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太陽能級多晶硅塊少數載流子壽命測量方法2013-10-20發(fā)布2013-12-01實施新疆維吾爾自治區(qū)質量技術監(jiān)督局發(fā)布I I 12規(guī)范性引用文件 13術語和定義 14方法提要 25干擾因素 26測量儀器 7試樣要求 48儀器校準 9測試程序 10測試少數載流子壽命表達式 11測量系統(tǒng)精密度 12試驗報告 611范圍本標準規(guī)定了太陽能級多晶硅塊少數載流子壽命的測量方法。本標準適用于太陽能級多晶硅塊少數載流子壽命的微波光電導非接觸在線測2規(guī)范性引用文件件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T29054太陽能級鑄造多晶硅塊值的1/e(e=2.718)所需的時間，又稱少數載流子壽命載流子遷移率測量確定的，壽命符號是T,單位μs。一種晶格缺陷，是一種不可逆轉的形變，因室溫下沒有后續(xù)熱處理時的表面機械加工引起，像切割，磨削，滾圓，噴砂，以及撞擊造成。表示量測的重復性與再生性，國際上多個實驗室所建立IOC-88的實驗。23檢測儀器的探頭運行速度不穩(wěn)定會造成微波接收信號不全面，引起硅塊局部區(qū)域的測試結果改變。5.5探頭與硅塊之間的間距影響導致表面光電壓信號丟失，造成少數載流子壽命的檢測結果誤差較大。5.6其他影響因素GB/T26068中列舉的干擾因素，均會對本測試中相對應的測試結果造成影響。46.2.1探頭是承裝用于測試的微波光源系統(tǒng)，應包括以下測試探頭：電阻率探頭(可選)、LBIC探頭、少數載流子壽命測試探頭、SHR探頭方塊電阻測試(可選)、光學尋邊探頭、電容尋邊探頭。探頭模塊如圖2所示。圖2探頭模塊示意圖6.2.2光源應提供強度及波長均勻、穩(wěn)定的入射光，波長為904nm±1nm。6.3承載裝置6.3.1應能承載待測硅塊，并與探頭等距。6.3.2測試中承載裝置應靜止，振動幅度應小于200μm。6.4.1導軌宜保持水平，使探頭與被測樣品表面高度一致。6.4.2導軌宜勻速運行，保證測試探頭運動位移一致，使測試結果真實反映樣品品質。6.5數據處理系統(tǒng)6.5.1應具有形狀與邊緣識別功能。6.5.2應能將獲取的微波測試結果按照一定的算法進行硅塊少數載流子壽命的轉換與識別。6.5.3根據少數載流子壽命差別的特征，應能對指定測試區(qū)域每個測試點的測試數據進行記錄、分析、存儲。6.6計算機系統(tǒng)6.6.1控制測試過程。6.6.2能存儲、分析測試圖像及數據，輸出測試結果。7試樣要求標準樣品及待測樣品應表面平整(宜小于50μm)、清潔。59.1測試環(huán)境溫

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