或取出石英管。nLIFT：機(jī)械臂系統(tǒng)，使舟在機(jī)械臂作用下在?。簷C(jī)械臂系統(tǒng)，使舟在機(jī)械臂作用下在小 車、槳、儲(chǔ)存區(qū)之間互相移動(dòng)。車、槳、儲(chǔ)存區(qū)之間互相移動(dòng)

8、。n抽風(fēng)系統(tǒng)：位于晶片裝載區(qū)上方，初步的冷卻石抽風(fēng)系統(tǒng)：位于晶片裝載區(qū)上方，初步的冷卻石 墨舟和一定程度的過(guò)濾殘余氣體墨舟和一定程度的過(guò)濾殘余氣體 nSLS系統(tǒng)：軟著陸系統(tǒng)，控制槳的上下，移動(dòng)范系統(tǒng)：軟著陸系統(tǒng)，控制槳的上下，移動(dòng)范圍在圍在23厘米厘米PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu).爐體：石英管、加熱系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)爐體：石英管、加熱系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)n石英管：爐體內(nèi)有四根石英管，是鍍膜石英管：爐體內(nèi)有四根石英管，是鍍膜 的作業(yè)區(qū)域，耐高溫、防反應(yīng)。的作業(yè)區(qū)域，耐高溫、防反應(yīng)。n加熱系統(tǒng)：位于石英管外，又五個(gè)溫區(qū)。加熱系統(tǒng)：位于石英管外，又五個(gè)溫區(qū)。PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu).PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)冷卻系統(tǒng)：冷卻系統(tǒng)：n是

9、一套封閉的循環(huán)水系統(tǒng)，位于加熱系統(tǒng)的金是一套封閉的循環(huán)水系統(tǒng)，位于加熱系統(tǒng)的金屬外殼，四進(jìn)四出并屬外殼，四進(jìn)四出并 有一個(gè)主管道，可適量有一個(gè)主管道，可適量調(diào)節(jié)流量大小。調(diào)節(jié)流量大小。冷卻系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)冷卻系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)n沒有消耗凈室空氣沒有消耗凈室空氣n不同管間無(wú)熱干涉不同管間無(wú)熱干涉n爐環(huán)境的溫度沒有被熱空氣所提升爐環(huán)境的溫度沒有被熱空氣所提升n空氣運(yùn)動(dòng)（通風(fēng)裝置）沒有使房間污染空氣運(yùn)動(dòng)（通風(fēng)裝置）沒有使房間污染n噪音水平低噪音水平低.冷卻系統(tǒng)示意圖.特氣柜：特氣柜：MFC 氣動(dòng)閥氣動(dòng)閥 MFC：氣體流量計(jì)（：氣體流量計(jì)（NH3 C2F6 SiH4 O2 N2）nSiH4 1.8 slmnNH3

10、10.8 slmnC2F6 3.6 slmnO2 3 slmnN2 15 slm 氣動(dòng)閥：之所以不用電磁閥是因?yàn)殡姶砰y在工作時(shí)容氣動(dòng)閥：之所以不用電磁閥是因?yàn)殡姶砰y在工作時(shí)容易產(chǎn)生火花，而氣動(dòng)閥可以最大程度的避免火花。易產(chǎn)生火花，而氣動(dòng)閥可以最大程度的避免火花。PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu).真空系統(tǒng)真空系統(tǒng)n真空泵：每一根石英管配置一組泵，包真空泵：每一根石英管配置一組泵，包括主泵和輔助泵。括主泵和輔助泵。n蝶閥：可以根據(jù)要求控制閥門的開關(guān)的蝶閥：可以根據(jù)要求控制閥門的開關(guān)的大小，來(lái)調(diào)節(jié)管內(nèi)氣壓的大小，來(lái)調(diào)節(jié)管內(nèi)氣壓的 PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu).控制系統(tǒng)控制系統(tǒng) CMI：是：是 Centrotherm 研發(fā)的

11、一個(gè)控制系統(tǒng)，其中界研發(fā)的一個(gè)控制系統(tǒng)，其中界 面包括面包括 Jobs 、System、Datalog、Setup、 Alarms、Help. n Jobs: 機(jī)器的工作狀態(tài)。機(jī)器的工作狀態(tài)。n System: 四根管子的工作狀態(tài)，舟的狀態(tài)以及手四根管子的工作狀態(tài)，舟的狀態(tài)以及手 動(dòng)操作機(jī)器臂的內(nèi)容。動(dòng)操作機(jī)器臂的內(nèi)容。n Datalog: 機(jī)器運(yùn)行的每一步。機(jī)器運(yùn)行的每一步。 PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu).PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)n Setup: 舟的資料的更改，工藝內(nèi)容的更改，使用權(quán)限舟的資料的更改，工藝內(nèi)容的更改，使用權(quán)限 的更改，的更改，LIFT位置的更改，位置的更改，CMS安區(qū)系統(tǒng)安區(qū)系統(tǒng) （安裝的

12、感應(yīng)器將監(jiān)控重要系統(tǒng)的運(yùn)行情況，（安裝的感應(yīng)器將監(jiān)控重要系統(tǒng)的運(yùn)行情況， 而一旦不受管的計(jì)算機(jī)的控制，而一旦不受管的計(jì)算機(jī)的控制，CMS將會(huì)發(fā)將會(huì)發(fā) 生作用，所有的錯(cuò)誤信息也都會(huì)在生作用，所有的錯(cuò)誤信息也都會(huì)在CIM上得上得以以 簡(jiǎn)潔的文本方式顯示出來(lái)）的更改等。簡(jiǎn)潔的文本方式顯示出來(lái)）的更改等。n Alarms：警報(bào)內(nèi)容：警報(bào)內(nèi)容 n Help: 簡(jiǎn)要的說(shuō)了一下解除警報(bào)以及其他方面的方法簡(jiǎn)要的說(shuō)了一下解除警報(bào)以及其他方面的方法n CESAR：控制電腦，每一個(gè)系統(tǒng)都安裝了：控制電腦，每一個(gè)系統(tǒng)都安裝了CESAR控制控制 電腦及電腦及CESAR 控制軟件，此控制電腦獨(dú)立于控制軟件，此控制電腦獨(dú)立

13、于 主電腦獨(dú)立于主電腦系統(tǒng)中。主電腦獨(dú)立于主電腦系統(tǒng)中。.CESAR控制電腦示意圖控制電腦示意圖運(yùn)行順序控制控制界面數(shù)據(jù)資料記錄溫度特氣真空晶片裝載.PECVD安全注意事項(xiàng)安全注意事項(xiàng)人身安全人身安全n舟和槳從爐管中出來(lái)后帶有高溫，移動(dòng)小車時(shí)要注意不舟和槳從爐管中出來(lái)后帶有高溫，移動(dòng)小車時(shí)要注意不要被燙傷。要被燙傷。n機(jī)器在自動(dòng)運(yùn)行狀態(tài)下嚴(yán)禁進(jìn)入機(jī)器內(nèi)部。機(jī)器在自動(dòng)運(yùn)行狀態(tài)下嚴(yán)禁進(jìn)入機(jī)器內(nèi)部。n進(jìn)入機(jī)器前，需把選擇開關(guān)打到手動(dòng)進(jìn)入機(jī)器前，需把選擇開關(guān)打到手動(dòng)“HAND”，待機(jī)，待機(jī)械手執(zhí)行完命令停下后，方可進(jìn)入機(jī)器。械手執(zhí)行完命令停下后，方可進(jìn)入機(jī)器。n清理管內(nèi)碎片時(shí)需戴上高溫手套和防護(hù)眼鏡。

14、清理管內(nèi)碎片時(shí)需戴上高溫手套和防護(hù)眼鏡。n接觸到碎片時(shí)，務(wù)必戴好乳膠手套，以防刺到手。接觸到碎片時(shí)，務(wù)必戴好乳膠手套，以防刺到手。n做吸筆時(shí)，要防止吸筆切斷的部分對(duì)自己或他人造成傷做吸筆時(shí)，要防止吸筆切斷的部分對(duì)自己或他人造成傷害。害。n上班要精神飽滿，動(dòng)作嚴(yán)禁上班要精神飽滿，動(dòng)作嚴(yán)禁“自主創(chuàng)新自主創(chuàng)新”，必須按章操，必須按章操作作. 設(shè)備設(shè)備 設(shè)施設(shè)施 工夾具的安全工夾具的安全n機(jī)器在生產(chǎn)的過(guò)程中需有人看護(hù)。機(jī)器在生產(chǎn)的過(guò)程中需有人看護(hù)。n未經(jīng)培訓(xùn)合格不得操作設(shè)備，未經(jīng)授權(quán)嚴(yán)禁使用工序未經(jīng)培訓(xùn)合格不得操作設(shè)備，未經(jīng)授權(quán)嚴(yán)禁使用工序長(zhǎng)得權(quán)限操作機(jī)器。長(zhǎng)得權(quán)限操作機(jī)器。 n推小車進(jìn)機(jī)器時(shí)，要首先

15、確定電極孔的位置對(duì)內(nèi)向爐推小車進(jìn)機(jī)器時(shí)，要首先確定電極孔的位置對(duì)內(nèi)向爐體，否則有可能撞壞高頻的兩根電極。體，否則有可能撞壞高頻的兩根電極。n在在SLS處于處于UP位置時(shí)，管內(nèi)有舟不可手動(dòng)進(jìn)槳。位置時(shí)，管內(nèi)有舟不可手動(dòng)進(jìn)槳。n在在SLS處于處于DOWN位置時(shí)，槳上有舟不得手動(dòng)進(jìn)舟。位置時(shí)，槳上有舟不得手動(dòng)進(jìn)舟。n槳上有舟時(shí)，舟不在正確位置，不準(zhǔn)切換到自動(dòng)運(yùn)行槳上有舟時(shí)，舟不在正確位置，不準(zhǔn)切換到自動(dòng)運(yùn)行狀態(tài)。狀態(tài)。 PECVD安全注意事項(xiàng)安全注意事項(xiàng).n舟位于儲(chǔ)存架時(shí)，一定要確認(rèn)儲(chǔ)存架上的感應(yīng)器有沒舟位于儲(chǔ)存架時(shí)，一定要確認(rèn)儲(chǔ)存架上的感應(yīng)器有沒有感應(yīng)到。有感應(yīng)到。 n遇到兩舟向撞時(shí)，立即按壓遇到

16、兩舟向撞時(shí)，立即按壓“HANDLING STOP”。n機(jī)械臂把舟抓到槳上后，工藝無(wú)法正常運(yùn)行，先確定機(jī)械臂把舟抓到槳上后，工藝無(wú)法正常運(yùn)行，先確定舟在槳上的位置，以及舟在槳上的位置，以及Tube=ready、SLS=up 、 TGA=yes，然后進(jìn)行其它操作。，然后進(jìn)行其它操作。n退舟時(shí)，發(fā)生退舟時(shí)，發(fā)生“Boat failure”的警報(bào)，觀察舟的位置的警報(bào)，觀察舟的位置是否正確后才可以對(duì)警報(bào)進(jìn)行復(fù)位。是否正確后才可以對(duì)警報(bào)進(jìn)行復(fù)位。n當(dāng)發(fā)生舟槳分離時(shí)，立即按壓當(dāng)發(fā)生舟槳分離時(shí)，立即按壓“HANDLING STOP”。n清理管內(nèi)碎片要注意熱電偶，清理結(jié)束后一定要將熱清理管內(nèi)碎片要注意熱電偶，清

17、理結(jié)束后一定要將熱電偶放于管子的中間位置，否則進(jìn)退舟時(shí)有可能被撞電偶放于管子的中間位置，否則進(jìn)退舟時(shí)有可能被撞掉。掉。PECVD安全注意事項(xiàng)安全注意事項(xiàng).n從手動(dòng)切換到自動(dòng)狀態(tài)時(shí)，機(jī)械臂一定有在從手動(dòng)切換到自動(dòng)狀態(tài)時(shí)，機(jī)械臂一定有在Middle的的位置，否則機(jī)械臂有可能無(wú)法運(yùn)行而報(bào)警。位置，否則機(jī)械臂有可能無(wú)法運(yùn)行而報(bào)警。n下料后，及時(shí)把小車推到冷卻房，小車解鎖后嚴(yán)禁放下料后，及時(shí)把小車推到冷卻房，小車解鎖后嚴(yán)禁放置設(shè)備中不移走。置設(shè)備中不移走。n推小車時(shí)，不能脫離小車，要豎著推車，如果周圍有推小車時(shí)，不能脫離小車，要豎著推車，如果周圍有人時(shí)應(yīng)事先通知，待回應(yīng)后方可繼續(xù)推行。人時(shí)應(yīng)事先通知，待

18、回應(yīng)后方可繼續(xù)推行。n進(jìn)出舟時(shí)，待舟完全進(jìn)入或者完全退出時(shí)，員工方可進(jìn)出舟時(shí)，待舟完全進(jìn)入或者完全退出時(shí)，員工方可離開。離開。 n小車被鎖定后，嚴(yán)禁轉(zhuǎn)動(dòng)小車托盤。小車被鎖定后，嚴(yán)禁轉(zhuǎn)動(dòng)小車托盤。n拿放石墨舟進(jìn)出柜時(shí)，必須兩個(gè)人，一個(gè)人拿舟，一拿放石墨舟進(jìn)出柜時(shí)，必須兩個(gè)人，一個(gè)人拿舟，一個(gè)人開柜。個(gè)人開柜。n在無(wú)人的情況下，小車托盤必須保持水平狀態(tài)在無(wú)人的情況下，小車托盤必須保持水平狀態(tài) 。PECVD安全注意事項(xiàng)安全注意事項(xiàng).n拿承載盒時(shí)（空），一只手只能拿兩個(gè)。拿承載盒時(shí)（空），一只手只能拿兩個(gè)。n卸片后，承載盒必須放入小車內(nèi)，嚴(yán)禁放在小車蓋子卸片后，承載盒必須放入小車內(nèi)，嚴(yán)禁放在小車蓋子上

19、。上。n工序主管、工序長(zhǎng)不在現(xiàn)場(chǎng)時(shí)，不允許用手移動(dòng)石墨工序主管、工序長(zhǎng)不在現(xiàn)場(chǎng)時(shí)，不允許用手移動(dòng)石墨舟。舟。n出現(xiàn)事故，第一時(shí)間通知值班經(jīng)理到場(chǎng)，且保留現(xiàn)場(chǎng)，出現(xiàn)事故，第一時(shí)間通知值班經(jīng)理到場(chǎng)，且保留現(xiàn)場(chǎng)，絕不允許有隱瞞事故真相的事情發(fā)生。絕不允許有隱瞞事故真相的事情發(fā)生。PECVD安全注意事項(xiàng)安全注意事項(xiàng).產(chǎn)品安全產(chǎn)品安全n進(jìn)入機(jī)器需戴手套不允許手直接接觸石墨舟和進(jìn)入機(jī)器需戴手套不允許手直接接觸石墨舟和小車上的不銹鋼網(wǎng)罩小車上的不銹鋼網(wǎng)罩n從刻蝕間運(yùn)片子時(shí)保證有片子的小車蓋子蓋好從刻蝕間運(yùn)片子時(shí)保證有片子的小車蓋子蓋好n拉到拉到PECVD崗位后，需將片子放入潔凈柜中崗位后，需將片子放入潔凈柜

20、中n保證流到下道工序片子的質(zhì)量保證流到下道工序片子的質(zhì)量n拿片子時(shí)，只允許一只手拿一盒拿片子時(shí)，只允許一只手拿一盒n搬運(yùn)木制承載盒時(shí)，雙手要托住盒子底部搬運(yùn)木制承載盒時(shí)，雙手要托住盒子底部PECVD安全注意事項(xiàng)安全注意事項(xiàng).單（多）晶顏色差單（多）晶顏色差：nA級(jí)片（優(yōu)質(zhì)片）：級(jí)片（優(yōu)質(zhì)片）：?jiǎn)纹姵氐念伾鶆蛞恢拢伾秶鷱乃{(lán)色開始，深藍(lán)色、紅色、黃褐色、到褐色之間允許相近色差(例如:藍(lán)色和深藍(lán)色存在于單體電池上，但是不允許跳色,即藍(lán)到紅)，主體顏色為深藍(lán)色，單體電池最多只允許存在2種顏色。 nB級(jí)片（一級(jí)片）：級(jí)片（一級(jí)片）：?jiǎn)纹姵仡伾痪鶆?，允許存在跳色色差,最多跳一個(gè)相近色(例如：紅

21、色和褐色存在于單體電池上)，主體顏色為藍(lán)色紅色范圍，單體電池最多只允許存在3種顏色。nC級(jí)片（降級(jí)片）：級(jí)片（降級(jí)片）：超過(guò)B合格片的檢驗(yàn)范圍，包括完全未鍍上減反射膜的電池片。判斷判斷PECVD 的產(chǎn)出硅片的質(zhì)量的產(chǎn)出硅片的質(zhì)量.判斷判斷PECVD 的產(chǎn)出硅片的質(zhì)量的產(chǎn)出硅片的質(zhì)量氮化硅顏色與厚度的對(duì)照表顏色顏色厚度厚度（nm）顏色顏色厚度（厚度（nm）顏顏 色色厚度（厚度（nm）硅本色硅本色0-20很淡藍(lán)色很淡藍(lán)色100-110藍(lán)藍(lán) 色色210-230褐褐 色色20-40硅本色硅本色110-120藍(lán)綠色藍(lán)綠色230-250黃褐色黃褐色40-50淡黃色淡黃色120-130淺綠色淺綠色250-2

22、80紅紅 色色55-73黃色黃色130-150橙黃色橙黃色280-300深藍(lán)色深藍(lán)色73-77橙黃色橙黃色150-180紅色紅色300-330藍(lán)藍(lán) 色色77-93紅紅 色色180-190淡藍(lán)色淡藍(lán)色93-100深紅色深紅色190-210.單（多）晶絨面色斑單（多）晶絨面色斑 n A級(jí)片（優(yōu)質(zhì)片）：級(jí)片（優(yōu)質(zhì)片）： 允許有輕微色斑， 允許電池片有未制絨面的部分，允許電池片有未鍍上減反射膜的部分。色斑、未制絨面或未鍍上膜部分的總面積不超過(guò)電池總面積的10%，個(gè)數(shù)不超過(guò)3個(gè)。 nB級(jí)片（一級(jí)片）：級(jí)片（一級(jí)片）： 有不明顯色斑，允許存在未制絨面， 其總面積在不超過(guò)電池片總面積的30%，個(gè)數(shù)不超過(guò)5個(gè)

23、。 nC級(jí)片（降級(jí)片）：級(jí)片（降級(jí)片）： 水痕印、 手指印、斑點(diǎn)以及部分未鍍上膜等）超過(guò)B合格片的檢驗(yàn)范圍。 判斷判斷PECVD 的產(chǎn)出硅片的質(zhì)量的產(chǎn)出硅片的質(zhì)量色斑（水痕印、手指印、斑點(diǎn)以及部分未鍍上膜）色斑（水痕印、手指印、斑點(diǎn)以及部分未鍍上膜）.單（多）晶光面色斑單（多）晶光面色斑 nA級(jí)片（優(yōu)質(zhì)片）：級(jí)片（優(yōu)質(zhì)片）： 允許有輕微色斑，允許電池片有未鍍上減反射膜的部分。色斑或未鍍上膜部分的總面積不超過(guò)電池總面積的5%，個(gè)數(shù)不超過(guò)2個(gè)。 nB級(jí)片（一級(jí)片）：級(jí)片（一級(jí)片）：有不明顯色斑，允許存在未制絨面，其總面積在不超過(guò)電池片總面積的15%，個(gè)數(shù)不超過(guò)5個(gè)。 nC級(jí)片（降級(jí)片）：級(jí)片（降級(jí)

24、片）： 水痕印、手指印、斑點(diǎn)以及部分未鍍上膜等）超過(guò)B合格片的檢驗(yàn)范圍。判斷判斷PECVD 的產(chǎn)出硅片的質(zhì)量的產(chǎn)出硅片的質(zhì)量色斑（水痕印、手指印、斑點(diǎn)以及部分未鍍上膜）色斑（水痕印、手指印、斑點(diǎn)以及部分未鍍上膜）白斑、亮點(diǎn)色斑不受面積和個(gè)數(shù)的限制一律是白斑、亮點(diǎn)色斑不受面積和個(gè)數(shù)的限制一律是C級(jí)片級(jí)片 .判斷判斷PECVD 的產(chǎn)出硅片的質(zhì)量的產(chǎn)出硅片的質(zhì)量亮點(diǎn)色斑鍍膜時(shí)間太短水紋印色斑色差.nA級(jí)片（優(yōu)質(zhì)片）：級(jí)片（優(yōu)質(zhì)片）：邊緣缺口：非三角缺口或非尖銳型缺口，長(zhǎng)度3mm,深度0.5mm,數(shù)量2個(gè)。 nB級(jí)片（一級(jí)片）：邊緣缺口：非三角缺口或非尖銳型缺口，缺損不超過(guò)電極，長(zhǎng)度5mm, 深度1.

25、0mm,數(shù)量3個(gè)。n級(jí)片（降級(jí)片）：級(jí)片（降級(jí)片）：邊角缺損多晶電池片。n 缺陷片：缺陷片：多晶超過(guò)C降低片的要求。 判斷判斷PECVD 的產(chǎn)出硅片的質(zhì)量的產(chǎn)出硅片的質(zhì)量崩邊、缺口、掉角崩邊、缺口、掉角 .n級(jí)片（優(yōu)質(zhì)片）：級(jí)片（優(yōu)質(zhì)片）：四角缺口：非三角缺口或非尖銳型缺口，尺寸1.51.5（mm），數(shù)量1個(gè)。n級(jí)片（一級(jí)片）：級(jí)片（一級(jí)片）：四角缺口：非三角缺口或非尖銳型缺口，尺寸22（mm），數(shù)量1個(gè)。n級(jí)片（降級(jí)片）：級(jí)片（降級(jí)片）：125多晶：任一邊角缺損1818 mm，可將四個(gè)邊角同時(shí)切去18mm,角度為45度，成為125單晶形狀。n缺陷片：缺陷片：?jiǎn)尉С^(guò)B合格片的要求。 判斷判斷

26、PECVD 的產(chǎn)出硅片的質(zhì)量的產(chǎn)出硅片的質(zhì)量崩邊、缺口、掉角崩邊、缺口、掉角 .n級(jí)片（優(yōu)質(zhì)片）：級(jí)片（優(yōu)質(zhì)片）：細(xì)長(zhǎng)型缺口：長(zhǎng)度10 mm，深度0.5 mm，數(shù)量1個(gè)。n級(jí)片（一級(jí)片）：級(jí)片（一級(jí)片）：細(xì)長(zhǎng)型缺口：長(zhǎng)度15 mm，深度1 mm，數(shù)量1個(gè)。n級(jí)片（降級(jí)片）：級(jí)片（降級(jí)片）：150多晶：任一邊角缺損88 mm，可將四個(gè)邊角同時(shí)切去8mm,角度為45度，成為150單晶形狀。156多晶：任一邊角缺損1414 mm，可將四個(gè)邊角同時(shí)切去14mm,角度為45度，成為156單晶形狀。n缺陷片：缺陷片：?jiǎn)尉С^(guò)B合格片的要求。判斷判斷PECVD 的產(chǎn)出硅片的質(zhì)量的產(chǎn)出硅片的質(zhì)量崩邊、缺口、掉

27、角崩邊、缺口、掉角 .PECVD的工藝衛(wèi)生和的工藝衛(wèi)生和6S n操作前，必須戴上汗布手套、乳膠手套、口罩，食操作前，必須戴上汗布手套、乳膠手套、口罩，食指上的乳膠可以除去。指上的乳膠可以除去。n石英吸筆的吸盤上必須貼有海綿墊。石英吸筆的吸盤上必須貼有海綿墊。n海綿墊需定時(shí)更換，更換的周期是三個(gè)班（八小時(shí)海綿墊需定時(shí)更換，更換的周期是三個(gè)班（八小時(shí)制），必要時(shí)可以提前更換。制），必要時(shí)可以提前更換。n保持工作桌面的整潔以及整理硅片的層壓皮干凈。保持工作桌面的整潔以及整理硅片的層壓皮干凈。n保持保持PECVD機(jī)、冷卻房、裝片房、潔凈柜等的潔凈機(jī)、冷卻房、裝片房、潔凈柜等的潔凈度。度。n保持機(jī)器內(nèi)和地面上沒有碎片及其它異物。保持機(jī)器內(nèi)和地面上沒有碎片及其它異物。n工