SMD原物料承認(rèn)作業(yè)方法

原物料承言忍作it方法制言丁日期:2016/03/01核準(zhǔn)塞核制言丁文件檄Ml原物料承IS作H方法文件褊虢S80-WI-059版本A制言丁部因SMDT程部制言了日期2016/03/011

原物料承ts作渠方法修言丁言己金條表修司K次修言丁脩款修言丁原因修言了人修言了日期部咒主管筵核P4新增新增樊射管老化判定襟準(zhǔn)文浩10/4/6邵小山P4/5/6/7/9修改取棣數(shù)量重新定兼文浩10/4/6邵小山P5修改缸墨水滲透檄準(zhǔn)重新定羲文浩10/4/6邵小山P9修改美光粉rIK性修件重新定位文浩10/4/6邵小山P8修改斷裂拉力楞（準(zhǔn)就寸召弟10/6/10邵小山P11/12新增刷黑支架承百忍作It方法就寸召弟10/8/6邵小山P6新增支架折腳檢測就寸召弟10/8/28邵小山P11修改油墨典其他巽物有瓢掉迤杯內(nèi)就寸召弟10/8/28邵小山文件檄Ml原物料承IS作H方法文件褊虢S80-WI-059版次A1制言丁部因SMDT程部制言了日期2010/08/2821.目的禹殿格控制本公司原物料的品II及規(guī)靶橫瞬程序，特制言了本程序使原物料迤料祝乾化。.ffiH逾合所有原物料承.資材部：me原物料檬品及祝格善的索取工程部：me原物料的檬品的裂作、橫瞬及崖晶資料數(shù)at的建立。.定羲瓢。.作n內(nèi)容:大功率晶片承資材部向原物料供鷹商索取最新的原物料檬品,原物料供鷹商向我司提供檬品或附相鷹的祝格善，且需碓此檬品有能力量或由資材部K立物料承通知覃.檬晶晶片裸品亮度等級要規(guī)乾，波房的跨度在5nm之內(nèi)，白光波段要在2.5nm以內(nèi)使用高倍18微SKfi行外覲特性檢測晶片裂痕；晶片破；切割不良；底部不平；掉雷趣；偏移；18趣殘缺；氧化；H趣!§唇脫落；粘膜髭聚；依at供鷹商規(guī)格襟示值，使用精密迤行尺寸量測；使用IS#Kfi行裸晶18性量測Lm是LED的光通量，罩位：Lm（修件"心向0.5W/1W/3W/5W150/350/700/1500mA）,2）入d:是LED的主波房，罩位：nm（B件"心向0.5W/1W/3W/5W150/350/700/1500mA）,3）入p：是LED的峰值波辰，K位：nm（修件」心向0.5W/1W/3W/5W150/350/700/1500mA）,mW是LED的功率，罩位：mW^件"嗔向0.5W/1W/3W/5W150/350/700/1500mA）,5）成品ESDffl就（HBM）:羽梅裱器：ETS910抽測20pcs,以-1000V/沖擎1次、-2000V/沖擎1次，冉以逆向5V測IrK值。判定襟型：（注：此襟準(zhǔn)主要金性寸于盛光晶片，-1000V?-8000V）-1000V,7中擎1次，IR<1aA呈100%-2000V,沖擎1次，IR<1仙A呈95%如晶片有保證在何槿修件下可通謾的百分率，我司招按照此襟型迤行抽測，如不能通謾JW判定懸不合格。不合格者符毋承文件檄Ml原物料承IS作H方法文件褊虢S80-WI-059版次A0制言丁部因SMDT程部制言了日期2016/03/01真次3

5.1.6檬晶晶片成品裂作，檬品制E40PCS（具醴打檬數(shù)量可根材提供的檬品數(shù)量迤行打糕91）有色光：支架：PL0&金1.25mil、瓷嘴：38KF、小于38mil使用CT285大于等于38mil使用9888）2）白光：支架：PL02金1.25mil、瓷嘴：38KF小于38mil使用CT285大于等于38mil使用9888）3）同等級晶片封照黜，作H僚件同上5.1.7檬晶晶片可靠性^1）熟煲：（僚件：260c/10秒），取檬數(shù)量5~10PCS判定檄型：VFf1差三0.1V,不得死燎2）高溫高漏3H/回流焊/冷熱沖取檬數(shù)量5~10PCS高溫高漏90喊度60c琪境溫度回流焊150C-200C-270C/3min冷熱沖擎-45C/20min?3min排JM?3min彳復(fù)&帚?105c/20min,共100（0循琪判定檄型：VFf1差三0.1V,不得死燎3）老化^a.常高溫各取5~10PCS0.5W:150mA/1000Ha溫老化1W350mA/1000K溫老化3W700mA/1000K溫老化5W1500mA/1000K溫老化修件一的判定襟型：超謾A等級判R不合格①白光：A:IV/LM/mW衰減<5%IR<1uA,VF^差三0.1VB:IV/LM/mW衰減<2%IR<1uA,VF^差三0.1V②其它：A:IV/LM/mW衰減<5%IR<1uA,VF^差三0.1VB:IV/LM/mW衰減<2%IR<1uA,VF^差三0.1V借注：金性寸彝射管的老化,主要以mWt入嚏化大小E其判定檄準(zhǔn),其中要求1000H常、高溫老化入P建化大小不得超謾雨他納米。4）重性曲（修件：0.5W/1W/3W/5W150/350/700/1500mA）根at僚件分別測IF與VF、IV、入D的^系示意圄（注：測副雹流可逾常放大）5）冷凄^取5?10PCSH料謾回流焊一放入-40C冰箱冷凄12HH常溫卜存放4H,共3他循黑6）晶片推力及一焊金球推力檢測：判定襟型：小功率/金艮月蓼呈70g，小功率/余色^月蓼呈100g;大功率/金艮月蓼二200g。第一焊黑占金H趣：1.0mils金球推力二40g1.2mils金球推力二50g,一焊黑占殘金面必^^85%借注：金性寸大功率晶片，由于央料數(shù)量可能比敕少，造部分可以不做。文件檄Ml原物料承IS作H方法文件褊虢S80-WI-059版次A0制言丁部因SMDT程部制言了日期2016/03/014檬品支架承資材部向原物料供鷹商索取最新的原物料檬品,原物料供鷹商向我司提供檬品或附相鷹的祝格善，且需碓熬此檬品有能力量,或由資材部K立物料承IS通知覃.使用高倍K微SKfi行外覲特性檢測生^^色；起泡；沖屋不良；焊黑占面粗糙不平；杯底凹擊不平；月郤tf曲堤形；支架污染；刮像；甯：18不良。使用工具投影H迤行尺寸量測根at供鷹商提供之規(guī)格善迤行尺寸測量，公差范闡/判定襟準(zhǔn)參照同規(guī)格量崖支架檬品支架特性^（主要金性寸于小功率規(guī)格）1）金艮唇厚度：檢測重黑占懸周晶顯域、二焊黑占，判定襟準(zhǔn)：金艮唇厚度〉100（覃位：叱inch）借注：博箍支架^格襟示懸100由0Ninch2）厚度：檢測重黑占懸周晶顯域、二焊黑占，判定襟準(zhǔn)：^厚度＜80（覃位：叱inch）借注：金十封SMDKB支架，由于支架^^工蓼因素，有些地方梅不到^^厚度，所以厚度不作懸重黑占管SSS目，只要求其厚度在公司管控襟準(zhǔn)內(nèi)。3）烘烤就瞬：175c/2h,PPAMS重建黃、金艮唇脫落、^^起泡垣象4）晶片結(jié)合能力：使用晶元晶片固晶（V10J/PN10）,於推拉力械測冷推推力判定襟準(zhǔn)（冷推推力）：100g,金艮月蓼〉70g。5）焊接能力（手焊/械焊空支架）：於杯底至二焊打上金^E黑占的推力。判定襟準(zhǔn)（冷推推力）：二焊二100g,殘金面稹呈85%;手焊數(shù)SM堇供參考，但要有封比哪援。6）迤行拉力和可焊性測就。（注：D黑占拉力供參考）C黑占拉力襟準(zhǔn)值：1.0mils呈7g,1.2mils呈8g,1.25mil呈10g,不得斷A、E。檬品支架與同規(guī)格量崖支架成品ft性封比IV:是LED的事由向光檢度，罩位：mcd修件」取向20mA）判定襟型：必^大於或等於替代支架的亮度LM光通量罩位條件：向20mA判定襟舉：必^相近或等於替代支架的LM防金艮jS散剜梅T1：取檬品支架10PCS用5漂度硫化金用溶液浸泡一分金童，取出后覲察IS色有瓢建化。判定襟型：如果IS色有建化刖沒有添加防金艮散剜，反之JW加有防金艮^散剜。檬品支架可靠性^^1）空支架缸墨水滲透^^：（修件：取20PCS檬品空支架典替代空支架，符缸墨水滴于支架pinu折1ha,ai其自然干掉，30分金童后取出覲察其滲透情況，再放到260c熟煲板上5~10s,取出K察其滲透情況）判定襟型：支架碗杯內(nèi)，支架典pp闋合部分允if有滲透，但不能滲透到支架功能n。2）高溫高漏3H/回流焊/冷熱沖取檬5~10PCS高溫高漏90喊度60c琪境溫度回流焊150C-200C-270C/3min冷熱沖擎-45C/20min~3min排JM~3min彳復(fù)S1~105C/20min,共100（0循琪判定襟型：VFfj差三0.1V,不得死燎文件檄Ml原物料承IS作H方法文件褊虢S80-WI-059版次A0制言丁部因SMDT程部制言了日期2016/03/0153）老化^（修件：常高溫20mA/1000H的，區(qū)流老化板測常高溫各取5~10PCS判定襟型：超謾A等級判定懸不合格IV<10%IR<1uA,VFft差三0.1V（注：此襟準(zhǔn)主要金性寸于117/118料的3020及3528盛光規(guī)格）IV<5%IR<1uA,VFft差三0.1VIV<2%IR<1uA,VFft差三0.1V4）熟取檬品支架于260c熟煲板上加熟10s,取出后放于K微^下覲察有瓢油污（水汽）Wo5）冷凄^取5~10PCSU料謾回流焊一放入-40C冰箱冷凄12HH常溫下存放4H,3（0循琪。支架典月蓼水搭配性：取檬品支架與替代支架同款月蓼水封裝材料：?正常滲透（80C/2H）?回流焊滲透（回流焊一80C/2H）以上封比黜覲察且留BI建槽判定襟型：各部分滲透性能必^^于替代支架，且滲透部分不能優(yōu)支架與月蓼水1B部的結(jié)合慮滲透缸墨水。借注：需與替代支架作滲透封比，每黜封照黜含替代支架取10PCS支架骨架示意H：（修件：硫酸浸泡/剪St錄陶隹PPA）使用硫酸溶解掉支架PPAIE用剪陶隹支架PPA直至露出銅底材，?（察且留BI建槽借注：需與替代支架作骨架封比HSF羽很支架的PPAffiflW白需梅是否有含有害物并附RoHSt告。支架折《?谷哧婭此（修件：剪於剝羯）使用剪於把支架PINH90度，再用手指把PIN腕合描匕覲察PIN^"r?fiH,取檬10~20PCS檬品模僚承IS資材部向原物料供鷹商索取最新的原物料檬品，原物料供鷹商向我司提供檬品或附相鷹的規(guī)格善，且需碓熬此檬品有能力量,或由資材部K立物料承IS通知覃.使用高倍K微SKfi行外覲特性檢測K數(shù)不足或多余；帽沿破揖；硅^片堤形；硅^片生;底部塑月蓼殘留；模粒內(nèi)部模糊；模粒內(nèi)部刮像；模粒表面有裂觸；模粒表面有缺揖使用精密測迤行尺寸量測檬品模修成品裂作：60°模修：晶片ES-CEBLV45CIV>275WL457.5-460支架：PL02120°模修：晶片ES-CEBLV45CIV>275WL457.5-460支架：PL02檬品模修成品^就：291/2:是LED的全視角，單位：度（條件：向20mA判定襟津：必^在可替代模修角度的土2。以內(nèi)，且光斑均勻瓢偏心文件襟Ml原物料承IS作某方法文件褊虢S80-WI-059版次A1制言丁部因SMDT程部制言了日期2016/08/286

2）成品ft性檢測：檬品模僚可靠性^耐高溫烘烤（165C/2H）,判定襟型：瓢燮色、起泡、彝黃、燮形等垣象HSF^就需封模修迤行檢測是否含肩肩害物H。5.4檬品月蓼水承資材部向原物料供師索取最新的原物料檬品，原物料供鷹"我司提供檬品或附相鷹的祝格善，且需哈此檬品有能力量。，或由資材部K立物料承通知覃.檬品月蓼水特性^^：1）久置^^2）烘烤畤碓定3）成品18性檢測4）信賴性檢測5）月蓼颼黃化^^6）缸墨水滲透^^檬品月蓼水與替代月蓼水成品亮度封比，封比數(shù)量各10PCS1）全彩規(guī)格封比晶片：PH14/V15/V13系列支架：一言全5050N2）白光封比晶片：V10F系列支架：豪恩HQ（3528）,作到同一X/Y下迤行封比3）大功率規(guī)格晶片：V45C系歹1」支架：PL02,作到同一X/Y下迤行封比判定襟型：必但大於或等於替代月蓼水的亮度（代表透光度相常甚至更佳）檬品月蓼水信賴性1）熟煲^瞬，與替代月蓼水各取10PCSB照：（修件：260c/10秒），判定襟型：VF|g差三0.1V,不得死燎2）高溫高漏3H/回流焊/冷熱沖與替代月蓼水各取5~10PCSB照：高溫高漏90%1度60c琪境溫度回流焊150C-200C-270c/3min冷熱沖（！-45C/20min~3min排JM~3min彳復(fù)S1~105C/20min,共100（0循琪判定妙型：VF次差三0.1V,不得死燎3）老化平估：理闕察件：常高溫20mA/1000H的，區(qū)流老化板測忒測副吸量常高溫各取5~10PCS與替代月蓼水各取10PCSB照判定檄型：超謾A等級判定懸不合格IV衰減<5%IR<1uA,VF11差三0.1VIV衰減<2%IR<1uA,VF11差三0.1V4）冷凄理瞬：取檬5~10PCSM料謾回流焊一放入-40C冰箱冷凄12HH常溫卜存放4H,共3（0循琪。月寥震黃化以及缸墨水滲透^^與替代月蓼水各取10PCS寸照：比封月蓼水封於高溫焊接琪境的耐熱程度1）熟煲一次260C/10秒2）退流焊五次文件檄Ml原物料承IS作H方法文件褊虢S80-WI-059版次A0制言丁部因SMD：程部制言了日期2016/03/017

3）每^1次，保存檬品做比封支架典月蓼水搭配性：取檬品支架與替代支架黑戰(zhàn)1格封鷹揩水分別迤行，空支架黑胡蓼即可?正常滲透（80C/2H）?回流焊滲透（回流焊一80C/2H）以上封比黜覲察且留H建槽判定襟型：各部分滲透性能必^^于替代月蓼水，且滲透部分不能優(yōu)支架與月蓼水1B部的結(jié)合慮滲透缸墨水.借注：需與替代月蓼水作滲透封比,每黜封照黜含替代月蓼水取10PCS硫化武瞬（用欲承水典替代月蓼水各封10PCS5050N水清1n！，焊接典Lamp支架遏U中央同圖度便置，SStT100c圖溫烤箱中硫瓶中并密封，軟月蓼每隔15分金童K察一次；硬每隔2小畤#（察一次，并拍BI。）判定襟舉：相同畤隔內(nèi)，欲承水封的5050N支架，硫化程度典替代月蓼水的相差不大或明St便于替代月蓼水。HSF^就需封月蓼水的成份迤行檢測是否含肩肩害物H。5.5檬品包材載帶承IS資材部向原物料供師索取最新的原物料檬品，原物料供鷹"我司提供檬品或附相鷹的祝格善，且需吟此檬品有能力量，或由資材部K立物料承通知覃.檬品外覲及尺寸量測：1）外K瓢破揖/瓢麒污2）外覲尺寸依aat品規(guī)格耆量羽第已金錄檬品有害物11檢測及核封麗附送有害物11檢測幸艮告：1）核封麗附送之檬品有害物11檢測幸艮告，此幸艮告之檢測值需符合索尼SS-00259之規(guī)范2）金性寸來料檬品我司必^做相^有害物11檢測，檢測值需符合索尼SS-00259之規(guī)范檬品油觥1）表面阻抗就用表面阻抗器測副澈帶/熱溶帶阻抗值阻抗襟準(zhǔn)：10E+5Q三R三10E+9Q2）烘烤就瞬：符鉀以及空包f的祓帝放于烤箱內(nèi)12H烤箱溫度鼓定70C,言十畤到連后，徙烤箱內(nèi)取出瓢堤形/斷裂等巽常U判定OK3）戴帶拉力測符檬品戴帶與檬品熟溶帶上包裝械空包，10cmT段，測"*修件：（封刀溫度：150C-180c封刀力：20-40）拉力襟準(zhǔn)：20-60g4）廝噴裂拉力檢測：aaw：im拉力測副鴻！斷裂拉力襟準(zhǔn)：5630/35353.5d0.5kg;50503.3如.5kg3020/35282.8如.5kg;K14.0m5kg文件檄Ml原物料承IS作H方法文件褊虢S80-WI-059版次A0制言丁部因SMU程部制言了日期2016/06/108

5.6檬品受光粉承熬資材部向原物料供師索取最新的原物料檬品，原物料供鷹"我司提供檬品或附相鷹的祝格善，且需哈此檬品有能力量。，或由資材部K立物料承通知覃.檬品40亦量測：晶片：ES-CEBLV10JV:18.5-20WL455-457.5支架：豪恩HQ（3528罩晶）月蓼水BT918,配置2g水清If即可同，符受光粉按照f比例混合月蓼水并且^^描黑占，優(yōu)（0.20.0.20）到（0.45.0.45）內(nèi)描10-15他1黑占即可，且留IB建受光粉耐溫測IS:取0.5g受光粉放盒放于烤箱內(nèi)2H,烤箱溫度鼓定200C,烘烤完罩后取沒有烘烤的受光粉作同配比X/Y及亮度封比，瓢明K差判定OK檬品受光粉末典替代受光粉成品亮度封比，封比數(shù)量懸各10PCS白光封比晶片：V10J系列支架：豪恩HQ（3528罩晶），必^作合同一X/Y下迤行封比。判定襟準(zhǔn)：必度大於或等於替代受光粉的亮度。檬品受光粉末與替代受光粉用量舉寸比，封比數(shù)量懸各10PCS白光封比晶片：V10J系列支架：豪恩HQ（3528覃晶），音的魅!品受光粉末與替代受光粉作棠同一X/Y的情沈下粉的用量檬品受光粉信賴性1）老化^修件：常高溫20mA/1000H的，區(qū)流老化板測忒典要替代的受光粉檬品各取5~10PCS判定襟型：超謾A等級判R不合格IV衰減<5%IR<1uA,V段差三0.1VIV衰減<2%IR<1uA,V段差三0.1V2）高溫高潺Hit存：高溫高漏-90%懸度60c琪境溫度^存1000小畤，典要替代的受光粉檬品各取5~10PCS判定襟型：超謾A等級判R不合格IV衰減<15%IR<1uA,V段差三0.1VIV衰減<10%IR<1uA,V段差三0.1VIV衰減<5%IR<1uA,V段差三0.1V文件檄Ml原物料承IS作H方法文件褊虢S80-WI-059版次A0制言了部刊SMD：程部制言了日期2016/03/019

窗播建檀5.7原物料工程肺根at所測得的數(shù)摞迤行整理封比，或出示承is幸艮告由余舞區(qū)理批準(zhǔn)彳爰^各部因主管O,判定合格者交各部因伸筵后分品HIQC及資材部存查，或由資材伸給原物料供師；判定不合格者符承幸艮告交資”提供給供師。資材部依at承is幸艮告逗攆合逾的原料物下罩，供鷹商依承is規(guī)格交貨我司，迤料畤iqc根at承is幸艮告中之規(guī)格并結(jié)合迤料橫瞬規(guī)范封原物料迤行迤料橫瞬，判斷是否相符。新承的原物料在迤料及后《自量筐中需持^跟蹬，符所？的曲題建立槽案，下次梅T瞬畤造些曲題符重黑占檢查.相^文件.使用表罩晶片承幸艮告《BT-FORM-S806-C支架承幸艮告《BT-FORM-S801-C包材、防沉;殿粉、白粉承熬幸艮告《BT-FORM-805-。周晶月蓼承熬幸艮告《BT-FORM-S707-BZener承熬幸艮告《BT-FORM-S807-C模修承熬幸艮告《BT-FORM-S804-C^0＞承熬幸艮告《BT-FORM-S809-A外SB蓼承幸艮告《BT-FORM-S810-A文件檄Ml原物料承IS作H方法文件褊虢S80-WI-059版次A0制言了部部SMD：程部制言了日期2016/03/0110

8〃刷黑支架承IS作蕖方法資材部向原物料供師索取最新的原物料檬品，原物料供鷹"我司提供檬品或附相鷹的祝格善，且需哈此檬品有能力量ET資材部K出物料承通知罩。檬品外覲檢測：使用高倍St微海精密^迤行外?（特性檢測：椀riPl目a手法使用商f合格K片不良