半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)分析研究

半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)分析研究一、存儲(chǔ)器介紹：現(xiàn)代信息存儲(chǔ)媒介，半導(dǎo)體周期風(fēng)向標(biāo)（一）半導(dǎo)體最大細(xì)分市場(chǎng)之一，在短期供需波動(dòng)中保持長(zhǎng)期增長(zhǎng)趨勢(shì)存儲(chǔ)芯片是指利用電能方式存儲(chǔ)信息的半導(dǎo)體介質(zhì)設(shè)備，其存儲(chǔ)與讀取過(guò)程體現(xiàn)為電子的存儲(chǔ)或釋放。存儲(chǔ)芯片一方面存儲(chǔ)程序代碼以處理各類數(shù)據(jù)，另一方面存儲(chǔ)數(shù)據(jù)處理過(guò)程中產(chǎn)生的中間數(shù)據(jù)、最終結(jié)果，是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)中廣泛應(yīng)用的核心零部件，深入應(yīng)用到生活及生產(chǎn)中的方方面面，廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U盤、消費(fèi)電子、智能終端、固態(tài)存儲(chǔ)硬盤等領(lǐng)域。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照是否需要持續(xù)通電以維持?jǐn)?shù)據(jù)分為易失性存儲(chǔ)和非易失性存儲(chǔ)。易失性存儲(chǔ)主要指隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）。RAM需要維持通電以臨時(shí)保存數(shù)據(jù)供主系統(tǒng)CPU讀寫和處理。由于RAM可以實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)的高速讀寫，因此通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。RAM根據(jù)是否需要周期性刷新以維持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)，進(jìn)一步分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）。DRAM結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，單位面積的存儲(chǔ)密度顯著高于SRAM，但訪問(wèn)速度慢于SRAM；此外，DRAM需要周期性刷新以維持正確的數(shù)據(jù)，因此功耗較SRAM更高。DRAM作為一種高密度的易失性存儲(chǔ)器，主要用作CPU處理數(shù)據(jù)的臨時(shí)存儲(chǔ)裝置，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、個(gè)人電腦、服務(wù)器等主流應(yīng)用市場(chǎng)。非易失性存儲(chǔ)器在斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，主要包括Flash（閃存）和ROM（只讀存儲(chǔ)器）。閃存芯片又可細(xì)分為NANDFlash和NORFlash。NANDFlash是使用電可擦技術(shù)的高密度非易失性存儲(chǔ)。NANDFlash每位只使用一個(gè)晶體管，存儲(chǔ)密度遠(yuǎn)高于其他ROM；在正常使用情況下，F(xiàn)lash所存的電荷（數(shù)據(jù)）可長(zhǎng)期保存；同時(shí)，NANDFlash能夠?qū)崿F(xiàn)快速讀寫和擦除。NANDFlash為大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案，是目前全球市場(chǎng)大容量非易失存儲(chǔ)的主流技術(shù)方案。NORFlash特點(diǎn)在于允許CPU直接從存儲(chǔ)單元中讀取代碼執(zhí)行，即應(yīng)用程序可直接在Flash內(nèi)運(yùn)行，而不必再讀到系統(tǒng)RAM中；但NORFlash寫入和擦除速度慢，因此不適宜作為大容量存儲(chǔ)器，僅在小容量場(chǎng)景具有成本效益。EEPROM具有數(shù)據(jù)保存時(shí)間長(zhǎng)、擦寫次數(shù)多（可頻繁改寫，使用壽命長(zhǎng)）等特點(diǎn)，適宜低容量存儲(chǔ)（通常在1Kb～1Mb），主要用于存儲(chǔ)需經(jīng)常修改的數(shù)據(jù)，如手機(jī)攝像頭模組內(nèi)存儲(chǔ)鏡頭與圖像的矯正參數(shù)、藍(lán)牙模塊存儲(chǔ)控制參數(shù)、內(nèi)存條溫度傳感器內(nèi)存儲(chǔ)溫度參數(shù)等。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器作為電子系統(tǒng)的基本組成部分，是半導(dǎo)體行業(yè)最大的細(xì)分市場(chǎng)之一。隨著現(xiàn)代電子信息系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)出貨量持續(xù)大幅增長(zhǎng)，另一方面，由于存儲(chǔ)晶圓制程基本按照摩爾定律不斷取得突破，單位存儲(chǔ)成本在長(zhǎng)期曲線中呈現(xiàn)單邊下降趨勢(shì)，市場(chǎng)的總體規(guī)模在短期供需波動(dòng)中總體保持長(zhǎng)期增長(zhǎng)趨勢(shì)。根據(jù)WSTS和SIA數(shù)據(jù)顯示，2021/2022年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模約為5559/5741億美元，其中存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的規(guī)模約為1538/1344億美元，占半導(dǎo)體市場(chǎng)份額約28%/23%，是僅次于邏輯芯片的第二大半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)。DRAM和NANDFlash占全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)95%以上的份額。憑借高存儲(chǔ)密度和相對(duì)低廉的成本優(yōu)勢(shì)，DRAM和NANDFlash成為存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)核心產(chǎn)品，在根據(jù)彭博援引IDC數(shù)據(jù)，2021年DRAM和NANDFlash合計(jì)占存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額約96%，另有3.1%為NORFlash，及1.3%的其他存儲(chǔ)類型。（二）發(fā)展趨勢(shì)：DRAM注重制程工藝迭代，NAND聚焦3D堆疊技術(shù)DRAM制程進(jìn)步放緩，工藝迭代亟待新方案。DRAM的內(nèi)存容量主要由芯片上集成的晶體管數(shù)額所決定，制程微縮成為現(xiàn)階段提高DRAM內(nèi)存容量，降低制作成本的主要方式。三星、美光和SK海力士這三大巨頭已經(jīng)發(fā)布了D1z和D1a產(chǎn)品，這些產(chǎn)品采用15納米和14納米級(jí)單元設(shè)計(jì)規(guī)則(D/R)，適用于DDR4、DDR5和LPDDR5應(yīng)用。截至目前，我們已經(jīng)看到了8F2和6F2DRAMCell設(shè)計(jì)，其中unitcell包括1T（晶體管）和1C（電容器）。這種1T+1C單元設(shè)計(jì)將用于未來(lái)幾代DRAM的單元設(shè)計(jì)。由于工藝完整性、成本、cell泄漏、電容、刷新管理和傳感裕度方面的挑戰(zhàn)，DRAM制程進(jìn)步正在放緩。隨著美光在2022年宣布DRAM技術(shù)1β節(jié)點(diǎn)正式量產(chǎn)出貨，并將1γ制程計(jì)劃推遲至2025年，1Z(12nm-14nm)階段研發(fā)時(shí)長(zhǎng)或?qū)⒊^(guò)5年，相較2016-2017年的1X(16nm-19nm)階段以及2018-2019年的1Y(14nm-16nm)階段研發(fā)速度大幅度放緩，10nmD/R或?qū)⒊蔀槠渥詈笠粋€(gè)節(jié)點(diǎn)。面對(duì)DRAM制程微縮放緩的窘境，存儲(chǔ)行業(yè)亟需新的解決方案來(lái)繼續(xù)提高密度。據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)觀察援引TechInsights，3DDRAM、HBM3、GDDR6X/7和嵌入式DRAM技術(shù)都將延續(xù)DRAM壽命并擴(kuò)展其應(yīng)用。此外，先進(jìn)DRAM單元設(shè)計(jì)中也出現(xiàn)了較為創(chuàng)新的方向，如高介電常數(shù)前驅(qū)體（Highk）介電材料、金屬柵極外圍晶體管（HKMG）工藝、柱狀電容器工藝、EUV技術(shù)等。NAND制程演進(jìn)相對(duì)緩慢，3D堆疊層數(shù)增長(zhǎng)迅速。隨著存儲(chǔ)芯片容量需求的增加，15nm的2DNAND技術(shù)已接近物理極限，為了提高存儲(chǔ)芯片的容量和帶寬，3D堆疊技術(shù)成為NAND未來(lái)發(fā)展的趨勢(shì)。根據(jù)SK海力士預(yù)測(cè)，3D堆疊層數(shù)只有發(fā)展至層數(shù)超過(guò)600層時(shí)才會(huì)遇到瓶頸，現(xiàn)階段而言，主流廠商量產(chǎn)的NAND產(chǎn)品層數(shù)分別為SK海力士238層、三星236層、美光232層、鎧俠/西數(shù)218層，疊層數(shù)仍有較大提升空間。除了堆疊層數(shù)走高以外，NAND架構(gòu)改良也有效地提升存儲(chǔ)密度和I/O傳輸性能。根據(jù)CFM閃存世界整理，在NANDFlash的傳統(tǒng)架構(gòu)CnA（CMOSnestArray）中，外圍電路在存儲(chǔ)陣列旁邊，隨著存儲(chǔ)堆疊層數(shù)增高，外圍電路占據(jù)芯片面積比例增大，影響存儲(chǔ)單元的密度提升。各存儲(chǔ)原廠對(duì)高層數(shù)NANDFlash架構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化，采用CuA（CMOSunderArray）/PuC（PERIunderCell）等架構(gòu)，將外圍電路放置在存儲(chǔ)陣列的下方，提升存儲(chǔ)單元的面積利用率，并縮小diesize。改良后的架構(gòu)還可以把單顆die劃分為更多的plane，每個(gè)plane擁有各自的外圍電路，從而獲取更多的I/O接口速度，提升傳輸性能。長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking?架構(gòu)還可以在兩片獨(dú)立的晶圓上，分別同時(shí)加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，再將兩片獨(dú)立晶圓鍵合在一起，從而高效率地提升NAND性能。2DNAND和SLC/MLC深耕高可靠性和低溫/高溫操作的特定應(yīng)用，3DNAND存儲(chǔ)單元向TLC、QLC等高密度存儲(chǔ)演進(jìn)。NANDFlash根據(jù)存儲(chǔ)單元密度可分為SLC、MLC、TLC、QLC等，對(duì)應(yīng)單個(gè)存儲(chǔ)單元分別可存放1、2、3和4bit的數(shù)據(jù)。閃速存儲(chǔ)器中每個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)容量的比特N的數(shù)量隨著多級(jí)單元技術(shù)而增加，增加閃速存儲(chǔ)器的容量可以降低單位數(shù)據(jù)量的成本。與此相對(duì)的，如果增加N的數(shù)量，則需要更精細(xì)的閾值分布，讀寫速度則會(huì)下降則會(huì)下降，并且使用壽命更短。換言之，較大的N值更適合容量和成本優(yōu)先的應(yīng)用，而較小的N值則更適合性能和壽命優(yōu)先的應(yīng)用。二、需求端：PC&手機(jī)基本盤穩(wěn)健，服務(wù)器&汽車注入成長(zhǎng)新活力下游終端應(yīng)用場(chǎng)景不斷豐富，全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模長(zhǎng)期擴(kuò)張。存儲(chǔ)是數(shù)據(jù)的靜態(tài)表現(xiàn)形式，有數(shù)據(jù)就需要存儲(chǔ)。過(guò)去20年，存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模波動(dòng)與新電子產(chǎn)品快速滲透、舊電子產(chǎn)品代際更迭密切聯(lián)系，總體呈現(xiàn)出螺旋式上升的趨勢(shì)。下游終端電子產(chǎn)品革命性的創(chuàng)新發(fā)展使得全球數(shù)據(jù)量多次呈現(xiàn)跨域式增長(zhǎng)，直接拉動(dòng)了對(duì)存儲(chǔ)的需求。自上世紀(jì)90年代以來(lái)，存儲(chǔ)市場(chǎng)分別經(jīng)歷了由PC、功能機(jī)、智能手機(jī)驅(qū)動(dòng)的三輪上漲行情，展望后市，數(shù)據(jù)中心、AI和汽車存儲(chǔ)有望為全球存儲(chǔ)市場(chǎng)注入新的動(dòng)力。手機(jī)、PC、服務(wù)器為存儲(chǔ)芯片應(yīng)用市場(chǎng)的中流砥柱，汽車及AI助力市場(chǎng)規(guī)模更上一層樓。NAND和DRAM廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板、PC、數(shù)據(jù)中心、汽車、視頻監(jiān)控、智能家居等等市場(chǎng)。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)，2022年DRAM下游市場(chǎng)中，手機(jī)、服務(wù)器和PC占比分別為35%，33%和16%。2022年NAND下游市場(chǎng)中，手機(jī)、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤（eSSD，主要場(chǎng)景為服務(wù)器）與消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤（cSSD，主要場(chǎng)景為PC）占比分別為34%，26%和22%。消費(fèi)端PC、手機(jī)市場(chǎng)占據(jù)著NAND及DRAM產(chǎn)能應(yīng)用的半壁江山，考慮到生成式AI極大地拉動(dòng)了企業(yè)級(jí)服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)需求，服務(wù)器存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模有望進(jìn)一步擴(kuò)張，手機(jī)、PC、服務(wù)器三大需求牢牢占據(jù)八成以上存儲(chǔ)市場(chǎng)。而隨著汽車智能化的發(fā)展，車載存儲(chǔ)有望實(shí)現(xiàn)大踏步升級(jí)。從自動(dòng)駕駛L1發(fā)展至L5等級(jí)，汽車搭載的攝像頭、激光雷達(dá)、熱成像等傳感器，對(duì)車輛環(huán)境的數(shù)據(jù)收集、數(shù)據(jù)交換、實(shí)時(shí)信息分享的需求，都將推動(dòng)著汽車存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模日益增長(zhǎng)。CFM閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì)，到2025年單車NAND存儲(chǔ)容量將超過(guò)2TB。汽車存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模也隨之增加，到2030年預(yù)計(jì)將超過(guò)200億美元規(guī)模，車載存儲(chǔ)占全球存儲(chǔ)市場(chǎng)比重有望持續(xù)上升。NANDFlash中，嵌入式存儲(chǔ)市場(chǎng)主要受智能手機(jī)、平板等消費(fèi)電子行業(yè)驅(qū)動(dòng)，固態(tài)硬盤下游市場(chǎng)主要包括服務(wù)器、個(gè)人電腦，移動(dòng)存儲(chǔ)廣泛應(yīng)用于各類消費(fèi)者領(lǐng)域。DRAM中，LPDDR主要與嵌入式存儲(chǔ)配合應(yīng)用于智能手機(jī)、平板等消費(fèi)電子產(chǎn)品，近年來(lái)亦應(yīng)用于功耗限制嚴(yán)格的個(gè)人電腦產(chǎn)品，DDR主要應(yīng)用于服務(wù)器、個(gè)人電腦等。（一）智能手機(jī)&PC配置持續(xù)升級(jí)，存儲(chǔ)位元需求穩(wěn)中有增智能手機(jī)為存儲(chǔ)芯片下游第一大應(yīng)用市場(chǎng)，出貨量保持平穩(wěn)。自2017年全球智能手機(jī)出貨量達(dá)到峰值，2018-2022年出貨量趨于穩(wěn)定，在12億-14億臺(tái)之間，步入存量市場(chǎng)?；诔杀镜纳仙约皳Q機(jī)周期的延長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2023年的智能手機(jī)市場(chǎng)較難快速恢復(fù)到疫情前水平，根據(jù)IDC手機(jī)季度跟蹤報(bào)告顯示，2023年全球智能手機(jī)市場(chǎng)出貨量將會(huì)低于12億臺(tái)，同比下降1.1%；而中國(guó)市場(chǎng)的出貨量預(yù)計(jì)將僅有2.83億臺(tái)，同比也會(huì)下降1.1%。隨著經(jīng)濟(jì)大環(huán)境的逐漸好轉(zhuǎn)，全球及中國(guó)智能手機(jī)市場(chǎng)或迎來(lái)一定反彈，實(shí)現(xiàn)智能手機(jī)市場(chǎng)的復(fù)蘇。IDC預(yù)計(jì)，2024年全球智能手機(jī)市場(chǎng)出貨量12.63億，同比增長(zhǎng)5.9%;中國(guó)智能手機(jī)市場(chǎng)出貨重新回到3億市場(chǎng)大盤，同比增長(zhǎng)6.2%。高端智能手機(jī)份額持續(xù)提升&存儲(chǔ)器成本走低，手機(jī)端存儲(chǔ)芯片位元需求穩(wěn)步增長(zhǎng)。全球智能手機(jī)DRAM和NAND平均單機(jī)容量快速上升，根據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2014-2020年全球智能手機(jī)DRAM、NAND單機(jī)容量從1.4/21GB增長(zhǎng)至4.3/108GB，手機(jī)容量規(guī)格快速提升是主要驅(qū)動(dòng)力。近年來(lái)盡管手機(jī)市場(chǎng)整體銷量趨穩(wěn)，但高端手機(jī)份額仍將保持持續(xù)增長(zhǎng)，高端旗艦產(chǎn)品和折疊式設(shè)備成為手機(jī)市場(chǎng)的亮點(diǎn)，而高端手機(jī)不僅需要搭載性能強(qiáng)勁的移動(dòng)處理器，對(duì)存儲(chǔ)配置要求也更高，使得存儲(chǔ)位元需求在手機(jī)終端長(zhǎng)期增長(zhǎng)。加上5G集成基帶的普及應(yīng)用，手機(jī)峰值下載速度越來(lái)越快，推動(dòng)UFS、LPDDR等嵌入式存儲(chǔ)向高速傳輸不斷發(fā)展。不僅如此，NANDFlash和DRAM成本走低有助于提振智能手機(jī)及PC等終端的存儲(chǔ)需求，推動(dòng)單位設(shè)備存儲(chǔ)容量進(jìn)一步增長(zhǎng)。全球PC出貨量趨于穩(wěn)定，存儲(chǔ)芯片位元需求緩幅增長(zhǎng)。2016-2021年全球PC出貨量穩(wěn)定在3億臺(tái)左右，進(jìn)入存量市場(chǎng)。PC市場(chǎng)經(jīng)歷2020和2021連續(xù)兩年超10%的增速增長(zhǎng)，已經(jīng)透支了部分需求，2022年IDC數(shù)據(jù)顯示，全球PC出貨量下滑15%至約2.9億臺(tái)，隨著人們恢復(fù)正常辦公以及Chromebook的需求減弱，在2024年或以后才會(huì)看到PC市場(chǎng)更多的增長(zhǎng)。從更長(zhǎng)的時(shí)間維度來(lái)看，出于正常的設(shè)備更新需求以及對(duì)更高性能產(chǎn)品的追求，智能手機(jī)和PC這類成熟的電子產(chǎn)品也將回歸長(zhǎng)期穩(wěn)定的自然增長(zhǎng)速度，回歸周期。根據(jù)ADATA數(shù)據(jù)，2021年P(guān)C端全球DRAM總位元出貨量為343億Gb，預(yù)計(jì)2023年達(dá)到371億Gb，CAGR為3.9%，PC端DRAM位元需求緩慢增長(zhǎng)，而同期手機(jī)和服務(wù)器端DRAM位元需求或分別達(dá)到10.5%和21.0%。（二）AI驅(qū)動(dòng)服務(wù)器量?jī)r(jià)齊升，大容量高端存儲(chǔ)需求攀升在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，存儲(chǔ)器的主要增長(zhǎng)動(dòng)力來(lái)自服務(wù)器的穩(wěn)定增長(zhǎng)和多核心高性能處理器的迭代升級(jí)。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)，NAND方面，eSSD平均容量已上升至4TB，帶動(dòng)eSSD占NAND應(yīng)用比例由22%上升至26%；服務(wù)器DRAM應(yīng)用同樣十分廣泛，GPU加速器和ASIC等AI芯片帶來(lái)了算力的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，與此相匹配的是對(duì)高速率GDDRDRAM和高帶寬HBMDRAM的需求日益抬升，隨著DRAM在服務(wù)器市場(chǎng)應(yīng)用占比穩(wěn)步上升，服務(wù)器有望取代手機(jī)成為最大DRAM應(yīng)用市場(chǎng)。數(shù)據(jù)中心蓬勃發(fā)展，服務(wù)器出貨量穩(wěn)步增長(zhǎng)。近年來(lái)，全球數(shù)據(jù)量呈幾何級(jí)快速增長(zhǎng)，根據(jù)IDC數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2025年全球數(shù)據(jù)量將增加至175ZB。各大互聯(lián)網(wǎng)公司自建互聯(lián)網(wǎng)中心以滿足廣泛數(shù)據(jù)需求，外加傳統(tǒng)企業(yè)加快上云進(jìn)程也促進(jìn)了服務(wù)器市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)。根據(jù)中國(guó)信通院數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2022年全球/中國(guó)數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá)747億美元，/1901億人民幣。據(jù)Canalys研究數(shù)據(jù)顯示，2022年全年，全球云基礎(chǔ)設(shè)施服務(wù)總支出從2021年的1917億美元增長(zhǎng)到2471億美元，同比增長(zhǎng)29%，同時(shí)Canalys預(yù)計(jì)全球云基礎(chǔ)設(shè)施服務(wù)支出在2023年將繼續(xù)增長(zhǎng)23%。受益于云服務(wù)支出拉動(dòng)，服務(wù)器市場(chǎng)保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，IDC數(shù)據(jù)顯示，2022年全球服務(wù)器出貨量達(dá)1470.4萬(wàn)臺(tái)，預(yù)計(jì)2025年全球服務(wù)器出貨量達(dá)1878.1萬(wàn)臺(tái)。AIGC應(yīng)用加持，AI服務(wù)器需求持續(xù)增長(zhǎng)。伴隨著以ChatGPT為代表的生成式AI模型的推廣，AI服務(wù)器出貨量將實(shí)現(xiàn)快速增長(zhǎng)。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2022年搭載高端GPGPU的AI服務(wù)器出貨量約14.5萬(wàn)臺(tái)，年增約9%，展望2023年，Microsoft、Meta、Baidu與ByteDance相繼推出基于生成式AI衍生的產(chǎn)品服務(wù)而積極加單，預(yù)估2023年出貨量同比增速有望達(dá)15.4%，2022~2026年搭載高端GPGPU的AI服務(wù)器出貨量年復(fù)合成長(zhǎng)率約12.3%。同時(shí)TrendForce預(yù)估2023年整體AI服務(wù)器（包含搭載GPU、FPGA、ASIC等）出貨量近120萬(wàn)臺(tái)，年增38.4%，占整體服務(wù)器出貨量近9%，至2026年將占15%，2022~2026年AI服務(wù)器出貨量年復(fù)合成長(zhǎng)率至29%。服務(wù)器市場(chǎng)更加追求芯片的高性能和高穩(wěn)定性。人工智能應(yīng)用的快速發(fā)展正在顯著改變信息的消費(fèi)、移動(dòng)和處理方式。在強(qiáng)調(diào)能效的同時(shí)增加內(nèi)存帶寬對(duì)于進(jìn)一步支持云、邊緣和端點(diǎn)的廣泛行為分析和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練至關(guān)重要。隨著深度學(xué)習(xí)等AI算法的發(fā)展，AI服務(wù)器對(duì)計(jì)算能力和內(nèi)存帶寬的要求越來(lái)越高。GDDR逐漸達(dá)到極限，每秒每增加1GB的帶寬所需要的電量劇增，NVIDIA和AMD等廠商逐漸開始使用HBM（高帶寬存儲(chǔ)）。HBM是DRAM的一種新技術(shù)，它通過(guò)3D堆疊技術(shù)將多個(gè)DDR垂直堆疊在一起，形成一個(gè)高度集成的內(nèi)存模組，同時(shí)與CPU/GPU合封，使得HBM內(nèi)存芯片具有更大的密度和更短的電路路徑，能夠提供更高的內(nèi)存帶寬和更低的延遲，可以顯著提高深度學(xué)習(xí)等AI算法的計(jì)算性能和效率。此外，與GDDR5相比，在相同數(shù)量顯存下，HBM產(chǎn)品大小僅僅是GDDR5的6%，并且每瓦帶寬是其3倍以上。AI服務(wù)器對(duì)DRAM和NAND的需求飆升。傳統(tǒng)封裝技術(shù)和晶圓級(jí)封裝技術(shù)愈加成熟，為單一封裝下的高密度NAND和DRAM應(yīng)用提供了巨大的幫助。DRAM方面可以通過(guò)將多顆HBM組合封裝，使得系統(tǒng)中總DRAM容量達(dá)到128GB甚至更高，有助于DRAM整體帶寬性能得到突破；NAND方面存儲(chǔ)廠商通過(guò)將多顆NANDFlash裸片堆疊封裝，構(gòu)成高達(dá)10TB及以上的企業(yè)級(jí)SSD產(chǎn)品，加速取代服務(wù)器領(lǐng)域的HDD應(yīng)用，據(jù)SK海力士測(cè)算，2030年數(shù)據(jù)中心中SSD占比有望達(dá)到55%。據(jù)美光測(cè)算，AI服務(wù)器中DRAM數(shù)量是傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍，NAND數(shù)量是傳統(tǒng)服務(wù)器的3倍。HBM產(chǎn)品不斷迭代，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)容。自2014年與AMD聯(lián)合開發(fā)了全球首款硅通孔HBM產(chǎn)品至今，SK海力士已迭代升級(jí)出4代HBM產(chǎn)品，性能和容量持續(xù)提升。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2020年全球HBM市場(chǎng)規(guī)模為4.58億美元，預(yù)計(jì)2025年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到25億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)40.38%。（三）車輛數(shù)據(jù)處理需求攀升，車載存儲(chǔ)異軍突起ADAS各等級(jí)智能駕駛技術(shù)對(duì)車載存儲(chǔ)的需求呈非線性增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)采集和高效處理能力正逐漸成為汽車創(chuàng)新的關(guān)鍵所在，隨著自動(dòng)駕駛汽車水平的提高，功能和高級(jí)功能之間的網(wǎng)絡(luò)連接增加，電動(dòng)汽車需要消耗更多的數(shù)據(jù)和芯片。在諸如電池監(jiān)測(cè)、ADAS、安全數(shù)據(jù)備份等智能汽車的各功能性領(lǐng)域中，具有高穩(wěn)定性的存儲(chǔ)芯片扮演著關(guān)鍵的角色，半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片更由此異軍突起，日漸成為智能汽車的核心部件，需求量大大增加。同時(shí)，車規(guī)級(jí)芯片要求較消費(fèi)級(jí)更加嚴(yán)苛，能夠持續(xù)高速處理汽車駕駛過(guò)程中產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)，具有超強(qiáng)穩(wěn)定性的汽車存儲(chǔ)芯片更是成為了安全無(wú)憂駕駛的關(guān)鍵。DRAM和NAND支撐了車載存儲(chǔ)的主要需求。存儲(chǔ)芯片可以應(yīng)用于包括電子儀表盤、智能駕駛ADAS、本地地圖、車載娛樂(lè)、通信系統(tǒng)在內(nèi)的多個(gè)車內(nèi)場(chǎng)景。實(shí)現(xiàn)以上功能既需要大量運(yùn)行內(nèi)存去支撐圖形顯示或算力計(jì)算，也需要足夠的閃存容量用來(lái)存儲(chǔ)行駛過(guò)程中產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，二者分別對(duì)應(yīng)DRAM和Flash芯片需求。據(jù)海力士對(duì)智能駕駛汽車的DRAM需求量的判斷，一輛車預(yù)估DRAM/NANDFlash需求最高分別可達(dá)151GB/2TB，車內(nèi)顯示類、ADAS自動(dòng)駕駛系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)芯片使用量最大。CFM閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì)，到2030年汽車存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)200億美元。車內(nèi)顯示類：包括智能儀表盤和IVI車載娛樂(lè)系統(tǒng)。高清晰顯示屏在智能駕駛汽車普及前就是存儲(chǔ)器的重要汽車應(yīng)用領(lǐng)域，更加信息化、娛樂(lè)化的座艙環(huán)境要求更多車內(nèi)顯示屏，直接增加DRAM、NAND的總需求量。同時(shí)儀表盤、控制臺(tái)等器件對(duì)于影像傳輸速率的更高要求也使車用DRAM產(chǎn)品從DDR3、LPDDR2逐步向更低延遲的LPDDR4、LPDDR5產(chǎn)品升級(jí)，在價(jià)值量方面亦有提升。車用DRAM在信息娛樂(lè)和數(shù)字儀表盤的需求量在4-64GB之間，后座娛樂(lè)系統(tǒng)需求量4-16GB。NANDFlash主要用于即時(shí)產(chǎn)生大量數(shù)據(jù)的數(shù)字儀表盤和后座娛樂(lè)系統(tǒng)，前者需要64-512GB存儲(chǔ)容量，后者需要64-256GB。ADAS系統(tǒng)應(yīng)用：智能駕駛汽車車身裝配的攝像頭和其他傳感器將產(chǎn)生大量數(shù)據(jù)，ADAS系統(tǒng)需要根據(jù)這些數(shù)據(jù)并識(shí)別障礙物并做出正確決策，這就需要引入高容量、高帶寬DRAM來(lái)解決復(fù)雜的計(jì)算和圖像處理問(wèn)題。以特斯拉為例，特斯拉全車共配備了8個(gè)攝像頭、一個(gè)毫米波雷達(dá)和12個(gè)超聲波雷達(dá)監(jiān)測(cè)外部環(huán)境，由于特斯拉采用攝像頭模擬人眼視力的AI仿生技術(shù)路線，其更高的信息處理能力要求除了雷達(dá)外每個(gè)攝像頭也需要DRAM處理數(shù)據(jù)并向車載計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)傳送信息。三、供給端：原廠減產(chǎn)并削減資本開支，供需再平衡有望于23H2實(shí)現(xiàn)（一）主流市場(chǎng)海外寡頭壟斷，利基市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)奮起直追存儲(chǔ)芯片具有大宗商品屬性，供需錯(cuò)配引發(fā)價(jià)格周期性波動(dòng)。根據(jù)Statista數(shù)據(jù)，全球集成電路細(xì)分市場(chǎng)整體周期性趨同，但存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的波動(dòng)性更大（2017年半導(dǎo)體行業(yè)景氣度上行，存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模同比增速超60%，大幅領(lǐng)先于其他主要細(xì)分品類，而在2019年半導(dǎo)體行業(yè)景氣度下行期，存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模同比降幅超30%，表現(xiàn)亦顯著弱于其他主要細(xì)分賽道）主要系存儲(chǔ)芯片標(biāo)準(zhǔn)化程度高，產(chǎn)品可替代性強(qiáng)，價(jià)格彈性大，受下游需求影響較為明顯，具有顯著的規(guī)模效應(yīng)。且行業(yè)集中度高，廠商間擴(kuò)產(chǎn)與定價(jià)策略高度相似，當(dāng)景氣度上行時(shí)，往往積極擴(kuò)產(chǎn)，致使產(chǎn)能過(guò)剩；而當(dāng)景氣度下行時(shí)，行業(yè)內(nèi)廠商則通過(guò)削減資本開支/減產(chǎn)，配合激進(jìn)降價(jià)手段清理庫(kù)存。產(chǎn)品價(jià)格基于供求關(guān)系變化，導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片價(jià)格周期性特征尤為明顯。三星電子、SK海力士和美光三大廠商壟斷DRAM供應(yīng)，NAND競(jìng)爭(zhēng)格局有集中趨勢(shì)。根據(jù)彭博援引IDC數(shù)據(jù)，2005年至今，DRAM市場(chǎng)CR3由60%左右逐漸增長(zhǎng)至94%（2021年），競(jìng)爭(zhēng)格局趨于穩(wěn)定。在NAND市場(chǎng)，三星、鎧俠、SK海力士&英特爾、西部數(shù)據(jù)、美光五家頭部廠商占據(jù)了96%的市場(chǎng)份額，隨著2021年SK海力士收購(gòu)英特爾的NAND固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)（原第六大NAND制造商，被收購(gòu)后更名為Solidigm）、鎧俠與西部數(shù)據(jù)合并在即，NAND競(jìng)爭(zhēng)格局有集中趨勢(shì)。國(guó)產(chǎn)雙雄持續(xù)發(fā)力。NAND龍頭長(zhǎng)江存儲(chǔ)是大陸首家實(shí)現(xiàn)64層3DNAND量產(chǎn)的IDM企業(yè)，其全資子公司武漢新芯聚焦NORFlash，與長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND補(bǔ)齊Flash版圖。技術(shù)方面，2018年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布Xtacking架構(gòu)；2019年9月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功量產(chǎn)64層TLC3DNANDFlash，此后長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)96層3DNAND閃存技術(shù)量產(chǎn)；2020年4月宣布128層TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功，目前公司發(fā)布的基于晶棧?3.0（Xtacking?3.0）技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3-9070堆疊層數(shù)已經(jīng)處于國(guó)際第一梯隊(duì)。DRAM龍頭長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)最大DDR4和LPDDR4內(nèi)存芯片制造商,目前已成功試產(chǎn)DDR5內(nèi)存芯片，工藝方面已經(jīng)實(shí)現(xiàn)19nm/17nm等制程的量產(chǎn)工作，國(guó)產(chǎn)NAND和DRAM雙雄持續(xù)發(fā)力，追趕國(guó)際領(lǐng)先廠商。海外大廠逐步退出利基市場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)廠商迎來(lái)發(fā)展機(jī)遇。利基型存儲(chǔ)主要包含4GbDDR4及以下的DRAM、2DNAND及NORFlash、EEPROM等小容量非易失性存儲(chǔ)芯片，具有下游應(yīng)用廣泛、制程工藝相對(duì)成熟、技術(shù)壁壘相對(duì)較低、資本開支投入相對(duì)較少等特點(diǎn)。據(jù)ICInsights、Gartner以及Trendforce數(shù)據(jù)，2021年全球NORFlash/SLCNAND/利基型DRAM市場(chǎng)規(guī)模分別約29/21/90億美元。隨著頭部海外大廠產(chǎn)能陸續(xù)退出，中國(guó)大陸及中國(guó)臺(tái)灣廠商逐步占據(jù)了利基型存儲(chǔ)市場(chǎng)的主要份額。規(guī)模較大的臺(tái)系廠商包括華邦電、旺宏電子、晶豪科技、鈺創(chuàng)科技、力晶科技、南亞科等，中國(guó)大陸廠商主要有兆易創(chuàng)新、北京君正、普冉股份、東芯股份、恒爍股份、博雅科技、芯天下、武漢新芯、聚辰股份、復(fù)旦微電等，本土廠商近年來(lái)持續(xù)加大研發(fā)投入，競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力不斷增強(qiáng)。（二）海外龍頭普遍開啟實(shí)質(zhì)性減產(chǎn)，供需再平衡有望年內(nèi)到來(lái)存儲(chǔ)行情持續(xù)走弱，存儲(chǔ)原廠全面陷入虧損。由于ASP快速下跌所致，存儲(chǔ)原廠第一季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率由正轉(zhuǎn)負(fù)。根據(jù)原廠最新財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，SK海力士Q1營(yíng)收為5.09億韓元（YoY-58%，QoQ-34%），凈利潤(rùn)-2.59萬(wàn)億韓元（同比由盈轉(zhuǎn)虧，環(huán)比虧損收窄）；三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部門Q1營(yíng)收8.92萬(wàn)億韓元（YoY-56%，QoQ-27%），存儲(chǔ)業(yè)務(wù)所在的DS事業(yè)部營(yíng)業(yè)利潤(rùn)大幅虧損36億美元；美光23Q1（22年12月至23年2月財(cái)季）季度營(yíng)收36.93億美元（QoQ-9.6%，YoY-52.6%），由于14億美元的存貨減記，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率大幅下滑至-63%，凈虧損超過(guò)23億美元。受NANDFlash量?jī)r(jià)齊跌影響，西部數(shù)據(jù)23Q1業(yè)績(jī)亦大幅下滑，營(yíng)收?qǐng)?bào)28.03億美元（YoY-36%，QoQ-10%），NON-GAAP下凈利潤(rùn)虧損擴(kuò)大至-4.27億美元。在市場(chǎng)需求不明朗、庫(kù)存高漲、業(yè)績(jī)普遍虧損等因素疊加影響下，各大原廠紛紛出臺(tái)減少產(chǎn)出、降低投資、放緩技術(shù)升級(jí)等措施來(lái)調(diào)節(jié)供需關(guān)系緩解價(jià)格下降趨勢(shì)。產(chǎn)能方面，根據(jù)報(bào)道顯示，三大原廠均已啟動(dòng)減產(chǎn)，三星、美光、SK海力士2023年第二季稼動(dòng)率環(huán)比普遍下修10pct，已分別下滑至77%、74%、82%。資本開支方面，SK海力士資本支出已經(jīng)連續(xù)5個(gè)季度呈下降趨勢(shì)，公司在其23Q1法說(shuō)會(huì)中表示將減少不必要的投資，2023全年資本支出將同比減少超50%；美光亦表示將大幅削減2023財(cái)年資本支出至70億美元，同比減少超過(guò)40%，其中WFE晶圓設(shè)備支出減少超過(guò)50%，同時(shí)將放緩技術(shù)升級(jí)、降低運(yùn)營(yíng)成本及實(shí)行必要的裁員來(lái)度過(guò)存儲(chǔ)行業(yè)寒冬。2022年存儲(chǔ)市場(chǎng)位元增速處歷史低位，2023年有望企穩(wěn)反彈。2022年在宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境惡化，以及全球部分地區(qū)性因素的影響下，集成電路終端需求銳減，庫(kù)存問(wèn)題也從下游不斷傳導(dǎo)到上游，進(jìn)一步抑制了對(duì)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品的需求。據(jù)CFM閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì)，2022年NANDFlash/DRAM市場(chǎng)容量規(guī)模分別同比增長(zhǎng)6%/4%達(dá)到610BGB/194BGb，較此前市場(chǎng)位元增速顯著放緩，預(yù)計(jì)2023年NANDFlash/DRAM市場(chǎng)容量規(guī)模分別同比增長(zhǎng)15%/5%，增速有所回升。而在減產(chǎn)的作用下，預(yù)計(jì)NANDFlash和DRAM位元供應(yīng)的增長(zhǎng)速度都將低于其需求的增長(zhǎng)速度。減產(chǎn)效應(yīng)有待發(fā)酵，存儲(chǔ)價(jià)格有望在23Q3企穩(wěn)。據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)，由于原廠減產(chǎn)不及需求走弱速度，部分產(chǎn)品Q2均價(jià)季跌幅有擴(kuò)大趨勢(shì)，DRAM價(jià)格跌幅擴(kuò)大的主因是DDR4與LPDDR5的庫(kù)存過(guò)高，而NANDFlash均價(jià)下跌主要系市場(chǎng)供過(guò)于求狀況仍未改善。目前，終端市場(chǎng)庫(kù)存已逐漸降至健康水位，但需求尚未出現(xiàn)明顯回暖跡象。隨著Q3主要PC&智能手機(jī)廠商新品上市，國(guó)內(nèi)服務(wù)器市場(chǎng)陸續(xù)交付，Q1淡季減產(chǎn)Q3旺季生效，以及近一年來(lái)行情調(diào)整下庫(kù)存壓力的逐步釋放，預(yù)計(jì)23Q2可能將是這一輪周期的最低點(diǎn)，存儲(chǔ)行情或最快在23Q3企穩(wěn)。NANDFlash和DRAM現(xiàn)貨價(jià)/合約價(jià)均位于歷史低位，下行空間有限。NANDFlash現(xiàn)貨價(jià)格/合約價(jià)格Q2繼續(xù)下跌，月跌幅環(huán)比收窄。截止5月29日，256GbTLC/512GbTLC現(xiàn)貨價(jià)格分別下跌至0.99/1.41美元，環(huán)比4月30日跌幅為0%/-2.8%；256GbTLC/512GbTLC/128GbMLC合約價(jià)格分別為0.95/1.48/1.76美元，環(huán)比4月30日止跌。5月底以來(lái)，市場(chǎng)雖受到合約價(jià)止跌氛圍影響，供應(yīng)端并未主動(dòng)下修報(bào)價(jià)，但因終端需求表現(xiàn)仍然不佳，成交情緒不振，顆粒部分僅在特定品項(xiàng)有些許零星急單釋出，供需雙方磨合空間有限，有力成交情況不足。展望后市，原廠端積極釋出庫(kù)存，整體盤勢(shì)雖仍處跌勢(shì)，但幅度有持續(xù)縮減的趨勢(shì)。DRAM5月仍呈跌勢(shì)，但趨勢(shì)有所分化。截至5月29日，DDR44Gb(512Mx8)/DDR34Gb(512Mx8)/DDR48Gb(1Gx8)現(xiàn)貨價(jià)格分別降至1.01/1.02/1.46美元，環(huán)比4月30日跌幅分別為9.8%/4.7%/9.3%，現(xiàn)貨價(jià)跌幅放大，上游DRAM資源價(jià)格調(diào)整幅度和頻率降低，現(xiàn)貨行情在底部盤整。截止5月29日，主流產(chǎn)品DDR48Gb(1Gx8)/LPDDR432Gb（mobile）/DDR432GBReg-DIMM（server）合約價(jià)格分別跌至1.44/6.10/52美元，環(huán)比4月30日跌幅為0%/16.7%/16.1%，嵌入式LPDDR4和服務(wù)器用DDR4供應(yīng)充足價(jià)格不易反彈，跌幅放大。截至目前，各類DRAM顆粒價(jià)格較此輪周期高點(diǎn)普遍跌幅在60%~70%，處于歷史低位。（三）美光在華審查未通過(guò)，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程有望加速5月21日晚間，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室發(fā)布消息，因美光公司產(chǎn)品存在較嚴(yán)重網(wǎng)絡(luò)安全問(wèn)題隱患，對(duì)我國(guó)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈造成重大安全風(fēng)險(xiǎn)，影響我國(guó)國(guó)家安全，依法對(duì)美光公司在華銷售產(chǎn)品進(jìn)行了網(wǎng)絡(luò)安全審查，我國(guó)內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的運(yùn)營(yíng)者應(yīng)停止采購(gòu)美光公司產(chǎn)品。據(jù)彭博社消息，在一份監(jiān)管備案表示，美光在中國(guó)大陸和香港的業(yè)務(wù)收入，包括直銷以及通過(guò)分銷商的間接銷售，約占美光全球收入的四分之一，美光與中國(guó)總部客戶相關(guān)的銷售額中約有一半可能受到此次網(wǎng)絡(luò)安全調(diào)查的影響，占其全球收入的“低兩位數(shù)百分比”。隨著經(jīng)濟(jì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型，云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、AI、大數(shù)據(jù)等技術(shù)的發(fā)展，國(guó)內(nèi)對(duì)信息安全可靠和自主可控的需求不斷增加，存儲(chǔ)產(chǎn)品作為數(shù)據(jù)中心的重要組成部分，存儲(chǔ)安全也上升到國(guó)家戰(zhàn)略地位。國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必要性不容置疑，網(wǎng)信辦重點(diǎn)提及國(guó)內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施環(huán)節(jié)，自主可控方向明確。四、重點(diǎn)公司分析（一）兆易創(chuàng)新：國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)龍頭，合作長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)打開DRAM成長(zhǎng)天花國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)龍頭，深度布局AI與汽車藍(lán)海賽道。兆易創(chuàng)新于2012年成立，主營(yíng)業(yè)務(wù)為存儲(chǔ)器、微控制器和傳感器的研發(fā)、技術(shù)支持和銷售。近年來(lái)，智能汽車與智慧工廠的布局正在提速，AI、物聯(lián)網(wǎng)等消費(fèi)性電子產(chǎn)品蓬勃發(fā)展，以及新興應(yīng)用層出不窮，這些都在驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)對(duì)DDR需求的提升。公司依托深耕閃存市場(chǎng)多年所積累的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，2021年推出自有品牌DRAM產(chǎn)品，切入消費(fèi)、工控等利基型DRAM市場(chǎng)，2022年又重磅推出首款自研DDR3L系列產(chǎn)品，采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)先進(jìn)工藝制程，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，讀寫速率為2133/1866Mbps，提供2Gb/4Gb不同容量選擇，在滿足消費(fèi)類市場(chǎng)強(qiáng)勁需求的同時(shí)，兼顧工業(yè)及汽車市場(chǎng)應(yīng)用，可為生態(tài)圈的發(fā)展構(gòu)建提供強(qiáng)有力的支撐。公司規(guī)劃中的DRAM產(chǎn)品包括DDR4、LPDDR3、LPDDR4，制程在1Xnm級(jí)（19nm、17nm），容量在1Gb~8Gb。NORFlash領(lǐng)域，公司市占率中國(guó)大陸第一、全球第三，已實(shí)現(xiàn)512Kb到2Gb大容量SPINORFlash全系列產(chǎn)品的完善布局，截至2023年4月，旗下車規(guī)級(jí)GD25/55SPINORFlash和GD5FSPINANDFlash系列產(chǎn)品全球累計(jì)出貨量達(dá)1億顆，廣泛運(yùn)用在智能座艙、智能駕駛、智能網(wǎng)聯(lián)、新能源電動(dòng)車大小三電系統(tǒng)等。重視研發(fā)投入，保持技術(shù)創(chuàng)新和技術(shù)領(lǐng)先。公司現(xiàn)任主要管理技術(shù)團(tuán)隊(duì)具備在國(guó)際先進(jìn)產(chǎn)業(yè)地區(qū)的豐富任職經(jīng)驗(yàn)和先進(jìn)經(jīng)營(yíng)管理理念，其中董事長(zhǎng)朱一明為清華大學(xué)本科及碩士畢業(yè)，美國(guó)紐約州立大學(xué)石溪分校碩士，曾任iPolicyNetworksInc.資深工程師并入選國(guó)家“千人計(jì)劃”。公司核心骨干源于海外留學(xué)歸國(guó)青年與經(jīng)驗(yàn)豐富創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)，具備較好的國(guó)際化視野。公司歷來(lái)重視研發(fā)投入，2022年，公司研發(fā)投入達(dá)到10.29億元，約占營(yíng)業(yè)收入12.7%，同比增長(zhǎng)9.5%。公司在建立技術(shù)優(yōu)勢(shì)并取得良好業(yè)績(jī)回報(bào)的同時(shí)，高度關(guān)注知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)。截止2022年末，公司擁有929項(xiàng)授權(quán)專利，其中2022年新增98項(xiàng)授權(quán)專利。（二）北京君正：車載算力/存力持續(xù)提升，車規(guī)存儲(chǔ)龍頭持續(xù)發(fā)力國(guó)內(nèi)車規(guī)存儲(chǔ)龍頭，產(chǎn)品矩陣豐富&客戶資源優(yōu)質(zhì)。北京君正成立于2005年，起家于MPU和智能視頻芯片，2020年公司通過(guò)收購(gòu)ISSI成功進(jìn)入車載存儲(chǔ)行業(yè)，打開公司第二成長(zhǎng)曲線。公司旗下存儲(chǔ)主體北京矽成（ISSI）深耕車載存儲(chǔ)二十余載，產(chǎn)品矩陣豐富，料號(hào)充沛，廣泛應(yīng)用于包括電子儀表盤、智能駕駛ADAS、本地地圖、車載娛樂(lè)、通信系統(tǒng)在內(nèi)的眾多車內(nèi)場(chǎng)景。公司已是全球車用SRAM、DRAM、NORFlash芯片領(lǐng)域第一、第二、第五大供應(yīng)商（2021年度），目前在汽車領(lǐng)域的終端客戶覆蓋了大陸集團(tuán)、法雷奧、Delphi、博世等全球知名汽車一級(jí)供應(yīng)商。AI驅(qū)動(dòng)智能視頻芯片持續(xù)增長(zhǎng)，IOT助力微處理器業(yè)務(wù)穩(wěn)步向好。公司智能視頻芯片主要面向智能物聯(lián)網(wǎng)和智能安防類市場(chǎng)，視頻領(lǐng)域作為AI技術(shù)與5G物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)融合發(fā)展形成的應(yīng)用場(chǎng)景之一，已成為助力傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的重要手段。隨著在智能視頻領(lǐng)域的技術(shù)不斷豐富和成熟，公司產(chǎn)品線不斷拓展，目前已形成面向安防監(jiān)控市場(chǎng)IPC/后端NVR/泛視頻類市場(chǎng)的多系列芯片，隨著各產(chǎn)品陸續(xù)放量，智能視頻芯片業(yè)務(wù)有望持續(xù)增長(zhǎng)。公司微處理器芯片主要面向IOT市場(chǎng)的各類智能硬件產(chǎn)品，物聯(lián)網(wǎng)終端應(yīng)用需求的快速增長(zhǎng)促進(jìn)嵌入式MPU芯片產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模不斷增大。根據(jù)ICInsights數(shù)據(jù)，2020年全球嵌入式MPU芯片市場(chǎng)規(guī)模為175億美元，至2024年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到237億美元。公司的微處理器產(chǎn)品應(yīng)用下游廣泛，覆蓋的領(lǐng)域包括圖像識(shí)別、智能音頻、智能家電、智能家居、智能辦公等，業(yè)務(wù)趨勢(shì)穩(wěn)步向好。（三）深科技：國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)封測(cè)龍頭，布局先進(jìn)工藝決勝AI時(shí)代美光審查事件推動(dòng)國(guó)產(chǎn)替代加速，存儲(chǔ)封測(cè)龍頭深度受益。公司是全球領(lǐng)先的專業(yè)電子制造企業(yè)，連續(xù)多年在全球電子制造服務(wù)行業(yè)（EMS）排名前列，并構(gòu)建了以存儲(chǔ)半導(dǎo)體、高端制造、計(jì)量智能終端為三大主營(yíng)業(yè)務(wù)的發(fā)展戰(zhàn)略。公司存儲(chǔ)運(yùn)營(yíng)主體沛頓科技前身為金士頓中國(guó)封裝廠，技術(shù)水準(zhǔn)領(lǐng)先，公司配備sDBG生產(chǎn)線，可將晶圓減薄至30um，同時(shí)掌握8D/16D芯片堆疊技術(shù)能力；產(chǎn)能充沛，以深圳、合肥半導(dǎo)體封測(cè)雙基地的模式運(yùn)營(yíng)，產(chǎn)能產(chǎn)量達(dá)到歷史最高水平，未來(lái)隨著下游客戶產(chǎn)能開出/先進(jìn)封裝滲透率提升，公司存儲(chǔ)業(yè)務(wù)天花板打開。AI時(shí)代HBM需求大漲，布局先進(jìn)技術(shù)未來(lái)可期。長(zhǎng)期來(lái)看，以AIGC為代表的高算力應(yīng)用場(chǎng)景驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)器容量顯著提升，同時(shí)亦催生了更高性能的新型存儲(chǔ)器的海量需求。HBM（高帶寬內(nèi)存）突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸（SK海力士第四代HBM產(chǎn)品接口傳輸速率達(dá)到6.4Gbps，帶寬接近1TB/s節(jié)點(diǎn)），被視為新一代DRAM解決方案，成為AI時(shí)代不可或缺的關(guān)鍵技術(shù)。海外巨頭領(lǐng)銜，未來(lái)國(guó)內(nèi)晶圓廠有望積極跟進(jìn)，產(chǎn)業(yè)鏈配套全面升級(jí)。HBM技術(shù)壁壘高，涉及硅通孔（TSV）、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）等多項(xiàng)核心先進(jìn)工藝，公司持續(xù)推進(jìn)先進(jìn)封裝技術(shù)的研發(fā)量產(chǎn)，包括bumping技術(shù)，F(xiàn)CBGA技術(shù)，SSD32D堆疊技術(shù)等目，未來(lái)有望在國(guó)產(chǎn)先進(jìn)存儲(chǔ)封測(cè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展中發(fā)揮重要作用。（四）普冉股份：NORFlash后起之秀，“存儲(chǔ)+”戰(zhàn)略打開第二增長(zhǎng)曲線公司是國(guó)內(nèi)非易失性存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)先企業(yè)，目前主要產(chǎn)品包括：NORFlash和EEPROM兩大類非易失性存儲(chǔ)器芯片、MCU以及模擬產(chǎn)品。其中非易失性存儲(chǔ)器芯片屬于通用型芯片；MCU主要為基于ARMCortex-M系列32位通用MCU產(chǎn)品；模擬產(chǎn)品的第一個(gè)產(chǎn)品系列為音圈馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片（VCMDriver），目前提供獨(dú)立和存儲(chǔ)二合一兩類開環(huán)類音圈馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品，主要應(yīng)用于攝像頭模組（含手機(jī)和非手機(jī)）。公司團(tuán)隊(duì)在非易失性存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域深耕多年，憑借其低功耗、高可靠性的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)，在下游客戶處積累了良好的品牌認(rèn)可度，成為了國(guó)內(nèi)NORFlash和EEPROM的主要供應(yīng)商之一。在此基礎(chǔ)上，公司實(shí)施“存儲(chǔ)+”戰(zhàn)略，積極拓展MCU及模擬芯片領(lǐng)域，依托公司在存儲(chǔ)領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和平臺(tái)資源，實(shí)現(xiàn)向更高附加值領(lǐng)域和更多元化的市場(chǎng)拓展。與此同時(shí)，公司持續(xù)推進(jìn)海外業(yè)務(wù)布局，實(shí)現(xiàn)了在日本、韓國(guó)、美國(guó)等多家的知名大客戶導(dǎo)入，產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋消費(fèi)、工控、光伏及車載，增強(qiáng)了在全球市場(chǎng)的影響力。MCU受益國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模出貨，VCMDriver與EEPROM產(chǎn)品形成良好的協(xié)同效應(yīng)。公司持續(xù)重視并始終保持高水平的研發(fā)投入，推進(jìn)核心技術(shù)自主研發(fā)，提升符合市場(chǎng)需求的創(chuàng)新型產(chǎn)品。2022年公司實(shí)現(xiàn)“存儲(chǔ)+”系列芯片營(yíng)業(yè)收入5299萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)9倍。其中，MCU產(chǎn)品和VCMDriver芯片產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了業(yè)務(wù)從零到一的突破，以及業(yè)務(wù)量上質(zhì)的飛躍。公司基于領(lǐng)先工藝和超低功耗與高集成度自有設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)器優(yōu)勢(shì)，布局ARMCortex-M內(nèi)核系列32位通用型MCU產(chǎn)品。2022年MCUM0+系列產(chǎn)品已大規(guī)模量產(chǎn)出貨，共計(jì)60余顆料號(hào)。產(chǎn)品主要應(yīng)用于智能家居、小家電、BMS、無(wú)人機(jī)、驅(qū)動(dòng)電機(jī)、逆變器等下游領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)下持續(xù)導(dǎo)入空間較大。2022年公司內(nèi)置非易失存儲(chǔ)器的PE系列音圈馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片（二合一)多顆產(chǎn)品進(jìn)入大批量供貨,支持下一代主控平臺(tái)的1.2VPD系列音圈馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品也已進(jìn)入量產(chǎn)。同時(shí)，依托EEPROM產(chǎn)品的客戶資源優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)下游的順利交付。此外，公司結(jié)合行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，與終端密切配合，啟動(dòng)開發(fā)新一代VOIS芯片。公司VCMDriver產(chǎn)品能與EEPROM產(chǎn)品形成良好的協(xié)同效應(yīng)，提升公司在攝像頭模組領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)占有率。（五）東芯股份：本土SLCNAND龍頭，深耕利基存儲(chǔ)市場(chǎng)國(guó)內(nèi)SLCNAND龍頭，聚焦利基存儲(chǔ)市場(chǎng)。東芯股份于2014年成立，主營(yíng)業(yè)務(wù)為中小容量通用型存儲(chǔ)芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售，是中國(guó)大陸少數(shù)可以同時(shí)提供NAND、NOR、DRAM等存儲(chǔ)芯片完整解決方案以及芯片定制開發(fā)服務(wù)的公司。憑借強(qiáng)大的研發(fā)設(shè)計(jì)能力和自主清晰的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，公司搭建了穩(wěn)定可靠的供應(yīng)鏈體系，設(shè)計(jì)研發(fā)的24nmNAND、48nmNOR均為我國(guó)領(lǐng)先的閃存芯片工藝制程，已達(dá)到可量產(chǎn)水平，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)閃存芯片的技術(shù)突破。公司核心骨干均具有國(guó)內(nèi)外存儲(chǔ)行業(yè)工作經(jīng)歷及存儲(chǔ)芯片相關(guān)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，具備較好的技術(shù)水平。作為國(guó)內(nèi)中小容量通用型存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)，在海外龍頭逐漸退出國(guó)內(nèi)利基市場(chǎng)的背景下，公司營(yíng)收有望持續(xù)增長(zhǎng)。持續(xù)推進(jìn)制程優(yōu)化進(jìn)程，加強(qiáng)供應(yīng)鏈合作。公司的SLCNANDFlash量產(chǎn)產(chǎn)品以中芯國(guó)際38nm、24nm，力積電28nm的制程為主，公司在28nm及24nm的制程上持續(xù)開發(fā)新產(chǎn)品，不斷擴(kuò)充SLCNANDFlash產(chǎn)品線。公司先進(jìn)制程的1xnmNANDFlash產(chǎn)品已完成首輪晶圓流片及首次晶圓制造，并已完成功能性驗(yàn)證。公司的NORFlash產(chǎn)品在力積電的48nm制程上持續(xù)進(jìn)行更高容量的新產(chǎn)品開發(fā)，目前512Mb、1Gb大容量NORFlash產(chǎn)品都已有樣品可提供給客戶。另一方面，公司在中芯國(guó)際的NORFlash產(chǎn)品制程從65nm推進(jìn)至55nm，目前該制程產(chǎn)線已完成首次晶圓流片。公司將持續(xù)在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上為客戶提供更多樣化的、高可靠性的產(chǎn)品選擇。公司設(shè)計(jì)研發(fā)的LPDDR4x及PSRAM產(chǎn)品均已完成工程樣片并已通過(guò)客戶驗(yàn)證，公司將繼續(xù)在DRAM領(lǐng)域進(jìn)行新產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)，助力公司產(chǎn)品多樣性發(fā)展。車規(guī)產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)度方面，公司基于中芯國(guó)際38nm工藝平臺(tái)的SLCNANDFlash以及基于力積電48nm工藝平臺(tái)的NORFlash均有產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q100測(cè)試，將適用于要求更為嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)應(yīng)用環(huán)境。（六）恒爍股份：深耕NORFLASH存儲(chǔ)器，進(jìn)軍MCU開啟第二成長(zhǎng)曲線“存儲(chǔ)+控制”雙輪驅(qū)動(dòng)，市占率有望穩(wěn)步提升。公司成立于2015年,是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的NORFlash存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司。近年來(lái)主營(yíng)業(yè)務(wù)已拓展至基于Arm?Cortex?內(nèi)核架構(gòu)的通用32位MCU芯片，同時(shí)公司還在致力于開發(fā)基于NOR閃存技術(shù)的存算一體終端推理AI芯片。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于TWS耳機(jī)等消費(fèi)類電子、物聯(lián)網(wǎng)終端、通信設(shè)備、智能電表、工業(yè)控制等領(lǐng)域。公司NORFlash芯片和MCU芯片均獲得客戶的廣泛認(rèn)可，與杰理科技、樂(lè)鑫科技、泰凌微電子、芯?？萍?、兆訊恒達(dá)、翱捷科技、上海巨微及賽騰微等客戶建立了長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系，多款產(chǎn)品進(jìn)入小米、360、OPPO、星網(wǎng)銳捷、新大陸、中興、聯(lián)想、奇瑞汽車、江鈴汽車及歐菲光等終端用戶供應(yīng)鏈體系。借助NORFlash的渠道和客戶優(yōu)勢(shì)，MCU和存算一體終端推理AI芯片業(yè)務(wù)有望實(shí)現(xiàn)協(xié)同發(fā)展，各項(xiàng)產(chǎn)品市占率有望實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步提升。深入布局存算一體芯片，擁抱AI大時(shí)代。隨著摩爾定律逼近極限，依靠尺寸微縮實(shí)現(xiàn)芯片性能提升的路徑面臨巨大挑戰(zhàn)，傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)已無(wú)法適應(yīng)如今AI計(jì)算對(duì)算力和低功耗的需求，存算一體是將存儲(chǔ)單元和計(jì)算單元合為一體，省去了計(jì)算過(guò)程中數(shù)據(jù)搬運(yùn)環(huán)節(jié)，消除了由于數(shù)據(jù)搬運(yùn)帶來(lái)的功耗和延遲，有望徹底解決傳統(tǒng)馮·諾伊曼架構(gòu)的存儲(chǔ)墻問(wèn)題，極大提高計(jì)算能效。公司自主研發(fā)的CiNORAI推理芯片可利用NORFlash的模擬特性直接在NORFlash存儲(chǔ)單元內(nèi)進(jìn)行矩陣卷積運(yùn)算，其Flash存儲(chǔ)單元既可存儲(chǔ)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的權(quán)重參數(shù)，同時(shí)又可完成和此權(quán)重相關(guān)的矩陣乘加運(yùn)算，從而將乘加法運(yùn)算和存儲(chǔ)融合到一個(gè)Flash單元里面。相比于傳統(tǒng)的馮·諾伊曼架構(gòu)，運(yùn)算效率顯著提高，功耗大幅降低。公司借助長(zhǎng)期以來(lái)在NORFlash領(lǐng)域的技術(shù)積累，為實(shí)施CiNORAI推理芯片的進(jìn)一步研發(fā)奠定了基礎(chǔ)。第二款CiNOR存算一體AI加速芯片，其芯片的控制引擎需要一顆MCU進(jìn)行控制和調(diào)度，公司CiNOR可在自己MCU平臺(tái)上進(jìn)行驗(yàn)證和糾錯(cuò)，持續(xù)推進(jìn)基于MCU的AI應(yīng)用部署和模型量化研究，大大減少CiNORAI芯片的開發(fā)周期，可為客戶提供“MCU+存儲(chǔ)器+AI”的產(chǎn)品解決方案。（七）雅克科技：LNG板材&光刻膠齊頭并進(jìn)，前驅(qū)體領(lǐng)先廠商受益存儲(chǔ)復(fù)蘇公司是全球前驅(qū)體領(lǐng)先廠商，國(guó)內(nèi)獨(dú)家LNG板材廠。公司主營(yíng)電子材料、LNG保溫絕熱板材、阻燃劑三大板塊。其中電子材料業(yè)務(wù)包括半導(dǎo)體前驅(qū)體材料/SOD、光刻膠及配套試劑、電子特氣、硅微粉及LDS輸送系統(tǒng)等。LNG船保溫絕熱材料用于-162℃超低溫條件，目前全球僅3家公司在生產(chǎn)LNG保溫板材，公司是國(guó)內(nèi)唯一一家通過(guò)認(rèn)證的LNG保溫絕熱板材供應(yīng)商。2023年國(guó)內(nèi)新增LNG船大規(guī)模放量，公司第二工廠建設(shè)有續(xù)推進(jìn)預(yù)計(jì)2023年底投產(chǎn)，LNG板材業(yè)務(wù)空間廣闊。公司的光刻膠產(chǎn)品主要包括面板用正性TFT光刻膠、RGB彩色光刻膠、CNT防靜電材料以及光刻膠配套試劑，已與三星電子、LGDisplay、京東方、華星光電、惠科等知名面板供應(yīng)商建立合作關(guān)系；同時(shí)公司新增布局半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域，半導(dǎo)體制程光刻膠及SOC材料研發(fā)和測(cè)試工作正在按計(jì)劃推進(jìn)。技術(shù)優(yōu)勢(shì)構(gòu)筑前驅(qū)體產(chǎn)品領(lǐng)先地位，AI驅(qū)動(dòng)前驅(qū)體需求增長(zhǎng)。公司是全球領(lǐng)先的前驅(qū)體供應(yīng)商之一，產(chǎn)品覆蓋硅類前驅(qū)體、High-K前驅(qū)體、金屬前驅(qū)體，在DRAM可以滿足全球最先進(jìn)存儲(chǔ)芯片制程1b、200X層以上NAND、邏輯芯片3納米的量產(chǎn)供應(yīng)，客戶包括鎂光、鎧俠、Intel、臺(tái)積電、中芯國(guó)際、華虹宏力、長(zhǎng)江存儲(chǔ)與合肥長(zhǎng)鑫等國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體芯片頭部生產(chǎn)商。AI推動(dòng)HBM新型存儲(chǔ)需求高增，公司是HBM核心廠商海力士的供應(yīng)商，充分受益于下游芯片廠擴(kuò)產(chǎn)帶動(dòng)的前驅(qū)體材料增長(zhǎng)。當(dāng)前公司江蘇先科宜興生產(chǎn)基地部分產(chǎn)品已開始客戶端測(cè)試，預(yù)計(jì)于2023年四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)供應(yīng)，本地化的穩(wěn)定供應(yīng)將進(jìn)一步助力公司縮短產(chǎn)品交期，構(gòu)筑市場(chǎng)開拓的核心競(jìng)爭(zhēng)力。（八）瀾起科技：內(nèi)存接口芯片龍頭，布局高性能計(jì)算產(chǎn)業(yè)內(nèi)存接口芯片龍頭企業(yè)，充分受益內(nèi)存更新?lián)Q代。瀾起科技成立于2004年，是國(guó)際領(lǐng)先的數(shù)據(jù)處理及互連芯片設(shè)計(jì)公司，目前擁有互連類芯片和津逮服務(wù)器平臺(tái)兩大產(chǎn)品線。公司2022年?duì)I業(yè)收入為36.7億元，歸母凈利潤(rùn)為13.0億元，過(guò)去5年復(fù)合增速分別高達(dá)24%和30%，實(shí)現(xiàn)了業(yè)績(jī)的高速增長(zhǎng)?；ミB類芯片產(chǎn)品線2022年度銷售收入創(chuàng)下歷史新高，實(shí)現(xiàn)27.4億元，較上年度增長(zhǎng)59.3%，毛利率為58.7%。DDR5世代，隨著技術(shù)難度的提升，內(nèi)存接口芯片價(jià)值量較DDR4世代有明顯提升，同時(shí)內(nèi)存模組上新增若干配套芯片，進(jìn)一步增加行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模。作為行業(yè)領(lǐng)跑者，公司憑借自身的技術(shù)領(lǐng)先地位及競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，受益于內(nèi)存模組市場(chǎng)由DDR4向DDR5迭代升級(jí)帶來(lái)的成長(zhǎng)紅利。引領(lǐng)CXL技術(shù)發(fā)展浪潮，全球首發(fā)MXC芯片。CXL是目前全球高速互連領(lǐng)域熱門和前沿的技術(shù)之一。隨著CXL技術(shù)及生態(tài)日益成熟，以及CXL技術(shù)在下一代內(nèi)存架構(gòu)中的應(yīng)用的擴(kuò)大，CXL內(nèi)存有望成為未來(lái)計(jì)算結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，進(jìn)而大幅推進(jìn)人工智能（AI）和大數(shù)據(jù)服務(wù)。公司引領(lǐng)該項(xiàng)全球前沿技術(shù)，結(jié)合自身優(yōu)勢(shì)，搶先進(jìn)行了相關(guān)產(chǎn)品的布局。2022年5月，公司成功發(fā)布全球首款CXL內(nèi)存擴(kuò)展控制器芯片（MXC）。公司的MXC芯片實(shí)現(xiàn)全球首發(fā)，體現(xiàn)了公司的戰(zhàn)略眼光、前瞻性布局能力以及技術(shù)實(shí)力，公司相關(guān)技術(shù)水平處于國(guó)際領(lǐng)先地位，有望在未來(lái)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中搶得先機(jī)。公司發(fā)布MXC芯片后，全球多家頂級(jí)云計(jì)算廠商、內(nèi)存模組廠商主動(dòng)尋求合作，三星電子和SK海力士?jī)纱髢?nèi)存龍頭相繼推出了采用瀾起科技MXC芯片的CXL內(nèi)存模組及板卡。未來(lái)公司也在進(jìn)一步與更多合作伙伴一起探索CXL內(nèi)存擴(kuò)展和內(nèi)存池化在實(shí)際業(yè)務(wù)場(chǎng)景中的應(yīng)用和落地，保持在相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。（九）聚辰股份：SPD+車規(guī)EPPROM雙輪驅(qū)動(dòng)，打開成長(zhǎng)空間國(guó)內(nèi)EEPROM領(lǐng)軍企業(yè)，自主創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)業(yè)績(jī)高速增長(zhǎng)。公司目前擁有EEPROM、音圈馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片及智能卡芯片三條主要產(chǎn)品線，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、液晶面板、藍(lán)牙模塊、通訊、計(jì)算機(jī)及周邊、醫(yī)療儀器、白色家電、汽車電子、工業(yè)控制等眾多領(lǐng)域。公司核心骨干源于海外存儲(chǔ)廠商與經(jīng)驗(yàn)豐富創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)，具備豐富的國(guó)際化視野。公司持續(xù)加強(qiáng)對(duì)新產(chǎn)品和新技術(shù)的研究和開發(fā)，2022年研發(fā)費(fèi)用1.34億元，同比增長(zhǎng)80.39%，占營(yíng)業(yè)收入的比例為13.67%，受益于DDR內(nèi)存模組換代升級(jí)以及高可靠性產(chǎn)品的客戶認(rèn)可度及品牌影響力不斷提升，公司SPD產(chǎn)品以及應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)控制等高附加值市場(chǎng)的EEPROM產(chǎn)品銷量和收入于報(bào)告期內(nèi)實(shí)現(xiàn)高速增長(zhǎng)，帶動(dòng)公司收入規(guī)模和資產(chǎn)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張。公司全年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入9.8億元，同比增長(zhǎng)80.2%；歸母凈利潤(rùn)為3.5億元，同比增長(zhǎng)226.8%。布局車規(guī)級(jí)EEPROM，把握汽車市場(chǎng)發(fā)展新機(jī)遇。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的汽車級(jí)EEPROM產(chǎn)品供應(yīng)商，公司基于對(duì)行業(yè)發(fā)展的判斷，在業(yè)務(wù)發(fā)展過(guò)程中側(cè)重了對(duì)汽車電子應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)積累和產(chǎn)品開發(fā)，目前已擁有A1及以下等級(jí)的全系列汽車級(jí)EEPROM產(chǎn)品。隨著汽車電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化趨勢(shì)的不斷發(fā)展，汽車電子產(chǎn)品的滲透率快速提升，在全球汽車“缺芯”的背景下，公司憑借較高的產(chǎn)品質(zhì)量、高效的市場(chǎng)響應(yīng)能力、較為完整的應(yīng)用產(chǎn)品線和穩(wěn)定的供貨能力，及時(shí)把握汽車級(jí)EEPROM芯片供應(yīng)短缺帶來(lái)的市場(chǎng)發(fā)展機(jī)遇，汽車級(jí)EEPROM產(chǎn)品的銷量及收入于近年來(lái)實(shí)現(xiàn)高速增長(zhǎng)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車的智能座艙、三電系統(tǒng)、視覺感知、底盤傳動(dòng)與微電機(jī)等四大系統(tǒng)的數(shù)十個(gè)子模塊，終端客戶包括眾多國(guó)內(nèi)外主流汽車廠商。（十）江波龍：深耕存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，積極擁抱AI發(fā)展浪潮國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域先行者，布局完善。江波龍自1999年成立以來(lái)一直專注存儲(chǔ)產(chǎn)品業(yè)務(wù)，已形成嵌入式存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤（SSD）、移動(dòng)存儲(chǔ)及內(nèi)存條四大產(chǎn)品線，能夠提供消費(fèi)級(jí)、工規(guī)級(jí)、車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)器以及業(yè)存儲(chǔ)軟硬件應(yīng)用解決方案。目前公司擁有行業(yè)類存儲(chǔ)品牌FORESEE和國(guó)際高端消費(fèi)類存儲(chǔ)品牌Lexar(雷克沙)，旗下存儲(chǔ)器產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于智能終端、物聯(lián)網(wǎng)、安防、工控、汽車以及個(gè)人移動(dòng)存儲(chǔ)等領(lǐng)域。此外，公司也在持續(xù)推出行業(yè)領(lǐng)先的產(chǎn)品體系，公司UFS存儲(chǔ)器為高端智能手機(jī)提供更高的傳輸速率，車規(guī)級(jí)eMMC已符合汽車電子行業(yè)核心標(biāo)準(zhǔn)體系A(chǔ)EC-Q100，可實(shí)現(xiàn)-40℃-105℃的寬溫域作業(yè)。自主研發(fā)能力不斷提升，持續(xù)迭代夯實(shí)技術(shù)儲(chǔ)備。公司目前已經(jīng)具備全面自主可控固件的開發(fā)及持續(xù)創(chuàng)新能力，能夠自主完成SiP集成封裝設(shè)計(jì)，并通過(guò)自主研發(fā)、與第三方合作開發(fā)等多種方式研發(fā)了多項(xiàng)存儲(chǔ)芯片測(cè)試算法，形成行業(yè)領(lǐng)先的測(cè)試解決方案。與此同時(shí)，公司憑借長(zhǎng)期的科技創(chuàng)新與技術(shù)積累，不斷開發(fā)并推出創(chuàng)新產(chǎn)品，持續(xù)改進(jìn)存儲(chǔ)晶圓產(chǎn)品化過(guò)程中各個(gè)工藝環(huán)節(jié)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)手段，縮短產(chǎn)品導(dǎo)入周期，提升產(chǎn)品性能和穩(wěn)定性，確保先進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的供應(yīng)安全，為下游各個(gè)電子信息細(xì)分產(chǎn)業(yè)提供可靠的存儲(chǔ)解決方案，躋身國(guó)內(nèi)頂尖供應(yīng)商行列。公司旗下Lexar品牌SSD出貨量位列全球第七名。根據(jù)Omdia(IHSMarkit)數(shù)據(jù)，2020年Lexar存儲(chǔ)卡全球市場(chǎng)份額位列第三名、Lexar閃存盤全球市場(chǎng)份額位列第四名。展望未來(lái)，隨著公司研發(fā)實(shí)力的進(jìn)一步提升，新產(chǎn)品加速落地/新客戶加速突破或可期待，公司有望步入業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)快車道。（十一）佰維存儲(chǔ)：國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)模組領(lǐng)先廠商，深化布局研發(fā)封測(cè)一體經(jīng)營(yíng)模式國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器模組領(lǐng)先廠商，客戶資源豐富。公司成立于2010年，主營(yíng)業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品及服務(wù)包括嵌入式存儲(chǔ)、消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)、工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)及先進(jìn)封測(cè)服務(wù)。近年來(lái)，公司產(chǎn)品在國(guó)產(chǎn)廠商中市場(chǎng)份額位居前列，并已進(jìn)入各細(xì)分領(lǐng)域國(guó)內(nèi)外一線客戶供應(yīng)體系，營(yíng)收保持高速增長(zhǎng)。公司的主要產(chǎn)品已進(jìn)入高通、Google、英特爾、微軟、聯(lián)發(fā)科、展銳、晶晨、全志、瑞芯微、瑞昱、君正等主流SoC芯片及系統(tǒng)平臺(tái)廠商的合格供應(yīng)商名錄。公司憑借著優(yōu)秀的技術(shù)實(shí)力、服務(wù)質(zhì)量以及嚴(yán)格的品控，與中興、富士康、聯(lián)想、傳音控股、同方、TCL、創(chuàng)維、步步高、Google、Facebook等國(guó)內(nèi)外知名企業(yè)建立了密切的合作關(guān)系。布局研發(fā)封測(cè)一體化的經(jīng)營(yíng)模式，具備生產(chǎn)工藝優(yōu)勢(shì)。在大數(shù)據(jù)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)的加持下，全球電子信息產(chǎn)業(yè)進(jìn)入裂變式發(fā)展階段，5G通訊終端、高性能計(jì)算(HPC)、智能汽車、數(shù)據(jù)中心等新興應(yīng)用正在加速半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈的變革與發(fā)展，對(duì)封測(cè)工藝及產(chǎn)品性能提出了更高的要求。自建封測(cè)產(chǎn)能與自主研發(fā)能力的結(jié)合給公司帶來(lái)了重要的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。首先，在產(chǎn)品開發(fā)效率和定制化方面，研發(fā)封測(cè)一體化布局可更好的支撐到公司在智能穿戴、智能車載與工業(yè)級(jí)應(yīng)用等細(xì)分市場(chǎng)推出更具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品；其次，自建封測(cè)能力實(shí)現(xiàn)了公司產(chǎn)品全生命周期的質(zhì)量管理、追溯和改進(jìn)，深化了公司與一線客戶的合作基礎(chǔ)，并確保了重要客戶的產(chǎn)品交付質(zhì)量；此外，自建封測(cè)也延伸了公司的價(jià)值鏈條。2022年，公司成功引進(jìn)一批具有國(guó)際視野的先進(jìn)封測(cè)團(tuán)隊(duì)，不斷強(qiáng)化公司先進(jìn)封測(cè)工藝研發(fā)及管理能力。（十二）德明利：自研主控芯片夯實(shí)模組競(jìng)爭(zhēng)力，內(nèi)生外延打造豐富