石英股份研究報告：詳細(xì)梳理高純石英砂及石英股份的稀缺性

石英股份研究報告：詳細(xì)梳理高純石英砂及石英股份的稀缺性高純石英砂的重要性石英坩堝質(zhì)量對硅片生產(chǎn)至關(guān)重要光伏發(fā)電的主要原理是半導(dǎo)體的光電效應(yīng)，光子照射到金屬上時，其能量可以被金屬中某個電子全部吸收，電子吸收的能量足夠大，能克服金屬內(nèi)部引力做功，離開金屬表面成為光電子。硅原子有4個外層電子，如果在純硅中摻入有5個外層電子的原子如磷原子，就成為N型半導(dǎo)體；若在純硅中摻入有3個外層電子的原子如硼原子，形成P型半導(dǎo)體。當(dāng)P型和N型結(jié)合在一起時，接觸面就會形成電勢差，成為太陽能電池。當(dāng)太陽光照射到P-N結(jié)后，空穴由P極區(qū)往N極區(qū)移動，電子由N極區(qū)向P極區(qū)移動，形成電流。硅片生產(chǎn)主要包括長晶、晶端切方、切片和測試分選，其中長晶是指在特定環(huán)境下，將硅料生長成硅晶體的過程。直拉法是目前國內(nèi)大面積使用較多的單晶硅制備技術(shù)，又稱切克勞斯基法（Czoalsik：CZ法），是1917年由切克斯基建立的一種晶體生長方法，主要包括加料→熔化→縮頸生長→放肩生長→等徑生長→尾部生長：

加料：將多晶硅原料及雜質(zhì)放入石英坩堝內(nèi)，雜質(zhì)的種類依電阻的N或P型而定。雜質(zhì)種類有硼，磷，銻，砷。熔化：加完多晶硅原料于石英堝內(nèi)后，長晶爐必須關(guān)閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi)，然后打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化?？s頸生長：當(dāng)硅熔體的溫度穩(wěn)定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由于籽晶與硅熔體場接觸時的熱應(yīng)力，會使籽晶產(chǎn)生位錯，這些位錯必須利用縮勁生長使之消失掉?？s頸生長是將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到一定大小

（4-6mm）由于位錯線與生長軸成一個交角，只要縮頸夠長，位錯便能長出晶體表面，產(chǎn)生零位錯的晶體。放肩生長：長完細(xì)頸之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。等徑生長：長完細(xì)頸和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調(diào)整，可使晶棒直徑維持在正負(fù)2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶硅片取自于等徑部分。尾部生長：在長完等徑部分之后，如果立刻將晶棒與液面分開，那么效應(yīng)力將使得晶棒出現(xiàn)位錯與滑移線。于是為了避免此問題的發(fā)生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點而與液面分開。這一過程稱之為尾部生長。長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時間后取出，即完成一次生長周期。石英坩堝是影響直拉單晶硅片質(zhì)量的主要因素。大直徑的單晶硅（200mm以上）基本都是通過直拉（CZ）法生產(chǎn)的，生長如此大尺寸的硅晶體需要更多的時間和資源，因此，提高每爐次硅晶體生長成功率是非常重要的。在直拉硅晶體生長過程中，無位錯單晶生長失敗會造成很大的資源和時間損失。無位錯單品生長失敗有多種原因，在目前直拉硅單晶爐及其熱場設(shè)計都很成熟的條件下，與硅熔體直接接觸的石英坩堝的純度及其生長時釋放的微小方石英顆粒被普遍認(rèn)為是導(dǎo)致大直徑無位錯直拉晶體生長失敗的主要原因之一。（1）變形對拉晶的影響：

石英坩堝變形后，在拉晶過程中隨著堝位的上升，石英坩堝變形的凸出部分將碰撞到導(dǎo)流筒，輕則影響正常拉晶，嚴(yán)重時將無法拉晶；

溶料中發(fā)生掛邊造成的石英坩堝變形，坩堝上口向內(nèi)凸出過多，當(dāng)溶完料堝位上升到正常引晶位置時，已碰撞到導(dǎo)流筒，這將直接導(dǎo)致不能拉晶的嚴(yán)重后果；溶料中發(fā)生鼓包且鼓包較大時，在拉晶過程中隨著液位的下降，鼓包會漸漸露出液面，這時已經(jīng)拉出的晶棒會碰擦鼓包，如不及時停爐會發(fā)生晶棒跌落的情況。（2）析晶對拉晶的影響：

石英坩堝內(nèi)壁發(fā)生析晶時有可能破壞坩堝內(nèi)壁原有的涂層，導(dǎo)致涂層下面的氣泡層和熔硅發(fā)生反應(yīng)，造成部分顆粒狀氧化硅進(jìn)入熔硅內(nèi)，使得正在生長中的晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生變異而無法長晶；

析晶將減薄石英坩堝原有的厚度，降低了坩堝的強度容易引起石英坩堝的變形。光伏石英坩堝為半透明狀，有內(nèi)外兩層結(jié)構(gòu)，外層是高氣泡密度的區(qū)域，稱為氣泡復(fù)合層；內(nèi)層是一層3~5mm的透明層，稱為氣泡空乏層。氣泡空乏層的存在使坩堝與溶液接觸區(qū)的氣泡密度降低，從而改善單晶生長的成功率及晶棒品質(zhì)。坩堝最內(nèi)層是指透明層中最靠近內(nèi)表面1-2mm的部分，坩堝對硅液起作用的機理——由于與硅液接觸的內(nèi)表面不斷向硅液中熔解，并且伴隨著透明層中的微氣泡不斷長大，靠近最內(nèi)表面的氣泡破裂，伴隨著硅液釋放石英微顆粒以及微氣泡。而這些雜質(zhì)會以微顆粒以及微氣泡的形式伴隨著硅液流遍整個硅熔體，直接影響到硅的成晶（整棒率、成晶率、加熱時間、直接加工成本等）以及單晶硅的質(zhì)量（穿孔片、黑芯片等）。石英坩堝質(zhì)量的核心在于原材料高純石英砂石英坩堝的幾何尺寸和外觀是生產(chǎn)工藝確定的，但純度是由原材料石英砂決定的，石英坩堝用的高純石英砂原料要求主要在于純度、氣液包裹體、粒度分布、一致性，雜質(zhì)成分高會影響坩堝的耐溫性，還會出現(xiàn)氣泡、色斑、脫皮等現(xiàn)象，嚴(yán)重影響石英坩堝的質(zhì)量。純度：雜質(zhì)含量高會導(dǎo)致坩堝破裂及影響單晶生長：石英坩堝在高于1000℃以上使用過程中（拉晶溫度在1430℃-1500℃），外表面SiO2分子振動加速，如果雜質(zhì)含量高，鈉、鉀、鋰、鈣等元素會導(dǎo)致析晶，一旦析晶，跟周圍液態(tài)玻璃性質(zhì)不一樣，包括熱膨脹系數(shù)、機械強度。隨著使用時間的加長，析晶層越來越厚，如果析晶層達(dá)到一定厚度，則石英坩堝隨之破裂。析晶主要出現(xiàn)在石英坩堝內(nèi)外表面，原因是內(nèi)外表面容易沾污，引起雜質(zhì)離子的局部集聚，特別是堿離子，如K、Na、Li、Ca、Mg等，高溫后引起粘度降低，促使失透加速，形成析晶。當(dāng)硅液不斷腐蝕石英坩堝，坩堝內(nèi)層的雜質(zhì)會進(jìn)入硅液，進(jìn)而進(jìn)入到晶棒中，這會降低少子壽命，從而影響電池發(fā)電效率。尤其N型晶棒對雜質(zhì)更為敏感，所以純度尤為重要。雜質(zhì)進(jìn)入到硅液有兩種方式，一種是通過硅液腐蝕，一種是通過擴散，石英砂里的雜質(zhì)可以遷移，如果外層雜質(zhì)較多，在300~400h的拉晶中，外層砂的雜質(zhì)也會有足夠的時間遷移到內(nèi)層，進(jìn)入到硅液，因此坩堝外層砂質(zhì)量也有一定要求。因此考慮到雜質(zhì)元素對單晶性能和成品率構(gòu)成直接的影響，根據(jù)中國電子材料行業(yè)協(xié)會2018年發(fā)布制定的《光伏單晶硅生長用石英坩堝》，要求鋰、鈉、鉀三種元素之和不大于2微克每克，同時內(nèi)層砂雜質(zhì)含量要求比內(nèi)層低。另外，雜質(zhì)元素中對鋁的含量不能過低，如果堿金屬含量/鋁含量比值越高，石英粘度越低，也意味著坩堝的熔點越低。氣液包裹體：氣泡較多易導(dǎo)致拉晶成晶率降低。目前長壽命坩堝主要表現(xiàn)在坩堝透明層微氣泡含量的控制，氣泡（氣液包裹體）主要由結(jié)晶水和氣組成，氣的成分主要有CO2、H2O、H2O2、N2、CH4、CO。拉晶成晶率最大的殺手是硅液里面混入其他顆粒，如果坩堝內(nèi)層的微氣泡比較多，拉晶高溫下就會膨脹，把內(nèi)層拱破，顆粒就進(jìn)入硅液當(dāng)中，造成硅棒斷棱，影響拉晶成晶率；同時，氣體進(jìn)入硅液形成后期的硅片孔片導(dǎo)致報廢。石英由于其晶體生長的環(huán)境及機理不同，石英中氣液包裹體在數(shù)量、分布和成分組成上也會存在較大的差異。石英中包裹體有原生、假次生、次生三種不同類型，由于這三種包裹體性質(zhì)的差異，目前的選礦提純工藝對這三種類型的包裹體的去除效果也有較大差別。原生包裹體是伴隨著石英晶體的生長而形成的，存在于石英晶體的結(jié)晶面，所以原生包裹體很難被現(xiàn)有提純工藝去除。次生包裹體相對來說較容易去除，因為次生包裹體是石英晶體結(jié)晶完成后形成的且主要分布在石英顆粒的裂縫愈合部位。微氣泡形成方式有三種，一個是石英顆?？p隙之間的空氣；一個是石英中的氣液包裹體；一個是羥基在高溫下結(jié)合成水。如果坩堝融制工藝比較好，可以把石英縫隙間的空氣抽出來，但如果石英本身的氣液包裹體和羥基含量比較高，由于這些包裹體通常位于石英晶體內(nèi)部，且其體積大部分都較小(微米級)，那么融制工藝較難取得非常好的效果。當(dāng)前石英砂中氣液包裹體的去除方法主要有以下幾種：高溫氯化脫氣法：將石英砂加熱到1000~1200℃并在高溫的條件下通入Cl2和HCl氣體，這種方法是利用在高溫條件下Cl2和雜質(zhì)離子發(fā)生反應(yīng)，反應(yīng)生成的氣態(tài)鹽類可以從石英晶體微裂紋處排出達(dá)到提純的效果，這種方法對石英中的羥基有一定去除效果。美國尤尼明公司在2006年利用高溫氯化脫氣法制備的高純石英砂對氣液包裹體的去除效果明顯，其IOTA系列高純石英砂質(zhì)量在全球處于絕對領(lǐng)先水平。差異腐蝕法：在酸或堿的腐蝕下，利用石英晶體與氣液包裹體有著不同的腐蝕速率達(dá)到去除氣液包裹體的目的。這種處理工藝能有效的去除石英礦中氣液包裹體，有的可以接近四級水晶的氣液包裹體含量標(biāo)準(zhǔn)，但是當(dāng)石英中氣液包裹體去除到一定程度后繼續(xù)增加差異強度，去除效果不再明顯。熱或冷爆裂法：當(dāng)石英處于高溫的條件下，石英基體與其中的氣液包裹體界面產(chǎn)生極大的壓力差使得氣液包裹體爆裂，再經(jīng)過清洗工藝可以達(dá)到去除氣液包裹體的效果。高溫下由于石英發(fā)生相轉(zhuǎn)變可使得石英中氣液包裹體爆裂，爆裂后再經(jīng)酸洗工藝可以有效去除氣液包裹體。在極冷的條件下，石英中氣液包裹體的去除效果與氣液包裹體自身的形狀和大小有關(guān)系，一部分較大的氣液包裹體容易爆裂從而去除，但是難以去除微小氣液包裹體。機械破碎法：石英中的氣液包裹體的大小約為1-50μm之間，理論上只要石英礦被破碎的足夠細(xì)就能去除夾雜在石英基體裂隙之間的大部分氣液包裹體。高科技破碎方式(如高壓電破碎)更容易去除石英裂隙中的氣液包裹體。微波法：利用微波選擇性加熱特性去除石英礦中氣液包裹體。微波是一種交變電磁波，具有獨特的選擇性加熱、體積加熱、加熱效率高以及可將高介電常數(shù)物質(zhì)在幾分鐘內(nèi)加熱幾千度等特點。這些特征對去除介電常數(shù)有差異的雜質(zhì)有獨特優(yōu)勢。目前，通過使用低氣泡密度的高純度石英砂作為石英坩堝的內(nèi)層，可有效減少內(nèi)表面氣泡破裂現(xiàn)象，為長時間拉晶（如多次復(fù)投料）提供保障。粒度分布：又細(xì)又窄的顆粒分布是更好的。不同類型的石英原料的嵌布粒度特征存在明顯的差異，這與礦床成因密切相關(guān)。如脈石英的嵌布粒度主要受成礦環(huán)境制約和巖漿活動影響，常常共生有白云母等鋁硅酸鹽礦物，這些礦物的嵌布粒度大小直接影響石英的單體解離度，當(dāng)粉碎顆粒粒度小于后期石英脈寬時，脈石礦物才能從連生體中解離出來。石英受成巖作用和變質(zhì)作用改造強度越大，與其他礦物的嵌布粒度差異越明顯，與白云母等脈石礦物的連生體類型也漸由毗鄰型變?yōu)榭p狀、甚至包裹型，越不容易解離。對于石英砂顆粒度而言，窄的顆粒大小接近于彼此，細(xì)的顆粒可以快速融化，更細(xì)的顆粒度也意味著彼此之間更小的縫隙，所以縫隙中空氣形成的微氣泡也更小，那么他們在拉晶過程中就需要更長的時間才能長大到拱破內(nèi)表面的程度，因此也就更不容易產(chǎn)生異物顆粒進(jìn)入到硅液。一致性：高純石英砂的一致性決定了拉晶工藝路線的穩(wěn)定。在坩堝使用之前，不敲碎的話無法知道好壞，所以只能依賴坩堝供應(yīng)商品質(zhì)穩(wěn)定性來保障拉晶工藝的穩(wěn)定。如果一個石英礦儲量不是很大，或者礦體內(nèi)的品質(zhì)變化差異較大，則生產(chǎn)出的石英砂品質(zhì)就不會很一致。單個石英礦僅僅是儲量大和品質(zhì)一致還不夠，還要適合加工。因為兩個石英砂樣本在普通顯微鏡可能看起來差不多，但在偏光鏡下，脈石英礦可以看到很多微小的石英晶體，美國的石英晶體是比較大的一塊，雜質(zhì)都存在于一顆晶體的外面，在加工的時候，通過酸洗、磁選去雜質(zhì)比較容易；如果石英砂里面有很多微小的晶體，交界處會有不少雜質(zhì)、包裹體是不容易洗出來的。高純石英砂的稀缺性生產(chǎn)高純石英砂需要同時具備較高的礦石質(zhì)量和先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備及工藝。目前全球能夠規(guī)?；慨a(chǎn)供應(yīng)高純度石英砂企業(yè)包括美國尤尼明Unimin、挪威TQC、石英股份等。其中，美國尤尼明和挪威TQC具備高純石英砂供給能力主要源自其礦源，兩家公司共同開采SprucePine石英礦，該礦床位于阿巴拉契亞山系的藍(lán)嶺構(gòu)造區(qū)，分布在斯普魯斯派恩深成巖系的花崗偉晶巖帶中，為白崗巖型高純石英礦，由泥盆紀(jì)3.8億年前花崗質(zhì)巖漿侵入前寒武紀(jì)

Ashe組的云母和角閃石片麻巖、片巖中緩慢結(jié)晶而成礦。礦石的主要造巖礦物為斜長石、鉀長石、石英、白云母，幾乎不含鎂鐵質(zhì)礦物，石英的雜質(zhì)元素含量極低。尤尼明公司自1970年起即在該礦區(qū)采礦，所擁有的礦區(qū)原料中鋁含量較高，能夠增強坩堝的粘度，同時堿金屬元素含量較低，微氣泡含量比脈石英含量低，石英砂一致性也較好，因此公司能生產(chǎn)出更高純度的石英IOTA-4/6/8，并建立了超純石英的IOTA標(biāo)準(zhǔn)，一度壟斷了世界高純石英砂市場。挪威TQC跟尤尼明開采同一個礦區(qū)，公司通過高溫氯化等提純技術(shù)，氣液包裹體更少，同時氯化后的堿金屬更低，鋁含量卻不變，意味著石英砂的粘度更高，石英坩堝的強度更高，可以抑制微氣泡的生長。但對于全球其他區(qū)域的脈石英礦而言，由于雜質(zhì)含量存在差異，同時單體礦床規(guī)模小，對企業(yè)的提純技術(shù)提出更高的要求，企業(yè)需要積累不同的提純技術(shù)來應(yīng)對品質(zhì)不同的礦源。同時，不同礦源的顆粒度和一致性差異較大，對坩堝的質(zhì)量提出一定的挑戰(zhàn)，需要靠后期的提純技術(shù)來改善不同礦源的顆粒度及一致性差異。另外，石英砂中的部分雜質(zhì)含量或許可以通過酸洗、磁選等方式降低，但如果石英砂里面存在較多微小的晶體，則晶體之間交界處會存在不少雜質(zhì)、包裹體，會增加提純的難度、成本。另外，如果石英砂晶體里面天生存在一定的氣液包裹體，后期的提純技術(shù)較難去除這類型氣泡。因此，石英礦資源的天生品質(zhì)也較為關(guān)鍵。如果礦源品質(zhì)和提純技術(shù)無法同時滿足要求，那么生產(chǎn)出來的石英砂就會導(dǎo)致石英坩堝壽命下降50~100h，如果發(fā)生漏硅現(xiàn)象則會導(dǎo)致整個熱場系統(tǒng)受損，甚至導(dǎo)致生產(chǎn)事故。綜合而言，滿足光伏坩堝使用的高純石英砂資源具備一定的稀缺性。一方面，由于光伏拉單晶使用石英坩堝是因為它在高溫下機械強度高，且不污染硅液，而石英坩堝對高純石英砂的純度、氣液包裹體、粒度分布、一致性等方面要求較高，后期的提純工藝對石英砂中的氣液包裹體去除難度較大，雜質(zhì)含量高會相應(yīng)提高提純成本及提純難度，石英砂的不一致也會影響拉晶工藝的穩(wěn)定性，因此光伏坩堝使用的高純石英砂門檻較高，需要同時滿足礦源品質(zhì)及提純工藝方面的要求，供給端存在一定的稀缺性。另一方面，中小企業(yè)受限于礦源的保障、提純工藝技術(shù)的積累、資金等因素，較難出現(xiàn)大規(guī)模的擴產(chǎn)現(xiàn)象，即使小規(guī)模擴產(chǎn)也較難在質(zhì)量上滿足內(nèi)層砂的要求，用在外層砂上的質(zhì)量跟頭部企業(yè)也存在一定的質(zhì)量差距。另外，當(dāng)前合成石英技術(shù)普遍成本較高，雖然純度較高，但鋁含量較低，導(dǎo)致合成石英做成的坩堝熔點較低，從而合成石英較難替代天然石英砂的成本低、熔點高等優(yōu)勢，即使技術(shù)快速進(jìn)步，當(dāng)前合成石英產(chǎn)能規(guī)模也較小。從作為中環(huán)股份旗下坩堝核心供應(yīng)商的歐晶科技來說，近三年來高純石英砂采購主要來自于北京雅博（進(jìn)口砂）及石英股份，其他企業(yè)的采購量只有200噸左右，占自身采購額的5%左右，一方面說明行業(yè)中小企業(yè)產(chǎn)銷規(guī)模普遍偏小，另一方面說明中小企業(yè)的產(chǎn)品質(zhì)量跟頭部企業(yè)存在一定差距，并未獲得下游頭部企業(yè)認(rèn)可，也較難應(yīng)用在內(nèi)層砂領(lǐng)域。預(yù)計高純石英砂具備進(jìn)一步漲價空間下游客戶傾向于使用質(zhì)量更優(yōu)的高純石英砂硅片成本主要由硅料與非硅成本構(gòu)成，硅料成本為主要成本，非硅成本為次要成本。根據(jù)歐晶科技招股說明書，石英坩堝一旦出現(xiàn)問題，造成的損失重大：在拉晶環(huán)節(jié)，倘若石英坩堝出現(xiàn)質(zhì)量問題，會造成單根單晶硅棒報廢，直接損失在5萬元以上，一只坩堝可拉制8根左右硅棒，還將造成其他本批次非硅成本的上升，如出現(xiàn)漏硅，將影響熱場，造成的損失更為巨大，遠(yuǎn)高于單價不足0.3萬元的石英坩堝。因此，考慮到高純石英砂（即石英坩堝）占下游硅片的成本占比只有1%左右，石英砂漲價對下游成本影響較小，在優(yōu)先保障生產(chǎn)安全質(zhì)量的考量下，下游企業(yè)傾向于盡可能使用質(zhì)量較優(yōu)的高純石英砂。2023年供需缺口或進(jìn)一步放大綜合考慮下游裝機、硅片大尺寸化、N型電池、石英砂品質(zhì)等因素，我們對2022~2024年高純石英砂的需求測算如下，預(yù)計隨著后續(xù)硅料逐步釋放，而高純石英砂供給增量有限，2023年供需缺口或進(jìn)一步放大。隨著歐洲能源危機加快海外需求釋放，以及硅料投產(chǎn)，根據(jù)中信證券電信組的預(yù)測，預(yù)計2022~2024年全球新增光伏裝機量分別為245/330/430GW?？紤]到大尺寸硅片可有效降低產(chǎn)業(yè)鏈制造成本，提高組件單串功率，降低非硅成本和光伏系統(tǒng)BOS成本，發(fā)展趨勢明確，我們預(yù)計36寸坩堝按產(chǎn)出占比2022~2024年分別為60%/70%/80%?？紤]到N型電池發(fā)電效率更高，擁有低衰減、高雙面率、低溫度系數(shù)等優(yōu)點，提升組件發(fā)電增益，N型電池發(fā)展趨勢明確，我們預(yù)計N型電池占比2022~2024年分別為15%/25%/40%，且N型電池由于對坩堝的純度要求更高，N型電池壽命比P型電池壽命下降50~100小時。高純石英砂資源受限，海外增量有限的情況下，國產(chǎn)砂占比持續(xù)提升，但國產(chǎn)砂質(zhì)量相比海外有一定差距，從而導(dǎo)致石英坩堝的壽命下降、更換頻率加快。分季度來看，我們以高純砂為代表的供給和以硅料產(chǎn)能為代表的需求對比來看，預(yù)計高純石英砂供需缺口從2022年四季度到2023年基本上是逐季放大的，即高純石英砂供需基本會一直維持偏緊的狀態(tài)，價格維持上漲的態(tài)勢。下游競爭加劇，增大高純石英砂價格彈性在全球光伏政策支持下，硅片企業(yè)紛紛大幅擴產(chǎn)，我們統(tǒng)計單晶硅片行業(yè)Top15企業(yè)2021年底總產(chǎn)能約360GW，預(yù)計2022年底名義產(chǎn)能將達(dá)590GW左右。從名義產(chǎn)能角度來看，頭部企業(yè)隆基、中環(huán)的產(chǎn)能市占率有所下降，意味著需求端競爭格局有所分散，而供給端在資源受限的情況下維持高集中度，因此高純石英砂的定價權(quán)將有所增強，價格彈性或進(jìn)一步放大。石英股份：有望躋身全球光伏高純石英砂規(guī)模最大企業(yè)提純技術(shù)進(jìn)步下，公司產(chǎn)銷規(guī)?？焖僭鲩L目前美國SprucePine擁有獨特的白崗巖型高純石英原料礦，尤尼明公司也因此壟斷了IOTA超純石英的生產(chǎn)和銷售，其他國家尚未發(fā)現(xiàn)類似的礦床，全球其他礦源主要以脈石英礦為主。近年來，石英股份通過針對不同礦源的提純技術(shù)的積累進(jìn)步，疊加匹配印度、巴西、南非、中國等各地合適的礦源，生產(chǎn)出滿足下游光伏企業(yè)要求的高純石英砂，該類產(chǎn)品具有超低堿金屬含量，可以實現(xiàn)不同鋁含量的化學(xué)品質(zhì)，純度高，無色點，具有獨特的抗析晶能力和優(yōu)良的耐高溫性能。公司也成為全球第三家規(guī)?；慨a(chǎn)的企業(yè)。公司光伏高純砂產(chǎn)品鉀、鈣、鐵等雜質(zhì)元素含量已明顯低于《光伏單晶硅生長用石英坩堝》所要求的標(biāo)準(zhǔn)；石英砂的鈣、銅