標準解讀

《GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直流兩探針法》這一標準相比于之前的《GB 1551-1979》和《GB 5253-1985》，主要在以下幾個方面進行了調(diào)整和完善：

  1. 適用范圍明確化：新標準更精確地界定了其適用對象，即硅、鍺單晶材料的電阻率測定，并明確了采用直流兩探針法進行測量的具體要求和方法。這相比之前的標準可能有更加清晰的界定范圍。

  2. 技術(shù)內(nèi)容更新：隨著科學技術(shù)的進步，測量技術(shù)和設備有了顯著發(fā)展，新標準融入了最新的測量理論和技術(shù)手段，提高了測量精度和可靠性。例如，對探針材料、接觸電阻補償、溫度控制等關(guān)鍵因素提出了更具體的要求。

  3. 測試程序標準化：詳細規(guī)定了從樣品準備、測量環(huán)境控制到數(shù)據(jù)處理的全過程標準化操作步驟，增強了實驗可重復性和結(jié)果的一致性。這有助于減少因操作差異導致的誤差。

  4. 計量單位統(tǒng)一：根據(jù)國際單位制（SI）的要求，新標準對所有涉及的物理量和參數(shù)均采用了國際標準單位，確保了與國際標準的接軌和數(shù)據(jù)的國際可比性。

  5. 質(zhì)量控制加強：增加了對測量不確定度分析和校準驗證的要求，強調(diào)了實驗室質(zhì)量控制的重要性，確保測量結(jié)果的準確性和可信度。

  6. 術(shù)語定義規(guī)范：對相關(guān)專業(yè)術(shù)語進行了更為嚴謹和規(guī)范的定義，有助于消除理解上的歧義，提升標準的可讀性和實用性。

  7. 參考文獻更新：引用了最新的科研成果和國際標準作為支撐，反映了該領(lǐng)域最新的理論和實踐進展。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 1551-2009
  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 1551-1995硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法_第1頁
GB/T 1551-1995硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法_第2頁
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GB/T 1551-1995硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法-免費下載試讀頁

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UDC.669.7821.783：621.317-33H21中華人民共和國國家標準GB/T1551-1995硅、錯單晶電阻率測定直流兩探針法Testmethodforresistivityofsiliconandgermaniumbarsusingatwo-pointprobe1995-04-18發(fā)布1995-12-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準硅、錯單晶電阻率測定GB/T1551-1995兩：深直針流法TestmethodforresistivityofsiliconGB5253-85andgermaniumbarsusingatwo-pointprobe主題內(nèi)容與適用范圍本標準規(guī)定了用直流兩探針測量硅和錯單品鍵電阻率的方法、本標準適用于測量截面積均勾的圓形、方形或矩形單品鍵的電阻率。測量范圍：硅單晶為10～～10*Q·cm·錯單晶為5×10-～10°Q·cm。試樣長度與截面最大尺寸之比應不小于3：1。2引用標準GB1550硅單晶導電類型測定方法GB/T1552硅、錯單晶電阻率測定直排四探針法GB5256錯單晶導電類型測量方法方法提要讓直流電流I通過試樣兩端，并使A、B兩根探針垂直壓在試樣側(cè)面，測量A、B兩根探針間的電位差V，見圖1。若試樣的橫截面積為A，探針間距為S,則試樣的電阻率·可用式(1)計算：式中：0--電阻率，0·cmniV兩探針間的電位差,V；1--通過試樣的直流電流,A；4-試樣的截面積,cm2；S--兩探針間的探針間距,e

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