標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 13388-1992 是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),全稱為《硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測量方法》。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用X射線衍射技術(shù)來測定硅片參考面上的結(jié)晶學(xué)取向的方法,旨在為半導(dǎo)體材料的質(zhì)量控制和特性分析提供統(tǒng)一的測量規(guī)范。以下是該標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容概述:

  1. 范圍:明確了本標(biāo)準(zhǔn)適用于單晶硅片,特別是用于集成電路和其它電子器件制造的硅片,規(guī)定了通過X射線衍射技術(shù)測定其結(jié)晶學(xué)取向的具體方法。

  2. 引用標(biāo)準(zhǔn):列出了實(shí)施該測量方法所依據(jù)或參考的其他相關(guān)國家標(biāo)準(zhǔn)和國際標(biāo)準(zhǔn),確保測量過程的準(zhǔn)確性和可比性。

  3. 術(shù)語和定義:對(duì)標(biāo)準(zhǔn)中使用的專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了定義,包括結(jié)晶學(xué)取向、布拉格角、衍射峰等,有助于讀者準(zhǔn)確理解測量中的概念。

  4. 原理:闡述了X射線衍射的基本原理,即當(dāng)X射線照射到晶體時(shí),會(huì)根據(jù)布拉格定律在特定角度產(chǎn)生衍射現(xiàn)象,通過分析這些衍射峰可以確定晶體的取向。

  5. 儀器要求:詳細(xì)描述了進(jìn)行X射線衍射測量所需的儀器設(shè)備規(guī)格和性能要求,包括X射線源、探測器、樣品臺(tái)及其精確度和穩(wěn)定性等,以保證測量結(jié)果的可靠性。

  6. 樣品制備與處理:說明了硅片樣品在測量前的準(zhǔn)備步驟,如清潔、減薄、定向標(biāo)記等,確保測量過程中樣品狀態(tài)的一致性和代表性。

  7. 測量程序:具體描述了測量的操作步驟,包括如何設(shè)置儀器參數(shù)(如掃描范圍、步進(jìn)大?。?、樣品放置方式、數(shù)據(jù)采集方法及必要的重復(fù)測量以提高數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。

  8. 數(shù)據(jù)處理與分析:規(guī)定了如何從原始衍射數(shù)據(jù)中提取有用信息,計(jì)算結(jié)晶學(xué)取向角,以及如何評(píng)估和報(bào)告測量結(jié)果的不確定度。

  9. 質(zhì)量控制:提出了確保測量質(zhì)量的措施,如定期校準(zhǔn)儀器、使用標(biāo)準(zhǔn)樣品進(jìn)行驗(yàn)證等,確保測量結(jié)果的可靠性和重復(fù)性。

  10. 安全要求:強(qiáng)調(diào)了在進(jìn)行X射線衍射測量時(shí)應(yīng)遵守的安全規(guī)范,以防輻射傷害,包括操作人員的防護(hù)裝備和實(shí)驗(yàn)室的安全措施。


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  • 1992-02-19 頒布
  • 1992-10-01 實(shí)施
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GB/T 13388-1992硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測量方法_第1頁
GB/T 13388-1992硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測量方法_第2頁
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UDC669.782-172-415620:179.152H21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)CB/T13388-92硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測量方法MethodformeasuringcrystallographicorientationofflatsonsinglecrystalsiliconslicesandwafersbyX-raytechnigues1992-02-19發(fā)布1992-10-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測量方法GB/T13388—92MethodformeasuringerystallographieorientationofflatsonsinglecrystalsiliconslicesandwafersbyX-raytechniques主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用×射線技術(shù)測量硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向與參考面規(guī)定取向之間角度偏差的測量。。硅片直徑為50~125mm,參考面長度為10~50mm。本標(biāo)準(zhǔn)不適用于硅片規(guī)定取向在與參考面和硅片表面相垂直的平面內(nèi)的投影與硅片表面法線之間夾角不小于3°的硅片的測量。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB2828逐批檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)方法原理將一束單色X射線射到晶體上,在符合布喇格(Bragg)定律2sinb=m時(shí)便產(chǎn)生衍射。用X射線衍射儀測量來自硅片邊緣一個(gè)晶面筷的衍射,通過測角儀讀數(shù)計(jì)算平均角度偏差。4測量儀器4.7X射線衍射儀銅靶產(chǎn)生K。輻射,垂直狹縫,測角儀要有“度"和“分"的刻度,其精度為30".4.22樣品夾具4.2.1樣品夾具裝置見圖1、

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