標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 37053-2018 氮化鎵外延片及襯底片通用規(guī)范》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，主要針對(duì)氮化鎵（GaN）材料的外延片和襯底片制定了統(tǒng)一的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存等方面的規(guī)定。該標(biāo)準(zhǔn)適用于以藍(lán)寶石、碳化硅或自由站立式氮化鎵作為襯底生長(zhǎng)的氮化鎵外延層及相關(guān)產(chǎn)品。

在技術(shù)要求方面，標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了氮化鎵外延片與襯底片的關(guān)鍵性能指標(biāo)，包括但不限于晶體質(zhì)量（如位錯(cuò)密度）、表面形貌（如粗糙度）、電學(xué)特性（如載流子濃度、遷移率）等參數(shù)的具體數(shù)值范圍。此外，還對(duì)產(chǎn)品的幾何尺寸及其允許偏差進(jìn)行了明確限定，確保其符合下游應(yīng)用的需求。

關(guān)于試驗(yàn)方法部分，《GB/T 37053-2018》列舉了一系列用于檢測(cè)上述各項(xiàng)性能指標(biāo)的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試程序，涵蓋X射線衍射法測(cè)定晶格常數(shù)與半峰寬、原子力顯微鏡觀察表面形態(tài)特征、霍爾效應(yīng)測(cè)量電導(dǎo)率等先進(jìn)技術(shù)手段，旨在為行業(yè)內(nèi)提供一套科學(xué)合理且可操作性強(qiáng)的質(zhì)量評(píng)價(jià)體系。

對(duì)于檢驗(yàn)規(guī)則，《GB/T 37053-2018》提出了抽樣方案，并指定了型式檢驗(yàn)與出廠檢驗(yàn)的具體項(xiàng)目及合格判定準(zhǔn)則，幫助企業(yè)有效控制產(chǎn)品質(zhì)量，同時(shí)保障消費(fèi)者權(quán)益。

最后，在包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存環(huán)節(jié)，標(biāo)準(zhǔn)亦給出了相應(yīng)指導(dǎo)原則，比如建議采用防靜電材料進(jìn)行包裝以防損壞；要求在外包裝上清晰標(biāo)注生產(chǎn)日期、批次號(hào)等信息便于追溯管理；強(qiáng)調(diào)在搬運(yùn)過(guò)程中應(yīng)輕拿輕放避免碰撞造成損傷；并推薦將成品存放于干燥通風(fēng)處遠(yuǎn)離熱源以延長(zhǎng)使用壽命。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2018-12-28 頒布
  • 2019-07-01 實(shí)施
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GB/T 37053-2018氮化鎵外延片及襯底片通用規(guī)范_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29045

H83.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T37053—2018

氮化鎵外延片及襯底片通用規(guī)范

Generalspecificationforepitaxialwafersand

substratesbasedongalliumnitride

2018-12-28發(fā)布2019-07-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T37053—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司蘇州納維科技有

:、、

限公司南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人丁曉民劉南柳潘堯波徐科修向前孫永健王香張國(guó)義

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T37053—2018

氮化鎵外延片及襯底片通用規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了氮化鎵外延片以下簡(jiǎn)稱外延片及氮化鎵襯底片以下簡(jiǎn)稱襯底片的通用規(guī)范包

()(),

括產(chǎn)品分類要求檢驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志包裝運(yùn)輸和儲(chǔ)存等

、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于氮化鎵外延片與氮化鎵襯底片產(chǎn)品主要用于發(fā)光二極管激光二極管探測(cè)器等光

。、、

電器件以及微波與電力電子功率器件

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

顏色術(shù)語(yǔ)

GB/T5698—2001

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264—2009

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件為了便于使

GB/T5698—2001、GB/T14264—2009。

用以下重復(fù)列出中的某些術(shù)語(yǔ)和定義

,GB/T14264—2009。

31襯底結(jié)構(gòu)

.

311

..

氮化鎵自支撐襯底free-standingGaNsubstrate

半導(dǎo)體工藝中的基底具有特定晶面和適當(dāng)電學(xué)光學(xué)和機(jī)械特性的用于外延沉積擴(kuò)散離子注入

,、、、

等后續(xù)工藝操作的氮化鎵基片

。

312

..

氮化鎵復(fù)合襯底GaNtemplate

由氮化鎵單晶薄膜材料與其支撐基底構(gòu)成的復(fù)合結(jié)構(gòu)用于外延沉積擴(kuò)散離子注入等后續(xù)工藝

,、、

操作的氮化鎵基片

。

32襯底導(dǎo)電類型

.

321

..

氮化鎵半絕緣型襯底semi-insulatingGaNsubstrate

電阻率大于6的氮化鎵自支撐襯底

10Ω·cm。

33材料特性

.

331

..

面電阻均勻度sheetresistanceuniformity

外延片中薄層電阻的分布狀況一般表述為

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