半導體制造工藝-硅的氧化

第三章硅的氧化緒論SiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)SiO2的掩蔽作用硅的熱氧化生長動力學決定氧化速度常數(shù)和影響氧化速率的各種因素熱氧化過程中的雜質(zhì)再分布初始氧化階段以及薄氧化層的生長Si-SiO2

界面特性下一頁二氧化硅是上帝賜給IC的材料。Introduction

硅易氧化幾個原子層厚，1nm左右氧化膜化學性質(zhì)穩(wěn)定，絕緣性好

SiO2的存在形態(tài)晶體：石英、水晶等石英砂，主要成分為SiO2

，為制備硅原料的核心材料非晶體：玻璃等（熱氧化方法制備的SiO2）在MOS電路中作為MOS器件的絕緣柵介質(zhì)，作為器件的組成部分作為集成電路的隔離介質(zhì)材料作為電容器的絕緣介質(zhì)材料作為多層金屬互連層之間的介質(zhì)材料作為對器件和電路進行鈍化的鈍化層材料擴散時的掩蔽層，離子注入的(有時與光刻膠、Si3N4層一起使用)阻擋層SiO2的作用SiO2的制備+光刻+擴散硅平面工藝返回2.1.1SiO2的結(jié)構(gòu)

無論是結(jié)晶形還是無定形SiO2，都是以Si為中心，Si-O原子組成的正四面體，其中O－Si－O鍵橋的鍵角為109.5o，是固定的。2.1SiO2的結(jié)構(gòu)及性質(zhì)結(jié)晶形SiO2的結(jié)構(gòu)

結(jié)晶形SiO2是由Si-O四面體在空間規(guī)則排列所構(gòu)成。每個頂角上的氧原子都與相鄰的兩個Si-O四面體中心的硅形成共價鍵，氧原子的化合價也被滿足。無定形SiO2的結(jié)構(gòu)AmorphousSiO2

中Si-O-Si鍵角為110o~180o橋鍵氧：與兩個相鄰的Si-O四面體中心的硅原子形成共價鍵的氧非橋鍵氧：只與一個Si-O四面體中心的硅原子形成共價鍵的氧非橋鍵氧越多，無定型的程度越大，無序程度越大，密度越小，折射率越小………無定形SiO2的強度：橋鍵氧數(shù)目與非橋鍵氧數(shù)目之比的函數(shù)結(jié)晶態(tài)和無定形態(tài)區(qū)分——非橋聯(lián)氧是否存在SiO2結(jié)構(gòu)在制備工藝中的應用硅要運動，打破四個O—Si鍵氧要運動，打破兩個O—Si鍵，對非橋鍵氧，只需打破一個O—Si鍵故氧的運動同硅相比更容易，氧的擴散系數(shù)比硅的大幾個數(shù)量級氧化時，是氧或水汽等氧化劑穿過SiO2層，到達Si-

SiO2界面，與硅反應，而非硅向外表面運動，在表面與氧化劑反應生成SiO2。2.1.2SiO2的主要性質(zhì)（1）密度：表征致密程度結(jié)晶形：2.65g/cm3非結(jié)晶形：2.15~2.25g/cm3折射率：表征光學性質(zhì)密度較大的SiO2具有較大的折射率波長為5500A左右時，SiO2的折射率約為1.46電阻率：與制備方法及所含雜質(zhì)數(shù)量等因素有關(guān)，高溫干氧氧化制備的電阻率達1016Ω·cm介電強度：單位厚度的絕緣材料所能承受的擊穿電壓大小與致密程度、均勻性、雜質(zhì)含量有關(guān)一般為106~107V/cm（10－1~1V/nm）介電常數(shù):表征電容性能SiO2的相對介電常數(shù)為3.9SiO2的主要性質(zhì)（2）腐蝕：化學學性質(zhì)非常常穩(wěn)定，只與氫氟酸酸發(fā)生反應應還可與強堿堿緩慢反應應薄膜應力為為壓應力SiO2的主要性質(zhì)質(zhì)（3）返回2.2SiO2的掩蔽作用用2.2.1雜質(zhì)在SiO2中的存在形形式雜質(zhì)在SiO2中的存在形形式網(wǎng)絡形成者者：可以替代SiO2網(wǎng)絡中硅的的雜質(zhì)，即即能代替Si－O四面體中心心的硅、并并能與氧形形成網(wǎng)絡的的雜質(zhì)特點是離子子半徑與Si原子相近或或者更小三價網(wǎng)絡形形成者(如B)增加非橋鍵鍵氧數(shù)目，，降低SiO2強度五價網(wǎng)絡形形成者(如P)減少非橋鍵鍵氧數(shù)目，，增加SiO2強度雜質(zhì)在SiO2中的存在形形式網(wǎng)絡改變者者：存在于SiO2網(wǎng)絡間隙中中的雜質(zhì)特點：離子子半徑大，，多以氧化化物形式進進入SiO2后離化，增增加非橋鍵鍵氧濃度，，降低SiO2強度，易運運動，破壞壞電路的穩(wěn)穩(wěn)定性和可可靠性。Na、K、Pb、Ba水汽的行為為類似于網(wǎng)網(wǎng)絡改變者者2.2.2雜質(zhì)在SiO2中的擴散系系數(shù)（1）?E為雜質(zhì)在SiO2中的擴散激激活能，Do為表觀擴散散系數(shù)選擇擴散（（在集成電電路中的重重要應用））在相同的條條件下，一一些雜質(zhì)在在SiO2中的擴散速速度遠小于于在硅中的的擴散速度度，即SiO2對某些雜質(zhì)質(zhì)起掩蔽作作用。掩蔽是相對對的，雜雜質(zhì)在SiO2的擴散系數(shù)數(shù)：雜質(zhì)在SiO2中的擴散系系數(shù)（2）雜質(zhì)在SiO2中的擴散系系數(shù)B、P、As等常用雜質(zhì)質(zhì)的擴散系系數(shù)小，SiO2對這類雜質(zhì)質(zhì)可以起掩掩蔽作用Ga、某些堿金金屬（Na）的擴散系系數(shù)大，SiO2對這類雜質(zhì)質(zhì)就起不到到掩蔽作用用Na離子在SiO2中的擴散系系數(shù)和遷移移率都非常常大Na離子來源非非常豐富Na離子玷污是是造成雙極極器件和MOS器件性能不不穩(wěn)定的重重要原因之之一2.2.3掩蔽層厚度度的確定（（1）有效掩蔽條條件雜質(zhì)的SiO2有一定厚度度摻雜雜質(zhì)B、P、As等常用雜質(zhì)質(zhì)在SiO2中的擴散系系數(shù)遠小于于在硅中的的擴散系數(shù)數(shù)B、P、As的雜質(zhì)源制制備容易、、純度高，，操作方便便掩蔽層厚度度的確定（（2）掩蔽層厚厚度的確確定雜質(zhì)在SiO2表面的濃濃度為在在Si-SiO2界面濃度度的1000倍時的SiO2的厚度為為最小厚厚度對恒定源源(余誤差）），濃度度為C(x)所對應的的深度表表達式為為：對有限源源（高斯斯分布）），A隨時間變變化其中：得到：圖2.5各種溫度度下能掩掩蔽磷和和硼所需需SiO2厚度與雜雜質(zhì)在硅硅中達到到擴散深深度所需需時間的的關(guān)系SiO2掩蔽P的擴散過過程返回2.3硅的熱氧氧化生長長動力學學CVD（化學氣氣相淀積積）PVD（物理氣氣相淀積積）熱氧化：：硅與氧或或水汽等等氧化劑劑，在高高溫下經(jīng)經(jīng)化學反反應生成成SiO2——有什么特特點？？？熱氧化生生成的SiO2掩蔽能力力最強質(zhì)量最好好，重復復性和穩(wěn)穩(wěn)定性好好降低表面面懸掛鍵鍵從而使使表面態(tài)態(tài)密度減減小，且且能很好好的控制制界面陷陷阱和固固定電荷荷2.3.1硅的熱氧氧化每生長一一單位厚厚度的SiO2，將消耗耗約0.45單位厚度度的硅（臺階覆覆蓋性））SiO2中所含Si的原子密密度CSiO2=2.2×1022/cm3Si晶體中的的原子密密度CSi=5.0×1022/cm3硅的熱氧氧化生長長（1）厚度為，，面面積為一一平方厘厘米的SiO2體內(nèi)所含含的Si原子數(shù)為為，，而而這個數(shù)數(shù)值應該該與轉(zhuǎn)變變?yōu)镾iO2中的硅原原子數(shù)相相等等，即得到：硅的熱氧氧化生長長（2）熱氧化法法干氧氧化化水汽氧化化濕氧氧化化氫氧合成成氧化（（LSI和VLSI的理想氧氧化技術(shù)術(shù)）摻氯氧化化（為減減小SiO2中的Na+玷污）干氧氧化化干氧氧化化氧化劑：：干燥氧氧氣反應溫度度：900~1200℃干氧氧化化制備的的SiO2的特點結(jié)構(gòu)致密密、干燥燥、均勻勻性和重重復性好好與光刻膠膠粘附性性好，掩掩蔽能力力強。生長速度度非常慢慢干氧氧化化的應用用MOS晶體管的的柵氧化化層干氧氧化化Si表面無SiO2，則氧化化劑與Si反應，生生成SiO2，生長速速率由表面化學學反應的的快慢決決定。生成一定定厚度的的SiO2層，氧化化劑必須須以擴散散方式運運動到Si-SiO2界面，再再與硅反反應生成成SiO2，即生長長速率為為擴散控制制。干氧氧化化時，厚厚度超過過40??濕氧氧化化時，厚厚度超過過1000?則生長過過程由表表面化學學反應控控制轉(zhuǎn)為為擴散控控制水汽氧化化濕氧氧化化反應條件件氧化劑：：高純水水（95℃左右）+氧氣特點：生長速率率較高SiO2結(jié)構(gòu)略粗粗糙進行干氧氧和濕氧氧氧化的的氧化爐爐示意圖圖熱氧化法法三種氧化化法比較較干氧氧化化結(jié)構(gòu)構(gòu)致密但但氧化速速率極低低濕氧氧化化氧化化速率高高但結(jié)構(gòu)構(gòu)略粗糙糙，制備厚二二氧化硅硅薄膜水汽氧化化結(jié)構(gòu)構(gòu)粗糙---不可取實際生產(chǎn)產(chǎn)：干氧氧化化+濕氧氧化化+干氧氧化化5分鐘+（視厚度度而定））+5分鐘常規(guī)三步步熱氧化化模式既既保證了了SiO2表面和界面的質(zhì)質(zhì)量，又解決決了生長長速率問問題熱氧化生生長動力力學（1）根據(jù)穩(wěn)態(tài)態(tài)條件：：ks為氧化劑劑與Si反應的化化學反應應常數(shù)氧化模型型氣流方向向⊙Si氣體氧化層CSCOdxF1F2菲克第一一定律令C1為氧化層層單位體體積所含含氧化劑劑分子數(shù)數(shù)熱氧化生生長速率率（1）在氧化膜膜中有2.2××1022個SiO2分子/cm3，在進行行氧化時時，要獲獲得一個個SiO2分子，在在干氧環(huán)環(huán)境中需需要一個個氧分子子，在水水汽環(huán)境境中需要要兩個水水分子））熱氧化生生長速率率（2）解關(guān)系式式（6）得：微分方程程（5）的解給給出了SiO2的生長厚厚度與時時間的普普遍關(guān)系系式（6）：（6）SiO2生長快慢慢將由氧氧化劑在在SiO2中的擴散散速度以以及與Si反應速度度中較慢慢的一個個因素所所決定：：當氧化時時間很長長(Thickoxide)，即t>>τ和t>>A2/4B時，則SiO2的厚度和和時間的的關(guān)系簡簡化為：：（拋物型型規(guī)律，，擴散控控制）熱氧化生生長速率率（3）當氧化時時間很短短(thinoxide)，即（t+τ）<<A2/4B時，則SiO2的厚度和和時間的的關(guān)系簡簡化為（線性規(guī)規(guī)律，反反應控制制）B/A為線性速速率常數(shù)數(shù)；B為拋物型型速率常常數(shù)熱氧化生生長速率率（4）返回決定氧化化速率常常數(shù)的因因素（2）氧化溫度度溫度對拋拋物型速速率常數(shù)數(shù)B的影響是是通過影影響氧化劑在在SiO2中的擴散散系數(shù)DSiO2產(chǎn)生的溫度對線線性速率率常數(shù)B/A的影響是是通過影影響化學反應應常數(shù)ks產(chǎn)生的溫度對B及B/A的影響圖2.13溫度對B的影響圖圖2.14溫度對B/A的影響影響氧化速率率的因素素硅表面晶晶向雜質(zhì)影響氧化化速率的的因素（（1）硅表面晶晶向?qū)ρ跹趸俾事实挠绊戫懢€性速率率常數(shù)B/A受硅的晶晶向影響響表達式：：不同晶向向所對應應的晶面面硅原子子的密度度不同，，表面化化學反應應速率（（ks)是與硅表表面的原原子密度度，即表表面的價價鍵密度度有關(guān)(111)面上的硅硅原子密密度比(100)面上大，，因此，，(111)面上的線線性速率率常數(shù)大大于(100)面上的線線性速率率常數(shù)影響氧化化速率的的因素（（1）硅表面晶晶向?qū)ρ跹趸俾事实挠绊戫憭佄镄退偎俾食?shù)數(shù)B與硅的晶向無關(guān)關(guān)B的關(guān)系式式氧化劑壓壓力pg一定時，，B的大小只只與氧化化劑在SiO2中的擴散散能力有有關(guān)影響氧化化速率的的因素（（2）雜質(zhì)對氧氧化速度度的影響響摻有高濃濃度雜質(zhì)質(zhì)的硅，，其氧化化速率明明顯變大大B增大拋物物型速率率常數(shù)，，對線性性速率常常數(shù)無明明顯影響響k<1,慢擴散增增加SiO2非橋鍵氧氧的數(shù)目目，降低低SiO2強度，因因此增大大拋物型型速率常常數(shù)。P線性氧化化速率常常數(shù)明顯顯增大k>1,慢擴散，，分凝到到SiO2中的雜質(zhì)質(zhì)量少，，對拋物物型速率率常數(shù)影影響不大大，因大大部分雜雜質(zhì)集中中在靠近近硅表面面的硅中中，因而而使線性性氧化速速率常數(shù)數(shù)明顯變變大。雜質(zhì)對氧氧化速度度的影響響水汽（極極少量的的水汽就就會極大大增大氧氧化速率率）水汽含量量<1×10-6時，氧化化700分鐘，SiO2約為300??水汽含量量25×10-6時，氧化化700分鐘，SiO2約為370??鈉以氧化物物形式進進入，離離化后增增加非橋橋鍵氧數(shù)數(shù)，線性性和拋物物型氧化化速率明明顯增大大影響氧化化速率的的因素（（2）雜質(zhì)對氧氧化速度度的影響響氯（O2＋TCA/HCL/TCE）鈍化可動動離子，，尤其是是鈉離子子，生成成可揮發(fā)發(fā)的金屬屬氯化物物改善Si-SiO2界面特性性——氯進入Si-SiO2界面，界界面態(tài)密密度減小小，表面面固定電電荷密度度減小提高氧化化速率10～15％抑制層錯錯TCA（三氯乙乙烷）在在高溫下下形成光光氣（COCl2），是一一種劇毒毒物質(zhì)；；TCE（三氯乙乙烯）可可能致癌癌；HCL腐蝕性極極強影響氧化化速率的的因素（（2）返回摻有雜質(zhì)質(zhì)的硅在在熱氧化化過程中中，靠近近界面的的硅中雜雜質(zhì)，將將在界面面兩邊的的硅和二二氧化硅硅中發(fā)生生再分布布。其決決定因素素有：雜質(zhì)的分分凝現(xiàn)象象雜質(zhì)通過過SiO2表面逸散散氧化速率率的快慢慢雜質(zhì)在SiO2中的擴散散速度熱氧化時時雜質(zhì)在在界面上上的再分分布熱氧化時時雜質(zhì)在在界面上上的再分分布的誘誘因雜質(zhì)在Si和SiO2中的溶解解度不同同，擴散散系數(shù)不不同，熱熱氧化時時，雜質(zhì)質(zhì)在SiO2－Si兩邊要重重新分布布，這種種規(guī)律由由分凝系數(shù)數(shù)（SegregationCoefficient）來描述雜質(zhì)在硅中的平衡濃度雜質(zhì)在二氧化硅中的平衡濃度k=

＝C1C2k<1，并且雜雜質(zhì)在氧氧化物中中擴散很很慢。例如B，k=0.3雜質(zhì)在SiO2界面處濃度很很高k<1，并且雜質(zhì)在氧化物物中擴散很快。例如B在含H2環(huán)境下氧化，，雜質(zhì)在Si界面處的濃度度趨于零。氧化層吸收雜雜質(zhì)k>1，并且雜質(zhì)在氧氧化物中擴散散慢。例如P，As，Sb雜質(zhì)在硅界面面處堆積k>1，并且雜質(zhì)在氧化物物中擴散快。。例如Ga，硅界面處的的雜質(zhì)濃度低低于體濃度。。氧化層排斥雜雜質(zhì)2.7Si-SiO2界面特性Si-SiO2界面電荷類型型：可動離子電荷荷（Qm）界面陷阱電荷荷（Qit）氧化層固定電電荷（Qf）氧化層陷阱電電荷（Qot）Si-SiO2界面不是絕對對的斷然的分分開，而是存存在一個10A左右的過渡層層，在過渡層層中x的配比在1-2之間，是非理想的。?？蓜与x子電荷荷Qm（1）存在形式網(wǎng)絡改變者(荷正電的堿金金屬離子，主主要是鈉)主要來源于化化學試劑、玻玻璃器皿、爐爐管、石英舟舟、人體玷污污等。危害：在電場作用下下顯著漂移，，引起MOS晶體管的閾值值電壓不穩(wěn)定定分布的不均勻勻性引起局部部電場的加速速，從而引起起MOS晶體管柵極的的局部低擊穿穿。預防措施含氯的氧化工工藝用氯周期性的的清洗管道、、爐管和相關(guān)關(guān)容器使用超純凈的的化學物質(zhì)保證氣體及氣氣體傳輸過程程的清潔用BPSG和PSG玻璃鈍化可動動離子用等離子淀積積Si3N4來封閉已經(jīng)完完成的器件可動離子電荷荷Qm（2）界面陷阱電荷荷Qit（1）定義存在于Si-SiO2界面（距硅界界面3-5A以內(nèi)），能量量處于硅禁帶帶中的電子態(tài)態(tài)。類型高于禁帶中心心能級的界面面態(tài)，可以得得到電子，起起受主作用低于能帶中間間能級的界面面態(tài)可以失去去電子，起施施主作用危害：使閾值電壓漂漂移大量的界面態(tài)態(tài)電荷會顯著著降低晶體管管溝道遷移率率（金屬化后后退火（PMA），減少界面面態(tài)）使MOS電容的C-V曲線發(fā)生畸變變成為有效的復復合中心，導導致漏電流的的增加界面態(tài)密度與與襯底晶向、、氧化層生長長條件、和退退火條件有關(guān)關(guān)。(111)晶向界面態(tài)密密度最大→(100)晶向低溫惰性氣體體退火（90%N2+10%H2），用H2來飽和懸掛鍵鍵，可降低界界面態(tài)密度界面陷阱電荷荷Qit（2）解釋界面態(tài)的的物理機制懸掛鍵硅原子周期排排列中斷，存存在懸掛鍵，，當硅氧化為為SiO2時，懸掛鍵大大部分與氧結(jié)結(jié)合，使Si-SiO2界面懸掛鍵密密度減小。但但仍存在少量量的懸掛鍵，，這些懸掛鍵鍵上有一個未未配對的電子子，可以得失失電子而表現(xiàn)現(xiàn)為界面態(tài)。。在過渡區(qū)中，，硅原子的氧氧化狀態(tài)很不不相同，沒有有完全氧化的的硅原子，即即所謂的三價價硅也是界面面態(tài)的主要來來源荷電中心存在界面附近近的化學雜質(zhì)質(zhì)界面陷阱電荷荷Qit（3）氧化層固定電電荷Qf（1）簡介通常由Si-SiO2之間過渡區(qū)的的結(jié)構(gòu)改變引引起一般為正電荷荷，在外電場場的作用下，，不會移動機理過剩硅離子模模型危害影響閾值電壓壓（對NMOS、PMOS的影響？）減小溝道載流流子遷移率（（固定正電荷荷對載流子的的散射）特征：固定正電荷密密度與氧化層層厚度、硅襯襯底摻雜類型型和濃度關(guān)系系不大，但與與氧化層生長長條件關(guān)系密密切。不同晶向硅材材料的Qf密度有如下關(guān)關(guān)系Qf（111）>Qf（110）>Qf（100）解決措施：適當選擇氧化化、退火條件件和襯底晶向向，降低氧化化時氧氣的分分壓，采用含含氯氧化工藝藝氧化層固定電電荷Qf（2）氧化層陷阱電電荷Qot（1）氧化層中的缺缺陷：在SiO2層中，存在一一些電子和空穴陷陷阱，它們與雜質(zhì)質(zhì)和缺陷有關(guān)關(guān)。危害：嚴重影響器件件的可靠性產(chǎn)生方式：由于x射線或γ射線的輻射、、或是在氧化化層中發(fā)生了了雪崩擊穿，，將打破Si-O-Si鍵，在SiO2層中產(chǎn)生電子子-空穴對，如果果氧化層中沒沒有電場，電電子和空穴將將復合掉，不不會產(chǎn)生凈電電荷，氧化層層中存在電場場時，由于電電子可以在SiO2中移動，可以以移動到電極極上，而空穴穴在SiO2中很難移動，，可能陷于這這些陷阱中，，成為正的陷陷阱電荷。解決措施選擇適當?shù)难跹趸瘲l件，使使Si-O-Si鍵不易打破。。在惰性氣體中中進行低溫退退火。氧化層陷阱電電荷Qot（2）作業(yè)：1、假設經(jīng)熱氧氧化方式生長長厚度為x的二氧化硅，，將要消耗多多少硅？每摩摩硅的質(zhì)量是是28.9g，密度為2.33g/cm3；每摩二氧化化硅的質(zhì)量是是60.08g，密度為2.25g/cm3。2、試舉例說明明二氧化硅在在集成電路中中的應用，并并指出哪些應應用不可以用用熱氧化的方方法制備，為為什么？3、某一硅片上上面已覆蓋有有0.2um厚的SiO2層，現(xiàn)需要在在1200℃下用干氧氧化化法再生長0.1um厚的氧化層，，問干氧氧化化的時間是（（）min.已知：干氧A=0.04um,B=7.5×10-4um2/min,=1.62min。選擇題：1、在溫度相同同的情況下，，制備相同厚厚度的氧化層層，分別用干干氧，濕氧和和水汽氧化，，哪個需要的的時間最長？？（）A.干氧B.濕氧C.水汽氧化2、二氧化硅膜膜能有效的對對擴散雜質(zhì)起起掩蔽作用的的基本條件有有哪些______1．雜質(zhì)在硅中中的擴散系數(shù)數(shù)大于在二氧氧化硅中的擴擴散系數(shù)2．雜質(zhì)在硅中中的擴散系數(shù)數(shù)小于在二氧氧化硅中的擴擴散系數(shù)3．二氧化硅的的厚度大于雜雜質(zhì)在二氧化化硅中的擴散散深度4．二氧化硅的的厚度小于雜雜質(zhì)在二氧化化硅中的擴散散深度A．2,4B.1,3C.1,4D.2,33、半導體器器件生產(chǎn)中所所制備的二氧氧化硅薄膜屬屬于（）A．結(jié)晶形二氧氧化硅B.無定形二氧化化硅填空題：1、在硅-二氧化硅系統(tǒng)統(tǒng)中存在______電荷、可動電電荷、界面態(tài)態(tài)電荷和氧化化層陷阱電荷荷。2、溫度是影響響氧化速率的的一個重要因因素，溫度越越高，氧化速速率越_____（大/?。?。。3、在一一定的的氧化化條件件下，，通過過改變變氧化化劑分分壓可可以改改變氧氧化層層生長長速率率，氧氧化劑劑分壓壓越____（大/小），，生長長速率率越慢慢。4、清洗洗硅片片所用用的化化學試試劑、、去離離子水水和生生產(chǎn)工工具、、操作作者的的汗液液及呼呼出的的氣體體等是是氧化化層中中的__離子的的來源源。9、靜靜夜夜四四無無鄰鄰，，荒荒居居舊舊業(yè)業(yè)貧貧。。。。12月月-2212月月-22Wednesday,December28,202210、雨雨中中黃黃葉葉樹樹，，燈燈下下白白頭頭人人。。。。20:36:4220:36:4220:3612/28/20228:36:42PM11、以我獨獨沈久，，愧君相相見頻。。。12月-2220:36:4220:36Dec-2228-Dec-2212、故人江海別別，幾度隔山山川。。20:36:4220:36:4220:36Wednesday,December28,202213、乍見翻疑夢夢，相悲各問問年。。12月-2212月-2220:36:4220:36:42December28,202214、他鄉(xiāng)生白白發(fā)，舊國國見青山。。。28十二二月20228:36:42下下午20:36:4212月-2215、比比不不了了得得就就不不比比，，得得不不到到的的就就不不要要。。。。。十二二月月228:36下下午午12月月-2220:36December28,202216、行動出成果果，工作出財財富。。2022/12/2820:36:4220:36:4228December202217、做前前，能能夠環(huán)環(huán)視四四周；；做時時，你你只能能或者者最好好沿著著以腳腳為起起點的的射線線向前前。。。8:36:42下下午8:36下下午午20:36:4212月月-229、沒有失失敗，只只有暫時時停止成成功！。。12月-2212月-22Wednesday,December28,202210、很多事事情努力力了未必必有結(jié)果果，但是是不努力力卻什么么改變也也沒有。。。20:36:4220:36:4220:3612/28/20228:36:43PM11、成功就是是日復一日日那一點點點小小努力力的積累。。。12月-2220:36:4320:36Dec-2228-Dec-2212、世世間間成成事事，，不不求求其其絕絕對對圓圓滿滿，，留留一一份份不不足足，，可可得得無無限限完完美美。。。。20:36:4320:36:4320:36Wednesday,December28,202213、不知香積寺寺，數(shù)里入云云峰。。12月-2212月-2220:36:43