數(shù)字電子技術 第七章_半導體存儲器_第1頁
數(shù)字電子技術 第七章_半導體存儲器_第2頁
數(shù)字電子技術 第七章_半導體存儲器_第3頁
數(shù)字電子技術 第七章_半導體存儲器_第4頁
數(shù)字電子技術 第七章_半導體存儲器_第5頁
已閱讀5頁，還剩18頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、！單元數(shù)龐大！輸入/輸出引腳數(shù)目有限EPROMROMROM可擦除的可編程可編程掩模RAMRAM動態(tài)靜態(tài)A0An-1W0W(2n-1)D0Dm寫是一次性編程，不能改！編程時將不用的熔斷有出廠時，每個結點上都熔絲由易熔合金制成寫入時，要使用編程器)(管浮柵隧道氧化層采用點擦除慢，操作不便的缺為克服MOSFLOTOXUVEPROM“隧道效應”電子會穿越隧道）當場強達到一定大小（厚度之間有小的隧道區(qū)，與,/cmVmSiODGf78210102（隧道區(qū)）區(qū)有極小的重疊區(qū)與）更?。ㄅc襯底間SGnmOSGfif15102的正脈沖，加接），加正壓（，充電利用雪崩注入方式向工作原理：usVGVVSDGcssf1

2、01206*上電荷經(jīng)隧道區(qū)放電的正脈沖加放電，利用隧道效應fsscfGnsVVGG100120,SCWRAAOIOI片選信號：寫信號：讀地址線：數(shù)據(jù)線：/70701024 x 8RAM70OIOI.9870AAAA,.WRWRAAAAOIOI寫信號：讀地址線：數(shù)據(jù)線：/987070,):(110025625670A個地址個字，需要每一片提供SCYYAAAA分別接四片的譯成即將兩位代碼區(qū)分四片用,308989102376876751251125625501110010007070707,AAAAAAAA四片的地址分配就是：89AA4321SCSCSCSCA0An-1W0W(2n-1)ABCDDCBAYDCBADABCYBCDADBCDCBAYCBABCAYROM4321產(chǎn)生：用),(),(

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論