標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 5201-1994 帶電粒子半導(dǎo)體探測器測試方法》是一項國家標(biāo)準(zhǔn),旨在規(guī)定帶電粒子半導(dǎo)體探測器性能參數(shù)的測試方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于各種類型的帶電粒子半導(dǎo)體探測器,包括但不限于硅平面探測器、鍺鋰漂移探測器等。
根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容,主要涉及了以下幾個方面:
- 定義與術(shù)語:首先明確了帶電粒子半導(dǎo)體探測器及相關(guān)術(shù)語的具體含義,為后續(xù)章節(jié)的理解奠定了基礎(chǔ)。
- 測試條件:詳細(xì)描述了進(jìn)行測試時所需的環(huán)境條件(如溫度、濕度)及設(shè)備要求,確保測試結(jié)果的一致性和可比性。
- 測試項目:列舉了一系列關(guān)鍵性能指標(biāo)及其對應(yīng)的測試方法,主要包括但不限于能量分辨率、探測效率、響應(yīng)時間等重要參數(shù)。每項測試都有具體的步驟說明,指導(dǎo)如何正確操作以獲得準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)。
- 數(shù)據(jù)處理與表示:對于收集到的數(shù)據(jù)給出了處理建議和報告格式要求,幫助用戶更好地分析實驗結(jié)果并與其他研究進(jìn)行對比。
- 質(zhì)量控制:提出了在生產(chǎn)和使用過程中對探測器進(jìn)行定期校準(zhǔn)和維護(hù)的要求,保證其長期穩(wěn)定工作。
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- 被代替
- 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 5201-2012
- 1994-12-22 頒布
- 1995-10-01 實施
文檔簡介
9DG539.1.074:001.4F80中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T5201-94帶電粒子半導(dǎo)體探測器測試方法Testproceduresforsemicorductorchargedparticledetectors1994-12-22發(fā)布1995-10-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T5201-94帶電粒子半導(dǎo)體探測器測試方法代替GB5201-85Testproceduresforsemiconductorchargedparticledetectors主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了帶電粒子半導(dǎo)體探測器電特性和核輻射性能的測試方法以及某些特殊環(huán)境的試驗方法本標(biāo)準(zhǔn)適用于探測帶電粒子的部分耗盡金硅面全型、鋰漂移金硅面壘型和表面鈍化離子注入平面硅型等半導(dǎo)體探測器。全全耗盡金硅面全型探測器的某些性能測試也應(yīng)參照本標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。2術(shù)語、竹號2.1術(shù)語2.1.1靈敏層sensitivelayer半導(dǎo)體探測器中對輻射靈敏的那一層物質(zhì)。粒子在其中損失的能量可轉(zhuǎn)換成電信號。2.1.2靈敏面sensitivearea深測器中輻射最易進(jìn)入靈敏層的那部分表面。2.1.3死層deadlayer從探測器靈敏層入射的帶電粒子在進(jìn)入靈敏層前必須經(jīng)過的一層物質(zhì)。在這層物質(zhì)中,粒子損失的能量不轉(zhuǎn)換成電信號。2.1.4偏壓biasvoltage探測器工作時所加電壓。它在靈敏層中產(chǎn)生一個使信號電荷迅速向電極移動的強(qiáng)電場。2.1.5探測器電容capacitanceofdetector在給定偏壓下,探測器兩極間的總電容。2.1.6能量分辨率energyresolution深探測器分辨入射粒子能量的能力。通常以規(guī)定能量射線譜線的半高寬表示。2.1.7半高寬(FwHM)fullwidthathalfmaximum在在譜線中僅由單峰構(gòu)成的分布曲線上,峰值一半處兩點間橫坐標(biāo)之差.2.1.8申上升時間electricalrisetime探測器電參數(shù)引起的輸出信號從終值的10%到90%所需的時間。2.1.9電荷收集時間chargecollectiontime電離粒子穿過半導(dǎo)體探測器時,由收集電荷形成的積分電流從最終值的10%到90%所需要的時間2.1.10十分之一高寬(FwTM)fullwidthattenthmaximum譜線中,在單峰分布
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