• 現(xiàn)行
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  • 2016-04-05 頒布
  • 2016-09-01 實(shí)施
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YS/T 24-2016外延釘缺陷的檢驗(yàn)方法_第1頁(yè)
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ICS77.040

H21

中華人民共和國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YST24—2016

代替

YS/T24—1992

外延釘缺陷的檢驗(yàn)方法

Testmethodsforspikeofepitaxiallayers

2016-04-05發(fā)布2016-09-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布

YST24—2016

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替外延釘缺陷的檢驗(yàn)方法與相比本標(biāo)準(zhǔn)主要變化

YS/T24—1992《》。YS/T24—1992,

如下

:

增加了規(guī)范性引用文件和術(shù)語(yǔ)和定義

———“”“”;

增加了方法無(wú)損測(cè)試

———“2”。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位南京國(guó)盛電子有限公司有研半導(dǎo)體材料有限公司上海晶盟硅材料有限公司

:、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人馬林寶楊帆孫燕徐新華

:、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———YS/T24—1992。

YST24—2016

外延釘缺陷的檢驗(yàn)方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了外延釘缺陷的檢驗(yàn)方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于判斷硅外延片上是否存在高度不小于m的釘缺陷如果釘缺陷數(shù)量比較少且彼

4m。

此不相連可對(duì)釘缺陷進(jìn)行計(jì)數(shù)本標(biāo)準(zhǔn)不能測(cè)量釘缺陷的高度

,。。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

3.1

釘缺陷spikes

外延生長(zhǎng)過(guò)程中形成的表面突起物通常是由于襯底表面顆粒導(dǎo)致外延后的硅突起物

,。

4方法1有損測(cè)試

4.1方法提要

有損測(cè)試是將一片聚酯塑料薄膜沿三個(gè)不同方向推過(guò)試驗(yàn)表面在兩個(gè)或兩個(gè)以上方向碰到的表

,

面突起物被判定為釘缺陷

。

4.2材料

4.2.1真空吸片裝置或鑷子

4.2.2聚酯塑料薄膜厚度為m面積為

,25m,50mm×50mm。

4.3測(cè)試步驟

4.3.1用真空吸片裝置吸住試樣背面或用鑷子夾持住試樣對(duì)于仲裁檢測(cè)也可將試驗(yàn)外延面朝上置

,,,

于清潔表面上

。

4.3.2拇指和食指夾住聚酯塑料薄膜使薄膜在拇指下延伸約并與試樣表面成傾斜

,25mm,45°。

4.3.3在主參考面對(duì)面將聚酯塑料薄膜與試樣接

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