edge國(guó)標(biāo)測(cè)試規(guī)范

EDGE測(cè)試目錄手機(jī)測(cè)試環(huán)境發(fā)射機(jī)測(cè)試頻率誤差和調(diào)制精度多徑干擾下的頻率誤差發(fā)射機(jī)輸出功率P/PCL功率回退PVT輸出射頻頻譜調(diào)制譜開(kāi)關(guān)譜發(fā)射雜散移動(dòng)臺(tái)接收帶內(nèi)的雜散發(fā)射接收機(jī)測(cè)試接收機(jī)最小輸入電平同頻干擾抑制鄰頻干擾抑制互調(diào)抑制阻塞接收機(jī)輸入電平范圍目錄手機(jī)測(cè)試環(huán)境發(fā)射機(jī)測(cè)試頻率誤差和調(diào)制精度多徑干擾下的頻率誤差發(fā)射機(jī)輸出功率輸出射頻頻譜接收機(jī)測(cè)試接收機(jī)最小輸入電平同頻干擾抑制鄰頻干擾抑制互調(diào)抑制阻塞接收機(jī)輸入電平范圍手機(jī)測(cè)試環(huán)境(1)衰弱環(huán)境類別： -靜態(tài):static; -鄉(xiāng)村地區(qū):

ruralarea(RA); -丘陵地區(qū):

hillyterrain(HT); -城市環(huán)境:

urbanarea(TU); -均衡測(cè)試:

equalizationtest(EQ). 這些非靜態(tài)型態(tài)一般會(huì)與移動(dòng)臺(tái)的移動(dòng)速度（單位:km/h)一起表示，例如:TU1,5, TU3,TU50,HT100,EQ50.溫度環(huán)境

一般環(huán)境測(cè)試條件：處于一般環(huán)境溫度和一般電壓下的測(cè)試環(huán)境。極限環(huán)境測(cè)試條件：處于極限環(huán)境溫度和極限電壓下的測(cè)試環(huán)境。它是極限溫度和極限電壓的任意組合。

-GSM400，GSM900andDCS1800

正常環(huán)境溫度：+15

C~+35

C濕度：25%~75%

極限環(huán)境溫度：?10

C~+55

C

-PCS1

900andGSM850

正常環(huán)境溫度：+15

C~+35

C濕度：35%~75%

極限環(huán)境溫度：?10

C~+55

C電壓環(huán)境：-展訊平臺(tái)Normal電壓值:3.8V

手機(jī)測(cè)試環(huán)境(2)測(cè)試信道手機(jī)測(cè)試環(huán)境(3)-Agilent8960選件：

-GPRS:E1968A-102 -EDGE:E1968A-103-R&SCMU200選件：

-GPRS:K42-EDGE:K43測(cè)試儀器選件：手機(jī)測(cè)試環(huán)境(4)目錄手機(jī)測(cè)試環(huán)境發(fā)射機(jī)測(cè)試頻率誤差和調(diào)制精度多徑干擾下的頻率誤差發(fā)射機(jī)輸出功率輸出射頻頻譜接收機(jī)測(cè)試接收機(jī)最小輸入電平同頻干擾抑制鄰頻干擾抑制互調(diào)抑制阻塞接收機(jī)輸入電平范圍頻率誤差和調(diào)制精度(1)發(fā)射機(jī)的相位誤差和頻率誤差

-指測(cè)得的實(shí)際相位、頻率與理論期望的相位，頻率之差。調(diào)制精度 -GMSK:FEandPE -8PSK:EVM一致性要求：

-頻率誤差:≤

0.2ppmGSM400/0.1ppmothers

-相位誤差:RMS:≤5度Peakvalue:≤20度Allband-RMSEVM:≤9%Normal/10%Extreme-PeakEVM:≤30%-95%EVM:≤15%-OriginOffsetSuppression:>

30dB測(cè)試方法:

-僅對(duì)上行時(shí)隙EDGEMS進(jìn)行此項(xiàng)測(cè)試.MS通過(guò)RF電纜與測(cè)試設(shè)備（TE）相連。-根據(jù)通用呼叫建立程序建立一個(gè)分組通信。TE指令MS以最多的時(shí)隙進(jìn)行發(fā)射，

在每個(gè)時(shí)隙內(nèi)采用相同的功率控制等級(jí)。

-測(cè)試選用高中低各一個(gè)信道，在高中低三個(gè)功率控制等級(jí)上進(jìn)行測(cè)試。

-測(cè)試的環(huán)境條件為一般環(huán)境測(cè)試條件和極限環(huán)境測(cè)試條件。EVM定義:EVM=|a||b|×100%EVM(dB)=10lg|a||b|頻率誤差和調(diào)制精度(2)目錄手機(jī)測(cè)試環(huán)境發(fā)射機(jī)測(cè)試頻率誤差和調(diào)制精度多徑干擾下的頻率誤差發(fā)射機(jī)輸出功率輸出射頻頻譜接收機(jī)測(cè)試接收機(jī)最小輸入電平同頻干擾抑制鄰頻干擾抑制互調(diào)抑制阻塞接收機(jī)輸入電平范圍多徑干擾下的頻率誤差定義：

在多徑及干擾環(huán)境下的頻率誤差測(cè)量是測(cè)試手機(jī)在多徑干擾以及多普勒頻移環(huán)境下保持接收信號(hào)的頻率同步的能力。一致性要求：

頻率誤差:0.2ppmGSM4000.1ppmothers目錄手機(jī)測(cè)試環(huán)境發(fā)射機(jī)測(cè)試頻率誤差和調(diào)制精度多徑干擾下的頻率誤差發(fā)射機(jī)輸出功率P/PCL功率回退PVT輸出射頻頻譜接收機(jī)測(cè)試接收機(jī)最小輸入電平同頻干擾抑制鄰頻干擾抑制互調(diào)抑制阻塞接收機(jī)輸入電平范圍發(fā)射機(jī)輸出功率---P/PCL(1)定義:

發(fā)射機(jī)載波峰值功率是指發(fā)射機(jī)載頻功率在一個(gè)突發(fā)脈沖的有用信息比特時(shí)間上

的平均值。一致性要求：1.在一般與極限測(cè)試條件下，每個(gè)頻率的各個(gè)功率等級(jí)上的發(fā)射機(jī)載頻峰值功都

應(yīng)處在表13-2，表13.16.2-2,表13-4,表13.17.3-1,和表13.17.3-2所示的容限內(nèi)。2.相同頻率及相同測(cè)試條件下，兩相鄰功率控制級(jí)的TX載頻峰值功率的差值應(yīng)不

小于0.5且不大于3.5dB。測(cè)試方法：MS通過(guò)RF電纜與測(cè)試設(shè)備（TE）相連。根據(jù)通用呼叫建立程序建立一個(gè)分組

通信。TE指令MS以最多的時(shí)隙進(jìn)行發(fā)射。TE對(duì)MS發(fā)射的每個(gè)脈沖進(jìn)行采樣。

對(duì)于一致性要求1，測(cè)試分四個(gè)步驟：

a.在多時(shí)隙架構(gòu)內(nèi)，每個(gè)時(shí)隙上采用相同的功率控制等級(jí)進(jìn)行控制，在每個(gè)時(shí)

隙內(nèi)的每個(gè)功率控制等級(jí)上進(jìn)行測(cè)試。

b.在多時(shí)隙架構(gòu)內(nèi)，設(shè)置第一個(gè)時(shí)隙為最高功率控制等級(jí)，第二個(gè)時(shí)隙為最低

功率控制等級(jí)，其他時(shí)隙采用最高功率控制等級(jí)，在每個(gè)時(shí)隙內(nèi)的規(guī)定功率

控制等級(jí)上進(jìn)行測(cè)試。

c.在多時(shí)隙架構(gòu)內(nèi)，設(shè)置第一個(gè)時(shí)隙為最高功率控制等級(jí)，在第二個(gè)時(shí)隙內(nèi)的

的每個(gè)功率控制等級(jí)上進(jìn)行測(cè)試。

d.在多時(shí)隙架構(gòu)內(nèi)，設(shè)置第一個(gè)時(shí)隙為最低功率控制等級(jí)，在第二個(gè)時(shí)隙內(nèi)的

的每個(gè)功率控制等級(jí)上進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于一致性要求2，測(cè)試分三個(gè)步驟：

a.在多時(shí)隙架構(gòu)內(nèi)，每個(gè)時(shí)隙上采用相同的功率控制等級(jí)進(jìn)行控制，在每個(gè)時(shí)

隙內(nèi)的每個(gè)功率控制等級(jí)上進(jìn)行測(cè)試。

b.在多時(shí)隙架構(gòu)內(nèi)，設(shè)置第一個(gè)時(shí)隙為最高功率控制等級(jí)，在第二個(gè)時(shí)隙內(nèi)的

的每個(gè)功率控制等級(jí)上進(jìn)行測(cè)試。

c.在多時(shí)隙架構(gòu)內(nèi)，設(shè)置第一個(gè)時(shí)隙為最低功率控制等級(jí)，在第二個(gè)時(shí)隙內(nèi)的

的每個(gè)功率控制等級(jí)上進(jìn)行測(cè)試。發(fā)射機(jī)輸出功率---P/PCL(2)不同功率等級(jí)的最大輸出功率：發(fā)射機(jī)輸出功率---P/PCL(3)注:手持設(shè)備一般的功率等級(jí)為上表格中標(biāo)記的功率等級(jí).發(fā)射機(jī)輸出功率---P/PCL(4)發(fā)射機(jī)輸出功率---P/PCL(5)發(fā)射機(jī)輸出功率---P/PCL(6)發(fā)射機(jī)輸出功率---P/PCL(7)發(fā)射機(jī)輸出功率---P/PCL(8)目錄手機(jī)測(cè)試環(huán)境發(fā)射機(jī)測(cè)試頻率誤差和調(diào)制精度多徑干擾下的頻率誤差發(fā)射機(jī)輸出功率P/PCL功率回退PVT輸出射頻頻譜接收機(jī)測(cè)試接收機(jī)最小輸入電平同頻干擾抑制鄰頻干擾抑制互調(diào)抑制阻塞接收機(jī)輸入電平范圍發(fā)射機(jī)輸出功率---功率回退為了方便管理移動(dòng)終端在發(fā)射上行多時(shí)隙時(shí)導(dǎo)致的熱耗散問(wèn)題,當(dāng)移動(dòng)終端的上行時(shí)隙從N個(gè)增加到N+1個(gè)時(shí)，將按如下表格所述減少它的最大發(fā)射功率.Table4:R99andRel-4Table5:FromRel-5onwards目錄手機(jī)測(cè)試環(huán)境發(fā)射機(jī)測(cè)試頻率誤差和調(diào)制精度多徑干擾下的頻率誤差發(fā)射機(jī)輸出功率P/PCL功率回退PVT輸出射頻頻譜接收機(jī)測(cè)試接收機(jī)最小輸入電平同頻干擾抑制鄰頻干擾抑制互調(diào)抑制阻塞接收機(jī)輸入電平范圍發(fā)射機(jī)輸出功率---PVT(1)一致性要求:

一般與極限測(cè)試條件下，各功率控制級(jí)下的功率/時(shí)間包絡(luò)應(yīng)落在圖1所示的功率/時(shí)間包絡(luò)框架內(nèi)。多時(shí)隙MS在同一頻率上連續(xù)發(fā)射兩個(gè)或多個(gè)時(shí)隙時(shí)，每個(gè)時(shí)隙的有用部

分的發(fā)射功率電平與時(shí)間的關(guān)系應(yīng)滿足圖1中規(guī)定的功率/時(shí)間包絡(luò)的要求，第一個(gè)時(shí)

隙的起始部分和最后一個(gè)時(shí)隙的結(jié)尾部分的發(fā)射功率電平與時(shí)間的關(guān)系應(yīng)滿足圖1中規(guī)

定的功率/時(shí)間包絡(luò)的要求，時(shí)隙間的保護(hù)時(shí)內(nèi)的發(fā)射功率電平不應(yīng)超過(guò)前一時(shí)隙的有

用部分和后一時(shí)隙有用部分加3dB中較高的一個(gè)電平。測(cè)試方法:

-MS通過(guò)RF電纜與測(cè)試設(shè)備（TE）相連。根據(jù)通用呼叫建立程序建立一個(gè)分組通信。-TE指令MS以最多的時(shí)隙進(jìn)行發(fā)射。TE對(duì)MS發(fā)射的每個(gè)脈沖進(jìn)行采樣。

-測(cè)試選用高中低各一個(gè)信道。測(cè)試的環(huán)境條件為一般環(huán)境測(cè)試條件和極限環(huán)境測(cè)試條件。

測(cè)試分四個(gè)步驟進(jìn)行： 1.在多時(shí)隙架構(gòu)內(nèi)，每個(gè)時(shí)隙上采用相同的功率控制等級(jí)進(jìn)行控制，在每個(gè)時(shí)隙內(nèi)的每

個(gè)功率控制等級(jí)上進(jìn)行測(cè)試。2.在多時(shí)隙架構(gòu)內(nèi)，設(shè)置第一個(gè)時(shí)隙為最高功率控制等級(jí)，第二個(gè)時(shí)隙為最低功率控制

等級(jí)，其他時(shí)隙為最高功率控制等級(jí)，在每個(gè)時(shí)隙內(nèi)的規(guī)定功率控制等級(jí)上進(jìn)行測(cè)試。3.在多時(shí)隙架構(gòu)內(nèi)，設(shè)置第一個(gè)時(shí)隙為最高功率控制等級(jí)，在第二個(gè)時(shí)隙內(nèi)的的每個(gè)功

率控制等級(jí)上進(jìn)行測(cè)試。4.在多時(shí)隙架構(gòu)內(nèi)，設(shè)置第一個(gè)時(shí)隙為最低功率控制等級(jí)，在第二個(gè)時(shí)隙內(nèi)的的每個(gè)功

率控制等級(jí)上進(jìn)行測(cè)試。Timemaskfornormaldurationbursts(NB,FB,dBandSB)atGMSKmodulation

發(fā)射機(jī)輸出功率---PVT(2)*）對(duì)850/900MHz移動(dòng)臺(tái)：取-59dBc與-54dBm中的較大值對(duì)1800/1900MHz移動(dòng)臺(tái)：取-48dBc與-48dBm中的較大值**）對(duì)850/900MHz移動(dòng)臺(tái)：-4dBc功率控制等級(jí)16-2dBc功率控制等級(jí)17-1dBc功率控制等級(jí)18、19對(duì)1800/1900MHz移動(dòng)臺(tái)：-4dBc功率控制等級(jí)11 -2dBc功率控制等級(jí)12-1dBc功率控制等級(jí)13、14和15***）對(duì)850/900MHz移動(dòng)臺(tái)：取-30dBc與-17dBc中的較大值對(duì)1800/1900MHz移動(dòng)臺(tái)：取-30dBc與-20dBc中的較大值Timemaskfornormaldurationbursts(NB)at8-PSKmodulation

發(fā)射機(jī)輸出功率---PVT(3)目錄手機(jī)測(cè)試環(huán)境發(fā)射機(jī)測(cè)試頻率誤差和調(diào)制精度多徑干擾下的頻率誤差發(fā)射機(jī)輸出功率輸出射頻頻譜調(diào)制譜開(kāi)關(guān)譜發(fā)射雜散移動(dòng)臺(tái)接收帶內(nèi)的雜散發(fā)射接收機(jī)測(cè)試接收機(jī)最小輸入電平同頻干擾抑制鄰頻干擾抑制互調(diào)抑制阻塞接收機(jī)輸入電平范圍輸出射頻頻譜定義：

輸出RF功率譜是由于調(diào)制和功率切換等原因由MS在標(biāo)稱載頻的鄰近邊帶上產(chǎn)生的

射頻頻譜，它包括調(diào)制頻譜和切換瞬態(tài)頻譜。

-調(diào)制頻譜：測(cè)量由于GSM調(diào)制處理而產(chǎn)生的在其標(biāo)稱載頻的不同頻偏處（主要是在相鄰頻

道）的射頻功率。

-切換瞬態(tài)頻譜：測(cè)量由于調(diào)制突發(fā)的上升沿和下降沿而產(chǎn)生的在其標(biāo)稱載頻的不同頻偏處（主

要是在相鄰頻道）的射頻功率。輸出射頻調(diào)制頻譜(1)頻譜分析儀設(shè)置如下： -從中心頻率F到F

1800kHz以30kHz步進(jìn)掃頻。 -視頻帶寬：30kHz；分辨率帶寬：30kHz；掃頻帶寬：0kHz； -帶用外部觸發(fā)方式，僅對(duì)每個(gè)突發(fā)脈沖內(nèi)的87比特至132比特中的至少40比特進(jìn)

行測(cè)試，在50個(gè)突發(fā)脈沖上對(duì)所測(cè)值進(jìn)行平均。測(cè)試方法： 1:在一般環(huán)境測(cè)試條件下，選取中間信道。在多時(shí)隙架構(gòu)內(nèi)，每個(gè)時(shí)隙上采用最低

功率控制等級(jí)進(jìn)行控制，在每個(gè)時(shí)隙內(nèi)進(jìn)行測(cè)試。2:在一般環(huán)境測(cè)試條件下，選取高信道和低信道。在多時(shí)隙架構(gòu)內(nèi)，每個(gè)時(shí)隙上采

用最高功率控制等級(jí)進(jìn)行控制，在每個(gè)時(shí)隙內(nèi)進(jìn)行測(cè)試。3:在極限環(huán)境測(cè)試條件下，選取中間信道。在多時(shí)隙架構(gòu)內(nèi)，每個(gè)時(shí)隙上采用最高

功率控制等級(jí)進(jìn)行控制，在每個(gè)時(shí)隙內(nèi)進(jìn)行測(cè)試。在以上三種測(cè)試環(huán)境下，在中心頻率F

100kHz，F(xiàn)

200kHz，F(xiàn)

250kHz，F(xiàn)

N200kHz（N=2to8）處進(jìn)行測(cè)試。

ForGMSK輸出射頻調(diào)制頻譜(2)For8psk輸出射頻調(diào)制頻譜(3)目錄手機(jī)測(cè)試環(huán)境發(fā)射機(jī)測(cè)試頻率誤差和調(diào)制精度多徑干擾下的頻率誤差發(fā)射機(jī)輸出功率輸出射頻頻譜調(diào)制譜開(kāi)關(guān)譜發(fā)射雜散移動(dòng)臺(tái)接收帶內(nèi)的雜散發(fā)射接收機(jī)測(cè)試接收機(jī)最小輸入電平同頻干擾抑制鄰頻干擾抑制互調(diào)抑制阻塞接收機(jī)輸入電平范圍輸出射頻開(kāi)關(guān)頻譜(1)頻譜分析儀設(shè)置： -Zerofrequencyscan;-RBW:30kHz;VBW:100kHz;Peakhold.

-用外部觸發(fā)方式，采用視頻觸發(fā)，在十個(gè)突發(fā)脈沖上進(jìn)行峰值保存。測(cè)試方法：

a.

在多時(shí)隙架構(gòu)內(nèi)，每個(gè)時(shí)隙上采用相同的功率控制等級(jí)進(jìn)行控制。在每個(gè)時(shí)隙內(nèi)進(jìn)行測(cè)試。 分以下兩種測(cè)試環(huán)境設(shè)置：a-1:在一般環(huán)境測(cè)試條件下：

-GSM900：選取中間信道，用5,7,11這三個(gè)功率控制等級(jí)進(jìn)行控制；選取高低各一個(gè)

信道，用11功率控制等級(jí)進(jìn)行控制。

-GSM1800:選取中間信道，用0,7,11這三個(gè)功率控制等級(jí)進(jìn)行控制；選取高低各一個(gè)

信道，用11功率控制等級(jí)進(jìn)行控制。a-2:在極限環(huán)境測(cè)試條件下，選取中間信道，用11功率控制等級(jí)進(jìn)行控制。

b.在多時(shí)隙架構(gòu)內(nèi)，設(shè)置第一個(gè)時(shí)隙為最高功率控制等級(jí)，在第二個(gè)時(shí)隙內(nèi)的的其他功率控

制等級(jí)上進(jìn)行測(cè)試。分以下兩種測(cè)試環(huán)境設(shè)置：

b-1:

在一般環(huán)境測(cè)試條件下，選取高中低各一個(gè)信道。b-2:在極限環(huán)境測(cè)試條件下，選取高中低各一個(gè)信道。

c.

在多時(shí)隙架構(gòu)內(nèi)，設(shè)置第一個(gè)時(shí)隙為最低功率控制等級(jí)，在第二個(gè)時(shí)隙內(nèi)的的其他功率控

制等級(jí)上進(jìn)行測(cè)試。在以上三個(gè)測(cè)試步驟中，在中心頻率F

400kHz，F(xiàn)

600kHz，F(xiàn)

1200kHz，F(xiàn)

1800kHz處

進(jìn)行測(cè)試。輸出射頻調(diào)制頻譜(2)目錄手機(jī)測(cè)試環(huán)境發(fā)射機(jī)測(cè)試頻率誤差和調(diào)制精度多徑干擾下的頻率誤差發(fā)射機(jī)輸出功率輸出射頻頻譜調(diào)制譜開(kāi)關(guān)譜發(fā)射雜散移動(dòng)臺(tái)接收帶內(nèi)的雜散發(fā)射接收機(jī)測(cè)試接收機(jī)最小輸入電平同頻干擾抑制鄰頻干擾抑制互調(diào)抑制阻塞接收機(jī)輸入電平范圍發(fā)射雜散(1)

定義：

-寬帶噪聲是指用標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試信號(hào)調(diào)制時(shí)由于調(diào)制引起的遠(yuǎn)端頻道上的的射頻頻譜。頻譜分析儀設(shè)置：

-視頻帶寬：100kHz；分辨率帶寬：100kHz；掃頻帶寬：0kHz；

測(cè)試方法：

-測(cè)試選取中間信道。

-測(cè)試的環(huán)境條件為一般環(huán)境測(cè)試條件。

-在多時(shí)隙架構(gòu)內(nèi)，每個(gè)時(shí)隙上采用最高功率控制等級(jí)進(jìn)行控制，在每個(gè)時(shí)隙內(nèi)

進(jìn)行測(cè)試。從中心頻率F

1800kHz到相應(yīng)的發(fā)射頻段邊沿以200kHz步進(jìn)掃頻。

8PSKGMSK發(fā)射雜散(2)

目錄手機(jī)測(cè)試環(huán)境發(fā)射機(jī)測(cè)試頻率誤差和調(diào)制精度多徑干擾下的頻率誤差發(fā)射機(jī)輸出功率輸出射頻頻譜調(diào)制譜開(kāi)關(guān)譜發(fā)射雜散移動(dòng)臺(tái)接收帶內(nèi)的雜散發(fā)射接收機(jī)測(cè)試接收機(jī)最小輸入電平同頻干擾抑制鄰頻干擾抑制互調(diào)抑制阻塞接收機(jī)輸入電平范圍移動(dòng)臺(tái)接收帶內(nèi)的雜散發(fā)射(1)定義：

-移動(dòng)臺(tái)接收帶內(nèi)的雜散發(fā)射是指是在一定的帶寬和周期內(nèi)測(cè)量出的由MS的調(diào)制

和功率噪聲產(chǎn)生的在接收帶內(nèi)的射頻頻譜。頻譜分析儀設(shè)置：

-視頻帶寬：100kHz；分辨率帶寬：100kHz；掃頻帶寬：0kHz；

測(cè)試方法：

-僅對(duì)上行時(shí)隙EDGEMS進(jìn)行此項(xiàng)測(cè)試

-

MS通過(guò)RF電纜與測(cè)試設(shè)備（TE）相連。

-需要一個(gè)陷波濾波器與頻譜分析儀相連以阻隔發(fā)射信道功率。