GB/T 9149-2008磁粉離合器通用技術(shù)條件

犐犆犛２１．１２０．０１

犑１９

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜９１４９—２００８

代替ＧＢ／Ｔ９１４９—１９８８

磁粉離合器通用技術(shù)條件

犌犲狀犲狉犪犾狊狆犲犮犻犳犻犮犪狋犻狅狀犳狅狉犿犪犵狀犲狋犻犮狆犪狉狋犻犮犾犲犮犾狌狋犮犺

２００８０９２７發(fā)布２００９０５０１實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

犌犅／犜９１４９—２００８

目次

前言!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!Ⅲ

１范圍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

２規(guī)范性引用文件!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

３術(shù)語和定義!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

４技術(shù)要求!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!２

５試驗(yàn)方法!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!５

６檢驗(yàn)規(guī)則!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１１

７標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１３

Ⅰ

書

犌犅／犜９１４９—２００８

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)ＧＢ／Ｔ９１４９—１９８８《磁粉離合器通用技術(shù)條件》的修訂。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ９１４９—１９８８相比在技術(shù)內(nèi)容上有如下變化：

———增加了標(biāo)準(zhǔn)的前言、目次；

———規(guī)范性引用文件中刪去了作廢標(biāo)準(zhǔn)ＧＢ／Ｔ９９８，增加了ＧＢ／Ｔ２４２３最新版本的內(nèi)容，其中

ＧＢ／Ｔ２４２３．１、ＧＢ／Ｔ２４２３．２為注日期引用，其他為不注日期引用；

———增加了“３術(shù)語和定義”；

———?jiǎng)h除了１９８８版３．９、３．１０、３．１１、３．１２、３．１３．１、３．１３．２、４．１０、４．１１、４．１２等條款的內(nèi)容；

———取消了１９８８版３．１３．１１中“……今后應(yīng)盡量采用火箭撬試驗(yàn)法來代替離心機(jī)試驗(yàn)法?！?；

———１９８８版４．１６修改為“溫度氣壓循環(huán)試驗(yàn)”（見５．１３）；

———取消了１９８８版４．１７、４．１８、４．１９、４．２０、４．２２中有關(guān)ＧＢ／Ｔ２４２３．３、ＧＢ／Ｔ２４２３．５、

ＧＢ／Ｔ２４２３．１０、ＧＢ／Ｔ２４２３．１５、ＧＢ／Ｔ２４２３．２１的具體引用內(nèi)容（見５．１４、５．１５、５．１６、５．１７、

５．１９）。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國機(jī)器軸與附件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：機(jī)械科學(xué)研究院中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心、北京自動(dòng)化控制設(shè)備研究所、中國航天科

技集團(tuán)公司７１０３廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：明翠新、馬新明、杜亞文、鄧高見。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ９１４９—１９８８。

Ⅲ

犌犅／犜９１４９—２００８

磁粉離合器通用技術(shù)條件

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了磁粉離合器（以下簡(jiǎn)稱離合器）的術(shù)語和定義、設(shè)計(jì)與制造的通用技術(shù)要求、試驗(yàn)方法

和檢驗(yàn)規(guī)則。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于磁粉離合器。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ２４２３．１—２００１電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第２部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ａ：低溫（ｉｄｔＩＥＣ６００６８

２１：１９９０）

ＧＢ／Ｔ２４２３．２—２００１電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第２部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ｂ：高溫（ｉｄｔＩＥＣ６００６８２

２：１９７６）

ＧＢ／Ｔ２４２３．３電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第２部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ｃａｂ：恒定濕熱試驗(yàn)

（ＧＢ／Ｔ２４２３．３—２００６，ＩＥＣ６００６８２７８：２００１，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ２４２３．５電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第２部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ｅａ和導(dǎo)則：沖擊

（ＧＢ／Ｔ２４２３．５—１９９５，ｉｄｔＩＥＣ６００６８２２７：１９８７）

ＧＢ／Ｔ２４２３．１０電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第２部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ｆｃ：振動(dòng)（正弦）

（ＧＢ／Ｔ２４２３．１０—２００８，ＩＥＣ６００６８２６：１９９５，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ２４２３．１５電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第２部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ｇａ和導(dǎo)則：穩(wěn)態(tài)加速度

（ＧＢ／Ｔ２４２３．１５—２００８，ＩＥＣ６００６８２７：１９８６，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ２４２３．１６電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第２部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ｊ和導(dǎo)則：長霉

（ＧＢ／Ｔ２４２３．１６—１９９９，ｉｄｔＩＥＣ６００６８２１０：１９９８）

ＧＢ／Ｔ２４２３．１７電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第２部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ｋａ：鹽霧（ＧＢ／Ｔ２４２３．１７—

２００８，ＩＥＣ６００６８２１１：１９８１，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ２４２３．２１電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ｍ：低氣壓試驗(yàn)方法（ＧＢ／Ｔ