共軛聚合物理論模型和計(jì)算方法_第1頁
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1、共軛聚合物理論模型和計(jì)算方法本工作中*我們采用一締絮束縛的Su-Schrieffer-HeegerfSSHW型來描述電子”晶格間榕互作用,擴(kuò)瞬的Hubbanjffi型來搐述電了-電子相互作用。SSHffi型足有機(jī)英馳聚合物研究中豊為經(jīng)興的理論模型1979年$応Schriefftr.Hecgcr等建立該模型并成功地解決了孤子問倉(cāng)叫極大地推動(dòng)了有機(jī)共馳聚合物研究的發(fā)展.考慮電子間的相互作用后,共歳聚合物體系變成臭子務(wù)體問題根難精確求但齊慮到聚會(huì)物不是強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系.我們可以將問耐進(jìn)疔簡(jiǎn)化.即采用較簡(jiǎn)單Hubbard模里或擴(kuò)展HubbanJ模型并通過Hatree-Fock平均場(chǎng)近似方法來處理電子一電子相

2、互作用樹把聚乙塊分子近似為亠維體系.除了用皚子,b電子和其他電子都是定域在各個(gè)元胞上.于是.體系總能粗包含電子能it<Z7f)和晶格原子腌畳部ih先討論電子能量,由于強(qiáng)的電聲耦合.電子會(huì)登到晶格形成的周期性勢(shì)場(chǎng)作用.假設(shè)第科亍晶格原子的平衡位置為卑.發(fā)生拉移斗后.也置變?yōu)椋浑娮觙的位置應(yīng)晶格康子丹對(duì)電子(產(chǎn)生的特能為片一心X整條罹匕所有晶格原子對(duì)電子f產(chǎn)生的勢(shì)能則為電子f的動(dòng)能可以表示為巫,其中氏是電子f的動(dòng)盤,E為電子質(zhì)量.對(duì)所有電子的能僮求和2m便得到電子總能董;*L2m*J)晶格原子能*則可以表示為:<2+2)其中K杲彈性常數(shù):M(列3礙,峰是廣予質(zhì)量是TCH單體的歳說。將電

3、子動(dòng)愷已用動(dòng)承策符-加豈表示:由干原子晶格質(zhì)盤遠(yuǎn)大于電子.量子效應(yīng)弱*翫以按照經(jīng)典物理的方法進(jìn)行處理,體系的哈邂頓胃為HH八-Z噲巧礙工(廠L2加-2黑2用(23)為了簡(jiǎn)化(23)式,先討論任意電子在晶格勢(shì)場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng).單電子的Schrodinger方程為士4/(r)=£T(r)99(2.4)當(dāng)該電子位于第個(gè)原子晶格附近時(shí),受到的勢(shì)能作用可以表示為?(尸-&),其它晶格的勢(shì)能之和工“/(一心)比珂一&)小得多,視為微擾,在零級(jí)近似下可以忽絡(luò)卩一這就是緊束縛近似。于是,方程(2.4)簡(jiǎn)化為電子位于第“個(gè)孤立晶格上的Schrodinger方程-著w+D(r)5(尸)胡)-著

4、w+D(r)5(尸)胡)(2.5)efO和乞分別是孤立原子晶格對(duì)應(yīng)的電子本征波函數(shù)和本征值由于不同晶格的波函數(shù)。”(尸)相互簡(jiǎn)并,方程(2.4)的零級(jí)近似波函數(shù)為e”(尸)的線性組合屮(尸2工勺®(?。?.6)i其中勺是展開系數(shù),模方|c為電子出現(xiàn)在第/個(gè)原子晶格附近的幾率。方程(2.6)和(2.4)聯(lián)立,得到勺的方程工疏-錢宀工叫一心陽尸)二吃cQ"),(2.7)I如I需要注意的是,不同原子晶格上的電子波函數(shù)有兩個(gè)特點(diǎn):一是相互之間很少交疊,二是基本上相互正交根據(jù)電子波函數(shù)這些特點(diǎn),由方程(2.7)和(2.5)可得:恥»陋(尸心(7)必心號(hào),(2.8)/占顯然,

5、方程(2.8)中,只有晶格加和/最鄰近時(shí),其晶格波函數(shù)才有交疊,否則,晶格波函數(shù)不會(huì)交疊。用公式表達(dá),則有AI=mTg-&)Z=m±l,(2.9)0others其中7(R)為最鄰近晶格之間的相互作用能.將上式代入方程(2.8)中,得到:-K心-W*-KhRjki=(E-E。-心.(210此為確定c的方程.當(dāng)體系中有N個(gè)電子時(shí),可以從瓦尼爾表象出發(fā),通過二次星子化可得到N個(gè)電子的哈密頓.比=Vr)h(r)dr=c:cJe;(尸)/2mh2w+DUmm-w+y(一朋+工/(一出)耐=工也毋+"(一&)r(T)drifMr=卩c/crEQ/+朋“-"(斗

6、-)=(E。(Rg-R)(c;2+c;c/4I)/i取(Ea+X)為能星零點(diǎn),N個(gè)電子的哈密頓量為H.%(心-&)(£曲+去J(21)(22)由于晶格偏離平衡位置的位移非常小,即(23)(23)卜*7|=(心一&)-(心瓷)6所以把最鄰近晶格原子間相互作用能g-Rj取一級(jí)近似f(心I&)=(也-瓷)+今%y(Ja("”1叫)其中表示平衡位置時(shí)相鄰晶格原子的相互作用,其中表示平衡位置時(shí)相鄰晶格原子的相互作用,(24)是上述相互作用隨晶格間距離的變化率.方程(2.12)和(2.14)聯(lián)立,得到體系的哈密頓童為Ha=H八=-a(j-/)(c打c.+c

7、74;J+£(“J+n乙.Zu(2.15)其中,是電子在近鄰晶格之間的躍遷積分,描述的是碳原子之間的相互作用能,其強(qiáng)弱反應(yīng)了電子在原子間跳躍的能力;a為電子晶格耦合常數(shù),描述的是電聲相互作用(";£,(%)分別是第”個(gè)格點(diǎn)上、自旋為s的電子的產(chǎn)生(湮滅)算符.這里,由于原子質(zhì)僵遠(yuǎn)大于電子質(zhì)量,公式(2.15)后兩項(xiàng)仍然可以使用經(jīng)典描述,不必使用算符.上式即為原始的Su-Schriefifer-Heeger(SSH)模型,是三位科學(xué)家1979年首次用來研究反式聚乙烘的哈密頓量。在聚乙烘中,上述各參量取值分別為:to=2.5eV;a=4.leV/A;K=2leV/A2

8、,Af=1349.AV.fi1/A2(2.16)1980年,Brazovskii161和Campbel研究了基態(tài)非簡(jiǎn)并聚合物中的派爾斯相變,在連續(xù)模型的基礎(chǔ)上提岀了修正方案。利用對(duì)稱破缺項(xiàng)/,消除基態(tài)A相和B相之間的簡(jiǎn)并I嘰修改后的SSH哈密頓*為-%)+(-】)"+血);u(2.17)+亍2(%+藥工必厶鼻L992.2Hubbard模型一般認(rèn)為,聚合物中的基本物理過程取決于兩種作用,電子聲子相互作用,電子電子相互作用。SSH模塑只考虔了前者,忽略了后者。而實(shí)際過程中,無論是體系的電荷分配,還是電子的躍遷過程中,電子之間的庫(kù)侖作用都將產(chǎn)生重要形響。1963年,在討論過渡金屬窄d帶中的

9、電子關(guān)聯(lián)問題時(shí),Hubbard提出了描述電子電子相互作用的模型:比工5叫為自旋相反電子間的庫(kù)侖斥0力其中m=<cw為格點(diǎn)i上電子數(shù)這一模型被稱為Hubbard模型現(xiàn)Hubbard模型只考虎了同一格點(diǎn)電子間的相互作用,而忽略了其他長(zhǎng)程庫(kù)侖作用,所以不能夠完全反映體系內(nèi)部的結(jié)合能及更高能量上的非局域激發(fā)態(tài)。因此,在Hubbard模型基礎(chǔ)上又加入了最鄰近格點(diǎn)電子間相互作用Z于是有:(28)稱為擴(kuò)展的Hubbard模型.采用Hartree-Fock近似.即把多電子問題化為單電子問題,把其他電子對(duì)某電子的作用視為平均場(chǎng).電子只受到源于電子電子相互作用的庫(kù)侖勢(shì)及交換勢(shì)作用,而忽略電子間關(guān)聯(lián)能.在Ha

10、rtreeFock近似下,電子電子相互作用哈密鎖的形式為:其中和卩分別表示同一格點(diǎn)上自施相反電子間的相互作用和鄰近格點(diǎn)上的電子相互作用.由于每個(gè)格點(diǎn)上電子自族向上和向下的幾率各占1/2,所以加入常數(shù)項(xiàng)1/2。23效值計(jì)算方法我們以最簡(jiǎn)車的聚乙快分子為例.來介紹基于SSH模型的自洽迭代計(jì)算。用一套“”來表示聚乙塊分子中各個(gè)原子晶格的位形,根據(jù)SSH哈密頓想(2.17),分子中電子的總能塑為:鳳八/"(叫十叫(2.20)用乙和學(xué)“來表示體系中的電子能譜和定態(tài)波函數(shù),則有產(chǎn)沖*<2.21)在Wannier表象中,電子波函數(shù)可以表示為原子波函數(shù)的線性組合,即|»)=<|

11、0)(222)將(2.22)式代入本征方程(2.21兩邊在乘以加|得求解此方程得便可到電子能譜»(%)和本征波函數(shù)/(“”)根據(jù)電子能譜可求出體系電子和晶格能量的總和。E(叫卜&,(%)+#(J(2.24)CCC乙R下床OCC”表示根據(jù)電子占據(jù)態(tài)求和。對(duì)于開鏈體系,為了防止鏈的塌縮,加上一個(gè)約束條件使鏈長(zhǎng)保持不變儀.工(7”)=0(2.25由變分原理,對(duì)(2.24)式中(“*叫)求變分,得到另一個(gè)自洽方程-叫=sZ:."Z;”-萬£工Z;#Z:*(2.26)用迭代法求解耦合方程(223)和(2.26):任意構(gòu)造一套晶格位形叫-帶入電子哈密頓-解得電子的本征

12、能量叮和本征波函數(shù)乙一能量極小確定的自洽方程-一套新的晶格位形“:如此重復(fù)迭代,直到體系的優(yōu)化晶格位形,能譜和波函數(shù)穩(wěn)定。我們用擴(kuò)展的Hubbard模型來描述電子電子相互作用,采用Hartrcc-fbck近似進(jìn)行處理,本征方程(2.23)變成&:Z:廠嚴(yán)洛同+罔如+叫)*:,叱叫)Z:沖(2.29)其中y(2.30)(231)分別是格點(diǎn)電荷密度和鍵電荷密度。2.4半經(jīng)翼動(dòng)力學(xué)方法本工作所采用的哈密頓是在SSH哈密頓基礎(chǔ)上.加入Brazoskii-Kirova對(duì)稱破缺項(xiàng)、外加電場(chǎng)引起的附加勢(shì)能.以及電子電子相互作用項(xiàng)。其形式為h=hhjh“其中第項(xiàng)為SSH哈密頓(2.32)(2.32)(2.33)(2.34)其中U為同一格點(diǎn)電子間相互作用,/為最鄰近電子間相互作用腦為外電場(chǎng)引起的附加勢(shì)能,其表達(dá)式為:兀嚴(yán)眨+叫eg-*其中e為電子電量,o為晶格常數(shù)。體系晶格位形隨時(shí)間的演化由運(yùn)動(dòng)方程決定,M%二-圧也一叫歸-叫丿+加工就”-壬小s9G其中,密度矩陣Q定義為氏遼(0A,略,1(2.35)(236)(2.37)%"工匚J-叫)+(-1兀

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