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文檔簡介

晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)習(xí)題習(xí)題1.已知金剛石立方晶胞的晶胞參數(shù)a=356.7pm,寫出其中碳原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo),并計算C-C鍵長和晶體密度。解:金剛石中碳原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為:習(xí)題2.寫出在3個坐標(biāo)軸上的截距分別為2a、-3b和-3c的點陣面的指標(biāo);寫出指標(biāo)為(321)的點陣面在3個坐標(biāo)軸上的截距之比。解:晶面指標(biāo)為晶面在三個坐標(biāo)軸上的倒易截數(shù)的互質(zhì)整數(shù)比,即:所以:點陣面指標(biāo)為:設(shè):指標(biāo)為(321)的點陣面在3個坐標(biāo)軸上的截數(shù)之比為:r、s、t。則根據(jù)晶面指標(biāo)定義有:r:s:t=2:3:6,即指標(biāo)為(321)的點陣面在三個軸上的截距之比為2a:3b:6c。習(xí)題3.硅的晶體結(jié)構(gòu)和金剛石相似。20度下測得其立方晶胞參數(shù)a=543.089pm,密度為2.3283,Si的相對原子質(zhì)量為28.0854,計算Avogadro常數(shù)。解:由公式,可得:所以:習(xí)題4.冰為六方晶系晶體,晶胞參數(shù)a=452.27pm,c=736.71pm,晶胞中含4H2O,O原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為:據(jù)此計算或說明:計算冰的密度;計算氫鍵鍵長O—H…O;冰的點陣型式是什么?結(jié)構(gòu)基元包含那些內(nèi)容。解:(a)(b)距離最近的的兩個O原子間的距離即為氫鍵鍵長。所以:氫鍵鍵長為坐標(biāo)為(0,0,0)和(0,0,0.375)的兩個O原子間的距離。(c)空間點陣型式為簡單六方空間點陣型式;結(jié)構(gòu)基元為4H2O。習(xí)題5.金屬鈉為體心立方結(jié)構(gòu),a=429pm,計算:(a)鈉的原子半徑;(b)金屬鈉的理論密度;(c)(110)面的間距。解:金屬鈉為體心立方結(jié)構(gòu),原子在晶胞的體對角線上緊密接觸。這樣,有:所以:鈉的原子半徑為:鈉的理論密度為:(110)面的間距為(立方晶系):習(xí)題6.金屬鎂屬于A3型結(jié)構(gòu),鎂的原子半徑為160pm。(a)指出鎂晶體所屬的空間點陣型式;(b)寫出晶胞中原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo);(c)若原子符合硬球堆積規(guī)律,計算金屬鎂的摩爾體積;(d)求d002值。解:(a)空間點陣型式為簡單六方(屬于六方晶)。

(b)晶胞中原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為:(c)1mol鎂原子的真實體積為:而鎂晶體中原子的空間利用率為0.7405,所以鎂晶體的摩爾體積為:(d)計算衍射面間距d002:習(xí)題7.具有六方ZnS型結(jié)構(gòu)的SiC晶體,其六方晶胞參數(shù)為a=308pm,c=505pm。已知C原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為0,0,0和2/3,1/3,1/2;Si原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為0,0,5/8和2/3,1/3,1/8。請回答或計算下列問題:(a)按比例清楚地畫出這個六方晶胞;(b)晶胞中含有幾個SiC;(c)畫出點陣型式,說明每個點陣點代表什么?(d)Si作什么型式的堆積,C添在什么空隙中?(e)計算Si-C鍵長。解:(a)晶胞如圖所示:(c)空間點陣型式:簡單六方。每個點陣點代表2個SiC。(b)如圖,晶胞中含有2個SiC;(d)Si作六方最密堆積,C添在四面體空隙中(e)CSi習(xí)題8.由Ca,Ti和O組成的三元離子晶體的結(jié)構(gòu)可看作是Ca2+和O2-一起有序地進行立方最密堆積。該晶體晶胞的頂點位置被Ca2+占據(jù),體心位置被Ti4+占據(jù),面心位置被O2-占據(jù)。(a)畫出晶胞,寫出各粒子的坐標(biāo)參數(shù);(b)寫出該晶體的化學(xué)式;(c)寫出該晶體的空間點陣型式;(d)以Ti4+為晶胞頂點,寫出各粒子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo);解:(a)晶胞如圖所示:(b)該晶體的化學(xué)式為:

CaTiO3(c)屬于簡單空間點陣型式;(d)以Ca的位置為晶胞頂點寫出的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為:將坐標(biāo)原點移到Ti的位置,即坐標(biāo)原點由0,0,0變?yōu)?/2,1/2,1/2。此時各坐標(biāo)變?yōu)椋篊a2+O2-Ti4+習(xí)題9.今年3月發(fā)現(xiàn)硼化鎂在39K呈超導(dǎo)性,可能是人類對超導(dǎo)認識的新里程碑。在硼化鎂晶體的理想模型中,鎂原子和硼原子是分層排布的,像維夫餅干,一層鎂一層硼地相間,如圖是該晶體微觀空間中取出的部分原于沿c軸方向的投影,白球是鎂原子投影,黑球是硼原子投影,圖中的硼原子和鎂原子投影在同一平面上。硼化鎂的晶體結(jié)構(gòu)投影圖(1)由圖確定硼化鎂的化學(xué)式。(2)畫出硼化鎂的一個晶胞的透視圖,標(biāo)出該晶胞內(nèi)面、棱、頂角上可能存在的所有硼原子和鎂原子(鎂原子用大白球,硼原子用小黑球表示)。解:(1)MgB2

(2)習(xí)題10.氫是重要而潔凈的能源。要利用氫氣作能源,必須解決好安全有效地儲存氫氣問題?;瘜W(xué)家研究出利用合金儲存氫氣,LaNi5是一種儲氫材料。LaNi5的晶體結(jié)構(gòu)已經(jīng)測定,屬六方晶系,晶胞參數(shù)a=511pm,c=397pm,晶體結(jié)構(gòu)如圖所示:LaNi5晶體結(jié)構(gòu)圖

OLa●Ni1.從LaNi5晶體結(jié)構(gòu)圖中勾畫出一個LaNi5晶胞。2.每個晶胞中含有多少個La原子和Ni原子?3.LaNi5晶胞中含有3個八面體空隙和6個四面體空隙,若每個空隙填入1個H原子,計算該儲氫材料吸氫后氫的密度,該密度是標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下氫氣密度(8.98710-5g·cm-3)的多少倍?(氫的相對原子質(zhì)量為1.008;光速c為2.998×108m·s-1;忽略吸氫前后晶胞的體積變化)。1、解:(2)晶胞中含有1個La原子和5個Ni原子。(3)計算過程:六方晶胞體積:V=a2csin120°=(5.11×10-8)2×3.97×10-8×31/2/2=89.7×10-24cm3

結(jié)果是氫氣密度的1.87×103倍。習(xí)題11.SiC具有高硬度、高耐磨性、高耐腐蝕性及較高的高溫強度等特點,已成為一種重要的工程材料。其晶體具有六方ZnS型結(jié)構(gòu),晶胞參數(shù)為a=308pm,c=505pm,已知C原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為0,0,0和;Si原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為和。(1)

按比例畫出SiC六方晶胞;(2)每個晶胞中含有SiC

個。(3)晶體中Si的堆積型式是

。

C填充的空隙類型是

。(4)列式計算C—Si鍵長。解:(1)SiC六方晶胞(2)每個晶胞中含有2個SiC。(3)Si原子作六方最密堆積,C原子填充在Si圍成的四面體空隙中。(4)由(1)中晶胞圖可以看出,Si-C鍵長為:

習(xí)題12.某同學(xué)在學(xué)習(xí)等徑球最密堆積(立方最密堆積A1和六方最密堆積A3)后,提出了另一種最密堆積形式Ax。如右圖所示為Ax堆積的片層形式,然后第二層就堆積在第一層的空隙上。請根據(jù)Ax的堆積形式回答:(1)計算在片層結(jié)構(gòu)中(如圖所示)球數(shù)、空隙數(shù)和切點數(shù)之比

(2)在Ax堆積中將會形成正八面體空隙和正四面體空隙。確定球數(shù)、正八面體空隙數(shù)和正四面體空隙數(shù)之比

(3)指出Ax堆積中小球的配位數(shù)

(4)計算Ax堆積的原子空間利用率。(5)正八面體和正四面體空隙半徑(可填充小球的最大半徑,設(shè)等徑小球的半徑為r)。(6)已知金屬Ni晶體結(jié)構(gòu)為Ax堆積形式,Ni原子半徑為124.6pm,計算金屬Ni的密度。(Ni的相對原子質(zhì)量為58.70)(7)如果CuH晶體中Cu+的堆積形式為Ax型,H-填充在空隙中,且配位數(shù)是4。則H-填充的是哪一類空隙,占有率是多少?(8)當(dāng)該同學(xué)將這種Ax堆積形式告訴老師時,老師說Ax就是A1或A3的某一種。你認為是哪一種,為什么?(1)1︰1︰2(2)1︰1︰2一個球參與六個正八面體空隙,一個正八面體空隙由六個球圍成;一個球參與八個正四面體空隙,一個正四面體空隙由四個球圍成。(3)小球的配位數(shù)為12平面已配位4個,中心球周圍的四個空隙上下各堆積4個,共12個。解:(4)74.05%以4個相鄰小球中心構(gòu)成底面,空隙上小球的中心為上底面的中心構(gòu)成正四棱柱,設(shè)小球半徑為r,則正四棱柱邊長為2r,高為r,共包括1個小球(4個1/4,1個1/2),空間利用率為(5)正八面體空隙為0.414r,正四面體空隙為0.225r。(6)8.91g/cm3

根據(jù)第(4)題,正四棱柱質(zhì)量為58.70/NAg,體積為1.094×10-23cm3。(7)H-填充在正四面體空隙,占有率為50%正四面體為4配位,

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