模擬電子技術(shù) 基放 頻率特性_第1頁
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模擬電子技術(shù)基放頻率特性第一頁，共十一頁，2022年，8月28日第3章晶體管放大電路(2)3.4基本共射放大電路頻率特性總第八次課3.4.1頻率特性函數(shù)

1.低頻特性及低頻漸進(jìn)線2.中頻特性3.高頻特性及高頻漸進(jìn)線3.4.2頻帶參數(shù)與耦合電容

1.已知耦合電容計(jì)算下限頻率2.已知下限頻率計(jì)算耦合電容3.上限頻率3.4.3對(duì)數(shù)頻率特性-波德圖

1.對(duì)數(shù)幅頻特性曲線2.半對(duì)數(shù)相頻特性曲線作業(yè):3.8，3.9第二頁，共十一頁，2022年，8月28日第三頁，共十一頁，2022年，8月28日

第四頁，共十一頁，2022年，8月28日第五頁，共十一頁，2022年，8月28日第六頁，共十一頁，2022年，8月28日第七頁，共十一頁，2022年，8月28日第八頁，共十一頁，2022年，8月28日第九頁，共十一頁，2022年，8月28日第十頁，共十一頁，2022年，8月28日基本共射放大電路設(shè)計(jì)步驟(1)根據(jù)輸出范圍、效率和負(fù)載最大功率綜合要求確定安伏變換器與負(fù)載電阻比Rc/RL，通?？扇c/RL=1~2，即取Rc=(1~2)RL。(2)根據(jù)RL、Rc及晶體管β值和輸出范圍最大要求確定基極臨界偏置電阻Rb。(3)根據(jù)頻帶上限要求確定晶體管型號(hào)，根據(jù)頻帶下限要求確定耦合電容C1、C2。(4)計(jì)算BJT集電極臨界偏置電流、集-射臨界偏置壓降以備檢查。(5)確認(rèn)放

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