標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 5201-2012 帶電粒子半導(dǎo)體探測器測量方法》與《GB/T 5201-1994 帶電粒子半導(dǎo)體探測器測試方法》相比,在內(nèi)容上進(jìn)行了多方面的更新和補充,以適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步的需求。具體來說,主要變化體現(xiàn)在以下幾個方面:

首先,術(shù)語定義更加明確。2012版標(biāo)準(zhǔn)對帶電粒子半導(dǎo)體探測器相關(guān)的專業(yè)術(shù)語給出了更準(zhǔn)確的定義,有助于減少因理解差異導(dǎo)致的應(yīng)用錯誤。

其次,增加了新的測量項目。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,對于探測器性能的要求不斷提高,因此2012版標(biāo)準(zhǔn)新增了一些重要的測量指標(biāo),如噪聲水平、線性度等,這些參數(shù)對于評估探測器的整體性能至關(guān)重要。

再者,改進(jìn)了原有的測試流程和技術(shù)要求?;诙嗄陙淼膶嵺`經(jīng)驗積累,新版標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)化了部分測試步驟,并提高了某些關(guān)鍵參數(shù)的技術(shù)指標(biāo),比如響應(yīng)時間、能量分辨率等方面的標(biāo)準(zhǔn)值有所調(diào)整,使之更加符合實際應(yīng)用需求。

此外,還強化了安全性和環(huán)境保護(hù)的相關(guān)規(guī)定。考慮到實驗過程中可能存在的風(fēng)險因素以及環(huán)保意識日益增強的趨勢,新版本特別強調(diào)了操作過程中的個人防護(hù)措施及廢棄物處理辦法,確??蒲谢顒蛹雀咝в职踩?/p>


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2012-06-29 頒布
  • 2012-11-01 實施
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GB/T 5201-2012帶電粒子半導(dǎo)體探測器測量方法_第1頁
GB/T 5201-2012帶電粒子半導(dǎo)體探測器測量方法_第2頁
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文檔簡介

ICS27120

F88.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T5201—2012

代替

GB/T5201—1994

帶電粒子半導(dǎo)體探測器測量方法

Testproceduresforsemiconductorchargedparticledetectors

(IEC60333:1993Nuclearinstrumentation—Semiconductorchargedparticle

detectors—Testprocedures,NEQ)

2012-06-29發(fā)布2012-11-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T5201—2012

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替帶電粒子半導(dǎo)體探測器測試方法本標(biāo)準(zhǔn)與

GB/T5201—1994《》,GB/T5201—1994

以下簡稱原標(biāo)準(zhǔn)相比主要技術(shù)變化如下

(),:

增加了前言

———;

增加了第章規(guī)范性引用文件其他章的編號依次后推

———2“”,;

將原標(biāo)準(zhǔn)術(shù)語符號改為第章術(shù)語和定義并完全引用不再另行

———“、”3“”,GB/T4960.6—2008,

編寫

;

刪除了原標(biāo)準(zhǔn)符號部分在文中用到符號的地方予以說明

———2.2“”,;

增加了測試的參考條件或標(biāo)準(zhǔn)試驗條件代替原標(biāo)準(zhǔn)

———4.1“”3.1;

將原標(biāo)準(zhǔn)和合并為刪除了原標(biāo)準(zhǔn)

———3.33.44.3;3.7;

電壓電流特性特性增加了反向特性測試

———5.1“-(V-I)”V-I;

將原標(biāo)準(zhǔn)噪聲測量前的懸置段改為測量方法和測量系統(tǒng)其他節(jié)編號依次

———4.3“”5.3.1“”,

后推

;

將原標(biāo)準(zhǔn)探測器噪聲隨放大器時間常數(shù)的變化增加新內(nèi)容后改為

———4.3.6“”,5.3.7;

電荷收集時間增加了對快慢探測器的區(qū)分標(biāo)準(zhǔn)

———5.4.2“”“”、“”;

第章環(huán)境試驗完全引用不再另行編寫

———7“”GB/T10263—2006,。

本標(biāo)準(zhǔn)使用重新起草法參考核儀器半導(dǎo)體帶電粒子探測器試驗程序編制

IEC60333:1993《》,

與的一致性程度為非等效

IEC60333:1993。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國核儀器儀表標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC30)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中核北京核儀器廠

:()。

本標(biāo)準(zhǔn)起草人李志勇王軍

:、。

GB/T5201—2012

帶電粒子半導(dǎo)體探測器測量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了帶電粒子半導(dǎo)體探測器的電特性和核輻射性能的測量方法以及某些特殊環(huán)境的試驗

方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于帶電粒子部分耗盡層的半導(dǎo)體探測器

全耗盡型半導(dǎo)體探測器的測量可參照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

核科學(xué)技術(shù)術(shù)語第部分核儀器儀表

GB/T4960.6—20086:

核輻射探測器環(huán)境條件與試驗方法

GB/T10263—2006

金硅面壘型探測器

GB/T13178—2008

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T4960.6—2008。

4一般要求

41測量應(yīng)在參考條件或標(biāo)準(zhǔn)試驗條件見表下進(jìn)行

.(1)。

表1參考條件或標(biāo)準(zhǔn)試驗條件

項目參考條件標(biāo)準(zhǔn)試驗條件

環(huán)境溫度

20℃18℃~22℃

相對濕度

65%50%~75%

大氣壓強

101.3kPa86kPa~106kPa

交流供電電壓UaU

N(1±1.0%)N

交流供電頻率b

50Hz(1±1%)×50Hz

交流供電波形正弦波波形總畸變﹤

5%

直流供電電壓額定值

±1%

環(huán)境γ輻射空氣吸收劑量率

()0.1μGy/h<0.25μGy/h

外磁場干擾可忽略

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