GB/T 13388-2009硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測(cè)試方法

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１３３８８—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１３３８８—１９９２

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向犡射線測(cè)試方法

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向犡射線測(cè)試方法

ＧＢ／Ｔ１３３８８—２００９

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

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２０１０年１月第一版２０１０年１月第一次印刷

書號(hào)：１５５０６６·１３９８６４

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書

犌犅／犜１３３８８—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用ＳＥＭＩＭＦ８４７０７０５《硅片參考面晶向Ｘ射線測(cè)試方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＳＥＭＩＭＦ８４７０７０５相比，有以下不同：

———將ＳＥＭＩ標(biāo)準(zhǔn)中引用的部分國際標(biāo)準(zhǔn)，采用直接引用對(duì)應(yīng)的我國標(biāo)準(zhǔn)；

———主要格式內(nèi)容按ＧＢ／Ｔ１．１的要求編排。

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ１３３８８—１９９２《硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向Ｘ射線測(cè)試方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ１３３８８—１９９２相比，主要有如下變化：

———增加了方法２———?jiǎng)诙虮撤瓷洌厣渚€法；

———取消了硅片的直徑和參考面長(zhǎng)度的具體規(guī)定；

———修訂前的國標(biāo)中規(guī)定“該方法不適用于硅片規(guī)定取向在與參考面和硅片表面相垂直的平面內(nèi)

的投影與硅片表面法線之間夾角不小于３°的硅片的測(cè)量”；而ＳＥＭＩＭＦ８４７０７０５，僅適用于角

度偏離從－５°到＋５°的硅片；

———規(guī)范性引用文件有所增加；

———修改了精密度采用了ＳＥＭＩＭＦ８４７０７０５中通過對(duì)一個(gè)硅片進(jìn)行５０次（每面２５次）的測(cè)量，得

到對(duì)這一測(cè)試方面的單個(gè)儀器、單個(gè)操作者的再現(xiàn)性評(píng)價(jià)：α計(jì)算值的１－α分布為１．９４′；

———增加了相關(guān)安全條款。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)（ＳＡＣ／ＴＣ２０３）提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：有研半導(dǎo)體材料股份有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：孫燕、盧立延、杜娟、翟富義、高玉銹。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１３３８８—１９９２。

Ⅰ

書

犌犅／犜１３３８８—２００９

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向犡射線測(cè)試方法

１目的

１．１硅片的參考面結(jié)晶學(xué)取向（晶向）是一個(gè)重要的材料驗(yàn)收參數(shù)。在半導(dǎo)體器件工藝中，一般利用參

考面來校準(zhǔn)半導(dǎo)體器件的幾何圖形陣列與結(jié)晶學(xué)晶面及晶向的一致性。

１．２硅片的參考面（位于片子邊緣）晶向是參考面表面的結(jié)晶學(xué)取向，參考面通常用規(guī)定為一個(gè)相關(guān)的

低指數(shù)晶面，如（１１０）晶面，在這種情況下，參考面的晶向可以用其偏離低指數(shù)晶面的角度來描述。

１．３本標(biāo)準(zhǔn)包括兩個(gè)測(cè)定方法。

１．４兩個(gè)測(cè)試方法都能用于工藝開發(fā)和質(zhì)量保證方面。但在該方法的多個(gè)實(shí)驗(yàn)室間精度（再現(xiàn)性限）

確定之前，如雙方未圓滿完成兩個(gè)方法的相關(guān)性研究，不推薦在供需雙方使用該方法。

２范圍

２．１本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了α角的測(cè)量方法，α角為垂直于圓型硅片基準(zhǔn)參考平面的晶向與硅片表面參考面

間角。

２．２本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅片的參考面長(zhǎng)度范圍應(yīng)符合ＧＢ／Ｔ１２９６４和ＧＢ／Ｔ１２９６５中的規(guī)定，且硅片角度

偏離應(yīng)在－５°到＋５°范圍之內(nèi)。

２．３由本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)定的晶向精度直接依賴于參考表面與基準(zhǔn)擋板的匹配精度和擋板與相對(duì)于的Ｘ射線

的取向精度。

２．４本標(biāo)準(zhǔn)包含如下兩種測(cè)試方法：

測(cè)試方法１———Ｘ射線邊緣衍射法

測(cè)試方法２———?jiǎng)诙虮撤瓷洌厣渚€法

２．４．１測(cè)試方法１是非破壞性的，為了使硅片唯一的相對(duì)于Ｘ射線測(cè)角器定位，除了使用特殊的硅片

夾具外，與ＧＢ／Ｔ１５５５測(cè)試方法１類似。與勞厄背反射法相比，該技術(shù)測(cè)量參考面的晶向能得到更高

的精度。

２．４．２方法２也是非破壞性的，為了使參考面相對(duì)于Ｘ射線束定位，除了使用“瞬時(shí)”底片