半導(dǎo)體物理第5章習(xí)題_第1頁
半導(dǎo)體物理第5章習(xí)題_第2頁
半導(dǎo)體物理第5章習(xí)題_第3頁
半導(dǎo)體物理第5章習(xí)題_第4頁
半導(dǎo)體物理第5章習(xí)題_第5頁
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文檔簡介

半導(dǎo)體物理習(xí)題課件第五章用強(qiáng)光照射n型樣品,假定光被均勻吸收,產(chǎn)生過剩載流子,產(chǎn)生率為,空穴的壽命為。⑴寫出光照下過剩載流子滿足的方程⑵求出光照達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)過剩載流子濃度解答:⑴少子(過剩載流子)滿足的運(yùn)動(dòng)方程為:根據(jù)題意:①光被均勻的吸收,故不存在少子濃度梯度,故擴(kuò)散項(xiàng)為零。②電場為零,不存在漂移因素,則漂移項(xiàng)為零∴過剩少子滿足⑵穩(wěn)態(tài)時(shí),半導(dǎo)體材料壽命,光照時(shí)產(chǎn)生非平衡載流子,試求光照突然停止后,非子衰減到原來的百分之幾?解答:t=0時(shí)非子濃度為當(dāng)而時(shí)非子衰減為原來的:畫出p型半導(dǎo)體在光照(小注入)前后的能帶圖,標(biāo)出原來的費(fèi)米能級(jí)和光照時(shí)的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。解答:,且,故偏離較小,,偏離較大,,,,對(duì)Si,,光照產(chǎn)生,試計(jì)算準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)位置,并與原來的費(fèi)米能級(jí)作比較。解答:<2><1><2>代入<1>得:解出又①原來的費(fèi)米能級(jí)位置:由可得:②由可得:③①+③得②-①得對(duì)N型半導(dǎo)體,偏離較小,而偏離較大p型Ge,T=300K,,解答:,求電子的擴(kuò)散長度。由愛因斯坦關(guān)系:,空穴濃度線性分布,

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