《功能晶體生長(zhǎng)及技術(shù)》課程教學(xué)大綱

ADDINCNKISM.UserStyle《功能晶體生長(zhǎng)及技術(shù)》課程教學(xué)大綱（理論課程）一、課程基本信息課程號(hào)1123S00011開課單位化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院課程名稱功能晶體生長(zhǎng)及技術(shù)Functionalcrystalgrowthandtechnology課程性質(zhì)選修考核類型考查課程學(xué)分2課程學(xué)時(shí)34課程類別專業(yè)拓展課先修課程無機(jī)化學(xué)101、分析化學(xué)101、儀器分析適用專業(yè)（類）化學(xué)、化學(xué)菁英班、材料化學(xué)、化學(xué)生物學(xué)二、課程描述及目標(biāo)（一）課程簡(jiǎn)介《功能晶體生長(zhǎng)及技術(shù)》課程是本專業(yè)的一門專業(yè)拓展課，通過本課程的學(xué)生的學(xué)習(xí)使學(xué)生掌握從事晶體生長(zhǎng)工作的物理基礎(chǔ)以及晶體生長(zhǎng)的方法，了解晶體生長(zhǎng)的機(jī)制和所遵循的基本規(guī)律。通過本課程的學(xué)習(xí)，使學(xué)生掌握晶體的基本生長(zhǎng)方法，面向晶體產(chǎn)業(yè)就業(yè)方向奠定必要的良好基礎(chǔ)。（二）教學(xué)目標(biāo)通過本課程，學(xué)生將學(xué)會(huì)并掌握或具備以下知識(shí)和判斷能力。課程目標(biāo)1：掌握晶體生長(zhǎng)的基本理論，晶體的基本概念、結(jié)構(gòu)、常見的功能晶體材料分類以及晶體生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展。課程目標(biāo)2：掌握晶體生長(zhǎng)技術(shù)基礎(chǔ)和物理理論，能夠明白晶體生長(zhǎng)過程的物理化學(xué)問題，理解相圖的概念和應(yīng)用。課程目標(biāo)3：掌握不同晶體生長(zhǎng)技術(shù)的原理和基本流程，了解不同工藝參數(shù)對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響。課程目標(biāo)4：掌握常見的功能晶體的生長(zhǎng)方法和基本性能參數(shù)，能夠根據(jù)不同晶體的物化性質(zhì)選擇合適的晶體生長(zhǎng)方法。三、課程目標(biāo)對(duì)畢業(yè)要求的支撐關(guān)系畢業(yè)要求指標(biāo)點(diǎn)課程目標(biāo)權(quán)重1-1：掌握晶體生長(zhǎng)方面的基本理論和基本知識(shí)課程目標(biāo)10.252-3：具有一定的運(yùn)算和識(shí)別能力課程目標(biāo)30.253-1：具有獨(dú)立批判性學(xué)習(xí)并獲得知識(shí)以及分析問題、解決問題的能力課程目標(biāo)20.153-4：具有對(duì)知識(shí)進(jìn)行歸納、整理、分析和篩選的能力課程目標(biāo)40.203-2：運(yùn)用科學(xué)的方法論進(jìn)行抽絲剝繭的能力課程目標(biāo)40.15四、教學(xué)方式與方法課堂教學(xué)采用講解式、啟發(fā)式、引導(dǎo)式、討論式、前后銜接、提問等多種形式，使學(xué)生積極參與課堂教學(xué)活動(dòng)，調(diào)動(dòng)他們學(xué)習(xí)的主動(dòng)性和好奇心，激發(fā)他們學(xué)習(xí)的興趣，同時(shí)注重常見現(xiàn)象與本課程理論之間聯(lián)系、實(shí)物演示等，通過與前述知識(shí)相關(guān)性的緊密結(jié)合強(qiáng)化學(xué)生對(duì)知識(shí)的理解和記憶。利用模型展示的立體感強(qiáng)的特點(diǎn)，加強(qiáng)學(xué)生形象記憶，拓展教學(xué)空間。五、教學(xué)重點(diǎn)與難點(diǎn)（一）教學(xué)重點(diǎn)本課程的教學(xué)重點(diǎn)：相平衡和相圖、溫場(chǎng)和熱量傳輸、溶質(zhì)分凝和質(zhì)量傳輸、界面過程、成核、生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)、主要晶體生長(zhǎng)方法、晶體缺陷等。同時(shí)適當(dāng)介紹現(xiàn)代材料的新發(fā)展、特點(diǎn)及研究新方法。培養(yǎng)學(xué)生獨(dú)立進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)識(shí)別、影響晶體生長(zhǎng)因素判斷以及缺陷濃度測(cè)定方法使用，引導(dǎo)學(xué)生進(jìn)一步自學(xué)的動(dòng)力和愿望，利用參考資料等方面的能力。強(qiáng)化學(xué)生的專業(yè)思想，激發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)晶體生長(zhǎng)技術(shù)的興趣。（二）教學(xué)難點(diǎn)相平衡和相圖；晶體生長(zhǎng)的熱力學(xué)原理；溶質(zhì)的分凝和質(zhì)量的傳輸；晶體生長(zhǎng)方法和應(yīng)用。六、教學(xué)內(nèi)容、基本要求與學(xué)時(shí)分配序號(hào)教學(xué)內(nèi)容基本要求學(xué)時(shí)教學(xué)方式對(duì)應(yīng)課程目標(biāo)1第1章晶體生長(zhǎng)理論基礎(chǔ)學(xué)會(huì)對(duì)功能晶體材料認(rèn)知、掌握晶體生長(zhǎng)技術(shù)的分類，晶體生長(zhǎng)的熱力學(xué)基本原理，了解晶體生長(zhǎng)的基本理論4講授課程目標(biāo)12第2章相圖及其在晶體生長(zhǎng)中的應(yīng)用掌握相圖的基本概念，學(xué)會(huì)杠桿原理，熟悉相圖的繪制方法和相圖在晶體生長(zhǎng)中的應(yīng)用4講授課程目標(biāo)23第3章液相晶體生長(zhǎng)方法和應(yīng)用掌握水溶液晶體生長(zhǎng)技術(shù)、熔體法，助溶劑法、水熱法等生長(zhǎng)技術(shù)，學(xué)會(huì)根據(jù)不同晶體性能選擇合適的生長(zhǎng)方法10講授課程目標(biāo)24第4章氣相晶體生長(zhǎng)方法和應(yīng)用掌握物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積等生長(zhǎng)技術(shù)，學(xué)會(huì)根據(jù)不同晶體性能選擇合適的生長(zhǎng)方法4講授課程目標(biāo)35第5章重要功能晶體材料的生長(zhǎng)掌握幾種重要商業(yè)功能晶體材料的生長(zhǎng)方法，學(xué)會(huì)不同晶體的一般工藝過程，了解不同晶體生長(zhǎng)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)12講授課程目標(biāo)4合計(jì)34七、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容、基本要求與學(xué)時(shí)分配序號(hào)實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目名稱實(shí)驗(yàn)內(nèi)容與要求學(xué)時(shí)類型對(duì)應(yīng)課程目標(biāo)1演示性課程目標(biāo)12驗(yàn)證性課程目標(biāo)23設(shè)計(jì)性課程目標(biāo)34探究性課程目標(biāo)1其他……合計(jì)注：實(shí)驗(yàn)要求包括必修、選修；實(shí)驗(yàn)類型包括“演示性”、“驗(yàn)證性”、“設(shè)計(jì)性”、“探究性”、“其它”等。八、學(xué)業(yè)評(píng)價(jià)和課程考核（一）考核類型：考試考查（二）考核方式：開卷考試閉卷考試課程論文課程報(bào)告其它：（三）成績(jī)?cè)u(píng)定：考核依據(jù)建議分值（百分比）考核/評(píng)價(jià)細(xì)則對(duì)應(yīng)課程目標(biāo)過程考核40%出勤表現(xiàn)30%考勤情況課程目標(biāo)1表現(xiàn)10%回答問題課程目標(biāo)2期末考核60%安排課題，學(xué)生論文形式完成考核課程目標(biāo)1課程目標(biāo)2課程目標(biāo)3……九、課程目標(biāo)達(dá)成評(píng)價(jià)課程目標(biāo)的實(shí)際達(dá)成效果計(jì)算方式如下，達(dá)成值越高，教學(xué)效果越好。課程目標(biāo)達(dá)成度畢業(yè)要求指標(biāo)點(diǎn)達(dá)成度十、教材與教學(xué)參考書（一）教材王國富，李凌云，《晶體生長(zhǎng)基礎(chǔ)與技術(shù)》，科學(xué)出版社（二）教學(xué)參考書1.張克從,張樂潓