GB/T 24578-2009硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜２４５７８—２００９

硅片表面金屬沾污的

全反射犡光熒光光譜測試方法

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜２４５７８—２００９

前言

本標準的附錄Ａ為規(guī)范性附錄，附錄Ｂ為資料性附錄。

本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會提出。

本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標準起草單位：有研半導體材料股份有限公司、萬向硅峰電子有限公司。

本標準主要起草人：孫燕、李俊峰、樓春蘭、盧立延、張靜、翟富義。

Ⅰ

書

犌犅／犜２４５７８—２００９

硅片表面金屬沾污的

全反射犡光熒光光譜測試方法

１范圍

１．１本標準規(guī)定了硅片表面金屬沾污的全反射Ｘ光熒光光譜測試方法，本方法使用單色Ｘ光源全反

射Ｘ光熒光光譜的方法定量測定硅單晶拋光襯底表面層的元素面密度。

１．２本標準適用于Ｎ型和Ｐ型硅單晶拋光片、外延片等鏡面拋光的硅片，尤其適用于清洗后硅片自然

氧化層，或經(jīng)化學方法生長的氧化層中沾污元素的面密度測定。

１．３對良好的鏡面拋光片表面，可探測深度約５ｎｍ，分析深度隨表面粗糙度的改善而增加。

１．４本方法可檢測原子周期表中１６（Ｓ）９２（Ｕ）的元素，尤其對確定如下元素有效：鉀、鈣、鈦、釩、鉻、

錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、砷、鉬、鈀、銀、錫、鉭、鎢、鉑、金、汞和鉛。

１．５本方法適用于測量面密度在（１０９～１０１５）ａｔｏｍｓ／ｃｍ２的范圍的元素。檢測極限依賴于原子數(shù)、激勵

能、激勵Ｘ射線的光通量，設(shè)備的本底積分時間以及空白值。對恒定的設(shè)備參數(shù)，無干擾探測極限是元

素原子序數(shù)的函數(shù)，其變化超過兩個數(shù)量級，見附錄Ａ．１中重復(fù)性和檢測極限的相關(guān)性討論。

１．６本方法是非破壞性的。

本方法是對其他測試方法的補充（見附錄Ｂ）。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計數(shù)抽樣檢驗程序第１部分：按接收質(zhì)量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗抽樣計劃

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導體材料術(shù)語

ＳＥＭＩＭＦ１５２６用全反射Ｘ射線熒光光譜法測量硅片表面的金屬沾污

３術(shù)語和定義

ＧＢ／Ｔ１４２６４確立的以及下列術(shù)語、定義和縮略語適用于本標準。

３．１

角掃描犪狀犵犾犲狊犮犪狀

作為掠射角函數(shù)，對發(fā)射的熒光信號的測量。

３．２

臨界角犮狉犻狋犻犮犪犾犪狀犵犾犲

當掠射角低于某一角度時，被測表面發(fā)生對入射Ｘ射線的全反射，這一角度稱為臨界角，即能產(chǎn)生

全反射的最大角度。

３．３

掠射角犵犾犪狀犮犻狀犵犪狀犵犾