高中化學(xué) 第3章 物質(zhì)的聚集狀態(tài)與物質(zhì)性質(zhì) 第2節(jié) 金屬晶體與離子晶體學(xué)案 魯科版選修3

1、第2節(jié)金屬晶體與離子晶體1能用金屬鍵和離子鍵的理論解釋金屬晶體和離子晶體的物理性質(zhì)。(重點(diǎn))2了解金屬晶體的三種原子堆積模型和幾種典型離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)。(難點(diǎn))3了解晶格能的概念和意義。金 屬 晶 體基礎(chǔ)·初探1概念金屬原子通過金屬鍵形成的晶體稱為金屬晶體。2特點(diǎn)由于金屬鍵沒有飽和性和方向性，從而導(dǎo)致金屬晶體最常見的結(jié)構(gòu)型式具有堆積密度大、原子配位數(shù)高、能充分利用空間等特點(diǎn)。3常見堆積方式三種典型結(jié)構(gòu)型式面心立方最密堆積a1體心立方密堆積a2六方最密堆積a3常見金屬ca，cu，au，al，pd，pt，agli，na，k，ba，w，femg，zn，ti結(jié)構(gòu)示意圖配位數(shù)12812晶體結(jié)

2、構(gòu)面心立方晶胞體心立方晶胞六方晶胞4.物理通性金屬晶體具有金屬光澤，有良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱和延展性。1金屬在發(fā)生變形延展時(shí)，金屬鍵斷裂嗎？【提示】不斷裂。2金屬在通常狀況下都是晶體嗎？金屬晶體的性質(zhì)與哪些因素有關(guān)？【提示】不是，如汞；金屬鍵和金屬原子的堆積方式?jīng)Q定金屬的性質(zhì)。核心·突破1金屬物理通性的解釋 2金屬晶體熔點(diǎn)的影響因素同類型的金屬晶體的熔點(diǎn)由金屬陽離子半徑、離子所帶的電荷決定，陽離子半徑越小，所帶電荷越多，相互作用力就越強(qiáng)，熔點(diǎn)就越高。例如熔點(diǎn)：linakrbcs，namgal。題組·沖關(guān)1金屬能導(dǎo)電的原因是()a金屬晶體中金屬陽離子與自由電子間的相互作用較弱b金屬

3、晶體中的自由電子在外加電場作用下發(fā)生定向移動c金屬晶體中的金屬陽離子在外加電場作用下可發(fā)生定向移動d金屬晶體在外加電場作用下可失去電子【解析】金屬原子失去電子后變?yōu)榻饘匐x子，失去的電子稱為自由電子，自由電子可以在金屬晶體中自由移動，在外加電場的作用下，自由電子就會定向移動而形成電流。【答案】b2關(guān)于金屬晶體的體心立方密堆積的結(jié)構(gòu)型式的敘述中，正確的是()a晶胞是六棱柱b屬于a2型最密堆積c每個(gè)晶胞中含4個(gè)原子d配位數(shù)為12【解析】金屬晶體的體心立方密堆積的晶胞是平行六面體，體心立方密堆積的堆積方式為立方體的頂點(diǎn)和體心各有1個(gè)原子，屬于a2型最密堆積，每個(gè)晶胞中含有8×12個(gè)原子，a2

4、型的配位數(shù)為8。【答案】b3金屬晶體堆積密度大，原子配位數(shù)高，能充分利用空間的原因是()a金屬原子的價(jià)電子數(shù)少b金屬晶體中有自由電子c金屬原子的原子半徑大d金屬鍵沒有飽和性和方向性【解析】這是因?yàn)榻柚跊]有方向性的金屬鍵形成的金屬晶體的結(jié)構(gòu)中，都趨向于使原子吸引盡可能多的原子分布于周圍，并以密堆積的方式降低體系的能量，使晶體變得比較穩(wěn)定?！敬鸢浮縟4下列關(guān)于金屬晶體的敘述正確的是()a常溫下，金屬單質(zhì)都以金屬晶體形式存在b金屬離子與自由電子之間有強(qiáng)烈的相互作用，在一定外力作用下，不因形變而消失c鈣的熔點(diǎn)低于鉀d溫度越高，金屬的導(dǎo)電性越好【解析】a項(xiàng)，汞在常溫下為液態(tài)；c項(xiàng)，由于原子半徑r(ca

5、)r(k)且價(jià)電子數(shù)cak，所以金屬鍵cak，故熔點(diǎn)cak。【答案】b離 子 晶 體基礎(chǔ)·初探1概念由陽離子和陰離子通過離子鍵結(jié)合，在空間呈現(xiàn)有規(guī)律的排列而形成的晶體。2常見ab型的離子晶體晶體類型nacl型cscl型zns型晶體結(jié)構(gòu)模型配位數(shù)684晶胞中微粒數(shù)na4cl4cs1cl1zn24s24符號類型li、na、k、rb的鹵化物、agf、mgo等csbr、csi、nh4cl等beo、bes等3.晶格能(1)概念：將1 mol離子晶體中的陰、陽離子完全氣化而遠(yuǎn)離所吸收的能量。(2)意義：衡量離子鍵的強(qiáng)弱。晶格能越大，表示離子鍵越強(qiáng)，離子晶體越穩(wěn)定。(3)影響因素：晶格能，即與陰、

6、陽離子所帶電荷的乘積成正比，與陰、陽離子間的距離成反比。與離子晶體的結(jié)構(gòu)型式有關(guān)。4特性(1)熔點(diǎn)、沸點(diǎn)較高，而且隨著離子電荷的增加，離子間距的縮短，晶格能增大，熔點(diǎn)升高。(2)一般易溶于水，而難溶于非極性溶劑。(3)在固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電，熔融狀態(tài)或在水溶液中能導(dǎo)電。離子晶體的化學(xué)式是表示真正的分子構(gòu)成嗎？【提示】不是。離子晶體的化學(xué)式僅代表晶體中陰、陽離子個(gè)數(shù)比，并不代表分子構(gòu)成，所以離子晶體中不存在分子。核心·突破對離子晶體特性的理解1離子晶體熔、沸點(diǎn)的比較：一般來說，陰、陽離子所帶的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，則離子鍵越強(qiáng)，離子晶體的熔、沸點(diǎn)越高，如al2o3>mgo；nacl&

7、gt;cscl等。2對于離子晶體的熔、沸點(diǎn)，要注意“一般來說”和“較高”等字詞?！耙话銇碚f”說明離子晶體的熔、沸點(diǎn)還有些特例；“較高”是與其他晶體類型比較的結(jié)果。3離子晶體的一些特殊物理性質(zhì)可用于確定晶體類型。如在固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電，在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的晶體一定是離子晶體。4離子晶體導(dǎo)電的前提是先電離出自由移動的陰、陽離子。難溶于水的強(qiáng)電解質(zhì)如baso4、caco3等溶于水時(shí)，由于濃度極小，故導(dǎo)電性極弱。通常情況下，它們的水溶液不導(dǎo)電。題組·沖關(guān)1下列物質(zhì)的晶體屬于離子晶體的是()a苛性鉀b碘化氫c硫酸d醋酸【解析】苛性鉀含有離子鍵，故屬于離子晶體；碘化氫、硫酸、醋酸均含有分子間作用力，故

8、三者均為分子晶體?！敬鸢浮縜2下列性質(zhì)適合于離子晶體的是()a熔點(diǎn)1 070 ，固態(tài)不導(dǎo)電，液態(tài)能導(dǎo)電b熔點(diǎn)10.31 ，液態(tài)不導(dǎo)電，水溶液能導(dǎo)電c能溶于cs2，熔點(diǎn)112.8 ，沸點(diǎn)444.6 d熔點(diǎn)97.81 ，質(zhì)軟，導(dǎo)電，密度0.97 g·cm3【解析】離子晶體的性質(zhì)是熔點(diǎn)較高，固態(tài)不導(dǎo)電，液態(tài)和水溶液能導(dǎo)電，質(zhì)脆?！敬鸢浮縜3下列說法正確的是()a晶體中若存在陰離子，就一定存在陽離子b離子晶體不一定是化合物c離子晶體都易溶于水d離子晶體一定是由活潑金屬和活潑非金屬形成的【解析】離子晶體的構(gòu)成微粒是陰離子與陽離子，a項(xiàng)正確。離子晶體中存在離子鍵，存在電子得失，一定是化合物，b項(xiàng)

9、錯(cuò)。caco3、baso4等離子晶體難溶于水，c項(xiàng)錯(cuò)。nh4cl晶體全部由非金屬元素組成，d項(xiàng)錯(cuò)?！敬鸢浮縜4 nacl晶體模型如下圖所示：【導(dǎo)學(xué)號：66240026】(1)在nacl晶體中，每個(gè)cl周圍同時(shí)吸引著_個(gè)na；在nacl晶胞中含有_個(gè)na、_個(gè)cl，晶體中每個(gè)na周圍與它距離最近且相等的na共有_個(gè)。(2)對于氯化鈉晶體，下列描述正確的是_。a它是六方緊密堆積b相鄰的正負(fù)離子核間距等于正負(fù)離子半徑之和c與氯化銫晶體結(jié)構(gòu)相同d每個(gè)na與6個(gè)cl鄰近【解析】(1)在氯化鈉晶體中，一個(gè)na位于晶胞的中心，12個(gè)na分別位于晶胞的12條棱上，則屬于該晶胞的na相當(dāng)于3個(gè)(×12

10、3，棱邊上的每個(gè)na同時(shí)被4個(gè)晶胞共用，屬于該晶胞的na僅占)，因此一個(gè)晶胞中共含有4個(gè)na；8個(gè)cl分別位于晶胞的8個(gè)頂點(diǎn)上，則屬于該晶胞的cl相當(dāng)于1個(gè)(×81，頂點(diǎn)上的每個(gè)cl同時(shí)被8個(gè)晶胞共用，屬于該晶胞的cl僅占)，6個(gè)cl分別位于晶胞的6個(gè)面心上，則屬于該晶胞的cl相當(dāng)于3個(gè)(×63，面心上的每個(gè)cl同時(shí)被2個(gè)晶胞共用，屬于該晶胞的cl僅占)，所以一個(gè)晶胞中共含有4個(gè)cl。可見nacl晶體中na、cl的個(gè)數(shù)比為11。圖中位于晶胞中心的na實(shí)際上共有3個(gè)平面通過它，通過中心na的每個(gè)平面都有4個(gè)na位于平面的四角，這4個(gè)na與中心na距離最近且距離相等。所以在nacl晶體中，每個(gè)na周圍與它距離最近且距離相等的na共有12個(gè)，按相似的方法可推出每個(gè)cl周圍與它最近且距離相等的cl也共有12個(gè)。(2)氯化鈉晶體是面心立方最密堆積，故a錯(cuò)；氯化銫晶體結(jié)構(gòu)呈體心立方密堆積a2，所以c不正確；氯化鈉晶體中以na為中心向三維方向伸展，有6個(gè)cl近鄰，所以d正確；相鄰的正、負(fù)離子核間距不等于正、負(fù)離子半徑之和，b錯(cuò)?！敬鸢浮?1)64412(2)d6edbc3191f2351dd815ff33