國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體前道設(shè)備廠商對(duì)比研究

1、半導(dǎo)體景氣下行壓力下，設(shè)備環(huán)節(jié)主要看點(diǎn)在哪？市場(chǎng)擔(dān)憂(yōu)半導(dǎo)體行業(yè)景氣度下行，國(guó)內(nèi)晶圓廠資本開(kāi)支規(guī)劃放緩，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)面臨壓力。我們認(rèn)為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商有望維持業(yè)績(jī)高增長(zhǎng)，主要邏輯：1）國(guó)內(nèi)晶圓產(chǎn)能全球占比低，尤其在存儲(chǔ)領(lǐng)域，國(guó)內(nèi) DRAM、NAND Flash 廠商份額全球占比僅低個(gè)位數(shù)，存儲(chǔ)芯片標(biāo)準(zhǔn)化程度更高，依賴(lài)規(guī)模擴(kuò)張降低成本、提高競(jìng)爭(zhēng)力，國(guó)內(nèi)以存儲(chǔ)廠商為代表的晶圓廠資本開(kāi)支有望維持高水平。2）當(dāng)前階段國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商份額提升非線(xiàn)性，份額的加速提升將助力設(shè)備廠商業(yè)績(jī)高增長(zhǎng)?？袋c(diǎn) 1：國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)穿越周期，成長(zhǎng)為核心屬性半導(dǎo)體是周期型行業(yè)，更是成長(zhǎng)型行業(yè)。技術(shù)升級(jí)、產(chǎn)品創(chuàng)新

2、是半導(dǎo)體需求提升的直接驅(qū)動(dòng)因素，在以 5G、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車(chē)、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、醫(yī)療電子和安防電子等為主的新興應(yīng)用領(lǐng)域強(qiáng)勁需求的帶動(dòng)下，半導(dǎo)體中長(zhǎng)期需求樂(lè)觀，SUMCO 預(yù)計(jì) 2021-2025 年全球 12 英寸晶圓需求的復(fù)合增速將達(dá) 10.2%。圖 1：半導(dǎo)體中長(zhǎng)期需求樂(lè)觀SUMCO、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)向中國(guó)大陸擴(kuò)散，設(shè)計(jì)、制造、設(shè)備等環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化配套空間廣闊?？v觀全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程，經(jīng)歷了由美國(guó)向日本、向韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)及中國(guó)大陸的幾輪產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。目前中國(guó)大陸正處于智能電動(dòng)汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等行業(yè)快速崛起的進(jìn)程中，已成為全球最重要的半導(dǎo)體應(yīng)用和消費(fèi)市場(chǎng)。歷史上第一次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移到日本及第二

3、次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移到韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)都帶動(dòng)了當(dāng)?shù)禺a(chǎn)業(yè)的發(fā)展、垂直化分工進(jìn)程的推進(jìn)和資源優(yōu)化配置。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在縱深維度仍有廣闊發(fā)展空間，半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備行業(yè)有望迎來(lái)快速增長(zhǎng)。圖 2：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在向中國(guó)大陸擴(kuò)散數(shù)據(jù)來(lái)源：盛美上海招股書(shū)、中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)穿越周期，成長(zhǎng)是最核心屬性。2012 年以來(lái)，盡管半導(dǎo)體行業(yè)存在周期性波動(dòng)，但中國(guó)大陸半導(dǎo)體銷(xiāo)售額始終維持正增長(zhǎng)，2012 年至今年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá) 30%以上。圖 3：成長(zhǎng)是中國(guó)大陸半導(dǎo)體市場(chǎng)最核心屬性中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額（十億美元）yoy3580%3060%2540%2020%150%105-20%0Wind、201120122013201

4、42015201620172018201920202021-40%國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)能占比低，投入確定性強(qiáng)。全球芯片制造產(chǎn)能中，存儲(chǔ)芯片占比超 30%，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)是半導(dǎo)體設(shè)備需求的主要來(lái)源之一。存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化程度高、規(guī)模效應(yīng)顯著，國(guó)內(nèi)在 Dram、3D NAND 領(lǐng)域份額占比僅低個(gè)位數(shù)，亟需在提升技術(shù)實(shí)力的同時(shí)擴(kuò)大產(chǎn)能提升競(jìng)爭(zhēng)力，未來(lái)資本開(kāi)支投入的確定性強(qiáng)。圖 4：21Q4 全球 NAND Flash 市場(chǎng)格局圖 5：2021 年全球 DRAM 市場(chǎng)格局英特爾, 6%其他, 3%其他, 6%美光, 23%三星, 44%SK海力士,28%美光, 11%西部數(shù)據(jù), 12%三星, 34%鎧俠, 2

5、0%SK海力士, 15%CFM 閃存市場(chǎng)、IC insight、國(guó)內(nèi)主要晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃明確。國(guó)內(nèi)晶圓代工龍頭廠商中芯國(guó)際目前中芯京城項(xiàng)目 2021 年開(kāi)始建設(shè)，今年有望逐步進(jìn)入設(shè)備采購(gòu)階段，中芯深圳、臨港廠區(qū)也于今年啟動(dòng)建設(shè)，三條產(chǎn)線(xiàn)總投資超千億元。國(guó)內(nèi) NAND 存儲(chǔ)龍頭長(zhǎng)江存儲(chǔ)及 DRAM 龍頭合肥長(zhǎng)鑫處于二期廠房建設(shè)階段，兩家廠商三期項(xiàng)目總投資超 3000 億元，設(shè)備需求也將持續(xù)釋放。圖 6：國(guó)內(nèi)主要晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃項(xiàng)目投資金額設(shè)計(jì)產(chǎn)能項(xiàng)目進(jìn)度中芯國(guó)際中芯京城項(xiàng)目497 億元10 萬(wàn)片/月12 英寸晶圓2021 年開(kāi)始建設(shè)中芯深圳項(xiàng)目23.5 億美元4 萬(wàn)片/月12 英寸晶圓2022 年開(kāi)

6、始生產(chǎn)中芯臨港項(xiàng)目88.7 億美元10 萬(wàn)片/月12 英寸晶圓2022 年正式啟動(dòng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目1600 億元30 萬(wàn)片/月2020 年 6 月二期開(kāi)工合肥長(zhǎng)鑫長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存自主制造項(xiàng)目1500 億元36 萬(wàn)片/月2021 年 6 月 2 期開(kāi)工數(shù)據(jù)來(lái)源：相關(guān)公司官網(wǎng)及公告、國(guó)內(nèi)芯片制造產(chǎn)能占比預(yù)計(jì)持續(xù)提升，成長(zhǎng)仍將是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)核心屬性。中國(guó)大陸在半導(dǎo)體制造方面保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)中國(guó)大陸將在十年中增加全球 40%的新半導(dǎo)體制造能力。集微咨詢(xún)統(tǒng)計(jì)，目前大陸 12 英寸晶圓月產(chǎn)能約為 104 萬(wàn)片，預(yù)計(jì) 2026 年底，總月產(chǎn)能將超過(guò) 276 萬(wàn)片，提高 165%。圖 7：不同地

7、區(qū)芯片制造能力圖 8：中國(guó)大陸 12 英寸晶圓月產(chǎn)能預(yù)測(cè)中國(guó)大陸地區(qū)12英寸晶圓月產(chǎn)能（單位：萬(wàn)片）276.387.7104.2300250200150100500202020212026ECabot Microelectronics、愛(ài)集微、看點(diǎn) 2：國(guó)產(chǎn)化率提升非線(xiàn)性，份額加速提升助力高增長(zhǎng)國(guó)產(chǎn)化率提升為當(dāng)前設(shè)備核心增長(zhǎng)邏輯，份額非線(xiàn)性加速提升帶來(lái)高增長(zhǎng)。 中美貿(mào)易摩擦和設(shè)備禁令帶來(lái)的供應(yīng)鏈安全問(wèn)題增長(zhǎng)了國(guó)內(nèi)制造廠商使用國(guó)產(chǎn)化設(shè)備的意愿。2020 年中芯國(guó)際已被美國(guó)政府納入“實(shí)體清單”，2021 年 11 月，12 家中企被納入“實(shí)體清單”，有 7 家涉足半導(dǎo)體領(lǐng)域。以中芯國(guó)際為代表的國(guó)內(nèi)

8、晶圓廠在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域所面臨的斷供風(fēng)險(xiǎn)越來(lái)越大，相關(guān)公司開(kāi)始扶持本土供應(yīng)商，催化國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)備等領(lǐng)域的布局，大面積國(guó)產(chǎn)替代興起。圖 9：半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率有望加速提升圖 10：華海清科 CMP 市場(chǎng)份額加速提升華海清科CMP業(yè)務(wù)收入-百萬(wàn)元國(guó)內(nèi)市占率1800160014001200100080060040020002% 2%10%13%18%35%32%30%25%20%15%10%5%0%201720182019202020212022E數(shù)據(jù)來(lái)源：整理Wind、當(dāng)前階段國(guó)內(nèi)各家半導(dǎo)體設(shè)備廠商產(chǎn)品覆蓋度如何？在同一制程水平下，理解國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商產(chǎn)品覆蓋度的三個(gè)層次：1）已覆蓋設(shè)備環(huán)節(jié)；2

9、）環(huán)節(jié)內(nèi)細(xì)分品類(lèi)覆蓋；3）單品類(lèi)工藝覆蓋。覆蓋的設(shè)備環(huán)節(jié)即光刻、薄膜沉積、刻蝕等大類(lèi)。細(xì)分品類(lèi)覆蓋以薄膜沉積為例，薄膜沉積設(shè)備可分為 PVD、LPCVD、APCVD、PECVD 等細(xì)分類(lèi)別，不同廠商覆蓋品類(lèi)有所差異。對(duì)于某一個(gè)品類(lèi)的設(shè)備，以 PECVD 為例，也需要滿(mǎn)足不同工藝的需求，比如 SiO2、SiN、SiON、BPSG 等工藝，工藝的覆蓋度也限制設(shè)備廠商的市場(chǎng)拓展。但限于工藝覆蓋數(shù)據(jù)多為非公開(kāi)數(shù)據(jù)，本報(bào)告以下分析中各家設(shè)備廠商產(chǎn)品覆蓋度僅計(jì)算至細(xì)分品類(lèi)覆蓋度。圖 11：理解半導(dǎo)體設(shè)備廠商市場(chǎng)覆蓋度的三個(gè)層次拓荊科技公告、整理僅從當(dāng)前時(shí)點(diǎn)的產(chǎn)品覆蓋來(lái)看，北方華創(chuàng)在集成電路前道領(lǐng)域產(chǎn)品覆蓋

10、最廣，其設(shè)備涵蓋刻蝕、薄膜沉積、熱處理、清洗領(lǐng)域，其次是北京屹唐，覆蓋去膠、熱處理、刻蝕環(huán)節(jié)，盛美上海亦有多種產(chǎn)品覆蓋，涵蓋清洗、熱處理、薄膜沉積。 其余大多數(shù)企業(yè)目前專(zhuān)注于一個(gè)或兩個(gè)領(lǐng)域，深耕細(xì)分市場(chǎng)，持續(xù)提升所屬環(huán)節(jié)市場(chǎng)份額。圖 12：國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商現(xiàn)有產(chǎn)品（前道設(shè)備）前道熱處理光刻刻蝕清洗離子注入薄膜沉積拋光去膠檢測(cè)與量測(cè)氧化爐RTP設(shè)備涂膠顯影光刻機(jī)干法刻蝕清洗機(jī)離子注入機(jī)PVDCVDALDCMP設(shè)備去膠機(jī)檢測(cè)設(shè)備量測(cè)設(shè)備北方華創(chuàng)中微公司盛美上海北京屹唐拓荊科技中科飛測(cè)精測(cè)電子芯源微至純科技華海清科凱世通數(shù)據(jù)來(lái)源：公司公告、依據(jù) Gartner 2021 年各類(lèi)半導(dǎo)體前道設(shè)備市場(chǎng)規(guī)

11、模占比的數(shù)據(jù)進(jìn)行推算，以設(shè)備大類(lèi)來(lái)計(jì)算，目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商產(chǎn)品覆蓋度最高的三家廠商為北方華創(chuàng)、中微公司及盛美上海，產(chǎn)品覆蓋度分別達(dá)到 51%、44%和 29%，拓荊科技由于卡位核心設(shè)備環(huán)節(jié)，產(chǎn)品市場(chǎng)覆蓋度按大類(lèi)來(lái)看亦達(dá)到 22%。圖 13：前道制造設(shè)備投資占比-20212%2% 1%3%4%5%11%8%20%22%22%刻蝕設(shè)備薄膜沉積設(shè)備光刻機(jī)檢測(cè)設(shè)備清洗設(shè)備涂膠顯影設(shè)備CMP設(shè)備熱處理設(shè)備離子注入機(jī)去膠設(shè)備 其他Gartner、圖 14：國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商前道市場(chǎng)覆蓋度（按設(shè)備大類(lèi)計(jì)算）前道市場(chǎng)覆蓋度（按設(shè)備大類(lèi)）51%44%29%25%22%11%11%9%5%3%2%60%50%

12、40%30%20%10%0%Gartner、相關(guān)公司官網(wǎng)、測(cè)算注：各公司覆蓋度=所覆蓋設(shè)備大類(lèi)在前道設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模占比的總和不同設(shè)備大類(lèi)細(xì)分品類(lèi)數(shù)量差異較大，國(guó)內(nèi)廠商覆蓋度亦有較大差異。上文口徑按照設(shè)備大類(lèi)進(jìn)行計(jì)算，但由于每個(gè)環(huán)節(jié)的半導(dǎo)體設(shè)備內(nèi)亦有眾多細(xì)分，所以設(shè)備廠商當(dāng)前時(shí)點(diǎn)實(shí)際產(chǎn)品覆蓋度需要考慮到公司所做具體設(shè)備品類(lèi)在所在環(huán)節(jié)中的市場(chǎng)規(guī)模占比。清洗、CMP、離子注入等環(huán)節(jié)產(chǎn)品細(xì)分品類(lèi)相對(duì)較少，國(guó)內(nèi)部分廠商目前已達(dá)到較高的產(chǎn)品覆蓋度水平（圖 15 至純科技、華海清科、凱世通），達(dá)到 80%以上的水平，以檢測(cè)及量測(cè)設(shè)備為代表的細(xì)分產(chǎn)品分類(lèi)眾多的設(shè)備大類(lèi)，國(guó)內(nèi)相關(guān)廠商目前產(chǎn)品覆蓋度依然較低（圖 1

13、5 中科飛測(cè)、精測(cè)電子），細(xì)分產(chǎn)品覆蓋度僅 20%左右的水平。圖 15： 國(guó)內(nèi)各家半導(dǎo)體設(shè)備廠商在當(dāng)前涉足環(huán)節(jié)細(xì)分品類(lèi)覆蓋度對(duì)比已覆蓋細(xì)分品類(lèi)未覆蓋細(xì)分品類(lèi)100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%相關(guān)公司官網(wǎng)及公告、測(cè)算注：細(xì)分品類(lèi)市場(chǎng)占比數(shù)據(jù)來(lái)自與外發(fā)報(bào)告半導(dǎo)體前道設(shè)備研究框架已覆蓋細(xì)分品類(lèi)占比=細(xì)分品類(lèi)覆蓋度（圖 16）/設(shè)備大類(lèi)覆蓋度（圖 14）細(xì)化至細(xì)分設(shè)備品類(lèi)，北方華創(chuàng)、中微公司、北京屹唐產(chǎn)品覆蓋度國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。進(jìn)一步考慮了細(xì)分品類(lèi)的覆蓋度情況后，國(guó)內(nèi)覆蓋度前三位依次為北方華創(chuàng)、中微公司、北京屹唐，在半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)產(chǎn)品覆蓋度分別可以達(dá)到 30%、23%和 17%

14、。圖 16：國(guó)內(nèi)各前道設(shè)備廠商產(chǎn)品覆蓋度對(duì)比（按細(xì)分品類(lèi)）前道市場(chǎng)覆蓋度（按細(xì)分品類(lèi)）30%23%18%11%8%2%3%4%4%3%2%35%30%25%20%15%10%5%0%相關(guān)公司官網(wǎng)及公告、測(cè)算注：各廠商細(xì)分品類(lèi)覆蓋度=所覆蓋設(shè)備大類(lèi)市場(chǎng)占比*所覆蓋細(xì)分品類(lèi)市場(chǎng)占比多維度探討國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商的成長(zhǎng)性國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商成長(zhǎng)迅速。2018-2021 年，國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體廠商營(yíng)業(yè)收入實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)，2021 年大部分企業(yè)實(shí)現(xiàn) 35%以上的營(yíng)收增長(zhǎng)。從 2021 年半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)營(yíng)收來(lái)看，北方華創(chuàng)規(guī)模最大，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 71 億元，中微公司次于北方華創(chuàng)，營(yíng)收 31 億元。圖 17：國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商

15、營(yíng)業(yè)收入（單位：億元）圖 18：國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商 2021 年半導(dǎo)體設(shè)備營(yíng)業(yè)收入2018 2019 2020 2021120.0100.080.060.040.020.00.080250%2021年半導(dǎo)體設(shè)備營(yíng)業(yè)收入（單位：億元）2021年半導(dǎo)體設(shè)備營(yíng)收增速7060200%50150%4030100%2050%1000%Wind、Wind、看點(diǎn) 1：各設(shè)備廠商產(chǎn)品份額提升空間依然廣闊國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體前道設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率低，長(zhǎng)期空間廣闊。半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)目前主要由國(guó)外廠商主導(dǎo)，行業(yè)呈現(xiàn)高度壟斷的競(jìng)爭(zhēng)格局，半導(dǎo)體設(shè)備整體國(guó)產(chǎn)化率僅 10%左右，國(guó)內(nèi)企業(yè)成長(zhǎng)空間廣闊。隨著中國(guó)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高度重視，中國(guó)部分半

16、導(dǎo)體設(shè)備廠商經(jīng)過(guò)十年以上的技術(shù)研發(fā)和積累，在部分技術(shù)領(lǐng)域陸續(xù)取得突破。目前從國(guó)產(chǎn)廠商份額角度看，大致分為三個(gè)梯隊(duì)，第一梯隊(duì)為實(shí)現(xiàn)大部分國(guó)產(chǎn)化的領(lǐng)域，主要為去膠設(shè)備；第二個(gè)梯隊(duì)為實(shí)現(xiàn)小部分國(guó)產(chǎn)化的領(lǐng)域，主要包括清洗設(shè)備、CMP 設(shè)備、刻蝕設(shè)備，國(guó)產(chǎn)化率在 10-20%左右的水平；第三個(gè)梯隊(duì)為國(guó)產(chǎn)化起步階段的領(lǐng)域，主要包括薄膜沉積設(shè)備、離子注入設(shè)備、涂膠顯影設(shè)備、檢測(cè)與量測(cè)設(shè)備，國(guó)產(chǎn)化率大多在低個(gè)位數(shù)水平。圖 19：國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率圖 20：國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在國(guó)內(nèi)細(xì)分市場(chǎng)占有率-2021國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)份額北方華創(chuàng)3.8%中微公司1.6%拓荊科技0.4%芯源微0.4%華海清科

17、0.4%萬(wàn)業(yè)企業(yè)0.1%中科飛測(cè)0.2%精測(cè)電子0.1%盛美上海0.8%至純科技0.9%北方華創(chuàng)中微公司拓荊科技芯源微 華海清科萬(wàn)業(yè)企業(yè)中科飛測(cè)精測(cè)電子北京屹唐盛美上海至純科技半導(dǎo)體設(shè)備 4%刻蝕設(shè)備 6%PECVD 6%前道涂膠顯影設(shè)備 2%CMP設(shè)備 18%離子注入機(jī) 3%檢測(cè)與量測(cè)設(shè)備 2%檢測(cè)與量測(cè)設(shè)備 1%清洗設(shè)備 14%清洗設(shè)備 9%干法去膠設(shè)備 90%0%20%40%60%80%100%Wind、Gartenr、整理測(cè)算Wind、Gartenr、整理測(cè)算部分設(shè)備環(huán)節(jié)市場(chǎng)空間相對(duì)較小，但份額提升空間更加廣闊。以涂膠顯影設(shè)備和離子注入設(shè)備為例，盡管該兩種設(shè)備分別僅占全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)

18、的 4%和 2-3%左右，但較小的市場(chǎng)空間和較高的技術(shù)難度亦阻擋了強(qiáng)勁競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的進(jìn)入，該兩部分設(shè)備環(huán)節(jié)市場(chǎng) CR1 分別達(dá)到 87%、70%，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)亦有望形成單一市場(chǎng)參與者占據(jù)大部分份額的局面。圖 21：全球涂膠顯影設(shè)備市場(chǎng)格局-2019圖 22：全球離子注入設(shè)備市場(chǎng)格局-201913%87%東京電子應(yīng)用材料10%20%70%Axcelis其他其他數(shù)據(jù)來(lái)源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究、數(shù)據(jù)來(lái)源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、看點(diǎn) 2：國(guó)內(nèi)廠商在手訂單充沛，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程快速推進(jìn)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商在手訂單充沛，份額有望快速提升。由于半導(dǎo)設(shè)備生產(chǎn)交付、驗(yàn)收均需要 3-6 個(gè)月左右的時(shí)間周期，因此訂單反映到公司收入上一般需要 6-1

19、2 個(gè)月時(shí)間。合同負(fù)債情況可一定程度反映設(shè)備廠商在手訂單情況，存貨則可以一定程度反映設(shè)備廠商交付訂單的情況。從絕對(duì)值來(lái)看，2022Q1 北方華創(chuàng)合同負(fù)債 51 億元，存貨 97 億元，中微公司合同負(fù)債 15 億元，存貨 21 億元，表征訂單量充沛、且設(shè)備交付客戶(hù)等待驗(yàn)收的量亦十分樂(lè)觀。圖 23：22Q1 國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體前道設(shè)備廠商合同負(fù)債和存貨對(duì)比（單位：億元）100908070605040302010097.1合同負(fù)債存貨50.921.015.012.97.810.84.316.88.417.310.00.84.412.72.5北方華創(chuàng) 中微公司 拓荊科技芯源微華海清科 精測(cè)電子 盛美上海

20、至純科技wind、看點(diǎn) 3：規(guī)模效應(yīng)明顯，隨業(yè)務(wù)放量盈利能力快速提升國(guó)內(nèi)廠商盈利能力提升空間大。成熟半導(dǎo)體設(shè)備廠商毛利率一般在 40-50%的區(qū)間，凈利率一般在 20-25%的區(qū)間。目前國(guó)內(nèi)廠商毛利率水平與海外廠商差距較小，但凈利率大多在 10%以下，與海外廠商差距明顯，主要系企業(yè)處于發(fā)展初期，研發(fā)投入大，且管理、銷(xiāo)售規(guī)模效益尚不明 顯。圖 24：國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商毛利率-2021圖 25：國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商扣非凈利率-202139% 43% 44%38%45%39%49% 43% 43%36%60%50%40%30%20%10%0%毛利率-2021扣非凈利率-202120%15%10%5%0

21、%-5%-10%-15%14%12%8%10%8%8%5%1%-11%Wind、Wind、半導(dǎo)體設(shè)備規(guī)模效益明顯，盈利能力有望快速提升。隨著企業(yè)經(jīng)營(yíng)規(guī)模擴(kuò)大，規(guī)模效應(yīng)顯現(xiàn)，盈利能力有望進(jìn)一步提升。以起量較快且業(yè)務(wù)規(guī)模較大的中微公司為例，2021 上半年公司扣非凈利率僅 4.6%，但 2022 年上半年根據(jù)公司業(yè)績(jī)預(yù)告中位數(shù)計(jì)算公司扣非凈利率已達(dá)到 21.8%。圖 26：國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商歸母凈利潤(rùn)（單位：億元）圖 27： 中微、北方華創(chuàng)盈利能力大幅提升20182019202020211225%10820%615%410%25%0-20%2021H1扣非凈利率2022H1扣非凈利率（業(yè)績(jī)預(yù)告）中

22、微公司北方華創(chuàng)Wind、整理注：22H1 數(shù)據(jù)按照兩家公司披露業(yè)績(jī)預(yù)測(cè)的中位數(shù)計(jì)算Wind、整理看點(diǎn) 4：部分廠商向平臺(tái)化發(fā)展，成長(zhǎng)空間進(jìn)一步打開(kāi)國(guó)內(nèi)部分半導(dǎo)體設(shè)備廠商積極擴(kuò)展業(yè)務(wù)范圍，向平臺(tái)化方向發(fā)展。更廣泛的產(chǎn)品線(xiàn)覆蓋一方面可以使得集成電路設(shè)備制造企業(yè)為客戶(hù)提供更為全面、綜合的產(chǎn)品及服務(wù)，實(shí)現(xiàn)設(shè)備的打包銷(xiāo)售；另一方面有利于擴(kuò)大規(guī)模，提高對(duì)上下游的議價(jià)能力。以盛美上海、萬(wàn)業(yè)企業(yè)為代表的國(guó)內(nèi)設(shè)備企業(yè)積極拓展產(chǎn)品線(xiàn)，延伸至其他設(shè)備環(huán)節(jié)。拓荊科技、中微公司等當(dāng)前階段則深耕所處領(lǐng)域，進(jìn)一步拓展所處環(huán)節(jié)內(nèi)產(chǎn)品細(xì)分品類(lèi)覆蓋。圖 28：各公司業(yè)務(wù)擴(kuò)展計(jì)劃數(shù)據(jù)來(lái)源：公司公告、整理以中微為例，在半導(dǎo)體領(lǐng)域，公

23、司積極開(kāi)發(fā)升級(jí)設(shè)備，一方面根據(jù)先進(jìn)邏輯芯片和高密度存儲(chǔ) DRAM 和 3D NAND 芯片的不同刻蝕需求、細(xì)分產(chǎn)品，開(kāi)發(fā)不同的硬件特征，提高產(chǎn)品針對(duì)不同應(yīng)用的刻蝕性能；另一方面，積極提升高端關(guān)鍵制程的覆蓋率，完善工藝整合方案，在薄膜沉積設(shè)備研發(fā)方面，進(jìn)一步開(kāi)發(fā) LPCVD、EPI 和 ALD 產(chǎn)品。在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，根據(jù)高端顯示應(yīng)用對(duì)于外延設(shè)備的新需求，重點(diǎn)開(kāi)發(fā) Micro LED 應(yīng)用專(zhuān)用 MOCVD 設(shè)備，同時(shí)針對(duì)化合物半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)應(yīng)用的快速發(fā)展，開(kāi)發(fā)硅基氮化鎵及碳化硅功率器件專(zhuān)用的外延設(shè)備，不斷豐富公司設(shè)備的產(chǎn)品線(xiàn)。外延發(fā)展方面，中微對(duì)外投資了檢測(cè)與量測(cè)設(shè)備領(lǐng)域睿勵(lì)儀器和薄膜沉積領(lǐng)域

24、的沈陽(yáng)拓荊。圖 29：中微公司業(yè)務(wù)擴(kuò)展情況數(shù)據(jù)來(lái)源：公司公告、整理看點(diǎn) 5：布局泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，降低半導(dǎo)體周期帶來(lái)的業(yè)績(jī)波動(dòng)性國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商中，以北方華創(chuàng)為代表的廠商持續(xù)拓展泛半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域布局有助于降低半導(dǎo)體行業(yè)波動(dòng)帶來(lái)的短期業(yè)績(jī)波動(dòng)。北方華創(chuàng)作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體高端工藝裝備龍頭，業(yè)務(wù)布局較廣，應(yīng)用范圍覆蓋泛半導(dǎo)體領(lǐng)域四大核心賽道：集成電路、顯示面板、LED、光伏，平臺(tái)化屬性明顯。除此之外，拓荊科技、芯源微、萬(wàn)業(yè)企業(yè)也有多賽道布局，產(chǎn)品應(yīng)用范圍覆蓋集成電路、顯示面板、LED。圖 30：泛半導(dǎo)體領(lǐng)域核心賽道圖 31：國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域布局?jǐn)?shù)據(jù)來(lái)源：整理數(shù)

25、據(jù)來(lái)源：整理多維度對(duì)比國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力國(guó)內(nèi) 20 余年來(lái)已積累眾多優(yōu)秀的國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商。國(guó)內(nèi)龍頭半導(dǎo)體設(shè)備廠商作為先進(jìn)入市場(chǎng)者，經(jīng)過(guò)十幾年的積累，目前在手訂單充沛，且已經(jīng)進(jìn)入國(guó)內(nèi)一流制造商的生產(chǎn)線(xiàn)，客戶(hù)需求相對(duì)穩(wěn)定，短期發(fā)展動(dòng)力充足。另外，國(guó)內(nèi)龍頭設(shè)備廠商堅(jiān)持高研發(fā)投入，積極引進(jìn)培養(yǎng)技術(shù)人才，擁有專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，有能力夯實(shí)長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力，未來(lái)發(fā)展?jié)摿薮?。圖 32：國(guó)內(nèi)龍頭半導(dǎo)體設(shè)備廠商發(fā)展?jié)摿薮蟾鞴竟?、半?dǎo)體設(shè)備廠商的技術(shù)水平難以通過(guò)單一維度指標(biāo)衡量，我們選取以下幾個(gè)維度做半導(dǎo)體設(shè)備廠商技術(shù)的對(duì)比：維度 1：產(chǎn)品制程覆蓋對(duì)比中國(guó)大陸設(shè)備廠商基本均可實(shí)現(xiàn) 28nm 及以上下游

26、應(yīng)用。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國(guó)際一線(xiàn)客戶(hù)從 65nm 到 14nm、7nm 和 5nm 及其他先進(jìn)的集成電路加工制造生產(chǎn)線(xiàn)及先進(jìn)封裝生產(chǎn)線(xiàn)。萬(wàn)業(yè)企業(yè)子公司凱世通離子注入平臺(tái)可覆蓋至 3nm 的應(yīng)用。北京屹唐 10nm 以下干法去膠設(shè)備已進(jìn)入生產(chǎn)產(chǎn)線(xiàn)。拓荊科技 PECVD 能夠達(dá)到 14nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)。根據(jù) IC Insights，對(duì)于10 納米IC 產(chǎn)能，中國(guó)臺(tái)灣占比 63%，韓國(guó)持有剩余的 37%，而中國(guó)大陸目前集中在 10nm 制程以上的芯片制造，具備實(shí)現(xiàn)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化的技術(shù)條件。圖 33：各公司主要業(yè)務(wù)技術(shù)節(jié)點(diǎn)圖 34：不同制程晶圓在不同地區(qū)產(chǎn)能占比（2020.12）主要業(yè)務(wù)節(jié)點(diǎn)

27、 中微公司刻蝕設(shè)備5nm拓荊科技PECVD14nm芯源微涂膠顯影設(shè)備28nm華海清科CMP 設(shè)備28nm萬(wàn)業(yè)企業(yè)離子注入機(jī)3nm中科飛測(cè)缺陷檢測(cè)設(shè)備28nm精測(cè)電子半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備28nm北京屹唐干法去膠設(shè)備10nm 以?xún)?nèi)盛美上海單片清洗機(jī)14nm至純科技清洗設(shè)備28nm中國(guó)臺(tái)灣 韓國(guó) 日本 北美 中國(guó)大陸 歐洲 其他地區(qū)100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%10nm 20nm - 40nm - 0.18 - 0.18total各公司公告、整理IC Insights、10nm20nm40nm維度 2：參與國(guó)家重大科技專(zhuān)項(xiàng)情況國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)是為了實(shí)現(xiàn)國(guó)家目標(biāo)，通過(guò)核心

28、技術(shù)突破和資源集成，在一定時(shí)限內(nèi)完成的重大戰(zhàn)略產(chǎn)品、關(guān)鍵共性技術(shù)和重大工程?？涛g及沉積設(shè)備領(lǐng)域，北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技均承擔(dān)了多個(gè)國(guó)家重大專(zhuān)項(xiàng)的研發(fā)，積累了一批具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)。芯源微、華海清科、中科飛測(cè)、盛美上海等廠商分別承擔(dān)了涂膠顯影、CMP、檢測(cè)及鍍銅等設(shè)備的重大專(zhuān)項(xiàng)。圖 35：國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體前道設(shè)備廠商參與國(guó)家重大專(zhuān)項(xiàng)情況國(guó)家重大專(zhuān)項(xiàng)北方華創(chuàng)300mm 90/65nm 立式氧化爐/質(zhì)量流量控制器研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化90/65 納米刻蝕機(jī)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目65-45 納米 PVD 設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目45-22 納米 PVD 設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目32-22 納米柵刻蝕機(jī)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目65nm

29、 超精細(xì)清洗設(shè)備研制與產(chǎn)業(yè)化45-32nm LPCVD 設(shè)備產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目65nm-45nm 銅互連清洗設(shè)備產(chǎn)業(yè)化28-14nm 原子層沉積系統(tǒng)（ALD）產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化14-7nm CuBS 多工藝腔室集成裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化14nm 立體柵等離子體刻蝕機(jī)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化國(guó)產(chǎn)集成電路裝備關(guān)鍵零部件量產(chǎn)應(yīng)用工程項(xiàng)目中微公司65-45nm 介質(zhì)刻蝕機(jī)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化32-22nm 介質(zhì)刻蝕機(jī)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化22-14 納米介質(zhì)刻蝕機(jī)開(kāi)發(fā)及關(guān)鍵零部件國(guó)產(chǎn)化14-7 納米介質(zhì)刻蝕機(jī)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化刻蝕工藝零部件驗(yàn)證與應(yīng)用拓荊科技90-65nm 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備研發(fā)與應(yīng)用1x nm 3D NAND PECVD 研

30、發(fā)及產(chǎn)業(yè)化國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)課題 A（ALD 相關(guān)）國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)課題 B（先進(jìn)工藝 PECVD 相關(guān)）芯源微300mm 晶圓勻膠顯影設(shè)備研發(fā)凸點(diǎn)封裝涂膠顯影、單片濕法刻蝕設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化建設(shè)華海清科28 14nm 拋光設(shè)備及工藝、配套材料產(chǎn)業(yè)化 CMP 拋光系統(tǒng)研發(fā)與整機(jī)系統(tǒng)集成中科飛測(cè)20-14nm 晶圓缺陷光學(xué)在線(xiàn)檢測(cè)的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化盛美上海65-45nm 銅互連無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備研發(fā)20-14nm 銅互連鍍銅設(shè)備研發(fā)與應(yīng)用相關(guān)公司公告、維度 3：專(zhuān)利積累對(duì)比國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商積極開(kāi)展創(chuàng)新工作，經(jīng)過(guò)數(shù)十年的積累，申請(qǐng)獲得大量專(zhuān)利，其中北方華創(chuàng)專(zhuān)利數(shù)量達(dá)到 3300+件，中微和精測(cè)電子（目前以非

31、集成電路領(lǐng)域業(yè)務(wù)為主）的專(zhuān)利數(shù)量也超 1000 件。國(guó)內(nèi)其他半導(dǎo)體設(shè)備環(huán)節(jié)龍頭廠商亦具備 200-300 件左右專(zhuān)利積累。圖 36：國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體前道設(shè)備廠商專(zhuān)利數(shù)量對(duì)比專(zhuān)利數(shù)量3300147211793473223152242172091743500300025002000150010005000統(tǒng)計(jì)截至?xí)r間：拓荊-22.3.8；中科飛測(cè)-22.6.9；屹唐-21.7.31；其余-2021 年末相關(guān)公司公告、維度 4：中國(guó)大陸以外地區(qū)客戶(hù)拓展情況中國(guó)大陸的晶圓廠受中美貿(mào)易摩擦影響，為了保障供應(yīng)鏈安全積極導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)設(shè)備，而大陸以外地區(qū)廠商導(dǎo)入新供應(yīng)商更多基于技術(shù)、成本等商業(yè)因素考量，因此國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商

32、導(dǎo)入大陸以外地區(qū)客戶(hù)的情況可作為衡量其技術(shù)能力的重要指標(biāo)。目前，國(guó)內(nèi)中微公司、芯源微、拓荊科技已切入國(guó)際領(lǐng)先晶圓廠供應(yīng)鏈體系，盛美上海也具備供貨海力士和美國(guó)客戶(hù)的技術(shù)能力，北京屹唐 2016年收購(gòu)了美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備公司 Mattson，亦切入到眾多國(guó)際領(lǐng)先大客戶(hù)供應(yīng)鏈體系。圖 37：部分半導(dǎo)體設(shè)備廠商切入國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)供應(yīng)鏈相關(guān)公司公告、維度 5：研發(fā)投入強(qiáng)度對(duì)比國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商堅(jiān)持高研發(fā)投入。 從研發(fā)投入的絕對(duì)值來(lái)看，北方華創(chuàng)處于絕對(duì)領(lǐng)先地位， 2021 年研發(fā)投入 29 億元，其次為中微公司，2021 年研發(fā)投入 7.3 億元。從研發(fā)投入占營(yíng)收比例來(lái)看，拓荊科技研發(fā)投入占比最高，2021 年

33、達(dá)到 38%。圖 38：各公司 2021 年研發(fā)投入及占營(yíng)收比例研發(fā)投入（億元）研發(fā)投入占營(yíng)業(yè)收入比例35302520151050100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0% Wind、維度 6：核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)及研發(fā)人員配置國(guó)內(nèi)龍頭廠商積極引進(jìn)培養(yǎng)高水平人才。半導(dǎo)體設(shè)備為技術(shù)密集產(chǎn)業(yè)，高水平的技術(shù)人才將驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備廠商的發(fā)展。截至 2021 年末，北方華創(chuàng)研發(fā)人員 2044 人，其中碩博占比超過(guò) 65%；中微公司研發(fā)人員 415 人，碩博比例接近 50%；芯源微研發(fā)人員 217 人，碩博占比亦接近 50%。各公司重視人才引進(jìn)，中微公司核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)擁有在應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體

34、任職的經(jīng)歷；拓荊科技、萬(wàn)業(yè)企業(yè)的核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)分別擁有自美國(guó)諾發(fā)、AIBT；華海清科、中科飛測(cè)的核心技術(shù)人員則分別具有清華大學(xué)、KLA 及中科院微電子所任職經(jīng)歷。圖 39：各公司研發(fā)人員數(shù)量及結(jié)構(gòu)-2021圖 40：各公司核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)背景相關(guān)公司公告、整理相關(guān)公司公告、整理維度 7：產(chǎn)學(xué)研合作國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)積極與知名高校及科研院所展開(kāi)合作研發(fā)。北方華創(chuàng)就第三代半導(dǎo)體、集成電路核心裝備控制軟件等技術(shù)與北京大學(xué)、清華大學(xué)、中科院微電子所展開(kāi)研發(fā)合作。拓荊科技與復(fù)旦大學(xué)合作進(jìn)行 ACHM 工藝開(kāi)發(fā)及 3D 結(jié)構(gòu)集成，同時(shí)與上游供應(yīng)商合作研究 PECVD 設(shè)備用陶瓷加熱盤(pán)的關(guān)鍵技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化，與下游企

35、業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)共同承擔(dān)國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)課題，進(jìn)項(xiàng) ALD、PECVD 相關(guān)的研究。華海清科和中科飛測(cè)則分別合作清華大學(xué)及中科院微電子所開(kāi)展相關(guān)研發(fā)工作。圖 41：各公司合作研發(fā)情況公司合作單位合作領(lǐng)域北方華創(chuàng)北京大學(xué)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)開(kāi)發(fā)項(xiàng)目清華大學(xué)集成電路核心裝備控制軟件中科院微電子所集成電路裝備關(guān)鍵技術(shù)、改善工藝性能、推動(dòng)設(shè)備產(chǎn)品的市場(chǎng)化進(jìn)程拓荊科技復(fù)旦大學(xué)ACHM 工藝開(kāi)發(fā)及 3D 結(jié)構(gòu)集成蘇州珂瑪PECVD 設(shè)備用陶瓷加熱盤(pán)的關(guān)鍵技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)課題 A（ALD 相關(guān)）長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)課題 B（先進(jìn)工藝 PECVD 相關(guān)）華海清科清華大學(xué)委托清華進(jìn)行先進(jìn)拋光技術(shù)及工藝的基礎(chǔ)性論證、配合公司進(jìn)行工藝開(kāi)發(fā)中科飛測(cè)中科院微電子所表面膜結(jié)構(gòu)三維光學(xué)測(cè)試儀課題項(xiàng)目；芯片封裝缺陷在線(xiàn)視覺(jué)檢測(cè)儀開(kāi)發(fā)及應(yīng)用示范；極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝數(shù)據(jù)來(lái)源：公司公告、整理各廠商積