GB/T 32279-2015硅片訂貨單格式輸入規(guī)范

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標準

GB/T32279—2015

硅片訂貨單格式輸入規(guī)范

Specificationfororderentryformatofsiliconwafers

2015-12-10發(fā)布2017-01-01實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T32279—2015

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會和全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位萬向硅峰電子股份有限公司浙江省硅材料質量檢驗中心杭州海納半導體有限

:、、

公司南京國盛電子有限公司有研新材料股份有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司江蘇協(xié)鑫硅材

、、、、

料科技發(fā)展有限公司中國有色金屬工業(yè)標準計量質量研究所

、。

本標準主要起草人朱興萍樓春蘭戴文仙毛衛(wèi)中趙紀平王飛堯馬林寶孫燕李慎重

:、、、、、、、、、

林清香楊素心鄒劍秋

、、。

Ⅰ

GB/T32279—2015

硅片訂貨單格式輸入規(guī)范

1范圍

本標準規(guī)定了硅片訂貨單的格式要求和使用

。

本標準適用于硅單晶研磨片硅單晶拋光片硅單晶外延片太陽能電池用硅單晶切割片太陽能電

、、、、

池用多晶硅片的訂貨單格式其他半導體材料的訂貨單可參照本標準執(zhí)行

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導衰減法

GB/T1553

硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

GB/T1554

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

GB/T4058

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620

硅片表面平整度測試方法

GB/T6621

硅拋光片表面質量目測檢驗方法

GB/T6624

硅片徑向電阻率變化的測量方法

GB/T11073

硅單晶切割片和研磨片

GB/T12965

硅及其他電子材料晶片參考面長度測量方法

GB/T13387

硅片參考面結晶學取向射線測試方法

GB/T13388X

硅外延片

GB/T14139

硅片直徑測量方法

GB/T14140

硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法

GB/T14142

硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法

GB/T14144

半導體材料術語

GB/T14264

重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

GB/T14847

硅拋光片表面顆粒測試方法

GB/T19921

硅片表面金屬沾污的全反射光熒光光譜測試方法

GB/T24578X

硅片載流子復合壽命的無接觸微波反射光