《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》教學(xué)用高中人教版課件

第3節(jié)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第3節(jié)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)-2-考綱要求:1.了解晶體的類型,了解不同類型晶體中結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)別。

2.理解離子鍵的形成,能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)。

3.了解晶格能的概念,了解晶格能對(duì)離子晶體性質(zhì)的影響。

4.了解分子晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。

5.了解原子晶體的特征,能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。

6.理解金屬鍵的含義,能用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)。了解金屬晶體常見的堆積方式。

7.了解晶胞的概念,能根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算。-2-考綱要求:1.了解晶體的類型,了解不同類型晶體中結(jié)構(gòu)微-3-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破晶體常識(shí)與四種晶體的比較1.晶體(1)晶體與非晶體。-3-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破晶體常識(shí)與四種晶體的比較-4-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)得到晶體的途徑。①熔融態(tài)物質(zhì)凝固。②氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固(凝華)。③溶質(zhì)從溶液中析出。-4-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)得到晶體的途徑。-5-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破2.四種晶體的比較

-5-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破2.四種晶體的比較-6-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-6-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-7-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破自主鞏固判斷正誤,正確的畫“√”,錯(cuò)誤的畫“×”。(1)凡是有規(guī)則外形的固體一定是晶體

(

×

)(2)晶體與非晶體的本質(zhì)區(qū)別:是否有自范性

(

√

)(3)熔融態(tài)物質(zhì)凝固就得到晶體

(

×

)(4)晶體有一定的熔、沸點(diǎn)

(

√

)(5)區(qū)分晶體和非晶體最可靠的科學(xué)方法:是否具有固定的熔沸點(diǎn)

(

×

)(6)在晶體中只要有陽(yáng)離子就一定有陰離子

(

×

)(7)原子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高

(

×

)(8)分子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的低

(

×

)(9)離子晶體中一定不含有共價(jià)鍵

(

×

)(10)分子晶體或原子晶體中一定不含離子鍵

(

√

)-7-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破自主鞏固-8-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破1.晶體類型的5種判斷方法(1)依據(jù)構(gòu)成晶體的微粒和微粒間的作用判斷。①離子晶體的構(gòu)成微粒是陰、陽(yáng)離子,微粒間的作用是離子鍵。②原子晶體的構(gòu)成微粒是原子,微粒間的作用是共價(jià)鍵。③分子晶體的構(gòu)成微粒是分子,微粒間的作用為分子間作用力。④金屬晶體的構(gòu)成微粒是金屬陽(yáng)離子和自由電子,微粒間的作用是金屬鍵。-8-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破1.晶體類型的5種判斷方法-9-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)依據(jù)物質(zhì)的分類判斷。①金屬氧化物(如K2O、Na2O2等)、強(qiáng)堿(NaOH、KOH等)和絕大多數(shù)的鹽類是離子晶體。②大多數(shù)非金屬單質(zhì)(除金剛石、石墨、晶體硅等)、非金屬氫化物、非金屬氧化物(除SiO2外)、幾乎所有的酸、絕大多數(shù)有機(jī)物(除有機(jī)鹽外)是分子晶體。③常見的單質(zhì)類原子晶體有金剛石、晶體硅、晶體硼等,常見的化合類原子晶體有碳化硅、二氧化硅等。④金屬單質(zhì)是金屬晶體。(3)依據(jù)晶體的熔點(diǎn)判斷。①離子晶體的熔點(diǎn)較高。②原子晶體的熔點(diǎn)很高。③分子晶體的熔點(diǎn)低。④金屬晶體多數(shù)熔點(diǎn)較高,但有少數(shù)熔點(diǎn)相當(dāng)?shù)汀?9-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)依據(jù)物質(zhì)的分類判斷。-10-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(4)依據(jù)導(dǎo)電性判斷。①離子晶體溶于水及熔融狀態(tài)時(shí)能導(dǎo)電。②原子晶體一般為非導(dǎo)體。③分子晶體為非導(dǎo)體,而分子晶體中的電解質(zhì)(主要是酸和強(qiáng)極性非金屬氫化物)溶于水,使分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂形成自由移動(dòng)的離子,也能導(dǎo)電。④金屬晶體是電的良導(dǎo)體。(5)依據(jù)硬度和機(jī)械性能判斷。①離子晶體硬度較大、硬而脆。②原子晶體硬度大。③分子晶體硬度小且較脆。④金屬晶體多數(shù)硬度大,但也有硬度較小的,且具有延展性。-10-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(4)依據(jù)導(dǎo)電性判斷。-11-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破2.晶體熔、沸點(diǎn)的比較(1)不同類型晶體熔、沸點(diǎn)的比較。①不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低的一般規(guī)律:原子晶體>離子晶體>分子晶體。②金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大,如鎢、鉑等熔、沸點(diǎn)很高,汞、銫等熔、沸點(diǎn)很低。-11-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破2.晶體熔、沸點(diǎn)的比較-12-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)同種晶體類型熔、沸點(diǎn)的比較。①原子晶體:(比較共價(jià)鍵強(qiáng)弱)原子半徑越小→鍵長(zhǎng)越短→鍵能越大→共價(jià)鍵越強(qiáng)→熔、沸點(diǎn)越高。如熔點(diǎn):金剛石>碳化硅>晶體硅②離子晶體:(比較離子鍵強(qiáng)弱或晶格能大小)a.一般地說(shuō),陰、陽(yáng)離子所帶電荷數(shù)越多,離子半徑越小,則離子間的作用力就越大,其離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越高,如熔點(diǎn):MgO>NaCl>CsCl。b.衡量離子晶體穩(wěn)定性的物理量是晶格能。晶格能越大,形成的離子晶體越穩(wěn)定,熔點(diǎn)越高,硬度越大。-12-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)同種晶體類型熔、沸-13-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破③分子晶體:(比較分子間作用力大小)a.分子間作用力越大,物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高;具有氫鍵的分子晶體熔、沸點(diǎn)反常地高。如沸點(diǎn)H2O>H2Te>H2Se>H2S。b.組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔、沸點(diǎn)越高,如SnH4>GeH4>SiH4>CH4。c.組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)(相對(duì)分子質(zhì)量接近),分子的極性越大,其熔、沸點(diǎn)越高,如CO>N2,CH3OH>CH3CH3。d.同分異構(gòu)體,支鏈越多,熔、沸點(diǎn)越低。-13-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破③分子晶體:(比較分子間-14-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破④金屬晶體:金屬離子半徑越小,離子所帶電荷數(shù)越多,其金屬鍵越強(qiáng),金屬熔、沸點(diǎn)就越高,如熔、沸點(diǎn):Na<Mg<Al。-14-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破④金屬晶體:-15-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破例1現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)(℃)數(shù)據(jù):據(jù)此回答下列問題:(1)由表格中數(shù)據(jù)可知,A組熔點(diǎn)普遍偏高,據(jù)此回答:①A組屬于

晶體,其熔化時(shí)克服的粒子間的作用力是

;②硅的熔點(diǎn)低于二氧化硅,是由于

;

③硼晶體的硬度與硅晶體相對(duì)比:

。

-15-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破例1現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)(-16-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)B組晶體中存在的作用力是

,其共同的物理性質(zhì)是

(填序號(hào)),可以用

理論解釋。①有金屬光澤②導(dǎo)電性③導(dǎo)熱性④延展性(3)C組中HF熔點(diǎn)反常是由于

。

(4)D組晶體可能具有的性質(zhì)是

(填序號(hào))。

①硬度小②水溶液能導(dǎo)電③固體能導(dǎo)電④熔融狀態(tài)能導(dǎo)電(5)D組晶體中NaCl、KCl、RbCl的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)?/p>

,MgO晶體的熔點(diǎn)高于前三者,其原因解釋為

。

-16-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)B組晶體中存在的作-17-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破答案:(1)①原子共價(jià)鍵②Si—Si鍵鍵能小于Si—O鍵鍵能③硼晶體大于硅晶體(2)金屬鍵①②③④電子氣(3)HF分子間能形成氫鍵,其熔化時(shí)需要消耗的能量更多(4)②④(5)NaCl>KCl>RbCl

MgO晶體為離子晶體,離子所帶電荷越多,半徑越小,晶格能越大,熔點(diǎn)越高-17-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破答案:(1)①原子共價(jià)-18-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破解析:(1)A組由非金屬元素組成,熔點(diǎn)最高,屬于原子晶體,熔化時(shí)需破壞共價(jià)鍵。由共價(jià)鍵形成的原子晶體中,原子半徑小的鍵長(zhǎng)短,鍵能大,晶體熔、沸點(diǎn)高,硬度大。(2)B組都是金屬,存在金屬鍵,具有金屬晶體的性質(zhì),可以用“電子氣理論”解釋相關(guān)的性質(zhì)。(3)C組鹵化氫晶體屬于分子晶體,HF熔點(diǎn)高是由于分子之間形成氫鍵。(4)D組是離子化合物,熔點(diǎn)較高,具有離子晶體的性質(zhì)。(5)晶格能大小與離子電荷數(shù)和離子半徑有關(guān),電荷數(shù)越多,半徑越小,晶格能越大,熔點(diǎn)越高。-18-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破解析:(1)A組由非金屬-19-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破誤區(qū)警示(1)分子晶體熔、沸點(diǎn)的比較要特別注意氫鍵的存在。(2)離子晶體的熔點(diǎn)不一定都低于原子晶體,如MgO是離子晶體,熔點(diǎn)是2

800

℃;而SiO2是原子晶體,熔點(diǎn)是1

732

℃。-19-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破誤區(qū)警示(1)分子晶體熔-20-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破跟蹤訓(xùn)練1.磷是人體含量較多的元素之一,磷的化合物在藥物生產(chǎn)和農(nóng)藥制造等方面用途非常廣泛?；卮鹣铝袉栴}:(1)基態(tài)磷原子的核外電子排布式為

。

(2)P4S3可用于制造火柴,其分子結(jié)構(gòu)如圖1所示。①第一電離能:磷

(填“>”或“<”,下同)硫;電負(fù)性:磷

硫。②P4S3分子中硫原子的雜化軌道類型為

。

③每個(gè)P4S3分子中含孤電子對(duì)的數(shù)目為

。

-20-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破跟蹤訓(xùn)練-21-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(3)N、P、As、Sb均是第ⅤA族的元素。①上述元素的氫化物的沸點(diǎn)關(guān)系如圖2所示,沸點(diǎn):PH3<NH3,其原因是

;沸點(diǎn):PH3<AsH3<SbH3,其原因是

。

②某種磁性氮化鐵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖3所示,該化合物的化學(xué)式為

。

(4)磷化鋁熔點(diǎn)為2000℃,它與晶體硅互為等電子體,磷化鋁晶胞結(jié)構(gòu)如圖4所示。①磷化鋁晶體中磷與鋁微粒間的作用力為

。

②圖中A點(diǎn)和B點(diǎn)的原子坐標(biāo)參數(shù)如圖4所示,則C點(diǎn)的原子坐標(biāo)參數(shù)為

。

③磷化鋁晶體的密度為ρg·cm-3,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值,則該晶胞中距離最近的兩個(gè)鋁原子之間的距離為

cm。-21-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(3)N、P、As、Sb-22-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-22-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-23-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破答案

(1)1s22s22p63s23p3或[Ne]3s23p3(2)①>

<

②sp3

③10(3)①NH3分子間存在氫鍵相對(duì)分子質(zhì)量不斷增大,分子間作用力不斷增強(qiáng)②Fe3N-23-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破答案(1)1s22s2-24-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破解析

(1)磷是15號(hào)元素,基態(tài)磷原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p3或[Ne]3s23p3;(2)①磷的3p能級(jí)為半充滿結(jié)構(gòu),較為穩(wěn)定,故第一電離能:磷>硫;硫的非金屬性比磷強(qiáng),故電負(fù)性:磷<硫;②P4S3分子中硫原子與2個(gè)P原子相連,每個(gè)硫原子還有2個(gè)孤電子對(duì),采用sp3雜化;③每個(gè)P原子有1個(gè)孤電子對(duì),每個(gè)S原子有2個(gè)孤電子對(duì),每個(gè)P4S3分子中含孤電子對(duì)的數(shù)目為1×4+2×3=10;(3)①氨分子間存在氫鍵,導(dǎo)致沸點(diǎn):PH3<NH3;隨相對(duì)分子質(zhì)量不斷增大,分子間作用力不斷增強(qiáng),因此沸點(diǎn):PH3<AsH3<SbH3;②N原子位于體內(nèi),數(shù)目為2;Fe原子位于頂點(diǎn)、面心和體內(nèi),數(shù)目為

,故化學(xué)式為Fe3N;-24-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破解析(1)磷是15號(hào)元-25-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-25-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-26-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破2.下表為鈉的鹵化物和硅的鹵化物的熔點(diǎn):回答下列問題:(1)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高很多,其原因是

。

(2)NaF的熔點(diǎn)比NaBr的熔點(diǎn)高的原因是

。

SiF4的熔點(diǎn)比SiBr4的熔點(diǎn)低的原因是

。

(3)NaF和NaBr的晶格能的高低順序?yàn)?/p>

,硬度大小為

。

-26-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破2.下表為鈉的鹵化物和硅-27-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破答案:(1)鈉的鹵化物是離子晶體,硅的鹵化物是分子晶體(2)F-半徑比Br-半徑小,NaF的離子鍵強(qiáng)度比NaBr的離子鍵強(qiáng)度大SiF4的相對(duì)分子質(zhì)量比SiBr4的相對(duì)分子質(zhì)量小,SiF4的分子間作用力比SiBr4的分子間作用力小(3)NaF>NaBr

NaF>NaBr解析:(1)一般來(lái)說(shuō),離子晶體的熔點(diǎn)比分子晶體的熔點(diǎn)高。(2)NaF和NaBr屬于離子晶體,離子晶體中離子的半徑越小,離子所帶的電荷越多,離子鍵強(qiáng)度越大,熔點(diǎn)越高;SiF4和SiBr4屬于分子晶體,一般情況下,分子晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔點(diǎn)越高。(3)一般來(lái)說(shuō)離子晶體中,離子半徑越小,離子所帶的電荷越多,離子鍵強(qiáng)度越大,晶格能越大,硬度越大,F-半徑小于Br-,晶格能NaF>NaBr,硬度NaF>NaBr。-27-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破答案:(1)鈉的鹵化物是-28-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破晶胞與典型晶體模型及相關(guān)計(jì)算1.晶胞(1)晶胞:是描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元。(2)晶體與晶胞的關(guān)系:整個(gè)晶體可以看作由數(shù)量巨大的晶胞“無(wú)隙并置”而成,晶胞是晶體結(jié)構(gòu)中的基本重復(fù)單元,晶胞的結(jié)構(gòu)可以反映晶體的結(jié)構(gòu)。(3)晶胞中粒子數(shù)目的計(jì)算——均攤法:如某個(gè)粒子為n個(gè)晶胞所共有,則該粒子有

屬于這個(gè)晶胞。-28-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破晶胞與典型晶體模型及相關(guān)-29-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破2.典型晶體模型

-29-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破2.典型晶體模型-30-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-30-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-31-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-31-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-32-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-32-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-33-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-33-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-34-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破自主鞏固(1)如圖是甲、乙、丙三種晶體的晶胞,則甲晶體中x與y的個(gè)數(shù)比是2∶1,乙中a與b的個(gè)數(shù)比是1∶1,丙中一個(gè)晶胞中有4個(gè)c離子和4個(gè)d離子。-34-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破自主鞏固-35-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)①將等徑圓球在二維空間里進(jìn)行排列,可形成密置層和非密置層。在圖1所示的半徑相等的圓球的排列中,A屬于非密置層,配位數(shù)是4;B屬于密置層,配位數(shù)是6。②將非密置層一層一層地在三維空間里堆積,得到如圖2所示的一種金屬晶體的晶胞,它被稱為簡(jiǎn)單立方堆積,在這種晶體中,金屬原子的配位數(shù)是6,平均每個(gè)晶胞所占有的原子數(shù)目是1。③有資料表明,只有釙的晶體中的原子具有如圖2所示的堆積方式。釙位于元素周期表的第六周期第ⅥA族,元素符號(hào)是Po,最外層電子排布式是6s26p4。-35-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)①將等徑圓球在二維-36-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破1.晶胞組成的計(jì)算規(guī)律(1)平行六面體形晶胞數(shù)目的計(jì)算。

-36-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破1.晶胞組成的計(jì)算規(guī)律-37-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-37-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-38-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-38-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-39-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-39-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-40-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)(2018全國(guó)Ⅰ節(jié)選)①Li2O是離子晶體,其晶格能可通過(guò)圖(a)的Born-Haber循環(huán)計(jì)算得到?？芍?Li原子的第一電離能為

kJ·mol-1,O=O鍵鍵能為

kJ·mol-1,Li2O晶格能為

kJ·mol-1。

-40-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)(2018全國(guó)Ⅰ節(jié)-41-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破②Li2O具有反螢石結(jié)構(gòu),晶胞如圖(b)所示。已知晶胞參數(shù)為0.4665nm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則Li2O的密度為

g·cm-3(列出計(jì)算式)。

-41-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破②Li2O具有反螢石結(jié)構(gòu)-42-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-42-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-43-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-43-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-44-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破跟蹤訓(xùn)練3.(1)①C60和金剛石都是碳的同素異形體,兩者相比較熔點(diǎn)高的是

。

②超高導(dǎo)熱絕緣耐高溫納米氮化鋁在絕緣材料中應(yīng)用廣泛,氮化鋁晶體與金剛石類似,每個(gè)鋁原子與

個(gè)氮原子相連,與同一個(gè)氮原子相連的鋁原子構(gòu)成的立體構(gòu)型為

。

③金屬鎳粉在CO氣流中輕微加熱,生成無(wú)色揮發(fā)性液體Ni(CO)4,呈正四面體構(gòu)型。試推測(cè)Ni(CO)4的晶體類型是

,Ni(CO)4易溶于下列

(填字母)。

A.水 B.四氯化碳

C.苯 D.硫酸鎳溶液④AlCl3在177.8℃時(shí)升華,蒸氣或熔融狀態(tài)以Al2Cl6形式存在。下列關(guān)于AlCl3的推斷錯(cuò)誤的是

(填字母)。

A.氯化鋁為共價(jià)化合物

B.氯化鋁為離子化合物C.氯化鋁難溶于有機(jī)溶劑

D.Al2Cl6中存在配位鍵-44-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破跟蹤訓(xùn)練-45-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)硒化鋅(ZnSe)是一種重要的半導(dǎo)體材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,該晶胞中硒原子的配位數(shù)為

;若該晶胞密度為ρg·cm-3,硒化鋅的摩爾質(zhì)量為Mg·mol-1。NA代表阿伏加德羅常數(shù)的值,則晶胞參數(shù)a為

pm。

答案

(1)①金剛石②4正四面體③分子晶體BC

④BC

-45-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)硒化鋅(ZnSe)-46-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破解析

(1)①C60是分子晶體,金剛石是原子晶體,所以金剛石的熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于C60的。②由金剛石結(jié)構(gòu)中每個(gè)碳原子均以sp3雜化與其他四個(gè)碳原子相連形成四個(gè)共價(jià)鍵構(gòu)成正四面體結(jié)構(gòu)可推測(cè)每個(gè)鋁原子與4個(gè)氮原子相連,與同一個(gè)氮原子相連的鋁原子構(gòu)成的立體構(gòu)型為正四面體。③由揮發(fā)性液體可知Ni(CO)4是分子晶體,由正四面體構(gòu)型可知Ni(CO)4是非極性分子。④由AlCl3易升華可知AlCl3是分子晶體,Al—Cl鍵不屬于離子鍵應(yīng)該為共價(jià)鍵,鋁原子最外層三個(gè)電子全部成鍵,形成三個(gè)Al—Cl

σ鍵,無(wú)孤電子對(duì),是非極性分子,易溶于有機(jī)溶劑,Al有空軌道,與Cl的孤電子對(duì)能形成配位鍵,A、D正確。-46-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破解析(1)①C60是分-47-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-47-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-48-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破4.(1)(2019山東臨沂高三期末節(jié)選)下圖為白磷(P4)的晶胞示意圖,晶胞的邊長(zhǎng)為anm,設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為

g·cm-3。

-48-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破4.(1)(2019山東-49-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)(2019福建三明期末質(zhì)量檢測(cè)節(jié)選)立方氮化硼晶胞如圖,其密度為ρg·cm-3,氮化硼的摩爾質(zhì)量為Mg·mol-1,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,硼原子的半徑為rcm,則硼原子的空間占有率為

(用含有ρ、M、NA、r的代數(shù)式表示)。

-49-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)(2019福建三明-50-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(3)(2019山西晉中高三模擬節(jié)選)Cu3N的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,N3-的配位數(shù)為

,Cu+半徑為apm,N3-的半徑為bpm,Cu3N晶胞的密度為

g·cm-3(列出計(jì)算式即可,阿伏加德羅常數(shù)的值用NA表示)。

-50-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(3)(2019山西晉中-51-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(4)(2019成都七中高三模擬節(jié)選)GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,其中As原子形成的空隙類型有正八面體形和正四面體形,該晶胞中Ga原子所處空隙類型為

。已知GaAs的密度為ρg·cm-3,Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGag·mol-1和MAsg·mol-1,則GaAs晶胞中Ga之間的最短距離為

pm。

-51-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(4)(2019成都七中-52-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-52-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-53-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-53-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-54-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-54-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-55-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-55-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-56--56--57--57--58-213451.(2019廣西柳州高三模擬)第四周期中的18種元素具有重要的用途,在現(xiàn)代工業(yè)中備受青睞。(1)鈦原子的價(jià)層電子排布式為

,TiCl4沸點(diǎn)為136℃,熔點(diǎn)為-25℃,晶體類型為

晶體。

(2)銅的第二電離能(I2)大于鋅的第二電離能,其主要原因是

。

(3)與As同主族的短周期元素是N、P。AsH3的中心原子軌道雜化的類型是

;一定壓強(qiáng)下將AsH3、NH3和PH3的混合氣體降溫時(shí)液化的先后順序是

,理由是

。

-58-213451.(2019廣西柳州高三模擬)第四周期中-59-21345(4)鉻是一種硬而脆、抗腐蝕性強(qiáng)的金屬,常用于電鍍和制造特種鋼。下圖1為鉻的晶胞結(jié)構(gòu)圖,則鉻晶胞屬于

堆積;該晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為

。

(5)鈷晶體的一種晶胞(如圖2所示)的邊長(zhǎng)為anm,密度為ρg·cm-3,NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則鈷原子半徑為

nm,鈷的相對(duì)原子質(zhì)量可表示為

。

-59-21345(4)鉻是一種硬而脆、抗腐蝕性強(qiáng)的金屬,常-60-21345答案:(1)3d24s2分子(2)氣態(tài)Cu失去一個(gè)電子后電子排布式為[Ar]3d10,此時(shí)3d軌道處于全滿的穩(wěn)定狀態(tài),所以Cu的第二電離能相對(duì)較大,而氣態(tài)Zn失去一個(gè)電子后電子排布式為[Ar]3d104s1,易再失去一個(gè)電子,所以Zn的第二電離能相對(duì)較小(3)sp3

NH3>AsH3>PH3

NH3分子間有氫鍵,AsH3和PH3結(jié)構(gòu)相似,而AsH3的相對(duì)分子質(zhì)量大于PH3的相對(duì)分子質(zhì)量,所以AsH3分子間作用力大于PH3分子間作用力(4)體心立方68%-60-21345答案:(1)3d24s2分子-61-21345解析:(1)鈦原子的電子排布式為[Ar]3d24s2,鈦原子的價(jià)層電子排布式為3d24s2,由于TiCl4的熔、沸點(diǎn)較低,所以TiCl4應(yīng)為分子晶體。(2)氣態(tài)Cu失去一個(gè)電子后電子排布式為[Ar]3d10,此時(shí)3d軌道處于全滿的穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,因此Cu的第二電離能相對(duì)較大,而氣態(tài)Zn失去一個(gè)電子后電子排布式為[Ar]3d104s1,易再失去一個(gè)電子,所以Zn的第二電離能相對(duì)較小。(3)氨分子中氮原子按sp3方式雜化,N與As位于同主族,所以AsH3的結(jié)構(gòu)應(yīng)與NH3相似,AsH3的中心原子軌道雜化的類型為sp3,NH3分子之間有氫鍵,沸點(diǎn)較高,所以一定壓強(qiáng)下將AsH3和NH3、PH3的混合氣體降溫時(shí)首先液化的是NH3,由于AsH3和PH3均為分子晶體,AsH3的相對(duì)分子質(zhì)量大于PH3的相對(duì)分子質(zhì)量,所以AsH3的分子間作用力大于PH3的分子間作用力,故一定壓強(qiáng)下將AsH3、NH3和PH3的混合氣體降溫時(shí)液化的先后順序是NH3>AsH3>PH3。-61-21345解析:(1)鈦原子的電子排布式為[Ar]3-62-21345-62-21345-63-213452.磷化銅(Cu3P2)用于制造磷青銅。磷青銅是含少量錫、磷的銅合金,主要用作耐磨零件和彈性元件。(1)基態(tài)銅原子的電子排布式為

;價(jià)電子中已成對(duì)電子數(shù)有

個(gè)。

(2)磷化銅與水作用產(chǎn)生有毒的磷化氫(PH3)。①PH3分子中的中心原子的雜化方式是

。

②P與N同主族,其最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性:HNO3

(填“>”或“<”)H3PO4,從結(jié)構(gòu)的角度說(shuō)明理由:

。

(3)磷青銅中的錫、磷兩元素電負(fù)性的大小為:Sn

(填“>”“<”或“=”)P。

-63-213452.磷化銅(Cu3P2)用于制造磷青銅。磷-64-21345(4)某磷青銅晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。①則其化學(xué)式為

。

②該晶體中距離Cu原子最近的Sn原子有

個(gè),這些Sn原子所呈現(xiàn)的構(gòu)型為

。

③若晶體密度為8.82g·cm-3,最近的Cu原子核間距為

pm(用含NA的代數(shù)式表示,設(shè)NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。

-64-21345(4)某磷青銅晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。-65-21345答案

(1)1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1

10(2)①sp3

②>因?yàn)镠NO3分子中含有2個(gè)非羥基氧原子,比H3PO4中多1個(gè)(3)<(4)①SnCu3P

②4平面正方形-65-21345答案(1)1s22s22p63s23p6-66-21345解析

(1)Cu元素為29號(hào)元素,原子核外有29個(gè)電子,所以核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1,銅原子價(jià)層電子排布式為3d104s1,其中成對(duì)電子數(shù)為10;(2)①PH3分子中價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=3+(5-3×1)=4,所以磷原子采用sp3雜化;②非金屬性N>P,最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物的酸性為HNO3>H3PO4,從結(jié)構(gòu)的角度分析,因?yàn)镠NO3分子中含有2個(gè)非羥基氧原子,比H3PO4中多1個(gè),故酸性為HNO3>H3PO4;(3)磷青銅中錫、磷兩元素電負(fù)性的大小為Sn<P;-66-21345解析(1)Cu元素為29號(hào)元素,原子核外-67-21345《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1-67-21345《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1《晶體-68-431253.鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素,在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。(1)比較下列鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn),分析其變化規(guī)律及原因

。

《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1-68-431253.鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素,在電子、-69-43125(2)晶胞有兩個(gè)基本要素:①原子坐標(biāo)參數(shù),表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置。下圖為Ge單晶的晶胞,其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0);。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為

。

②晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76pm,其密度為

g·cm-3(列出計(jì)算式即可)?！毒w結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1-69-43125(2)晶胞有兩個(gè)基本要素:《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)-70-43125答案:(1)GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸點(diǎn)依次增高。原因是分子結(jié)構(gòu)相似,相對(duì)分子質(zhì)量依次增大,分子間相互作用力逐漸增強(qiáng)《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1-70-43125答案:(1)GeCl4、GeBr4、GeI-71-431254.砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作微型激光器或太陽(yáng)能電池的材料等?；卮鹣铝袉栴}:(1)GaF3的熔點(diǎn)高于1000℃,GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃,其原因是

。

(2)GaAs的熔點(diǎn)為1238℃,密度為ρg·cm-3,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為

,Ga與As以

鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGag·mol-1和MAsg·mol-1,原子半徑分別為rGapm和rAspm,設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為

。

《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1-71-431254.砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,-72-43125《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1-72-43125《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1《晶體-73-531245.(2018全國(guó)Ⅲ)鋅在工業(yè)中有重要作用,也是人體必需的微量元素?；卮鹣铝袉栴}:(1)Zn原子核外電子排布式為

。

(2)ZnF2具有較高的熔點(diǎn)(872℃),其化學(xué)鍵類型是

;ZnF2不溶于有機(jī)溶劑而ZnCl2、ZnBr2、ZnI2能夠溶于乙醇、乙醚等有機(jī)溶劑,原因是

。

(3)《中華本草》等中醫(yī)典籍中,記載了爐甘石(ZnCO3)入藥,可用于治療皮膚炎癥或表面創(chuàng)傷。ZnCO3中,陰離子立體構(gòu)型為

,C原子的雜化形式為

。

(4)金屬Zn晶體中的原子堆積方式如圖所示,這種堆積方式稱為

。六棱柱底邊邊長(zhǎng)為acm,高為ccm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,Zn的密度為

g·cm-3(列出計(jì)算式)。

《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1-73-531245.(2018全國(guó)Ⅲ)鋅在工業(yè)中有重要作用-74-53124答案

(1)[Ar]3d104s2(2)離子鍵ZnF2為離子化合物,ZnCl2、ZnBr2、ZnI2的化學(xué)鍵以共價(jià)鍵為主、極性較小(3)平面三角形sp2(4)六方最密堆積(A3型)《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1-74-53124答案(1)[Ar]3d104s2《晶體結(jié)-75-53124《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1-75-53124《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》ppt高中人教版1《晶體第3節(jié)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第3節(jié)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)-77-考綱要求:1.了解晶體的類型,了解不同類型晶體中結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)別。

2.理解離子鍵的形成,能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)。

3.了解晶格能的概念,了解晶格能對(duì)離子晶體性質(zhì)的影響。

4.了解分子晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。

5.了解原子晶體的特征,能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。

6.理解金屬鍵的含義,能用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)。了解金屬晶體常見的堆積方式。

7.了解晶胞的概念,能根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算。-2-考綱要求:1.了解晶體的類型,了解不同類型晶體中結(jié)構(gòu)微-78-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破晶體常識(shí)與四種晶體的比較1.晶體(1)晶體與非晶體。-3-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破晶體常識(shí)與四種晶體的比較-79-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)得到晶體的途徑。①熔融態(tài)物質(zhì)凝固。②氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固(凝華)。③溶質(zhì)從溶液中析出。-4-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)得到晶體的途徑。-80-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破2.四種晶體的比較

-5-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破2.四種晶體的比較-81-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-6-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-82-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破自主鞏固判斷正誤,正確的畫“√”,錯(cuò)誤的畫“×”。(1)凡是有規(guī)則外形的固體一定是晶體

(

×

)(2)晶體與非晶體的本質(zhì)區(qū)別:是否有自范性

(

√

)(3)熔融態(tài)物質(zhì)凝固就得到晶體

(

×

)(4)晶體有一定的熔、沸點(diǎn)

(

√

)(5)區(qū)分晶體和非晶體最可靠的科學(xué)方法:是否具有固定的熔沸點(diǎn)

(

×

)(6)在晶體中只要有陽(yáng)離子就一定有陰離子

(

×

)(7)原子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高

(

×

)(8)分子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的低

(

×

)(9)離子晶體中一定不含有共價(jià)鍵

(

×

)(10)分子晶體或原子晶體中一定不含離子鍵

(

√

)-7-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破自主鞏固-83-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破1.晶體類型的5種判斷方法(1)依據(jù)構(gòu)成晶體的微粒和微粒間的作用判斷。①離子晶體的構(gòu)成微粒是陰、陽(yáng)離子,微粒間的作用是離子鍵。②原子晶體的構(gòu)成微粒是原子,微粒間的作用是共價(jià)鍵。③分子晶體的構(gòu)成微粒是分子,微粒間的作用為分子間作用力。④金屬晶體的構(gòu)成微粒是金屬陽(yáng)離子和自由電子,微粒間的作用是金屬鍵。-8-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破1.晶體類型的5種判斷方法-84-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)依據(jù)物質(zhì)的分類判斷。①金屬氧化物(如K2O、Na2O2等)、強(qiáng)堿(NaOH、KOH等)和絕大多數(shù)的鹽類是離子晶體。②大多數(shù)非金屬單質(zhì)(除金剛石、石墨、晶體硅等)、非金屬氫化物、非金屬氧化物(除SiO2外)、幾乎所有的酸、絕大多數(shù)有機(jī)物(除有機(jī)鹽外)是分子晶體。③常見的單質(zhì)類原子晶體有金剛石、晶體硅、晶體硼等,常見的化合類原子晶體有碳化硅、二氧化硅等。④金屬單質(zhì)是金屬晶體。(3)依據(jù)晶體的熔點(diǎn)判斷。①離子晶體的熔點(diǎn)較高。②原子晶體的熔點(diǎn)很高。③分子晶體的熔點(diǎn)低。④金屬晶體多數(shù)熔點(diǎn)較高,但有少數(shù)熔點(diǎn)相當(dāng)?shù)汀?9-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)依據(jù)物質(zhì)的分類判斷。-85-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(4)依據(jù)導(dǎo)電性判斷。①離子晶體溶于水及熔融狀態(tài)時(shí)能導(dǎo)電。②原子晶體一般為非導(dǎo)體。③分子晶體為非導(dǎo)體,而分子晶體中的電解質(zhì)(主要是酸和強(qiáng)極性非金屬氫化物)溶于水,使分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂形成自由移動(dòng)的離子,也能導(dǎo)電。④金屬晶體是電的良導(dǎo)體。(5)依據(jù)硬度和機(jī)械性能判斷。①離子晶體硬度較大、硬而脆。②原子晶體硬度大。③分子晶體硬度小且較脆。④金屬晶體多數(shù)硬度大,但也有硬度較小的,且具有延展性。-10-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(4)依據(jù)導(dǎo)電性判斷。-86-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破2.晶體熔、沸點(diǎn)的比較(1)不同類型晶體熔、沸點(diǎn)的比較。①不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低的一般規(guī)律:原子晶體>離子晶體>分子晶體。②金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大,如鎢、鉑等熔、沸點(diǎn)很高,汞、銫等熔、沸點(diǎn)很低。-11-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破2.晶體熔、沸點(diǎn)的比較-87-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)同種晶體類型熔、沸點(diǎn)的比較。①原子晶體:(比較共價(jià)鍵強(qiáng)弱)原子半徑越小→鍵長(zhǎng)越短→鍵能越大→共價(jià)鍵越強(qiáng)→熔、沸點(diǎn)越高。如熔點(diǎn):金剛石>碳化硅>晶體硅②離子晶體:(比較離子鍵強(qiáng)弱或晶格能大小)a.一般地說(shuō),陰、陽(yáng)離子所帶電荷數(shù)越多,離子半徑越小,則離子間的作用力就越大,其離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越高,如熔點(diǎn):MgO>NaCl>CsCl。b.衡量離子晶體穩(wěn)定性的物理量是晶格能。晶格能越大,形成的離子晶體越穩(wěn)定,熔點(diǎn)越高,硬度越大。-12-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)同種晶體類型熔、沸-88-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破③分子晶體:(比較分子間作用力大小)a.分子間作用力越大,物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高;具有氫鍵的分子晶體熔、沸點(diǎn)反常地高。如沸點(diǎn)H2O>H2Te>H2Se>H2S。b.組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔、沸點(diǎn)越高,如SnH4>GeH4>SiH4>CH4。c.組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)(相對(duì)分子質(zhì)量接近),分子的極性越大,其熔、沸點(diǎn)越高,如CO>N2,CH3OH>CH3CH3。d.同分異構(gòu)體,支鏈越多,熔、沸點(diǎn)越低。-13-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破③分子晶體:(比較分子間-89-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破④金屬晶體:金屬離子半徑越小,離子所帶電荷數(shù)越多,其金屬鍵越強(qiáng),金屬熔、沸點(diǎn)就越高,如熔、沸點(diǎn):Na<Mg<Al。-14-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破④金屬晶體:-90-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破例1現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)(℃)數(shù)據(jù):據(jù)此回答下列問題:(1)由表格中數(shù)據(jù)可知,A組熔點(diǎn)普遍偏高,據(jù)此回答:①A組屬于

晶體,其熔化時(shí)克服的粒子間的作用力是

;②硅的熔點(diǎn)低于二氧化硅,是由于

;

③硼晶體的硬度與硅晶體相對(duì)比:

。

-15-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破例1現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)(-91-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)B組晶體中存在的作用力是

,其共同的物理性質(zhì)是

(填序號(hào)),可以用

理論解釋。①有金屬光澤②導(dǎo)電性③導(dǎo)熱性④延展性(3)C組中HF熔點(diǎn)反常是由于

。

(4)D組晶體可能具有的性質(zhì)是

(填序號(hào))。

①硬度?、谒芤耗軐?dǎo)電③固體能導(dǎo)電④熔融狀態(tài)能導(dǎo)電(5)D組晶體中NaCl、KCl、RbCl的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)?/p>

,MgO晶體的熔點(diǎn)高于前三者,其原因解釋為

。

-16-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)B組晶體中存在的作-92-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破答案:(1)①原子共價(jià)鍵②Si—Si鍵鍵能小于Si—O鍵鍵能③硼晶體大于硅晶體(2)金屬鍵①②③④電子氣(3)HF分子間能形成氫鍵,其熔化時(shí)需要消耗的能量更多(4)②④(5)NaCl>KCl>RbCl

MgO晶體為離子晶體,離子所帶電荷越多,半徑越小,晶格能越大,熔點(diǎn)越高-17-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破答案:(1)①原子共價(jià)-93-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破解析:(1)A組由非金屬元素組成,熔點(diǎn)最高,屬于原子晶體,熔化時(shí)需破壞共價(jià)鍵。由共價(jià)鍵形成的原子晶體中,原子半徑小的鍵長(zhǎng)短,鍵能大,晶體熔、沸點(diǎn)高,硬度大。(2)B組都是金屬,存在金屬鍵,具有金屬晶體的性質(zhì),可以用“電子氣理論”解釋相關(guān)的性質(zhì)。(3)C組鹵化氫晶體屬于分子晶體,HF熔點(diǎn)高是由于分子之間形成氫鍵。(4)D組是離子化合物,熔點(diǎn)較高,具有離子晶體的性質(zhì)。(5)晶格能大小與離子電荷數(shù)和離子半徑有關(guān),電荷數(shù)越多,半徑越小,晶格能越大,熔點(diǎn)越高。-18-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破解析:(1)A組由非金屬-94-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破誤區(qū)警示(1)分子晶體熔、沸點(diǎn)的比較要特別注意氫鍵的存在。(2)離子晶體的熔點(diǎn)不一定都低于原子晶體,如MgO是離子晶體,熔點(diǎn)是2

800

℃;而SiO2是原子晶體,熔點(diǎn)是1

732

℃。-19-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破誤區(qū)警示(1)分子晶體熔-95-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破跟蹤訓(xùn)練1.磷是人體含量較多的元素之一,磷的化合物在藥物生產(chǎn)和農(nóng)藥制造等方面用途非常廣泛?；卮鹣铝袉栴}:(1)基態(tài)磷原子的核外電子排布式為

。

(2)P4S3可用于制造火柴,其分子結(jié)構(gòu)如圖1所示。①第一電離能:磷

(填“>”或“<”,下同)硫;電負(fù)性:磷

硫。②P4S3分子中硫原子的雜化軌道類型為

。

③每個(gè)P4S3分子中含孤電子對(duì)的數(shù)目為

。

-20-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破跟蹤訓(xùn)練-96-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(3)N、P、As、Sb均是第ⅤA族的元素。①上述元素的氫化物的沸點(diǎn)關(guān)系如圖2所示,沸點(diǎn):PH3<NH3,其原因是

;沸點(diǎn):PH3<AsH3<SbH3,其原因是

。

②某種磁性氮化鐵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖3所示,該化合物的化學(xué)式為

。

(4)磷化鋁熔點(diǎn)為2000℃,它與晶體硅互為等電子體,磷化鋁晶胞結(jié)構(gòu)如圖4所示。①磷化鋁晶體中磷與鋁微粒間的作用力為

。

②圖中A點(diǎn)和B點(diǎn)的原子坐標(biāo)參數(shù)如圖4所示,則C點(diǎn)的原子坐標(biāo)參數(shù)為

。

③磷化鋁晶體的密度為ρg·cm-3,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值,則該晶胞中距離最近的兩個(gè)鋁原子之間的距離為

cm。-21-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(3)N、P、As、Sb-97-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-22-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-98-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破答案

(1)1s22s22p63s23p3或[Ne]3s23p3(2)①>

<

②sp3

③10(3)①NH3分子間存在氫鍵相對(duì)分子質(zhì)量不斷增大,分子間作用力不斷增強(qiáng)②Fe3N-23-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破答案(1)1s22s2-99-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破解析

(1)磷是15號(hào)元素,基態(tài)磷原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p3或[Ne]3s23p3;(2)①磷的3p能級(jí)為半充滿結(jié)構(gòu),較為穩(wěn)定,故第一電離能:磷>硫;硫的非金屬性比磷強(qiáng),故電負(fù)性:磷<硫;②P4S3分子中硫原子與2個(gè)P原子相連,每個(gè)硫原子還有2個(gè)孤電子對(duì),采用sp3雜化;③每個(gè)P原子有1個(gè)孤電子對(duì),每個(gè)S原子有2個(gè)孤電子對(duì),每個(gè)P4S3分子中含孤電子對(duì)的數(shù)目為1×4+2×3=10;(3)①氨分子間存在氫鍵,導(dǎo)致沸點(diǎn):PH3<NH3;隨相對(duì)分子質(zhì)量不斷增大,分子間作用力不斷增強(qiáng),因此沸點(diǎn):PH3<AsH3<SbH3;②N原子位于體內(nèi),數(shù)目為2;Fe原子位于頂點(diǎn)、面心和體內(nèi),數(shù)目為

,故化學(xué)式為Fe3N;-24-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破解析(1)磷是15號(hào)元-100-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-25-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-101-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破2.下表為鈉的鹵化物和硅的鹵化物的熔點(diǎn):回答下列問題:(1)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高很多,其原因是

。

(2)NaF的熔點(diǎn)比NaBr的熔點(diǎn)高的原因是

。

SiF4的熔點(diǎn)比SiBr4的熔點(diǎn)低的原因是

。

(3)NaF和NaBr的晶格能的高低順序?yàn)?/p>

,硬度大小為

。

-26-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破2.下表為鈉的鹵化物和硅-102-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破答案:(1)鈉的鹵化物是離子晶體,硅的鹵化物是分子晶體(2)F-半徑比Br-半徑小,NaF的離子鍵強(qiáng)度比NaBr的離子鍵強(qiáng)度大SiF4的相對(duì)分子質(zhì)量比SiBr4的相對(duì)分子質(zhì)量小,SiF4的分子間作用力比SiBr4的分子間作用力小(3)NaF>NaBr

NaF>NaBr解析:(1)一般來(lái)說(shuō),離子晶體的熔點(diǎn)比分子晶體的熔點(diǎn)高。(2)NaF和NaBr屬于離子晶體,離子晶體中離子的半徑越小,離子所帶的電荷越多,離子鍵強(qiáng)度越大,熔點(diǎn)越高;SiF4和SiBr4屬于分子晶體,一般情況下,分子晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔點(diǎn)越高。(3)一般來(lái)說(shuō)離子晶體中,離子半徑越小,離子所帶的電荷越多,離子鍵強(qiáng)度越大,晶格能越大,硬度越大,F-半徑小于Br-,晶格能NaF>NaBr,硬度NaF>NaBr。-27-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破答案:(1)鈉的鹵化物是-103-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破晶胞與典型晶體模型及相關(guān)計(jì)算1.晶胞(1)晶胞:是描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元。(2)晶體與晶胞的關(guān)系:整個(gè)晶體可以看作由數(shù)量巨大的晶胞“無(wú)隙并置”而成,晶胞是晶體結(jié)構(gòu)中的基本重復(fù)單元,晶胞的結(jié)構(gòu)可以反映晶體的結(jié)構(gòu)。(3)晶胞中粒子數(shù)目的計(jì)算——均攤法:如某個(gè)粒子為n個(gè)晶胞所共有,則該粒子有

屬于這個(gè)晶胞。-28-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破晶胞與典型晶體模型及相關(guān)-104-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破2.典型晶體模型

-29-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破2.典型晶體模型-105-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-30-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-106-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-31-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-107-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-32-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-108-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-33-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-109-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破自主鞏固(1)如圖是甲、乙、丙三種晶體的晶胞,則甲晶體中x與y的個(gè)數(shù)比是2∶1,乙中a與b的個(gè)數(shù)比是1∶1,丙中一個(gè)晶胞中有4個(gè)c離子和4個(gè)d離子。-34-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破自主鞏固-110-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)①將等徑圓球在二維空間里進(jìn)行排列,可形成密置層和非密置層。在圖1所示的半徑相等的圓球的排列中,A屬于非密置層,配位數(shù)是4;B屬于密置層,配位數(shù)是6。②將非密置層一層一層地在三維空間里堆積,得到如圖2所示的一種金屬晶體的晶胞,它被稱為簡(jiǎn)單立方堆積,在這種晶體中,金屬原子的配位數(shù)是6,平均每個(gè)晶胞所占有的原子數(shù)目是1。③有資料表明,只有釙的晶體中的原子具有如圖2所示的堆積方式。釙位于元素周期表的第六周期第ⅥA族,元素符號(hào)是Po,最外層電子排布式是6s26p4。-35-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)①將等徑圓球在二維-111-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破1.晶胞組成的計(jì)算規(guī)律(1)平行六面體形晶胞數(shù)目的計(jì)算。

-36-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破1.晶胞組成的計(jì)算規(guī)律-112-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-37-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-113-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-38-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-114-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-39-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-115-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)(2018全國(guó)Ⅰ節(jié)選)①Li2O是離子晶體,其晶格能可通過(guò)圖(a)的Born-Haber循環(huán)計(jì)算得到?？芍?Li原子的第一電離能為

kJ·mol-1,O=O鍵鍵能為

kJ·mol-1,Li2O晶格能為

kJ·mol-1。

-40-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)(2018全國(guó)Ⅰ節(jié)-116-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破②Li2O具有反螢石結(jié)構(gòu),晶胞如圖(b)所示。已知晶胞參數(shù)為0.4665nm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則Li2O的密度為

g·cm-3(列出計(jì)算式)。

-41-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破②Li2O具有反螢石結(jié)構(gòu)-117-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-42-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-118-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-43-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-119-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破跟蹤訓(xùn)練3.(1)①C60和金剛石都是碳的同素異形體,兩者相比較熔點(diǎn)高的是

。

②超高導(dǎo)熱絕緣耐高溫納米氮化鋁在絕緣材料中應(yīng)用廣泛,氮化鋁晶體與金剛石類似,每個(gè)鋁原子與

個(gè)氮原子相連,與同一個(gè)氮原子相連的鋁原子構(gòu)成的立體構(gòu)型為

。

③金屬鎳粉在CO氣流中輕微加熱,生成無(wú)色揮發(fā)性液體Ni(CO)4,呈正四面體構(gòu)型。試推測(cè)Ni(CO)4的晶體類型是

,Ni(CO)4易溶于下列

(填字母)。

A.水 B.四氯化碳

C.苯 D.硫酸鎳溶液④AlCl3在177.8℃時(shí)升華,蒸氣或熔融狀態(tài)以Al2Cl6形式存在。下列關(guān)于AlCl3的推斷錯(cuò)誤的是

(填字母)。

A.氯化鋁為共價(jià)化合物

B.氯化鋁為離子化合物C.氯化鋁難溶于有機(jī)溶劑

D.Al2Cl6中存在配位鍵-44-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破跟蹤訓(xùn)練-120-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)硒化鋅(ZnSe)是一種重要的半導(dǎo)體材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,該晶胞中硒原子的配位數(shù)為

;若該晶胞密度為ρg·cm-3,硒化鋅的摩爾質(zhì)量為Mg·mol-1。NA代表阿伏加德羅常數(shù)的值,則晶胞參數(shù)a為

pm。

答案

(1)①金剛石②4正四面體③分子晶體BC

④BC

-45-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)硒化鋅(ZnSe)-121-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破解析

(1)①C60是分子晶體,金剛石是原子晶體,所以金剛石的熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于C60的。②由金剛石結(jié)構(gòu)中每個(gè)碳原子均以sp3雜化與其他四個(gè)碳原子相連形成四個(gè)共價(jià)鍵構(gòu)成正四面體結(jié)構(gòu)可推測(cè)每個(gè)鋁原子與4個(gè)氮原子相連,與同一個(gè)氮原子相連的鋁原子構(gòu)成的立體構(gòu)型為正四面體。③由揮發(fā)性液體可知Ni(CO)4是分子晶體,由正四面體構(gòu)型可知Ni(CO)4是非極性分子。④由AlCl3易升華可知AlCl3是分子晶體,Al—Cl鍵不屬于離子鍵應(yīng)該為共價(jià)鍵,鋁原子最外層三個(gè)電子全部成鍵,形成三個(gè)Al—Cl

σ鍵,無(wú)孤電子對(duì),是非極性分子,易溶于有機(jī)溶劑,Al有空軌道,與Cl的孤電子對(duì)能形成配位鍵,A、D正確。-46-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破解析(1)①C60是分-122-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-47-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-123-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破4.(1)(2019山東臨沂高三期末節(jié)選)下圖為白磷(P4)的晶胞示意圖,晶胞的邊長(zhǎng)為anm,設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為

g·cm-3。

-48-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破4.(1)(2019山東-124-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)(2019福建三明期末質(zhì)量檢測(cè)節(jié)選)立方氮化硼晶胞如圖,其密度為ρg·cm-3,氮化硼的摩爾質(zhì)量為Mg·mol-1,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,硼原子的半徑為rcm,則硼原子的空間占有率為

(用含有ρ、M、NA、r的代數(shù)式表示)。

-49-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(2)(2019福建三明-125-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(3)(2019山西晉中高三模擬節(jié)選)Cu3N的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,N3-的配位數(shù)為

,Cu+半徑為apm,N3-的半徑為bpm,Cu3N晶胞的密度為

g·cm-3(列出計(jì)算式即可,阿伏加德羅常數(shù)的值用NA表示)。

-50-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(3)(2019山西晉中-126-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(4)(2019成都七中高三模擬節(jié)選)GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,其中As原子形成的空隙類型有正八面體形和正四面體形,該晶胞中Ga原子所處空隙類型為

。已知GaAs的密度為ρg·cm-3,Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGag·mol-1和MAsg·mol-1,則GaAs晶胞中Ga之間的最短距離為

pm。

-51-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破(4)(2019成都七中-127-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-52-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-128-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-53-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-129-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-54-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-130-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-55-考點(diǎn)一考點(diǎn)二基礎(chǔ)梳理考點(diǎn)突破-131--56--132--57--133-213451.(2019廣西柳州高三模擬)第四周期中的18種元素具有重要的用途,在現(xiàn)代工業(yè)中備受青睞。(1)鈦原子的價(jià)層電子排布式為

,TiCl4沸點(diǎn)為136℃,熔點(diǎn)為-25℃,晶體類型為

晶體。

(2)銅的第二電離能(I2)大于鋅的第二電離能,其主要原因是

。

(3)與As同主族的短周期元素是N、P。AsH3的中心原子軌道雜化的類型是

;一定壓強(qiáng)下將AsH3、NH3和PH3的混合氣體降溫時(shí)液化的先后順序是

,理由是

。

-58-213451.(2019廣西柳州高三模擬)第四周期中-134-21345(4)鉻是一種硬而脆、抗腐蝕性強(qiáng)的金屬,常用于電鍍和制造特種鋼。下圖1為鉻的晶胞結(jié)構(gòu)圖,則鉻晶胞屬于

堆積;該晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為

。

(5)鈷晶體的一種晶胞(如圖2所示)的邊長(zhǎng)為anm,密度為ρg·cm-3,NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則鈷原子半徑為

nm,鈷的相對(duì)原子質(zhì)量可表示為

。

-59-21345(4)鉻是一種硬而脆、抗腐蝕性強(qiáng)的金屬,常-135-21345答案:(1)3d24s2分子(2)氣態(tài)Cu失去一個(gè)電子后電子排布式為[Ar]3d10,此時(shí)3d軌道處于全滿的穩(wěn)定狀態(tài),所以Cu的第二電離能相對(duì)較大,而氣態(tài)Zn失去一個(gè)電子后電子排布式為[Ar]3d104s1,易再失去一個(gè)電子,所以Zn的第二電離能相對(duì)較小(3)sp3

NH3>AsH3>PH3

NH3分子間有氫鍵,AsH3和PH3結(jié)構(gòu)相似,而AsH3的相對(duì)分子質(zhì)量大于PH3的相對(duì)分子質(zhì)量,所以AsH