• 現(xiàn)行
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  • 1983-08-18 頒布
  • 1984-10-01 實(shí)施
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YB 1602-1983硅單晶_第1頁(yè)
YB 1602-1983硅單晶_第2頁(yè)
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YB中華人民共和國(guó)治金工業(yè)部部標(biāo)準(zhǔn)YB1602-83硅單晶1983-08-18發(fā)布1984-10-01實(shí)施中華人民共和國(guó)治金工業(yè)部批準(zhǔn)

中華人民共和國(guó)治金工業(yè)部部標(biāo)準(zhǔn)YB1602-83單本標(biāo)準(zhǔn)適用于真拉（CZ）法和區(qū)熔（FZ）法制備的硅單品鍵。主要供制造半導(dǎo)體分立元件、集成電路、電力半導(dǎo)體元件、探測(cè)器件和硅外延片襯底等用，技術(shù)要求1.1術(shù)語(yǔ)1.1.1電阻率值系指產(chǎn)品端面上測(cè)得的值。1.1.2電阻率中心值(p.)系指產(chǎn)品端面電阻率范圍的中心值.例如產(chǎn)品電阻率范圍為40～800.m>其中心值為602·cm.1.1.3電阻率偏差系指產(chǎn)品橫截面上電阻率圍繞中心伯的最大偏差.1.2直拉（CZ）法硅單品技術(shù)參數(shù)應(yīng)符合表！的規(guī)定直拉法硅單品技術(shù)參數(shù)電阻率偷差，瑞面電租率電阻率巾心值（P:）電不大于不大子晶向直徑·偏美元直徑編差·cm懷小手1范圍不大于范圍不大于于池圍不大子Sb<111>0.005<0.<0.01<100>25<ulr>0.01<p.<0.10.1<0:<5145~50土2.575~80±2.515-80+2.5<100<1110.001<p。<0.1<10021110.10.51100+2.5±2.5175~80+90±2.520<0。<50±2.575~80士25T00注：Q電阻率>100·m的產(chǎn)品器調(diào)試壽命值，電阻率<100·m的產(chǎn)品，如用戶有要求并在訂貨合同中連明，可提供參考值。Q表中字母A、B分別表示A級(jí)和B級(jí)（下同)1.3區(qū)熔（FZ）法硅單晶技術(shù)參數(shù)應(yīng)符合表2和表3的規(guī)定.中華

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