標準解讀
GB/T 13388-1992 是一項國家標準,全稱為《硅片參考面結晶學取向X射線測量方法》。該標準規(guī)定了使用X射線衍射技術來測定硅片參考面上的結晶學取向的方法,旨在為半導體材料的質量控制和特性分析提供統(tǒng)一的測量規(guī)范。以下是該標準的主要內容概述:
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范圍:明確了本標準適用于單晶硅片,特別是用于集成電路和其它電子器件制造的硅片,規(guī)定了通過X射線衍射技術測定其結晶學取向的具體方法。
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引用標準:列出了實施該測量方法所依據(jù)或參考的其他相關國家標準和國際標準,確保測量過程的準確性和可比性。
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術語和定義:對標準中使用的專業(yè)術語進行了定義,包括結晶學取向、布拉格角、衍射峰等,有助于讀者準確理解測量中的概念。
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原理:闡述了X射線衍射的基本原理,即當X射線照射到晶體時,會根據(jù)布拉格定律在特定角度產(chǎn)生衍射現(xiàn)象,通過分析這些衍射峰可以確定晶體的取向。
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儀器要求:詳細描述了進行X射線衍射測量所需的儀器設備規(guī)格和性能要求,包括X射線源、探測器、樣品臺及其精確度和穩(wěn)定性等,以保證測量結果的可靠性。
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樣品制備與處理:說明了硅片樣品在測量前的準備步驟,如清潔、減薄、定向標記等,確保測量過程中樣品狀態(tài)的一致性和代表性。
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測量程序:具體描述了測量的操作步驟,包括如何設置儀器參數(shù)(如掃描范圍、步進大?。?、樣品放置方式、數(shù)據(jù)采集方法及必要的重復測量以提高數(shù)據(jù)準確性。
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數(shù)據(jù)處理與分析:規(guī)定了如何從原始衍射數(shù)據(jù)中提取有用信息,計算結晶學取向角,以及如何評估和報告測量結果的不確定度。
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質量控制:提出了確保測量質量的措施,如定期校準儀器、使用標準樣品進行驗證等,確保測量結果的可靠性和重復性。
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安全要求:強調了在進行X射線衍射測量時應遵守的安全規(guī)范,以防輻射傷害,包括操作人員的防護裝備和實驗室的安全措施。
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文檔簡介
UDC669.782-172-415620:179.152H21中華人民共和國國家標準CB/T13388-92硅片參考面結晶學取向X射線測量方法MethodformeasuringcrystallographicorientationofflatsonsinglecrystalsiliconslicesandwafersbyX-raytechnigues1992-02-19發(fā)布1992-10-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國國家標準硅片參考面結晶學取向X射線測量方法GB/T13388—92MethodformeasuringerystallographieorientationofflatsonsinglecrystalsiliconslicesandwafersbyX-raytechniques主題內客與適用范圍本標準規(guī)定了用×射線技術測量硅片參考面結晶學取向的方法。本標準適用于硅片參考面結晶學取向與參考面規(guī)定取向之間角度偏差的測量。。硅片直徑為50~125mm,參考面長度為10~50mm。本標準不適用于硅片規(guī)定取向在與參考面和硅片表面相垂直的平面內的投影與硅片表面法線之間夾角不小于3°的硅片的測量。2引用標準GB2828逐批檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)方法原理將一束單色X射線射到晶體上,在符合布喇格(Bragg)定律2sinb=m時便產(chǎn)生衍射。用X射線衍射儀測量來自硅片邊緣一個晶面筷的衍射,通過測角儀讀數(shù)計算平均角度偏差。4測量儀器4.7X射線衍射儀銅靶產(chǎn)生K。輻射,垂直狹縫,測角儀要有“度"和“分"的刻度,其精度為30".4.22樣品夾具4.2.1樣品夾具裝置見圖1、
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