單相橋式全控整流電路(阻感性負載)

1、.1. 單相橋式全控整流電路（阻-感性負載）1.1單相橋式全控整流電路電路結(jié)構(gòu)（阻-感性負載）單相橋式全控整流電路用四個晶閘管，兩只晶閘管接成共陰極，兩只晶閘管接成共陽極，每一只晶閘管是一個橋臂。 單相橋式全控整流電路（阻-感性負載）電路圖如圖1所示圖1. 單相橋式全控整流電路（阻-感性負載）1.2單相橋式全控整流電路工作原理（阻-感性負載）1）在u2正半波的（0）區(qū)間： 晶閘管VT1、VT4承受正壓，但無觸發(fā)脈沖，處于關(guān)斷狀態(tài)。假設(shè)電路已工作在穩(wěn)定狀態(tài)，則在0區(qū)間由于電感釋放能量，晶閘管VT2、VT3維持導(dǎo)通。2）在u2正半波的t=時刻及以后： 在t=處觸發(fā)晶閘管VT1、VT4使其導(dǎo)通，電流

2、沿aVT1LRVT4bTr的二次繞組a流通，此時負載上有輸出電壓（ud=u2）和電流。電源電壓反向加到晶閘管VT2、VT3上，使其承受反壓而處于關(guān)斷狀態(tài)。3）在u2負半波的（+）區(qū)間： 當(dāng)t=時，電源電壓自然過零，感應(yīng)電勢使晶閘管VT1、VT4繼續(xù)導(dǎo)通。在電壓負半波，晶閘管VT2、VT3承受正壓，因無觸發(fā)脈沖，VT2、VT3處于關(guān)斷狀態(tài)。4）在u2負半波的t=+時刻及以后： 在t=+處觸發(fā)晶閘管VT2、VT3使其導(dǎo)通，電流沿bVT3LRVT2aTr的二次繞組b流通，電源電壓沿正半周期的方向施加到負載上，負載上有輸出電壓 （ud=-u2）和電流。此時電源電壓反向加到VT1、VT4上，使其承受反壓

3、而變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。晶閘管VT2、VT3一直要導(dǎo)通到下一周期t=2+處再次觸發(fā)晶閘管VT1、VT4為止。1.3單相橋式全控整流電路仿真模型（阻-感性負載）單相橋式全控整流電路（阻-感性負載）仿真電路圖如圖2所示：圖2 單相雙半波可控整流電路仿真模型（阻-感性負載）電源參數(shù)，頻率50hz，電壓100v，如圖3圖3.單相橋式全控整流電路電源參數(shù)設(shè)置VT1,VT4脈沖參數(shù)，振幅3V，周期0.02，占空比10%，時相延遲/360*0.02，如圖4圖4. 單相橋式全控整流電路脈沖參數(shù)設(shè)置VT2,VT3脈沖參數(shù)，振幅3V，周期0.02，占空比10%，時相延遲（+180）/360*0.02，如圖5圖5. 單相橋

4、式全控整流電路脈沖參數(shù)設(shè)置1.4單相橋式全控整流電路仿真參數(shù)設(shè)置（阻-感性負載）設(shè)置觸發(fā)脈沖分別為30、60、90、120。與其產(chǎn)生的相應(yīng)波形分別如圖6、圖7、圖8、圖9。在波形圖中第一列波為流過VT1的電流波形，第二列波為流過VT1的電壓波形，第三列波流過 VT3的電流波形，第四列波為流過VT3的電壓波形，第五列波為流過過負載電流波形波形，第六列波為流過過負載電壓波形波形。（1）當(dāng)延遲角=30時，波形圖如圖6所示：圖6 =30單相橋式全控整流電路（電阻性負載）波形圖（2）當(dāng)延遲角=60時，波形圖如圖7所示：圖7 =60單相橋式全控整流電路（電阻性負載）波形圖（3）當(dāng)延遲角=90時，波形圖如圖

5、8所示：圖8 =90單相橋式全控整流電路（電阻性負載）波形圖（4）當(dāng)延遲角=120時，波形圖如圖9所示： 圖9 =120單相橋式全控整流電路（電阻性負載）波形圖1.5單相橋式全控整流電路小結(jié)（阻-感性負載） 單相橋式全控整流電路（電阻性負載）一共采用了四個晶閘管，VT1,VT2兩只晶閘管接成共陽極，VT3,VT4兩只晶閘管接成共陰極，當(dāng)u2在（0）晶閘管VT1和VT4承受正向電壓，但是沒有觸發(fā)脈沖晶閘管沒有導(dǎo)通。在（）VT1和VT4承受正向電壓，有觸發(fā)脈沖晶閘管VT1，VT4導(dǎo)通。當(dāng)u2在（+）閘管VT2和VT3承受正向電壓，但是沒有觸發(fā)脈沖晶閘管沒有導(dǎo)通。在（+2）VT2和VT3承受正向電壓，有觸發(fā)脈沖晶閘管VT2， VT3導(dǎo)通。與單相半波整流電路仿真波形相比較，輸出的電壓和電流波形頻率都提高了約一倍，