倒裝芯片技術(shù)

2023/5/11電子制造技術(shù)基礎(chǔ)吳豐順博士/教授武漢光電國家實驗室光電材料與微納制造部華中科技大學材料學院2023/5/12

倒裝芯片(FlipChip)技術(shù)2023/5/13第一部分倒裝芯片簡介2023/5/14倒裝芯片示意圖在典型的倒裝芯片封裝中,芯片通過3到5個密耳(mil)厚的焊料凸點連接到芯片載體上，底部填充材料用來保護焊料凸點.2023/5/15什么是倒裝芯片？

倒裝芯片組裝就是通過芯片上的凸點直接將元器件朝下互連到基板、載體或者電路板上。而導線鍵合是將芯片的面朝上。 倒裝芯片元件是主要用于半導體設備；而有些元件，如無源濾波器，探測天線，存儲器裝備也開始使用倒裝芯片技術(shù)，由于芯片直接通過凸點直接連接基板和載體上，因此，更確切的說，倒裝芯片也叫DCA（DirectChipAttach）。2023/5/16三種晶片級互連方法2023/5/17倒裝芯片歷史IBM1960年研制開發(fā)出在芯片上制作凸點的倒裝芯片焊接工藝技術(shù)。95Pb5Sn凸點包圍著電鍍NiAu的銅球。后來制作PbSn凸點，使用可控塌焊連接（ControlledcollapseComponentConnection,C4），無銅球包圍。Philoc－ford等公司制作出Ag－Sn凸點Fairchield——Al凸點Amelco——Au凸點目前全世界的倒裝芯片消耗量超過年60萬片，且以約50％的速度增長，3％的圓片用于倒裝芯片凸點。幾年后可望超過20％。2023/5/18為什么使用倒裝芯片?

倒裝芯片技術(shù)的興起是由于與其他的技術(shù)相比，在尺寸、外觀、柔性、可靠性、以及成本等方面有很大的優(yōu)勢。今天倒裝芯片廣泛用于電子表，手機，便攜機，磁盤、耳機，LCD以及大型機等各種電子產(chǎn)品上。2023/5/19優(yōu)點－01

小尺寸:

小的IC引腳圖形(只有扁平封裝的5％）減小了高度和重量。

功能增強:

使用倒裝芯片能增加I/O的數(shù)量。I/O不像導線鍵合中出于四周而收到數(shù)量的限制。面陣列使得在更小的空間里進行更多信號、功率以及電源等地互連。一般的倒裝芯片焊盤可達400個。2023/5/110優(yōu)點－02

性能增加:

短的互連減小了電感、電阻以及電容，保證了信號延遲減少、較好的高頻率、以及從晶片背面較好的熱通道。提高了可靠性:

大芯片的環(huán)氧填充確保了高可靠性。倒裝芯片可減少三分之二的互連引腳數(shù)。提高了散熱熱能力：倒裝芯片沒有塑封，芯片背面可進行有效的冷卻。低成本：批量的凸點降低了成本。2023/5/111I/O數(shù)比較倒裝芯片與扁平封裝的引腳數(shù)比較2023/5/112信號效果比較2023/5/113缺點－01

裸芯片很難測試凸點芯片適應性有限隨著間距地減小和引腳數(shù)的增多導致PCB技術(shù)面臨挑戰(zhàn)必須使用X射線檢測設備檢測不可見的焊點和SMT工藝相容性較差2023/5/114缺點－02

操作夾持裸晶片比較困難要求很高的組裝精度目前使用底部填充要求一定的固化時間有些基板可靠性較低維修很困難或者不可能2023/5/115倒裝芯片工藝概述主要工藝步驟：第一步：

凸點底部金屬化(UBM)第二步：芯片凸點第三步：將已經(jīng)凸點的晶片組裝到基板／板卡上第四步：使用非導電材料填充芯片底部孔隙2023/5/116第一步：凸點下金屬化

（UBM，underbumpmetallization）2023/5/117第二步:回流形成凸點2023/5/118第三步：倒裝芯片組裝2023/5/119第四步：底部填充與固化2023/5/120不同的倒裝芯片焊點202撇3/4摘/24Pro謊f.撒Wu結(jié)Fen士gsh概un,看fen綱gsh泊unw被u@m旁ail莫.hu漿st.觸edu訊.cn21底部填兄充與否有各種豬不同的災倒裝芯薪片互連忌工藝，寒但是其乞結(jié)構(gòu)基幕本特點耗都是芯同片面朝欄下，而落連接則抓使用金胞屬凸點張。而最亞終差別問就是使棗用底部枯填充與燈否。202獄3/4績/24Prof拖.Wu屢Fen艦gshu襪n,凱fen撕gshu圍nwu@騰mail撐.hus馬t.ed揚22不同的倒蹤蝶裝芯片連慎接方法焊料焊利接熱壓焊接熱聲焊接粘膠連撿接202哥3/4薦/24Pro密f.段Wu購Fen督gsh晝un,坊fen銀gsh裂unw匆u@m胖ail趨.hu曠st.渣edu鴨.cn23Coff各in-M場anso積n低周疲勞覺模型2023珍/4/2蓬4Prof商.Wu檢Fen族gshu矛n,每fen輕gshu矩nwu@嚴m(xù)ail書.hus陳t.ed安24由此模型改可知：更高的六焊點高娘度更小的晶呢片器件與萌基板的忽熱膨脹鋤系數(shù)（Coef有fici襪ent三ofT材herm睬alE莊xpan謊sion即,CT鑰E）相配小的工作乘溫度變化榆范圍要提高可田靠性必須侮要求：2023趴/4/2謝4Pro括f.搶Wu低Fen受gsh貧un,景fen誦gsh炎unw我u@m華ail遍.hu番st.望edu冊.cn25倒裝芯昨片工藝朱：通過降焊料焊咳接－01焊料沉嬌積在基許板焊盤多上：對于細橫間距連伶接，焊震料通過賽電鍍、鍋焊料濺配射或者掉固體增焊料等隱沉積方縣法。很粘的盤焊劑可撤通過直沾接涂覆體到基板竄上或者扮用芯片顏凸 點超浸入的較方法來號保證粘作附。對于加良大的間州距（>0.印4m蝕m），可廁用模板扎印刷焊涌膏。2023峰/4/2紋4Pro鳳f.拘Wu辛Fen饑gsh鴉un,惹fen饞gsh絞unw胖u@m印ail口.hu差st.示edu馬.cn26回流焊接米：芯片凸息點放置竊于沉積惜了焊膏疑或者焊替劑的焊衫盤上，塊整個乳基板浸庭入再流用焊爐。清洗：焊劑殘留扣。測試：由于固詞化后不輩能維修徐，所以拆在填充賺前要進塊行測試處。底部填淺充：通過擠壓羅將低粘度丸的環(huán)氧類射物質(zhì)填充耗到芯片底督部，然北后加熱固系化。倒裝芯片蜜工藝：通莫過焊料焊濟接－022023穩(wěn)/4/2歲4Pro掘f.習Wu列Fen月gsh陵un,渣fen若gsh很unw另u@m顯ail紙.hu席st.兔edu頸.cn27步驟示咱意圖2023陳/4/2拘4Pro隙f.農(nóng)Wu絕Fen洲gsh扣un,鴨fen需gsh焦unw茄u@m扔ail味.hu晝st.思edu叼.cn28底部填退充示意吐圖202開3/4據(jù)/24Pro棟f.特Wu余Fen出gsh蔽un,竿fen竿gsh絮unw刊u@m墓ail掠.hu訴st.南edu映.cn29倒裝芯片連工藝－通毫過熱壓焊孩接在熱壓閉連接工界藝中，惠芯片的補凸點是朗通過加步熱、加通壓的方緒法連接譜到基板怠的焊盤百上。該夢工藝要帥求芯片豎或者基襯板上的妻凸點為物金凸點蔬，同時誰還要有臉一個可價與凸點頂連接的蒙表面，附如金或蘆鋁。對朵于金凸討點，一被般連接贊溫度在300崇°朽C左右，彼這樣才辟能是材弊料充分損軟化，票同時促書進連接富過程中錯的擴散休作用。202配3/4魔/24Pro池f.登Wu程Fen眾gsh枝un,筐fen剪gsh蓋unw撿u@m許ail產(chǎn).hu婚st.盤edu匙.cn30熱壓和熱即聲倒裝芯奶片連接原仿理示意圖熱壓與熱抵聲倒裝芯演片示意圖202袋3/4內(nèi)/24Pro步f.書Wu擾Fen舍gsh韻un,砍fen吼gsh惠unw名u@m嘗ail知.hu濕st.擇edu弄.cn31基板金屬詢化基板上的喊焊盤必須伏進行適當茂地金屬化醬，例如鍍通金，以便繳于實現(xiàn)連效接。另外冊，基板應耐該非常平蔥整。2023房誠/4/2休4Pro攀f.脾Wu蒜Fen陸gsh飾un,陰fen傅gsh薪unw爭u@m丈ail喘.hu渾st.回edu鍛.cn32凸點熱壓倒羽裝芯片引連接最破合適的暑凸點材份料是金躍，凸點獲可以通遣過傳統(tǒng)積的電解插鍍金方蠢法生成離，或者鍵采用釘擠頭凸點紐奉方法，倉后者就身是引線卵鍵合技售術(shù)中常撇用的凸蘆點形成喉工藝。漸由于可凳以采用味現(xiàn)成的琴引線鍵田合設備慚，因此酒無需配闊備昂貴恐的凸點食加工設券備，金根引線中狹應該加杯入1%的Pd，這樣便翁于卡斷凸狠點上部的銷引線。凸我點形成過股程中，晶野圓或者基句板應該預貢熱到150～200°血C。202闊3/4輪/24Pro川f.頑Wu憤Fen就gsh穩(wěn)un,凝fen比gsh茂unw昨u@m準ail作.hu葛st.拖edu戶.cn33釘頭金凸畜點SBB（Stu忘dB肯ond林Bu劑mp）202判3/4齡/24Prof拒.Wu填Fen翁gshu劉n,詢fen承g(shù)shu慌nwu@霜mail祥.hus口t.ed混34釘頭金衰凸點制晨作Gold作wir采eGol魯db乳allCoi猜nin害g(榮lev欲el)Wir死eb荒rea盾kin塞gBal鞠lb沾ond狹ingGol味ds塔tudGol令ds凈tud濤bu梅mp2023庭/4/2燈4Prof秀.Wu冊Fen站gshu剝n,藝fen溪gshu派nwu@綠mail扯.hus遺t.ed蜂35Coin汁ing提(lev羅el)Flat占tai查lbu爬m(xù)pRai處sed解cr奴oss缸bu獨mpCro暗sse墨ds唱lot陵sb響umpVari陷atio鄙nSta基cke味db場ump釘頭金凸援點制作202才3/4補/24Pro協(xié)f.江Wu忠Fen河gsh喝un,嬌fen腹gsh摸unw鐮u@m沙ail糊.hu幫st.狗edu晴.cn36若干問跳題在某些冶情況下架，如顯暴示器中品的玻璃坑上芯片(chi魔p-on露-gla漁ss，COG翁)，采用焊狹接連接并見不是最合促適的選擇硬，而應該釀考慮采用羅其它替代車方法。大呆多數(shù)不采戰(zhàn)用焊接的橫倒裝芯片芽技術(shù)中，挽芯片是采粘用導電膠期或者熱壓炸、熱聲的恢方法連接副到基板上飾的。這些玻方法的優(yōu)敗點是：簡單，無級需使用焊閑劑工藝溫地度低可以實現(xiàn)祝細間距連掌接2023利/4/2袖4Prof領(lǐng).Wu聯(lián)Fen廊gshu餓n,丹fen蛛gshu包nwu@纏mail悄.hus盜t.ed擦37若干問題對于直泥徑為80mm的凸點鎮(zhèn)，熱垃壓壓力男可以達蒸到1N。由于塞壓力較湯大，溫弊度也較熟高，這拌種工藝劍僅適用叼于剛性父基底，卸如氧化囑鋁或硅暢。另外殲，基板絹必須保續(xù)證較高隨的平整對度，熱險壓頭也堆要有較出高的平動行對準做精度。添為了避穿免半導辱體材料級受到不吊必要的增損害，緣瑞施加壓從力時應需該有一蠶定的梯貴度。202聞3/4感/24Pro狹f.竿Wu跡Fen昂gsh卡un,銀fen霧gsh班unw醒u@m度ail葉.hu扛st.多edu蝕.cn38與一般量的焊點奴連接一候樣，熱笛壓倒裝毀芯片連文接的可仆靠性也毯要受到存基板與互芯片的行熱膨脹意系數(shù)(CT斑E)失配的虧影響，敢此外焊段點的高訂度、焊淹點之間臺的最大室間距亦秘會對可馬靠性造仿成影響障。連接知區(qū)的裂適紋多是比在從連扁接溫度航冷卻下隆來的過頭程中產(chǎn)快生的?？煽啃?023負/4/2胡4Pro臺f.絡Wu交Fen償gsh夕un,溪fen葡gsh騾unw供u@m旬a(chǎn)il可.hu獵st.巴edu元.cn39由于金的梯熔點溫度緊高，因此您它對疲勞咐損傷的敏堪感程度遠表小于焊料洗。因此，緊如果在熱鞏循環(huán)中應綢力沒有超炒過凸點與敗焊盤之間倡的連接強鏟度，那么罷可靠性不胸會存在太糕大問題。芯片與劇基底之誦間的底尸部填充查材料使巡壽連接抵漏抗熱疲故勞的性穩(wěn)能顯著夢提高，店如果沒搬有底部傳填充，躺則熱疲伯勞將是蓄倒裝芯顫片主要腐的可靠轉(zhuǎn)性問題乳。可靠性2023曾/4/2穿4Prof泡.Wu源Fen腦gshu堡n,液fen連gshu封nwu@懲mail尤.hus茫t.ed講40倒裝芯片敵的連接頭腔應該能夠懲產(chǎn)生300°健C的連接然溫度，哈要有病較高的馬平行對鐮準精度鍬，為了龜防止半牲導體材零料發(fā)生副損傷，輛施加壓港力時應漲該保持閑一定的貸梯度。魯在熱壓愿倒裝芯喂片連接作中，凸落點發(fā)生疤變形是宵不可避馬免的，竹這也是牧形成良放好連接市所必需現(xiàn)的。另可外，連裂接壓力根和溫度泰應該盡籠可能低伴，以免樓芯片和線基板損玻壞。生產(chǎn)問題202技3/4如/24Prof夏.Wu奔Fen旁gshu橫n,御fen爽gshu滅nwu@獻mail剃.hus伙t.ed大41GaA懼s器件的死熱壓倒千裝芯片畜連接工殼藝參數(shù)喬曲線工藝參數(shù)榨曲線2023撲/4/2搶4Pro矛f.拴Wu丟Fen塌gsh月un,價fen黑gsh橋unw勿u@m跳ail雨.hu岔st.椅edu朱.cn42倒裝芯閥片工藝—通過熱積聲焊接熱聲倒裝瞧芯片連接澆是將超聲愚波應用在蓬熱壓連接閃中，這樣駱可以使得斜焊接過程僑更加快速境。超聲能數(shù)量是通過攝一個可伸勸縮的探頭臘從芯片的模背部施加丙到連接區(qū)豬。超聲波驕的引入使扔連接材料爺迅速軟化刷，易于實朽現(xiàn)塑性變螞形。熱聲密連接的優(yōu)戲點是可以益降低連接衫溫度，縮星短加工處面理的時間荷。熱聲倒催裝芯片連利接的缺點輸是可能在歪硅片上形畜成小的凹滔坑，這主澡要是由于指超聲震動棟過強造成旬的。202搖3/4救/24Prof捎.Wu取Fen饞gshu效n,滴fen測gshu動nwu@監(jiān)mail盒.hus斗t.ed昌43可靠性與一般的翁焊點連接閱一樣，熱趕壓倒裝芯攔片連接的脹可靠性也鑒要受到基新板與芯片稠的熱膨脹退系數(shù)(CT座E)失配的泊影響，榮此外焊享點的高慚度、焊踐點之間骨的最大同間距亦自會對可點靠性造炕成影響洽。連接稿區(qū)的裂跳紋多是化在從連豆接溫度流冷卻下傭來的過迫程中產(chǎn)爹生的。由于金的提熔點溫度欺高，因此炒它對疲勞版損傷的敏桑感程度遠址小于焊料從。因此，詠如果在熱紫循環(huán)中應儉力沒有超肚過凸點與色焊盤之間月的連接強辮度，那么桂可靠性不得會存在太名大問題。芯片與基池底之間的搬底部填充抽材料使連濕接抵抗熱哭疲勞的性購能顯著提合高，如果爆沒有底部挺填充，則觀熱疲勞將芝是倒裝芯化片主要的梳可靠性問躺題。2023僻/4/2條4Prof材.Wu片F(xiàn)en專gshu隊n,笛fen蝦gshu判nwu@閥mail活.hus境t.ed往44生產(chǎn)問航題熱聲倒鄭裝芯片量連接發(fā)破展迅猛恢，但是錫它卻是鉛一個高診風險的偵選擇。犯該工藝牽需要將廢壓力、集溫度、傾超聲震蜂動、平題整性等鏈綜合起岡來考慮耗，因此睜整個系板統(tǒng)的設乖計非常巖復雜。2023住/4/2會4Pro編f.另Wu故Fen緊gsh有un,慎fen弱gsh型unw平u@m戲ail音.hu井st.核edu壟.cn45熱聲倒裝執(zhí)芯片連接失的優(yōu)點工藝簡單擴大了棵連接材副料的選尖擇范圍降低加工疾溫度、減耳小壓力、攪縮短時間2023泡/4/2客4Pro榜f.哄Wu往Fen絲式gsh扭un,鼠fen駝gsh蔥unw拉u@m間ail輔.hu若st.放edu次.cn46倒裝芯尺片工藝—通過粘膠露連接導電膠釣連接是商取代鉛梳錫焊料注連接的失可行方軌法，導膏電膠連酒接既保輛持了封專裝結(jié)構(gòu)造的輕薄宵，成本支也沒有切顯著增議加。該帝工藝的哲優(yōu)點是惕：工藝簡故單固化溫度距低連接后無蘋需清洗2023防/4/2慨4Prof就.Wu崖Fen喇gshu沖n,飼fen艙gshu搜nwu@神mail鋤.hus滑t.ed右47各向異性腸導電膠是膏狀或勒者薄膜狀恥的熱塑性拖環(huán)氧樹脂杜，加入了寸一定含量敏的金屬顆殲?；蚪饘俜扛驳母呃Ψ肿宇w粒么。在連接汽前，導電岡膠在各個講方向上都妹是絕緣的首，但是在弦連接后它妹在垂直方榴向上導電批。金屬顆歷?；蚋叻智笞宇w粒外團的金屬涂重層一般為丹金或者鎳聚。各向同灰性導電各膠是一種膏鏟狀的高分菊子樹脂，擺加入了一甩定含量的次導電顆粒找，因此在嶺各個方向言上都可以罩導電。通祥常高分子講樹脂為環(huán)炊氧樹脂，奏導電顆粒蘋為銀。各向同性稿、各向異睬性導電膠2023竹/4/2補4Pro慨f.度Wu爽F(xiàn)en豆gsh殃un,陷fen息gsh奸unw彩u@m版ail嶺.hu辟st.怠edu椅.cn48倒裝芯姐片導電揮膠連接串示意圖202蠅3/4讀/24Prof良.Wu盼Fen字gshu丸n,砌fen堂gshu銹nwu@胳mail懇.hus饞t.ed鏡49倒裝芯片牌的非導電述膠粘接也肺是可行的扣，但是到謀目前為止著，這種膠化水中的顆拼粒種類非島常有限。什從理論上雁說，非導毫電膠粘接騙的可靠性鮮非常高，包因為它使援連接表面瓣積減小到閉最低限度小，但實際搞上它的可隙靠性并不訓高，而且聯(lián)對某些工障藝條件的虎要求比導貫電膠連接角更加苛刻隸。比較2023豈/4/2副4Prof們.Wu當Fen旦gshu坦n,寨fen望gshu葵nwu@攤mail妖.hus猶t.ed傲50采用導杏電膠連青接的倒裁裝技術(shù)估要求在除焊盤上撤形成導傾電凸點語，最適恥宜的凸師點材料眨為金。端各向同遞性導電晉膠本身旺也可以抵作為凸心點材料減，此時細應避免堵使鋁表料面的金強屬化層下接觸到兆粘性凸咱點，因克為鋁很縫容易氧控化，最腳終將形殲成不導絕電的連樂接。凸點202斥3/4店/24Prof糟.Wu輔Fen暗gshu蟻n,愁fen訂gshu告nwu@彈mail蛋.hus遼t.ed匯51各向同性忙導電膠形傅成的凸點開的SEM照片凸點形貌2023旦/4/2沖4Pro穴f.爽Wu鞋F(xiàn)en仿gsh目un,臟fen逐gsh彼unw蒸u@m浮ail場.hu場st.辰edu獸.cn52與鉛錫棵焊料相舟比，導群電膠(無論是各鋪向同性還認是各向異牛性)都是熱的譜不良導體流，但是采忠用導電膠怪并不會使盈元件的熱清阻增加多呈少，因為猾元件內(nèi)產(chǎn)屯生的熱量催僅有少量睜通過倒裝虹芯片的連儲接接點傳貪遞，主要送是受芯片蠻尺寸和基歪板材料的器影響。加熱202燙3/4早/24Pro旱f.竄Wu火Fen粘gsh蕉un,泉fen抄gsh幻玉unw幅u@m糞ail達.hu寶st.褲edu渠.cn53總體上說截，導電膠梯的導電性焰能也比鉛缸錫焊料差早，各向同籮性導電膠害倒裝芯片巡壽連接點的撞電阻為幾崗毫歐，而麥電感、電熊容的數(shù)值園則沒有文迅獻報道過框。信號傳輸202數(shù)3/4彎/24Pro纏f.冤Wu婆Fen貍gsh臣un,隸fen胞gsh燭unw駁u@m參ail逝.hu膝st.繭edu本.cn54釘頭凸獄點導電鉗膠連接摧技術(shù)2023演/4/2舊4Prof斬.Wu銷Fen肌gshu勤n,弊fen擔gshu尼nwu@及mail閃.hus辯t.ed緒55倒裝芯委片失效仰原因——魚骨圖2023灰/4/2碰4Prof刷.Wu襯Fen框gshu漿n,姻fen元gshu伍nwu@怕mail潤.hus狠t.ed快56第二部揀分凸點及標其制作202龍3/4垃/24Pro國f.贊Wu戀Fen叮gsh掃un,爸fen冰gsh餓unw酷u@m馳ail撇.hu邀st.些edu們.cn57凸點的飄制作UBM凸點形成202朵3/4樹/24Pro滴f.陡Wu蓮Fen允gsh印un,騰fen欠gsh倉unw非u@m渡ail店.hu秀st.矛edu掙.cn58對UBM的要求剝－01必須與婆焊區(qū)金它屬以及顯圓片鈍趨化層有鴉牢固的賊結(jié)合力躬：Al是最常椅見的IC金屬化金讀屬，典型酸的鈍化材行料為氮化在物、氧化王物以及聚央酰亞胺稿。確保鈍容化層沒有拒針孔是很泳重要的，螞否則就諒會在UBM的過程中蘋產(chǎn)生破壞IC的隱患.和焊區(qū)金君屬要有很哨好的歐姆去接觸：所以在閣沉積UBM之前要游通過濺繞射或者工化學刻算蝕的方吵法去除殊焊區(qū)表茄面的Al氧化物。202侵3/4詞/24Prof普.Wu您Fen紡gshu雄n,雖fen喜gshu臭nwu@芳mail賣.hus寬t.ed止59對UBM的要求努－02要有焊返料擴散暖阻擋層患：必須在批焊料與共焊盤焊孟區(qū)金屬刪之間提酒供一個匆擴散阻殖擋層要有一熄個可以團潤濕焊牛料的表鋪面：最后一費層要直倘接與凸引點接觸投，必須功潤濕凸挑點焊料鹽。2023狗/4/2潛4Pro瓜f.驢Wu放Fen巷gsh內(nèi)un,尖fen捉gsh禁unw蔽u@m衫ail計.hu頁st.鑼edu滿.cn60氧化阻擋躁層：為保證男很好的可陜焊性，要聰防止UBM在凸點的拌形成過程宏中氧化。對硅片豎產(chǎn)生較股小的應鏡力：UBM結(jié)構(gòu)不膊能在底盼部與硅曲片產(chǎn)生王很大的凈應力，漆否則會因?qū)е碌捉俨康拈_潮裂以及.硅片的養(yǎng)凹陷等饑可靠性蛾失效。對UBM的要求－03202炎3/4欲/24Pro捷f.丑Wu恰Fen高gsh抖un,次fen深gsh什unw跪u@m家ail宏.hu座st.眼edu檔.cn61UBM結(jié)構(gòu)示捎意圖2023湖/4/2籮4Prof棍.Wu代Fen迅gshu荒n,請fen稍gshu領(lǐng)nwu@青mail模.hus著t.ed位62UBM結(jié)構(gòu)－01UBM一般由宅三層薄化膜組成:1、粘附以書及擴散阻岸擋層：使用的避典型金敢屬有：Cr、Ti、Ti/W、Ni、Al、Cu、Pd和Mo。典型厚度眼：0.1紀5-0負.2mm.202揉3/4拿/24Pro駐f.記Wu參Fen再gsh箱un,朵fen退gsh慣unw營u@m銅ail礎(chǔ).hu消st.種edu邁.cn63UBM結(jié)構(gòu)——0醉22焊料潤濕柏層：典型金紐奉屬:C嗎u、Ni、Pd。典型厚度:1-5mm。3氧化阻擋攻層：典型金屬遇：Au。典型厚度駁：0.0稱5-0色.1mm。202務3/4蠶/24Prof相.Wu軟Fen詳gshu欣n,杜fen身gshu放nwu@繳mail透.hus僅t.ed惱64UBM的層次甲組合－01這些薄膜隊層的組合幼出現(xiàn)了很干多的UBM結(jié)構(gòu)，獨例如：Ti/C悟u/Au、Ti/征Cu、Ti/辱Cu/項Ni、TiW奴/Cu誦/Au、Cr/C羞u/Au、Ni/臺Au、Ti/N褲i/Pd、以及Mo/P羊d.其結(jié)構(gòu)對添本身的可凝靠性影響他很大，據(jù)善報道Ti/哈Cu/雹Ni費(化學鍍Ni)的UBM比Ti/C涂u的粘附結(jié)激合力要強境。UBM的結(jié)構(gòu)頂也影響霸它與焊燒區(qū)金屬鄰、它與陡凸點之要間的可濕靠性。202告3/4拆/24Prof齡.Wu對Fen憶gshu瓣n,竟fen畏gshu貍nwu@鋸mail催.hus闊t.ed和65UBM的層次組東合——02為了保證求可靠的互胳連，UBM必須與用屑于凸點的漿焊料合金繪相容。適悲合高鉛的UBM不一定適貴合高錫焊外料。例如Cu潤濕層合稈適于含錫3～5％的高鉛棕焊料，但益是不適合屑于高錫焊醬料，因為Cu與Sn反應迅交速而生湊成Sn-錯Cu金屬間議化合物棟。如果Cu被消耗廣完畢，骨焊料將映與焊區(qū)史不潤濕刷。2023括/4/2肯4Pro駐f.胸Wu筆Fen箏gsh屯un,恰fen傷gsh綱unw攻u@m員ail李.hu酸st.具edu喇.cn66層次組合斬特點2023嶺/4/2黨4Prof哭.Wu堆Fen漲gshu匠n,埋fen姨gshu虹nwu@儲mail勇.hus謀t.ed煎67UBM的沉積體方法濺射：用濺射干的方法析一層一河層地在歡硅片上獅沉積薄照膜，然彈后通過引照相平輔版技術(shù)邪形成UBM圖樣，然杜后刻蝕掉頁不是圖樣嗚的部分。蒸鍍：利用掩模溪，通過蒸凡鍍的方法躬在硅片上波一層一層買地沉積。.這種選擇搭性的沉積緞用的掩模監(jiān)可用于對流應的凸點退的形成之黑中?；瘜W鍍:采用化學少鍍的方法患在Al焊盤上雹選擇性詢地鍍Ni。常常墊用鋅酸憂鹽工藝兄對Al表面進較行處理掀。無需逢真空及伶圖樣刻缺蝕設備氣，低成太本。202付3/4濤/24Prof御.Wu鄙Fen智gshu驕n,鈴fen縫gshu兵nwu@黨mail媽.hus紹t.ed肚68常見的UBM方法UBM形成方瞎法－化徹學鍍鎳碧方法202梅3/4掩/24Prof撞.Wu哄Fen紐奉gshu撕n,末fen禾gshu麗nwu@候mail朽.hus晚t.ed究69化學鍍鎳化學鍍由鎳用作UBM的沉積馬，金屬虜鎳起到漆連接/擴散阻擋紗的作用，鉤同時也是報焊料可以腳潤濕的表跌面。鎳的藥擴散率非勞常小，與顆焊料也幾主乎不發(fā)生悲反應，它肚僅與錫有期緩慢的反筍應，因此傘非常適合讓作為共晶看焊料的UBM金屬。化學鍍鎳抽既可以用推于UBM金屬的沉而積，也可霜以用來形柳成凸點。202掏3/4展/24Prof斧.Wu拖Fen犬gshu老n,雖fen怨gshu革nwu@晝mail速.hus夸t.ed渾70化學鍍鎳貼特點——01無定形奴化學鍍盾鎳層中止沒有晶本界，無擴法形成撓擴散的開通道，接所以是交一層良辛好的擴朽散阻擋販層。鎳UBM的厚度一邀般為1-15mm，而5mm厚的鎳UBM就能使后焊料凸院點的可踐靠性明嚇顯提高曉。2023厚/4/2椅4Prof穗.Wu排Fen腹gshu罵n,擊fen李gshu晌nwu@樣mail培.hus勿t.ed選71化學鍍稍鎳特點——02鍍鎳之哭后，還停要在鎳身上鍍一扭層厚度沉為0.05狂-0.1mm的金，它壤主要是防在止鎳發(fā)生涼氧化，以誕保持它的富可焊性。采用化學場鍍鎳的方版法形成凸么點時，通冬常鎳凸點簡要與導電蠶膠（各向坑同性或者裳各向異性黎均可）一際起使用。202嚷3/4后/24Pro貪f.目Wu戀Fen活gsh褲un,呆fen框gsh呀unw花u@m聚ail乳.hu披st.測edu賀.cn72鋁焊盤上恩化學鍍鎳唉前處理由于鋁塊焊盤表擁面有一污層氧化功物，鍍啊層金屬慢無法粘唱附在這胸樣的表盯面上，疲因此要紀對鋁表砌面進行館適當?shù)尼t(yī)處理以桿清除氧誰化物層居。最一般概的方法恢是在鋁駐焊盤上貍鋅酸鹽暢處理(zinc欲atio北n)，還有沖：鍍鈀棚活化(pal胞lad痛ium擾a售cti紋vat業(yè)ion)、鎳置扣換(nick窯eld違ispl港acem閘ent)、直接鍍碰鎳等。2023測/4/2技4Prof臺.Wu新Fen震gshu痰n,濤fen剃gshu勢nwu@鬼mail殊.hus竊t.ed責73鋅酸鹽麥處理(Zin頓cat線ion)該技術(shù)是吊在鋁的表艱面沉積一票層鋅，以悠防止鋁發(fā)譜生氧化，騾該技術(shù)的完反應原理驢如下：2023瓣/4/2鹽4Pro領(lǐng)f.砍Wu炭Fen凍gsh饑un,雅fen幣gsh嗽unw毫u@m字ail餐.hu概st.吊edu逼.cn74鋅酸鹽處芬理步驟清洗：宇清理鋁速表面的盡輕度污宴染，通緊常采用俗堿性清簽洗劑。腐蝕：瓶清除鋁鴨表面的堅微小氧界化物顆障粒，一蓄般采用魔稀釋的擦酸性腐洗蝕液，萄如硫酸窄、硝酸該、硝酸懂－氫氟剖酸混合或液等。鍍鋅：趕將鋁浸喘入鋅槽詢中，該憑槽內(nèi)盛體有強堿挪性溶液撥，成份蘿包括：Zn(巨OH)2,N眉aOH珠,F揀e,火Cu,Ni等，最終罰鋅便在鋁釣表面形成卻。2023飯/4/2講4Prof武.Wu慣Fen花gshu奸n,簡fen陽gshu畜nwu@燒mail狀.hus僑t.ed總75為了使隨花后的鍍鎳裙層光潔而吉均勻，鋅緩層應該薄攪而均勻。第一輪鍍詠錫往往形祝成一層粗攜糙的鋅層前，其顆粒店尺寸從3-4mm到小于1mm不等，這樣筒的表面派使隨后糞的鍍鎳詠層也非敬常粗糙闊。第一輪鍍翻鋅202替3/4降/24Prof倡.Wu擔Fen惡gshu與n,食fen生gshu瘋nwu@屬mail胖.hus牛t.ed飄76第一輪資粗糙的嗚表面2023悠/4/2列4Pro愉f.諷Wu種Fen封gsh膜un,董fen虹gsh鳴unw芝u@m例ail沖.hu斬st.岸edu織.cn77導致不均室勻、粗糙積的鍍鎳結(jié)亂果2023吼/4/2卻4Pro烘f.熊Wu屑Fen脹gsh沖un,吼fen搬gsh吩unw兼u@m介ail所.hu御st.呆edu搖.cn78第二輪阿鍍鋅上述問題緣瑞可以通過工二次鍍鋅駱來解決，巴在該過程做中，前次懷形成的鋅庸層被稀釋蒼的硝酸腐僑蝕掉，然拒后再進行紫第二輪鍍凍鋅，這樣耽的處理就市能使鍍鋅睛層薄而均評勻。下面堪是再次鍍順鋅的Al焊盤：202濾3/4妙/24Prof挺.Wu村Fen打gshu例n,比fen輛gshu伴nwu@惑mail致.hus研t.ed旬79鍍鋅工納藝的一羅個缺點證就是鋁用也會被借鍍液腐居蝕掉，膠二次鍍勿鋅工藝鮮中尤其錄嚴重，0.3某-0.鞋4mm厚的鋁將作被腐蝕掉進。因此，復在該工藝狼中，鋁的嫁厚度至少錯應該大于1mm。在鍍鋅蘆過程中罵，鋅沉徹積在鋁繳表面，紙而同時睛鋁及氧滲化鋁層勒則被腐怠蝕掉。箭鋅保護痰鋁不再痰發(fā)生氧貓化，鋅洪層的厚洗度很薄趕，而且物取決于忘鍍液的延成份、為浴槽的聞狀況、炎溫度、姓時間、債鋁的合乒金狀態(tài)餡等因素仇。鋅酸鹽恰處理步遺驟2023炎/4/2喬4Pro時f.惜Wu墨Fen李gsh分un,翻fen我gsh萄unw惠u@m杠ail宴.hu叫st.駛edu勤.cn80鍍鎳：鍍跡鋅之后，迷鋁被浸入虛鍍液中進浴行化學鍍挖鎳，這種傭鍍液為硫決酸鎳的酸嬸性溶液，邊成份還包臨括次磷酸貪鈉或者氫楊化硼作為另還原劑，尾反應原理沿見下式：鍍鎳鍍鎳之前然，晶圓的鉤背面必須鞏覆上阻擋奔層。鎳能筐夠在硅的芒表面生長伸，則那些侮未經(jīng)鈍化襯的硅表面亂也會有鎳全形成，但饅是這種連努接非常不后牢固，很奧容易脫落貝，從而在匙細間距電梳路中引起虎短路。2023管/4/2掛4Prof路.Wu負Fen巷gshu澡n,給fen番gshu清nwu@敞mail披.hus象t.ed陸81其它鋁符焊盤處偵理技術(shù)蝦－01鈀活化工州藝：該工藝是塑在鋁上鍍睛一層鈀。染首先，鋁菠經(jīng)過清洗希和腐蝕去申除表面氧產(chǎn)化物，該誰過程與鍍譽錫工藝中趨的一樣。弦然后，鋁餡被浸入鈀筆溶液中，描鈀有選擇睬地沉積在俊鋁表面。榆之后，鋁皆再被浸入踢化學鍍鎳魯?shù)娜芤褐薪贿M行化學直鍍。2023旅/4/2俊4Prof痛.Wu孟Fen特gshu發(fā)n,食fen陵gshu欺nwu@化mail閉.hus能t.ed房誠82其它鋁兵焊盤處暈理技術(shù)霧－02鎳置換工搖藝：鎳置換工蝴藝是指用手置換鍍槽層中的鎳離拌子置換鋁盤，從而實桿現(xiàn)對鋁表演面的預處冬理。該工漁藝首先也堵是要對鋁鄙表面進行番清洗和腐郵蝕，然后達將鋁浸入播置換鍍槽鄉(xiāng)豐中，之后觀再浸入化洽學鍍槽中輩鍍鎳。202泰3/4辯/24Prof蓮.Wu鳴Fen棵gshu結(jié)n,遷fen炎gshu爹nwu@仔mail鹽.hus毅t.ed道83其它鋁植焊盤處暮理技術(shù)愿－03直接鍍鎳易工藝：在該工儉藝中，魔采用活茂性劑來精清除經(jīng)隨過清洗盾和腐蝕泥的鋁的攻表面氧茶化物，傳之后立廊即將鋁模直接浸篇入鍍槽獸中鍍鎳彎。2023奧/4/2趨4Pro扛f.昂Wu如Fen核gsh必un,贊fen把gsh氣unw掉u@m站ail仁.hu飽st.右edu搏.cn84凸點技術(shù)跳－01凸點常用她的材料是Pb/鵲Sn合金，因顯為其回流把焊特性如己自中心作晚用以及焊歌料下落等梅。自中心作辰用減小了繭對芯片貼俊放的精度者要求。下落特點靈減小了共認面性差的窩問題。95P狼b/5刪Sn或者97Pb允/3Sn的回流輪焊溫度遣較高：330侮-35及0C。2023共/4/2竟4Prof默.Wu吧Fen撈gshu駁n,巧fen著gshu彩nwu@輩mail非.hus犧t.ed律85凸點技術(shù)——02根據(jù)芯姓片的其寨它部分任、有機尋基板等戒的工作叔溫度要擦求，開期發(fā)出了清高錫焊般料，如37P椅b/6農(nóng)3Sn的回流溫尿度為200C左右.2023造/4/2廢4Pro茶f.形Wu圾Fen享gsh趟un,巴fen指gsh榨unw雅u@m蒼ail抗.hu燙st.趁edu熄.cn86焊料凸點坦方法將簡介識討論7中常見免的凸點際形成辦翁法:蒸鍍焊干料凸點,電鍍焊料譯凸點,印刷焊殲料凸點,釘頭焊戰(zhàn)料凸點放球凸點焊料轉(zhuǎn)冰移凸2023狼/4/2魔4Pro皺f.逼Wu過Fen件gsh耐un,派fen討gsh舍unw憲u@m畢ail糧.hu慕st.口edu贏.cn871、蒸鍍碎凸點2023屠/4/2膊4Pro羞f.猶Wu萍Fen設gsh錘un,勇fen葬gsh避unw饞u@m拌ail競.hu霸st.蠢edu認.cn88蒸鍍凸雄點步驟竄示意圖2023棄/4/2器4Prof犁.Wu攻Fen碧gshu夏n,更fen燒gshu慶nwu@帥mail握.hus血t.ed趁89步驟－011、現(xiàn)場尋對硅片某濺射清障洗（a）：在沉積盜金屬前貨去除氧拾化物或邀者照相拔掩模。致同時使摔得硅片環(huán)鈍化層跟以及焊攔盤表面冒粗糙以走提高對UBM的結(jié)合撈力。2、金屬掩箭模：常常用米帶圖樣脂的鉬金兆屬掩模童來覆蓋的硅片以朽利于UBM以及凸點原金屬的沉上積。金派屬掩模組滔件一般由學背板、彈班簧、金屬顏模板以及擇夾子等構(gòu)蛋成。硅盼片被夾在席背板與金尾屬模板郊之間，然細后通過手捎動對位.對位公差給可控制在25mm。202猴3/4等/24Prof潑.Wu趁Fen利gshu啊n,山fen達gshu俊nwu@施mail黎.hus貧t.ed呢90步驟－023、UBM蒸鍍（b）：然后按唇順序蒸鍍Cr層、CrC擺u層、Cu層以及Au層。4焊料蒸鍍荒（c）：在UBM表面蒸緞鍍一層97Pb篇/Sn或者95P鈔b/S殘n.厚度約為100-憂125mm。形成犁一個圓滋錐臺形就狀202欣3/4更/24Pro璃f.腥Wu帆Fen敞gsh效un,軌fen他gsh附unw霞u@m我ail權(quán).hu腥st.解edu吐.cn91步驟－03注意圖燥（e）中頂搞部的額示外的錫竿層，菠這是Moto飽rola采用的“蒸鍍、額孝外共晶”，縮寫為“E3”。這層添薄薄的蓋切子允許器臭件連接到區(qū)有機板上運而不用在侵施加共晶愚焊料。這吼是因為高罩鉛焊料在300°斃C回流，而智不適合于旦有機基板亭。于是焊妻接時可只透回流上面占的錫鉛共弓晶，而不裂將凸點熔竄化。5、凸點成否球（d）：在C4工藝中充，凸點島回流成貌球狀。202欄3/4兔/24Prof蓋.Wu礎(chǔ)Fen遙gshu笨n,雁fen咬gshu勸nwu@披mail裳.hus克t.ed嘴922、電鍍凸廊點電鍍是一云個比較流某行的工藝剃，其設備辱成本低、軟設施占地巧少，有很薯多的電鍍松工藝可以謠采用。傳暮統(tǒng)的電鍍糕沿用蒸鍍起使用的Cr/奏Cr-噸Cu/窮Cu結(jié)構(gòu)的UBM和使用高娘鉛合金。如果采用卻高錫合金污，Sn會很快拾消耗Cu而破壞結(jié)誓構(gòu)的完整栽性。于是容為了沉積詳共晶焊料鍛，往往在UBM的結(jié)構(gòu)中摩，Ti/W作為結(jié)萌合層，諷其上有抵一層Cu的潤濕傻層。而徐且潤濕賭銅層要蒼厚。這種較宣厚的銅份層稱為“微球”或者“圖釘帽”。使用輔這種結(jié)航構(gòu)公司刃有：德燒州儀器某、摩托退羅拉、朽國家半醋導體、攀沖電氣半（OKI）等公司梳。2023請/4/2病4Prof縮慧.Wu語Fen桿gshu識n,胃fen撇gshu潤nwu@泳mail藏.hus智t.ed盟93電鍍凸點橡橫截面示限意圖202莫3/4僻/24Pro抗f.付Wu皂Fen損gsh數(shù)un,聽fen潤gsh宮unw闊u@m井a(chǎn)il判.hu枕st.路edu巧.cn94電鍍凸點躲步驟示意旺圖2023樹/4/2匠4Pro新f.推Wu咸Fen巴gsh課un,峰fen圖gsh節(jié)unw圓u@m屯ail易.hu缺st.辜edu車.cn95步驟－011、硅片清功洗：方法和拾目的與演蒸鍍中港清洗相釋同。2、UBM沉積：典型的UBM材料層為虎：TiW－Cu－Au，濺射到淚整個硅片配上。理論像上講，UBM層提供了濁一個平均號得電流分范布以利于跟一致的電史鍍。圖(a)是硅片覆摧蓋了TiW的情形省，為了乒形成微故球或者尸圖釘帽椒結(jié)構(gòu)，居施加掩籮模（b），沉積扒一定高度說的Cu和Au（c），一棋般凸點總球體高度為85mmto義100mm時候，熄微球高瘡度為10mm到25mm。202櫻3/4樣/24Prof糧.Wu殲Fen標gshu舟n,夫fen銀gshu蛇nwu@圈mail裂.hus繭t.ed敬96步驟－023、焊料屆的電鍍尊：再次施加連掩模，以賤電鍍凸點勤（d）。潮當凸點形慌成之后，哭掩模被剝攔離（e）。及暴露在糕外的UBM在一到兩怨天內(nèi)刻蝕遇掉。4、回流相成球：回流后胃利于凸錘點在UBM去除時候缺不被破壞鮮見圖（f）。2023克/4/2撿4Prof紋.Wu晝Fen捏gshu袋n,令fen挺gshu網(wǎng)nwu@宜mail源.hus濾t.ed營97Elec牽trop店lati折ngS碑olde起rBu雅mpin蒼gPr隊oces胃s電鍍焊礙球凸點乳工藝Proc宅ess挨Flow什of攤Elec志trop常lati見ngS沙olde辰rBu新mp電鍍焊職球凸點賤工藝流孕程ChipPRopeningChipElectroplatedsolderbumpMushrooming2.SputterUnderBumpMetal金屬層濺射3.CoatwithPR覆蓋光膠4.Patternforbump凸點光刻5.ElectroplatingCuandSn/Pb焊料電鍍6.RemoveResist去除光膠1.WaferwithAlpad鈍化和金屬化晶片ChipPassivationAlcontactpadChipUBMChipThickphotoresistfilmChip7.StripUnderBumpMetal去除UBMChip8.Reflow回流Chipsolderballafterreflow202赤3/4棵/24Pro檢f.床Wu接Fen粉gsh逗un,贊fen葵gsh瓶unw奧u@m泉ail沿.hu翻st.揮edu辰.cn98Elec戶trop輛lati贏ngS淘olde芝rBu愿mpin虹gPr扔oces狗s電鍍凸點膀制備工藝Peri噸pher皂ala俘rray什sol現(xiàn)der算bump發(fā)s周邊分布僑凸點Are石aa床rra掙ys灑old灑er穗bum凈ps面分布凸煌點The鹽pe檢ak紛tem確per臟atu南re覺of擠ref蕩low具pr停oce怎ss回流焊峰求值溫度伯：220oC.The遣ef惰fec垃tiv角eb跡ump弓pi裂tch截fo夫rp傅eri生phe幕ral踐ar白ray周邊分布威有效凸點事間距：125m.2023很/4/2磚4Prof旺.Wu嚴Fen巴gshu槽n,愚fen她gshu創(chuàng)nwu@第mail盲.hus孕t.ed牙99Pro層ces資sS捎pec跳ifi必cat癥ion工藝參數(shù)Pho武tor搏esi惕st跳Thi逗ckn暖ess光刻膠厚動度:40串~100mBump禽Mat他eria久l凸點材齊料:63僻Sn/3派7PbBum沿ph理eig濤ht凸點高傾度:75觸~140胳mUBM切l(wèi)a校yer凸點下惱金屬層:Ti貫/W-C行u,C廳r-CuMin.懲eff告ecti革vep遼itch游of燃bump最小有諷效凸點全間距:12邪5mI/O步ar壁ray輸入/輸出分布:pe烘riph耽eral嫩arr伍ay周邊分貌布and煤ar士ea抬arr吉ay面分布2023辜/4/2膀4Pro惹f.寶Wu這Fen輔gsh張un,歉fen役gsh柏unw包u@m坦ail惠.hu欲st.錘edu鉤.cn100Flip糟Chi竊pon愚Low守-Cos怠tSu女bstr工ate返Samp軍lesSamp椒les咸with菜Dif眾fere手ntD侄imen強sion割sPC廊B上不同穩(wěn)尺寸倒址裝焊樣漲品Flip傻Chi設pon吹Fle夏xibl虜esu倦bstr販ate在軟質(zhì)筑底板上畏倒裝焊Dire兼ctc再hip盞atta餅cho惹nlo塵w-co予stP釣CB,端flex茄ible當sub兵stra罰te已完成在仔低成本PCB和軟質(zhì)底映板上倒叛裝焊工廢藝的研蘭究MCM振-L祥tec餅hno膽log挽y多芯片組銹裝技術(shù).2023辛/4/2隆4Prof蠻.Wu滋Fen罰gshu湖n,刃fen擊gshu聞nwu@余mail富.hus譽t.ed傍1013、焊膏引印刷凸廳點Delc遣o電子（DE）、倒裙裝芯片技案術(shù)公司（FCT）、朗讓訊等公故司廣泛尚常用焊傍膏印刷周成凸點池的方法娘。目雹前各種堅焊膏印色刷技術(shù)龜可達到250mm的細間距爛。下面簡介DE/F昆CT的基本工書藝。Sten非cil億Prin照ting鼓Bum俘ping漆Fli吐pCh沿ipT茶echn暑olog替y絲網(wǎng)印點刷凸點劇倒裝焊歸技術(shù)202鉗3/4甚/24Prof喉.Wu扎Fen調(diào)gshu嘆n,看fen光gshu訂nwu@境mail裙.hus轟t.ed哭102焊膏印刷合凸點橫截蠻面示意圖202直3/4柜/24Pro雹f.各Wu鋪Fen土gsh翻un,將fen貌gsh戲unw惡u@m勉ail督.hu僚st.規(guī)edu魄.cn103焊膏印刷筒凸點的步沫驟示意圖202評3/4攏/24Prof民.Wu攻Fen滾gshu室n,條fen統(tǒng)gshu率nwu@勺mail漿.hus集t.ed倘104步驟1、清洗軌：方法與藏目的與晚蒸鍍相下同。2、UBM沉積圖（a）：濺射Al、Ni、Cu三層。3、圖形刻隙蝕成型：在UBM上施用一紹定圖樣的末掩模，刻替蝕掉掩模知以外的UBM（b），然后石去除掩模丘，露出未UBM（c）。4、焊膏虜印刷以堡及回流奔：見圖（d）（e）202匙3/4掀/24Pro唐f.涼Wu鬧Fen側(cè)gsh屯un,若fen證gsh急unw效u@m墨ail半.hu許st.江edu以.cn105Ele島ctr柔ole密ss做UBM半an銅dS塔ten宏cil白Pr喂int費ing化學鍍UBM和絲網(wǎng)印抱刷工藝The越mo堅st素pot裂ent薄iallow紡costfli奶pc梯hip蜓bu索mpi坡ng玻met補hod窗.最具前遇景的低藍成本倒峽裝焊凸脫點制備朱方法Usin乏gel獲ectr篇oles塔sNi稠/Au貴asU謝BMs奪yste饞m用化學援鍍鎳/皺金作為結(jié)凸點下點金屬層mask刊less圈pro傘cess無掩膜工來藝Comp丹atib拐lew持ith漠SMT憶proc犁ess與表面貼禾裝工藝兼景容Flex裙ible寇for花dif漸fere圖nts鑰olde鵝ral躍loys適用于不選同焊料合貼金ChipSolderBumpElectrolessNi/AuPassivation2023仆/4/2飯4Pro篇f.膨Wu忽Fen途gsh乏un,懸fen陪gsh終unw毀u@m退ail腔.hu吸st.皇edu抽.cn106Sten燙cil株P(guān)rin言ting褲Pro鴿cess仗Flo哥w絲網(wǎng)印刷常工藝流程Proc歪ess向flow信of塊Sten賞cil吩Prin而ting烏Pro瘋cess絲網(wǎng)印刷湯工藝流程(not掛to羨scal排e)Waferpreparation晶片制備(PassivationandAlpads)ZincationPretreatment鋅化預處理ElectrolessNi/ImmersionAu化學鍍鎳/金StencilPrinting絲網(wǎng)印刷SolderReflowandCleaning焊料回流和清洗202蒸3/4儀/24Pro底f.心Wu酒Fen伶gsh射un,樸fen窯gsh貫unw宅u@m始ail廢.hu堅st.浮edu泡.cn107Sten診cil為Prin柏ting呀Pro情cess擋Flo拿w絲網(wǎng)印刷綿工藝流程Sket倚cho柳fpr北oces沫sfl共owElec疫trol自ess雅Ni/A肚uSt慢ud(竭Cros巴sse序ctio稀n)化學鍍腫鎳/金Sol欣der遷Pa煙ste予Pr飽int史ing漿料印刷Refl烏ow回流2023楚/4/2細4Prof趟.Wu臨Fen革gshu陸n,碰fen斥gshu宋nwu@忙mail餅.hus盤t.ed嚇108Pro勻ces豈sS徒pec獻ifi訓cat孩ion工藝參數(shù)I/O惕pads匆wit醬ha侄pitc鹽hof申400ma宗re淹use翁df丟or槍tes綢tin隆gd鴿iceThe鑰limi縣tati字ono融fth顧isp壩roce適ssi穩(wěn)sth陵epi眾tch燃of1身50m.測試芯片I/O凸點間父距：4晝00微隔米Thic呈knes炊sof盯Ni/拆AuU黃BMi乖s5~團6m.Ni/A扭uUB指M厚度：5~6微米Dif盯fer姑ent卻so難lde半ra愧llo勢ys借are端av謹ail讀abl敏e.Sold嘉era手lloy怠sfr彩omd陪iffe彼rent蔽ven蒙der:抖Kes響ter,森Mul偏tico恭re,旬Alph渡aMe芽tal,饅Ind濫ium,支…Dif殃fer點ent君co頂mpo壯sit喚ion讓:e因ute源cti棕cP木b-S灘n,lea于df步ree可應用不峰同供應商粘凸點焊料202圍3/4暢/24Pro在f.噴Wu漆Fen亡gsh德un,友fen儀gsh知unw喜u@m囑ail濁.hu翠st.胳edu輩.cn109Sam觸ple酷sb旁yS遣ten喬cil仆Pr弦int拐ing帝Bu忍mpi怨ng絲網(wǎng)印賣刷凸點午工藝樣圍品Fli拋pC想hip渾on擾PC歷Bf結(jié)or掃Tes無tin嗓g在PCB上倒裝腸焊測試磚樣品202才3/4炸/24Pro逮f.士Wu身Fen蛙gsh誰un,暢fen糠gsh撓unw跳u@m奏ail安.hu船st.插edu驗.cn1104、釘頭再焊料凸再點使用標準話的導線鍵仔合中的方逃法來形成狗凸點，Au絲線或辜者Pb基的絲線夾。其過程霸與導線鍵航合基本相沿同，唯一概的差別就脹是：球在嚇鍵合頭形污成之后就齒