標準解讀
《YS/T 917-2013 高純鎘化學分析方法 痕量雜質元素含量的測定 輝光放電質譜法》是一項國家標準,主要針對高純鎘中痕量雜質元素的測定。該標準詳細規(guī)定了使用輝光放電質譜(Glow Discharge Mass Spectrometry, GDMS)技術來檢測這些雜質的具體方法。
首先,在準備樣品階段,標準要求將待測的高純鎘樣品制成適合GDMS分析的形式,通常需要將其加工成一定尺寸和形狀的固體樣本。接著,通過特定條件下的輝光放電過程使樣品表面原子或離子化,然后利用質譜儀對產生的正離子進行質量分析,從而實現(xiàn)對不同元素的定性和定量分析。
標準還明確了實驗所需的主要儀器設備及其性能要求,包括但不限于輝光放電源、質譜儀等,并且提供了詳細的測試條件設置指導,如電源參數(shù)、氣體流量控制等,以確保實驗結果的一致性和準確性。
此外,《YS/T 917-2013》還給出了數(shù)據(jù)處理的方法,比如如何根據(jù)獲得的質量譜圖計算出各個雜質元素的實際濃度值;同時,也列舉了一些常見的干擾因素以及相應的校正措施,幫助提高分析精度。
最后,該文件還包括了質量保證與控制的相關內容,強調了實驗室內部質量管理體系的重要性,建議定期參加能力驗證活動以持續(xù)改進測量系統(tǒng)的可靠性。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2013-10-17 頒布
- 2014-03-01 實施
文檔簡介
ICS7712070
H13..
中華人民共和國有色金屬行業(yè)標準
YS/T917—2013
高純鎘化學分析方法
痕量雜質元素含量的測定
輝光放電質譜法
Chemicalanalysismethodsforhighpuritycadmium—
Determinationoftraceimpurityelementscontent—
Glowdischargemassspectrometry
2013-10-17發(fā)布2014-03-01實施
中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布
中華人民共和國有色金屬
行業(yè)標準
高純鎘化學分析方法
痕量雜質元素含量的測定
輝光放電質譜法
YS/T917—2013
*
中國標準出版社出版發(fā)行
北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號
2(100013)
北京市西城區(qū)三里河北街號
16(100045)
網(wǎng)址
:
服務熱線
:400-168-0010
年月第一版
20145
*
書號
:155066·2-26741
版權專有侵權必究
YS/T917—2013
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標準由全國有色金屬標準化技術委員會歸口
(SAC/TC243)。
本標準負責起草單位東方電氣集團峨嵋半導體材料研究所廣東先導稀材股份有限公司
:、。
本標準參加起草單位北京有色金屬研究總院金川新材料科技股份有限公司
:、。
本標準主要起草人王攀峰文英孫平朱劉朱贊芳劉紅邱平徐順波
:、、、、、、、。
Ⅰ
YS/T917—2013
高純鎘化學分析方法
痕量雜質元素含量的測定
輝光放電質譜法
1范圍
本標準規(guī)定了高純鎘中痕量雜質元素含量的測定方法測定元素見表
,1。
本標準適用于高純鎘中痕量雜質元素含量的測定各元素測定范圍如下硫硒元素的測定范圍為
。:、
其余元素的測定范圍為
100μg/kg~5000μg/kg,1μg/kg~5000μg/kg。
2方法原理
試料作為陰極進行輝光放電其表面原子被濺射而脫離試樣進入輝光放電等離子體中在等離子體
,,
中離子化后被導入質譜儀在每一元素同位素質量數(shù)處以預設的掃描點數(shù)和積分時間對相應譜峰積
。
分所得面積即為譜峰強度進行半定量分析時計算機根據(jù)儀器軟件中的典型相對靈敏度因子自動
,。,“”
計算出各元素的質量含量進行定量分析時需通過在與被測樣品相同的分析條件離子源結構以及測
;,、
試條件下對標準樣品進行獨立測定獲得相對靈敏度因子應用該相對靈敏度因子計算出各元素的質量
,
含量
。
3試劑與材料
除非另有說明試驗中所用的試劑均為優(yōu)級純所用的水為去離子水其電阻率要求達
,;,
到
18.2MΩ/cm。
31氮氣純度
.(≥99.99%)。
32硝酸
.(1+1)。
33鎘標準樣品被測元素質量含量在之間
.,50μg/kg~500μg/kg。
34鎘空白樣品要求被測元素含量低于被測試樣中元素含量倍以上
.,10。
4儀器
41高質量分辨率輝光放電質譜儀中分辨率模式下分辨率可達高分辨率模式下分辨
.,3000~4000,
率可達
9000~10000。
42機械加工設備能夠將樣品制備成所需的幾何形狀塊狀或棒狀試樣待分析面應平坦光滑
.,(),。
43按表選擇測定元素同位素及分辨率測定時要求同位素111的譜峰強度不小于
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